621.3 Х 29 Хачатрян, А. Ж. Эффективная генерация второй гармоники в структуре с двойными квантовыми ямами [Текст] / А. Ж. Хачатрян, Д. М. Седракян, В. Д. Бадалян, В. А. Хоецян // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 1. - С. 67-73 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- полупроводниковые наноструктуры -- квантовые ямы -- вторая гармоника -- генерация второй гармоники -- ГВГ -- коэффициент ГВГ Аннотация: Изучается проблема оптимизации для интенсивности поля излучения второй гармоники на слое с наноструктурой в виде двойной квантовой ямы. Выявлены значения параметров ямы, обеспечивающих режим двойного резонанса. Проведено исследование зависимости оптических характеристик системы от параметров ямы. Рассмотрена задача оптимизации интенсивности поля излучения второй гармоники. Показано, что максимальное преобразование излучения получается при наибольшем значении коэффициента генерации второй гармоники. Доп.точки доступа: Седракян, Д. М.; Бадалян, В. Д.; Хоецян, В. А. |
621.375 П 305 Петров, В. А. Эффекты пространственной повторяемости и мультипликации при интерференции электронных волн в полупроводниковых 2D наноструктурах на основе прямоугольных квантовых ям [Текст] / В. А. Петров, авт. А. В. Никитин // Радиотехника и электроника. - 2007. - Т. 52, N 11. - С. 1387-1394. - Библиогр.: с. 1394 (29 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Другие отрасли радиоэлектроники Кл.слова (ненормированные): интерференция электронных волн -- полупроводниковые наноструктуры -- эффекты пространственной повторяемости -- электронные волны -- квантовые ямы Аннотация: Теоретически исследованы эффекты пространственного повторения и мультипликации плотности потока вероятности, возникающие в системе узкой и широкой квантовых ям (КЯ) прямоугольного профиля, расположенных в направлении распространения электронной волны. Установлено, что поперечное распределение, существующее на входе широкой КЯ, с определенной точностью воспроизводится в ней в периодически повторяющихся сечениях, а в каждом интервале между сечениями исходный пик расщепляется на ряд идентичных пиков меньшей интенсивности (мультипликация). Показано, что эти эффекты в широкой КЯ возникают из-за интерференции электронных волн, распространяющихся в ней одновременно по различным квантоворазмерным подзонам. Доп.точки доступа: Никитин, А. В. |
621.3 Б 163 Баженов, Н. Л. Диэлектрическая проницаемость квазидвумерных полупроводниковых наноструктур [Текст] / Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, Г. Г. Зегря // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 2. - С. 190-195 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- полупроводниковые наноструктуры -- квантовые наноструктуры -- квазидвумерные полупроводниковые наноструктуры -- диэлектрическая проницаемость Аннотация: Исследуется пространственная и временная дисперсия диэлектрической проницаемости электронного газа в квазидвумерных квантовых наноструктурах. Впервые получены аналитические выражения для диэлектрической проницаемости в случае квантовой ямы в виде дельта-функции и прямоугольной ямы конечной глубины. Получен критерий перехода к строго двумерному и строго трехмерному случаям. Доп.точки доступа: Мынбаев, К. Д.; Зегря, Г. Г. |
Кашерининов, П. Г. Высокопроизводительные оптические процессоры для оптических аналоговых компьютеров некогерентного света с параллельной обработкой изображений на полупроводниковых наноструктурах [Текст] / П. Г. Кашерининов, А. А. Томасов // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 8. - С. 68-76
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые наноструктуры -- быстрые оптические процессоры -- некогерентный свет -- оптические компьютеры Аннотация: Разработаны быстрые оптические регистрирующие среды для записи и обработки изображений на полупроводниковых наноструктурах. Разработаны методы считывания записанных изображений в таких наноструктурах, реализованы быстрые оптические процессоры некогерентного света на их основе, показана возможность их использования для создания оптических аналоговых компьютеров и корреляторов изображений. Доп.точки доступа: Томасов, А. А. |
