539.2 А 156 Абов, Ю. Г. Исследование направленно-кристаллизованной керамики нейтрон-дифракционными методами [Текст] / Ю. Г. Абов, Н. О. Елютин, Д. В. Львов, Ю. И. Смирнов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N8. - Библиогр.: 13 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): керамика -- малоугловое рассеяние нейтронов -- нейтрон-дифракционные исследования -- рост кристаллов -- структурная нейтронография Аннотация: С использованием малоуглового рассеяния нейтронов и методами структурной нейтронографии с постоянной длиной волны и по времени пролета нейтронов проведено исследование влияния скорости роста направленно-криcталлизованной керамики состава Al[2]O[3]-Y[3]Al[5]O[12] на степень совершенства микроструктуры двух фаз синтезированного образца. Показано, что при большей скорости роста ориентация и размеры нитевидной фазы Y[3]Al[5]O[12] не изменяются, а фаза-матрица Al[2]O[3] распадается на отдельные кристаллиты. Предложено использовать нейтрон-дифракционные методы для осуществления гибкого управления процессом роста кристаллов. Доп.точки доступа: Елютин, Н.О.; Львов, Д.В.; Смирнов, Ю.И. |
Тарасевич, Ю. Ю. Компьютерное моделирование процесса роста кристаллов из раствора [Текст] / Ю. Ю. Тарасевич // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N5. - Библиогр.: с. 125 (9 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): рост кристаллов -- кристаллы -- компьютерное моделирование -- биологические жидкости -- тау-модель Аннотация: Для компьютерного моделирования процесса роста кристалла соли из биологических жидкостей была предложена так называемая тау-модель [1]. В цикле работ [1-5] модель была использована для описания роста кристаллов в различных условиях. Проведенное независимое исследование позволяет утверждать, что выводы, полученные в рамках тау-модели, не подтверждаются. Наблюдаемые в модели эффекты связаны с ошибками в алгоритме |
53 О-367 Огенко, В. М. Рост кристаллов хлоридов и карбонатов щелочных металлов из водных растворов, содержащих углеродные наночастицы [Текст] / В. М. Огенко, авт. Э. В. Панов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 4. - С. 110-112 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- рост кристаллов -- углеродные нанотрубки -- наночастицы -- фуллерены -- хлорид натрия -- карбонат натрия Аннотация: Изучался рост кристаллов хлорида и карбоната натрия в присутствии углеродных нанотрубок и фуллеренов. Анализировались причины изменения морфологии и габитуса кристаллов. Доп.точки доступа: Панов, Э. В. |
Гладков, С. О. Модельное описание роста кристаллов из неоднородных субстанций [Текст] / С. О. Гладков // Доклады Академии наук. - 2004. - Т. 394, N 4. - С. 473-475 . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Геология Минералогия Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- неоднородные субстанции -- процесс кристаллизации -- рост кристаллов -- сталактиты -- эволюция роста -- энтропия кристалла Аннотация: Предложена синергетическая модель описания роста кристаллов в неоднородной гелевой субстанции; дано физическое обоснование ограничения роста "сталактита" и определена его длина. |
Петровский, В. А. Механизм алмазообразования в присутствии металлов-катализаторов [Текст] / В. А. Петровский, С. А. Трошев, А. Е. Сухарев // Доклады Академии наук. - 2004. - Т. 397, N 1. - С. 93-96 . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Геология Минералогия Кл.слова (ненормированные): алмазообразование -- алмазы -- графиты -- металлы катализаторы -- кристаллы алмаза -- углерод -- рост кристаллов -- дефекты кристаллов Аннотация: Рассматривается процесс алмазообразования, основанный на теории поверхности потенциальной энергии и теории протекания, в представлении о взаимосвязанности процессов в системе алмаз-МК-графит. Доп.точки доступа: Трошев, С. А.; Сухарев, А. Е. |
