620.1/.2
С 506


    Смирнов, О. В.
    Исследование деформаций и твердости металла тройников в ходе циклического нагружения внутренним давлением [Текст] / О. В. Смирнов, А. С. Кузьбожев, И. Н. Бирилло, Р. В. Агиней // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2008. - Т. 74, N 5. - C. 63-67. - Библиогр.: с. 67 (4 назв. ) . - ISSN 1028-6861
УДК
ББК 30.3 + 22.372
Рубрики: Техника
   Материаловедение

   Физика

   Механические и акустические свойства монокристаллов

Кл.слова (ненормированные):
деформации -- твердость металлов -- тройники -- циклическое нагружение -- нагружение внутренним давлением -- внутреннее давление -- изменение твердости -- тензометрия -- тройниковые соединения -- магистральные трубопроводы -- трубопроводы -- самокомпенсация
Аннотация: Приведены метод и результаты испытаний угла из типовых деталей трубопровода. Исследованы деформации и изменения твердости этих деталей в ходе стендовых испытаний с циклическим изменением внутреннего избыточного давления.


Доп.точки доступа:
Кузьбожев, А. С.; Бирилло, И. Н.; Агиней, Р. В.




   
    Влияние самокомпенсации на время жизни электрона в теллуриде кадмия, легированном галлием [Текст] / Е. В. Рабенок [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 878-883 : ил. - Библиогр.: с. 882 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
самокомпенсация -- электроны -- время жизни электронов -- теллурид кадмия -- легирование -- галлий -- фотопроводимость -- сверхвыкокочастотная фотопроводимость -- катодолюминесценция -- элементарные процессы -- заряженные частицы -- твердые растворы -- поликристаллические твердые растворы -- датчики интроскопии -- фотоотклик -- амплитуда -- характеристическое время -- фотогенерированные электроны -- энергетические ловушки
Аннотация: Методами сверхвысокочастотной фотопроводимости и катодолюминесценции исследованы элементарные процессы с участием заряженных частиц в поликристаллических твердых растворах на основе теллурида кадмия CdTe-GaTe и CdTe-Ga[2]Te[3] - перспективных активных средах датчиков интроскопии человека с низкой дозовой нагрузкой. Экспериментально установлено, что амплитуда, характеристическое время и форма спада фотоотклика зависели от уровня легирования, причем характеристическое время спада увеличивалось с ростом уровня легирования. Показано, что изменение кинетики гибели фотогенерированных электронов в легированном теллуриде кадмия (по сравнению с исходным) обусловлено эффектом самокомпенсации, приводящим к перераспределению ловушек по энергиям.


Доп.точки доступа:
Рабенок, Е. В.; Гапанович, М. В.; Новиков, Г. Ф.; Один, И. Н.