Роль взаимодиффузии и пространственного ограничения в формировании спектров резонансного комбинационного рассеяния света в гетероструктурах Ge/Si (100) с массивами квантовых точек [Текст] / И. В. Кучеренко [и др. ] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 10. - С. 1888-1894. - Библиогр.: с. 1894 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): взаимодиффузия -- пространственное ограничение -- метод комбинационного рассеяния света -- квантовые точки -- полупроводниковые наноструктуры -- фононные моды -- колебательные моды -- спектры комбинационного рассеяния света -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии Аннотация: Использован метод комбинационного рассеяния света для изучения фотонных мод самоорганизующихся квантовых точек Ge/Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии в установлке, интегрированной с камерой сканирующего туннельного микроскопа в единую высоковакуумную систему. Обнаружено, что колебательные моды Ge-Ge и Si-Ge значительно усиливаются при возбуждении экситона между валентной зоной и зоной проводимости, что позволяет наблюдать спектр комбинационного рассеяния от чрезвычайно малых объемов Ge, даже от одного слоя квантовых точек с толщиной слоя Ge, равной около 10 A. Усиление этих мод указывает на сильное электрон-фононное взаимодействие колебательных мод и экситонов E[1], E[1]+дельта[1] в квантовой точке Ge. Обнаружено, что частота моды Ge-Ge уменьшается на 10 cm{-1} при уменьшении толщины слоя Ge от 10 до 6 A в результате влияния эффекта пространственного ограничения. Определена оптимальная толщина слоя Ge, при которой дисперсия квантовых точек по размерам минимальна. Доп.точки доступа: Кучеренко, И. В.; Виноградов, В. С.; Мельник, Н. Н.; Арапкина, Л. В.; Чапнин, В. А.; Чиж, К. В.; Юрьев. В. А. |
Интерфейсные фононы в полупроводниковых нанострутрурах с квантовыми точками [Текст] / М. Ю. Ладанов [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2005. - Т. 128, N 3. - С. 645-654. - Библиогр.: с. 653-654 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): интерфейсные фононы -- полупроводниковые наноструктуры -- квантовые точки -- наноструктуры -- колебательный спектр структур -- фононы Аннотация: Экспериментально и теоретически исследован колебательный спектр структур с квантовыми точками InAs в матрице AlGaAs и с квантовыми точками AlAs в матрице InAs. В спектрах комбинационного рассеяния света обнаружены особенности, соответствующие поперечным, продольным оптическим и интерфейсным фононам. Доп.точки доступа: Ладанов, М. Ю.; Милехин, А. Г.; Торопов, А. И.; Гутаковский, А. К.; Бокаров, А. К.; Тэннэ, Д. А.; Шульце, Ш.; Цан, Д. Р. Т. |
Кукушкин, В. А. Частотноперестраиваемый безынверсный лазер дальнего инфракрасного и терагерцового диапазона на наногетероструктурах с квантовыми ямами [Текст] / В. А. Кукушкин // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 3. - С. 7-14 : ил. - Библиогр.: с. 14 (5 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовые приборы Кл.слова (ненормированные): частотные преобразования -- безынверсные лазеры -- лазеры -- инфракрасные лазеры -- инфракрасные излучатели -- терагерцевые диапазоны -- наногетероструктуры -- квантовые ямы -- электромагнитные излучения -- полупроводниковые гетероструктуры -- полупроводниковые наноструктуры -- импульсные режимы -- полупроводниковые генераторы -- полупроводниковые усилители Аннотация: Предложен и рассчитан вариант активной среды, способной обеспечить безынверсное частотноперестраиваемое усиление или генерацию электромагнитного излучения в дальнем инфракрасном и терагерцовом диапазоне. Он основан на сравнительно простой полупроводниковой наногетероструктуре с квантовыми ямами, которая способна работать при комнатной температуре (в импульсном режиме) и обеспечивать изменение рабочей частоты основанного на ней усилителя или генератора в несколько раз в результате изменения интенсивности накачивающего излучения. Такой усилитель или генератор (лазер) может стать удобным, дешевым и компактным перестраиваемым источником дальнего инфракрасного и терагерцового излучения для многочисленных технических, а также медицинских применений. |