Гладков, С. О. К теории роста поверхности кристалла вблизи точки кристаллизации [Текст] / С. О. Гладков // Доклады Академии наук. - 2004. - Т. 399, N 1. - С. 34-37 . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Геология Минералогия Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- рост кристаллов -- процессы кристаллизации -- уравнение трансверсальности -- поверхность кристаллов -- растущие кристаллы Аннотация: Проведен анализ уравнения трансверсальности и найдено его физическое решение, описывающее развитие кристалла во времени и пространстве. |
Соболев, Р. Н. Кинетический подход к кристаллизации магматических расплавов [Текст] / Р. Н. Соболев // Доклады Академии наук. - 2007. - Т. 412, N 4. - С. 543-546. - Библиогр.: с. 546. - Рис . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Геология Минералогия Кл.слова (ненормированные): магматические расплавы -- кристаллизация магматических расплавов -- зарождение кристаллов -- рост кристаллов -- кристаллы -- зародыши кристаллов -- минералы -- горные породы Аннотация: Рассмотрена кристаллизация расплавов в стабильных условиях. |
Газодинамические эффекты при росте кристаллического нитрида галлия методом хлоридно-гидридной эпитаксии в вертикальном реакторе [Текст] / А. В. Кондратьев [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 7. - С. 8-11. - Библиогр.: c. 11 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Газы и жидкости Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): газодинамические эффекты -- нитрид галлия -- хлоридно-гидридная эпитаксия -- эпитаксия -- рост кристаллов -- газовые потоки Аннотация: Проведено численное моделирование роста кристаллического нитрида галия методом хлоридно-гидридной парофазной эпитаксии в вертикальном реакторе. Проанализированы эффекты нарушения устойчивости газового потока и связанные с ними изменения характеристик роста кристаллов, происходящие при изменении расходов газовых компонентов и положения кристалла относительно источника галлия. Выявлено существенное влияние свободной концентрационной конвекции на распределение скорости роста кристалла по его поверхности. Доп.точки доступа: Кондратьев, А. В.; Базаревский, Д. С.; Сегаль, А. С.; Смирнов, С. А.; Макаров, Ю. Н. |
Исследование процесса роста кристаллических слоев GaN в горизонтальном реакторе методом хлоридной эпитаксии [Текст] / С. А. Смирнов [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 12. - С. 70-73. - Библиогр.: c. 73 (5 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нитрид галлия -- рост кристаллов -- хлоридная эпитаксия -- эпитаксиальные слои Аннотация: Численно исследованы процессы роста эпитаксиальных слоев GaN в горизонтальном реакторе методом хлоридной эпитаксии. Выполнены расчеты стационарных трехмерных течений газовой смеси в горизонтальном реакторе с учетом гетерогенных реакций на подложке (рост эпитаксиального слоя GaN) и на стенках реактора (осаждение слоев поликристаллического депозита GaN). Дано объяснение экспериментальным данным по распределению скорости роста поликристаллических и эпитаксиальных слоев GaN. Показано, что при недостаточно большом диаметре реактора осаждение депозита на его стенках увеличивает неоднородность распределения скорости роста GaN по подложке из-за паразитного диффузионного ухода реагентов из газовой фазы на стенки реактора. Доп.точки доступа: Смирнов, С. А.; Пантелеев, В. Н.; Жиляев, Ю. В.; Родин, С. Н.; Сегаль, А. С.; Макаров, Ю. Н.; Буташин, А. В. |
Кузнецов, П. В. Эффект частичного восстановления поверхности цинка при комнатной температуре после микроиндентирования базисной плоскости [Текст] / П. В. Кузнецов, И. В. Петракова, Н. П. Бекетов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 9. - С. 79-87
