Вызванные действием магнитного поля изменения примесного состава и микротвердости приповерхностных слоев кристаллов кремния [Текст] / В. А. Макара [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 9. - С. 1061-1064 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): магнитное поле -- немагнитные кристаллы -- магнитопластический эффект -- приповерхностные слои кремния Аннотация: Обнаружены вызванные действием магнитного поля эффекты изменения микротвердости и примесного состава приповерхностных слоев кристаллов кремния. Предполагается, что механизм длительной структурной релаксации в кристаллах кремния, лежащий в основе магнитомеханического эффекта (эффекта изменения микротвердости), связан с усилением адсорбционной функции кремния в результате его магнитной обработки. Доп.точки доступа: Макара, В. А.; Васильев, М. А.; Стебленко, Л. П.; Коплак, О. В.; Курилюк, А. Н.; Кобзарь, Ю. Л.; Науменко, С. Н. |
Банишев, А. Ф. Формирование структур дислокаций в приповерхностном слое кремния под воздействием лазерного излучения с микроструктурированным распределением интенсивности [Текст] / А. Ф. Банишев, А. М. Павлов // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 6. - С. 11-17 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): приповерхностные слои -- кремний -- алюминий -- приповерхностные слои кремния -- лазерные излучения -- полупроводники -- дислокации -- лазерно-стимулированные диффузии -- лазерно-стимулированные диффузии алюминия -- монокристаллический кремний Аннотация: Исследованы процессы генерации и накопления дефектов в приповерхностном слое монокристаллического кремния при различных условиях и режимах лазерного воздействия. Доп.точки доступа: Павлов, А. М. |