Формирование полупроводниковых 3D наноструктур на основе ZnSe [Текст] / С. В. Алышев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 75-78 : ил. - Библиогр.: с. 78 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- 3D наноструктуры -- трехмерные наноструктуры -- полупроводниковые наноструктуры -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- МПЭ -- слои -- бислои -- жертвенные слои -- ZnSSe/ZnSe -- селективное травление -- катодолюминесценция -- подложки -- GaAs Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs выращены наноструктуры, содержащие жертвенный слой ZnMgSSe толщиной 10 нм и напряженный бислой ZnSSe/ZnSe толщиной 20 нм. Жертвенный слой был удален селективным травлением, в результате чего были сформированы микротрубки ZnSSe/ZnSe с многослойными стенками. Доп.точки доступа: Алышев, С. В.; Забейжалов, А. О.; Миронов, Р. А.; Козловский, В. И.; Дианов, Е. М. |
Астафьева, Л. Г. Тепловое воздействие излучения накачки на двухслойные микрочастицы с оболочкой из полупроводниковой наноструктуры [Текст] / Л. Г. Астафьева, Г. П. Леднева // Оптика и спектроскопия. - 2010. - Т. 108, N 4. - С. 684-690. - Библиогр.: с. 690 (13 назв. ) . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Физическая оптика Радиоэлектроника Квантовые приборы Кл.слова (ненормированные): двухслойные микрочастицы -- сапфировые ядра -- полупроводниковые оболочки -- освещенные полусферы -- теневые полусферы -- полупроводниковые наноструктуры Аннотация: Установлено, что характер тепловыделения внутри двухслойной микрочастицы с сапфировым ядром и полупроводниковой оболочкой является неоднородным и определяется толщиной оболочки и радиусом ядра. Доп.точки доступа: Леднева, Г. П. |
Астафьева, Л. Г. Моделирование генерации лазерного излучения в двухслойном микрорезонаторе с оболочкой из полупроводниковой наноструктуры [Текст] / Л. Г. Астафьева, Г. П. Леднева // Оптика и спектроскопия. - 2010. - Т. 108, N 5. - С. 856-864. - Библиогр.: с. 864 (9 назв. ) . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): лазерные излучения -- двухслойные микрорезонаторы -- полупроводниковые наноструктуры -- электромагнитное излучение -- двухмодовая генерация -- микрорезонаторы Аннотация: Разработана теоретическая модель преобразования электромагнитного излучения микрорезонаторами в виде двухслойных микросфер с оболочкой из полупроводниковой наноструктуры. Доп.точки доступа: Леднева, Г. П. |
Бугай, А. Н. Генерация терагерцового излучения в режиме резонансно-нерезонансного оптического выпрямления [Текст] / А. Н. Бугай, С. В. Сазонов // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 92, вып: вып. 4. - С. 260-266
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): терагерцовое излучение -- резонансно-нерезонансное оптическое выпрямление -- квадратично-нелинейные кристаллы -- резонансные примеси -- дипольный момент -- полупроводниковые наноструктуры -- органические молекулы Аннотация: Теоретически исследована генерация широкополосного терагерцового излучения в квадратично-нелинейных кристаллах при наличии в них дополнительных резонансных примесей, обладающих постоянным дипольным моментом. Показано, что вклады в интенсивность генерируемого излучения от резонансного и нерезонансного механизмов оптического выпрямления носят неаддитивный характер. В полупроводниковых наноструктурах и в системах органических молекул эффективность генерации по энергии за счет резонансного механизма может достигать ~10{-3}, что существенно превышает соответствующие эффективности при использовании популярной на сегодняшний день техники наклонных фронтов. При этом спектры входных оптических импульсов испытывают заметный сдвиг в красную область под действием резонансно-нерезонансного выпрямления. Доп.точки доступа: Сазонов, С. В. |
538.9 Л 252 Ларионов, А. В. Управление спиновой динамикой электронов в широкой GaAs квантовой яме с помощью латерально локализующего потенциала [Текст] / А. В. Ларионов, А. В. Секретенко, А. И. Ильин // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 93, вып. 5. - С. 299-304