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): туннельный микроскоп -- индентирование базисной плоскости -- монокристаллы цинка -- рост кристаллов -- поверхностное натяжение Аннотация: C помощью сканирующего туннельного микроскопа обнаружен и исследован эффект частичного восстановления поверхности монокристалла цинка при комнатной температуре после индентирования базисной плоскости. Установлено, что восстановление глубины отпечатка в зависимости от времени происходит в одну стадию, а восстановление латеральных размеров отпечатка – в две стадии с разными значениями энергии активации процесса, которые оказались меньше энергии активации объемной самодиффузии цинка. Обсуждаются возможные механизмы поверхностной самодиффузии атомов цинка, приводящие к росту кристаллов на поверхности отпечатка. Показано, что динамика дефектов, наблюдаемая на поверхности образца в области отпечатка после его выдержки при температуре 100°С в течение 15 мин связана с выходом термически созданных вакансий из объема образца. Доп.точки доступа: Петракова, И. В.; Бекетов, Н. П. |
Бостанов, В. Полизародышевый механизм роста кристаллов при электрокристаллизации серебра: определение размера зародыша с помощью теоремы нуклеации [Текст] / В. Бостанов, А. И. Маслий, Е. Младенова // Электрохимия. - 2008. - Т. 44, N 6. - С. 698-703 : 2 рис. - Библиогр.: с. 703 (33 назв. ) . - ISSN 0424-8570
Рубрики: Химия Электрохимия Кл.слова (ненормированные): полизародышевый механизм -- рост кристаллов -- электрокристаллизация серебра -- серебро -- нуклеации теорема -- двухмерное зародышеобразование -- размер зародыша -- теорема зародышеобразования Аннотация: Теорема зародышеобразования использована для независимого от модели определения размера двухмерного зародыша серебра с помощью экспериментальных данных об электрохимическом росте кристалла, контролируемом зародышеобразованием. Доп.точки доступа: Маслий, А. И.; Младенова, Е. |
Петрова, Е. В. Формирование дислокационной спирали на грани (101) кристалла моноклинного лизоцима: опыты при высоком разрешении [Текст] / Е. В. Петрова, О. А. Шустин, М. А. Воронцова // Вестник Московского университета. Сер. 3. Физика. Астрономия. - 2009. - N 3. - С. 69-76. - Библиогр.: c. 76 (15 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): дислокационная спираль -- лизоцим -- метод атомно-силовой микроскопии -- моноклинные кристаллы лизоцима -- рост кристаллов Аннотация: Исследовались элементарные процессы роста кристалла, имеющего малую плотность изломов на торцах ступеней. На грани (101) моноклинных кристаллов лизоцима получены изображения первого витка полигонизованной дислокационной спирали с высоким разрешением, позволяющим различить отдельные кристаллические ячейки. Показано, что зависимость скорости сегмента спирали от его длины не согласуется с законом Гиббса-Томсона и представляет собой несколько прямолинейных участков. Доп.точки доступа: Шустин, О. А.; Воронцова, М. А. |
Новый метод управления тепломассопереносом в расплаве при выращивании кристаллов по Чохральскому [Текст] / И. Х. Аветисов [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 428, N 2, сентябрь. - С. 177-179 : 3 рис. - Библиогр.: с. 179 (8 назв. ) . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Механика Гидромеханика и аэромеханика Кл.слова (ненормированные): выращивание кристаллов -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- тепломассопереносы -- рост кристаллов -- аксиальные вибрации Аннотация: Разработана новая схема ввода аксиальных низкочастотных вибраций в конфигурации метода Чохральского, согласно которой вынужденные потоки в расплаве генерируются путем аксиальных осцилляций диска, погруженного в кристалл. Доп.точки доступа: Аветисов, И. Х.; Жариков, Е. В.; Зиновьев, А. Ю.; Садовский, А. П. |