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): спиновая динамика электронов -- электроны -- квантовые ямы -- GaAs -- полупроводниковые наноструктуры Аннотация: Исследована спиновая динамика электронов, локализованных в плоскости широкой GaAs квантовой ямы с помощью специального мозаичного электрода, нанесенного на поверхность образца. Одновременно проводились сравнительные измерения на полупрозрачном электроде, чтобы различать изменения в спиновой динамике электронов не только за счет изгиба зон, но и вследствие локализации в плоскости, управляемой с помощью внешнего приложенного смещения. Обнаружен сильный рост времени жизни спина электронов в ловушках при увеличении приложенного смещения. Полученные значения g-фактора электрона в плоскости квантовой ямы и зависимость времени жизни электронного спина от магнитного поля свидетельствуют о возникновении сильного трехмерного конфайнмента в центре отверстия мозаичного электрода. Изученная анизотропия спиновой релаксации электронов обусловлена анизотропией локализующего потенциала. Доп.точки доступа: Секретенко, А. В.; Ильин, А. И. |
621.315.592 К 311 Кашерининов, П. Г. Быстрые оптические регистрирующие среды на полупроводниковых наноструктурах для записи изображений на зарядах свободных фотоносителей [Текст] / П. Г. Кашерининов, А. А. Томасов, Е. В. Берегулин // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 1. - С. 3-22 : ил. - Библиогр.: с. 21-22 (64 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые наноструктуры -- наноструктуры -- оптические регистрирующие среды -- регистрирующие среды -- MIS-структуры -- фоторефрактивные кристаллы -- кристаллы -- толстые слои -- диэлектрики -- жидкие кристаллы -- свободные фотоносители -- оптическая бистабильность -- заряды фотоносителей -- запись изображений -- обработка изображений -- оптоэлектронные корреляторы -- обзоры Аннотация: Приведен обзор литературных данных по свойствам оптических регистрирующих сред на полупроводниковых структурах. Рассмотрены принципы работы, конструкция, параметры, области применения оптических регистрирующих сред на: MIS-структурах на фоторефрактивных кристаллах с толстым слоем диэлектрика; MIS-структурах с жидким кристаллом в качестве диэлектрика (модуляторы МДП-ЖК) ; на эффекте оптической бистабильности в полупроводниковых структурах - на полупроводниковых MIS-структурах с наноразмерным слоем диэлектрика (TI) ; M (TI) S-наноструктурах. Особое внимание уделено регистрирующим средам на M (TI) S-наноструктурах, перспективным для быстрой обработки высокоинформативных изображений и создания оптоэлектронных корреляторов изображений некогерентного света. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/01/p3-22.pdf Доп.точки доступа: Томасов, А. А.; Берегулин, Е. В. |
539.2 А 655 Андреев, С. В. Оптическая ориентация частиц со случайным g-фактором в полупроводниковых наноструктурах [Текст] / С. В. Андреев, авт. А. В. Кудинов // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 1. - С. 176-181. - Библиогр.: с. 180-181 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые наноструктуры -- наноструктуры -- эффект Ханле -- Ханле эффект -- квазидвумерные полупроводниковые наноструктуры -- оптическая ориентация Аннотация: В реальных квазидвумерных полупроводниковых наноструктурах (квантовых ямах, квантовых точках) поперечный g-фактор дырок является стохастической величиной. Этот факт необходимо учитывать при анализе оптической ориентации и эффекта Ханле на дырках. Теоретически рассматривается эффект Ханле для ансамбля частиц со " случайным" g-фактором. В случае, когда время спиновой релаксации дырки с характерной величиной g-фактора мало по сравнению с ее временем жизни, возможно сужение контура деполяризации и увеличение его амплитуды. Для противоположного случая долгих времен спиновой релаксации (трионы в квантовых точках) выведена формула, обобщающая ранее полученный результат на случай произвольного угла наклона магнитного поля к плоскости слоя (эффект Ханле в наклонном поле). Доп.точки доступа: Кудинов, А. В. |
535 К 413 Кинетика отражения в области экситонных переходов в полупроводниковых наноструктурах [Текст] / Н. Н. Рубцова [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 5. - С. 755-757. - Библиогр.: c. 757 (9 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Оптика в целом Ядерная физика в целом Кл.слова (ненормированные): техника накачка-зондирование -- экситонные переходы -- полупроводниковые наноструктуры -- кинетика отражения -- спектры отражения -- нестационарные спектры -- квантовые ямы -- экспериментальные исследования Аннотация: Кинетика отражательной способности полупроводниковых образцов с множественными квантовыми ямами типа GaAs/AlGaAs исследована методом накачка-зондирование с разрешением по времени 150 фс. Доп.точки доступа: Рубцова, Н. Н.; Буганов, О. В.; Ковалёв, А. А.; Путято, М. А.; Преображенский, В. В.; Пчеляков, О. П.; Тихомиров, С. А.; Шамирзаев, Т. С. |
530.145 Г 147 Гайслер, В. А. Однофотонные источники света на основе полупроводниковых наноструктур [Текст] / В. А. Гайслер // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 83-86. - Библиогр.: c. 86 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): однофотонные источники света -- полупроводниковые наноструктуры -- излучатели с токовой накачкой -- микрорезонаторы -- квантовая эффективность -- InAs -- квантовая криптография Аннотация: Приведен краткий обзор результатов разработки излучателей одиночных фотонов на основе полупроводниковых квантовых точек. |
530.145 К 899 Кукушкин, В. А. Двухчастотный лазер оптического и среднего инфракрасного диапазона на квантовых ямах [Текст] / В. А. Кукушкин // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 109-114. - Библиогр.: c. 113-114 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): двухчастотные лазеры -- квантовые ямы -- метод генерации ИК-излучения -- оптические гетеролазеры -- пороговая плотность тока накачки -- полупроводниковые наноструктуры -- электронные уровни энергии Аннотация: Рассмотрен метод среднего инфракрасного излучения в оптических гетеролазерах на квантовых ямах. |
621.315.592 Д 250 Двуреченский, А. В. Физические явления и технологии в основе полупроводниковых наноструктур с квантовыми точками для ИК-диапазона [Текст] / А. В. Двуреченский, авт. А. И. Якимов // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 71-75 : Рис. - Библиогр.: c. 75 (9 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые наноструктуры -- квантовые точки -- ИК-фотоприемники -- электронные свойства -- наносистемы -- однородность -- плотность Аннотация: Проведен анализ проблем и подходов в их решении для полупроводниковых наноструктур с квантовыми точками применительно к фотоприемникам ИК-диапазона. Доп.точки доступа: Якимов, А. И. |
535 О-862 Отражательный интерферометр для исследования амплитудно-фазовых характеристик полупроводниковых наноструктур [Текст] / А. А. Ковалёв [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 2. - С. 290-291 : Рис. - Библиогр.: c. 291 (12 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Оптика в целом Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): отражательный интерферометр -- спектральные зависимости -- полупроводниковые наноструктуры -- амплитудно-фазовые характеристики -- многолучевая интерферометрия -- зеркала -- отражательная способность -- квантовые ямы -- интерферометры Аннотация: Предложено применять отражательный интерферометр для измерения спектральной зависимости фазы отражения зеркал, изготовленных на основе многослойных полупроводниковых наноструктур. Доп.точки доступа: Ковалёв, А. А.; Преображенский, В. В.; Путято, М. А.; Пчеляков, О. П.; Рубцова, Н. Н. |
538.9 Л 252 Ларионов, А. В. Когерентная спиновая динамика высокоподвижного двумерного электронного газа разной плотности в GaAs квантовой яме / А. В. Ларионов, авт. А. С. Журавлев // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 97, вып. 3. - С. 156-160
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): двумерный электронный газ -- квантовые ямы -- GaAs -- полупроводниковые наноструктуры -- квазидвумерные электронные системы -- электронная спиновая дефазировка -- времяразрешенный магнито-оптический эффект вращения Керра -- Керра времяразрешенный магнито-оптический эффект вращения Аннотация: Исследована зависимость времени спиновой дефазировки квазидвумерных электронов от плотности электронного газа в 17-нанометровой GaAs квантовой яме с помощью методики времяразрешенного магнито-оптического эффекта вращения Керра. Обнаружен сверхлинейный рост времени электронной дефазировки с уменьшением электронной плотности. Измерена степень анизотропии спиновой релаксации электронов и получена зависимость спин-орбитального расщепления от плотности электронного газа. Доп.точки доступа: Журавлев, А. С.; Институт физики твердого тела РАН (Черноголовка)Институт физики твердого тела РАН (Черноголовка) |