Федоров, В. Ю. Дисперсность и кинетика роста кристаллов K[2]SO[4] в каплях испарающегося раствора [Текст] / В. Ю. Федоров // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 5. - С. 54-58. - Библиогр.: c. 58 (16 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): рост кристаллов -- дисперсность кристаллов -- кристаллизация -- сульфат калия -- калия сульфат Аннотация: Исследован рост кристаллов K[2]SO[4] в каплях раствора, имеющих различную начальную высоту и испаряющихся в течение различного времени. Получены зависимости размеров кристаллов от времени их роста. Обнаружены три скоростных режима роста кристаллов: быстрый рост кристаллов в пересыщенном растворе, остановка роста в результате полного снятия пересыщения, медленный рост при квазиравновесной концентрации раствора. Подсчитаны значения дисперсности кристаллов, оставшихся на дне капель после полного испарения растворителя. Найдена линейная зависимость дисперсности кристаллов от обратного времени их роста. Оказалось, что дисперсность кристаллов K[2]SO[4] и дисперсность дендритов твердого раствора в алюминиевых сплавах имеет аналогичный характер зависимости от обратного времени роста кристаллов. |
Рябцев, С. В. Морфология нанокристаллов оксида олова, полученных методом газотранспортного синтеза [Текст] / С. В. Рябцев, Н. М. А. Хадия, Э. П. Домашевская // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 12. - С. 1-7 : ил. - Библиогр.: с. 7 (7 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): технологические режимы -- олово -- оксид олова -- нанокристаллы -- морфология нанокристаллов -- газотранспортный синтез -- метод газотранспортного синтеза -- нитевидные нанокристаллы -- газ -- степень пресыщения -- рост кристаллов -- кристаллы -- фракталоподобные кристаллы -- монокристаллы -- объемные монокристаллы -- лентовидные кристаллы Аннотация: Обсуждаются технологические режимы газотранспортного синтеза нитевидных нанокристаллов оксида олова. Экспериментально установлена зависимость морфологии кристаллов SnO[2] от состава исходной шихты, состава газа-носителя и степени пресыщения парообразного материала в зоне роста кристаллов. В результате газотранспортного синтеза были получены фракталоподобные, объемные монокристаллы, лентовидные и нитевидные кристаллы с диаметром нитей от 1000 до 50 nm. Доп.точки доступа: Хадия, Н. М. А.; Домашевская, Э. П. |
Рентгенотопографическая характеризация структурного отклика кристаллов Ge (Ga) на изменение ориентации вектора силы тяжести в процессе кристаллизации [Текст] / И. А. Прохоров [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 2. - С. 11-16
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): рост кристаллов -- микрогравитация -- космические аппараты -- конвективные течения в расплаве -- процесс кристаллизации -- легирующие примеси Аннотация: Методом плосковолновой рентгеновской топографии исследовано влияние возмущений процесса кристаллизации, связанных с изменением ориентации фронта кристаллизации относительно вектора силы тяжести (характерных для роста кристаллов в условиях микрогравитации на борту космических аппаратов), на реальную структуру кристаллов. Установлено, что такие возмущения могут приводить к локальным нарушениям в распределении примеси в виде микросегрегационных полос роста. Проведены количественные оценки амплитуды вариации состава, основанные на анализе контраста изображений полос роста, полученных методом плосковолновой рентгеновской топографии. Доп.точки доступа: Прохоров, И. А.; Захаров, Б. Г.; Сидоров, В. С.; Стрелов, В. И. |
Белов, А. А. Оптимизация краевых условий распределенной системы управления при выращивании кристаллов [Текст] / А. А. Белов, В. Ю. Захаров, В. И. Стрелов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 2. - С. 67-71
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): рост кристаллов -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- монокристаллы полупроводников -- диэлектрики -- принцип оптимальности Бэлмана -- Бэлмана принцип оптимальности Аннотация: На примере роста кристаллов со структурой граната методом Чохральского проведена оптимизация краевых условий распределенной системы, моделирующей распределение температуры в растущем кристалле и теплообмен с окружающей средой при нелинейных краевых (граничных) условиях. В расчетах использовались условия квазистационарного распределения температуры в растущем кристалле. Полученные результаты позволяют оптимизировать технологические параметры для выращивания кристаллов с высоким структурным совершенством. Доп.точки доступа: Захаров, В. Ю.; Стрелов, В. И. |
Шмытько, И. М. Аномальные структурные состояния оксидов редкоземельных металлов при твердофазном синтезе в режиме непрерывного нагрева [Текст] / И. М. Шмытько, Е. А. Кудренко, Г. К. Струкова // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 9. - С. 1834-1839. - Библиогр.: с. 1839 (22 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): оксиды редкоземельных металлов -- твердофазные синтезы -- редкоземельные металлы -- рост кристаллов -- фазовые превращения в кристаллах Аннотация: Проведены рентгеноструктурные исследования кинетики твердофазного синтеза сложных оксидов редкоземельных металлов (РЗМ) из аморфного прекурсорного состояния в режиме непрерывного нагрева. На примере синтеза боратов РЗМ (ReBO[3]) показано, что непрерывный нагрев таких прекурсоров стимулирует образование новых фаз, не известных в равновесном состоянии для данного редкоземельного элемента, но известных для других редкоземельных боратов. Установлено, что режим непрерывного нагрева при твердофазном синтезе гранатов (Re[3]M[5]O[12]), имеющих только одно кристаллическое фазовое состояние для всех редкоземельных атомов, приводит к ускоренному росту кристаллитов, причем тем более эффективно, чем выше скорость нагрева. Доп.точки доступа: Кудренко, Е. А.; Струкова, Г. К. |
Громов, Д. Г. Проявление гетерогенного механизма при плавлении малоразмерных систем [Текст] / Д. Г. Громов, С. А. Гаврилов // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 10. - С. 2012-2021. - Библиогр.: с. 2020-2021 (34 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нанотрубки -- углеродные нанотрубки -- эпитаксия -- рост кристаллов -- послойный рост кристаллов -- кремниевые интегральные схемы -- алюминиевые контакты -- медь -- гетерогенные плавления -- тонкие пленки -- инертные поверхности Аннотация: Анализируется процесс плавления, которое в полубесконечных системах, обладающих поверхностью, всегда является гетерогенным. С позиции классической термодинамики показано, что в реальных однокомпонентных системах слой жидкости на поверхности твердой фазы образуется при температурах, меньших справочной температуры плавления объемного материала, при которой происходит полное расплавление системы. В зависимости от температуры жидкий слой определенной толщины на поверхности находится в равновесии со всей остальной кристаллической фазой. Показано, что гетерогенное плавление влияет на ряд процессов и механизмов, таких как распад тонкой пленки на капли, механизм эпитаксии пар--жидкость--твердое состояние, механизм послойного роста кристаллов, механизм роста углеродных нанотрубок. Доп.точки доступа: Гаврилов, С. А. |
Федоров, В. Ю. Расчет кинетики роста и дисперсности кристаллов K[2]SO[4] в каплях испаряющегося раствора [Текст] / В. Ю. Федоров // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 7. - С. 60-68. - Библиогр.: c. 68 (17 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): рост кристаллов -- дисперсность кристаллов -- испарение капель -- кинетика испарения капель -- зарождение кристаллов -- кинетика зарождения кристаллов -- кинетика роста кристаллов -- сульфат калия Аннотация: На основе экспериментальных данных по кинетике испарения капель насыщенного раствора K[2]SO[4] и кинетике зарождения первых кристаллов разработана простая методика расчета концентрации раствора, количества, размеров и дисперсности растущих кристаллов. Расчеты показывают хорошее сходство с экспериментальными данными по кинетике роста кристаллов K[2]SO[4] и их дисперсности после полного испарения воды. Показан линейный характер зависимости дисперсности кристаллов от обратного времени испарения капель различной начальной высоты. |