Богатыренко, В. В. Метод измерения скорости поверхностной рекомбинации в кремниевых пластинах по их тепловому излучению [Текст] / В. В. Богатыренко // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 409-412 : ил. - Библиогр.: с. 412 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): тепловое излучение -- ТИ -- кремниевые пластины -- поверхностная рекомбинация -- метод измерения скорости поверхностной рекомбинации -- поглощение фотонов -- длина волны -- лазерные диоды -- погрешности метода -- методическая погрешность Аннотация: Предложен бесконтактный метод измерения скорости поверхностной рекомбинации в кремниевых пластинах, основанный на изучении зависимости мощности теплового излучения кремния за краем собственного поглощения от длины волны возбуждающего света из области собственного поглощения. Скорость поверхностной рекомбинации при различных обработках поверхности определялась по отношению интенсивностей теплового излучения пластин в диапазоне длин волн 3-5 мкм, возникающего при возбуждении двумя лазерными диодами с длинами волн 863 и 966 нм. Измеренные значения скоростей при 230oC составили порядка 10{4} см/с после механической полировки и 10{3} см/с после травления в CP-4A. Рассмотрены вопросы применимости метода и погрешности измерения в зависимости от параметров пластин и источников света. |
Холоднов, В. А. К вопросу о степени блокировки поверхностной рекомбинации фотоносителей в полупроводниках приповерхностным варизонным слоем [Текст] / В. А. Холоднов // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 20. - С. 1-9 : ил. - Библиогр.: с. 9 (18 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Математическая физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): математические модели -- фотоносители -- поверхностная рекомбинация -- блокировка поверхностной рекомбинации -- полупроводники -- варизонные слои -- приповерхностные слои -- приповерхностные варизонные слои -- фотовозбуждение носителей -- слабые излучения -- поверхностно-варизонные полупроводники -- варизонные поля -- варизонно-гомогенные границы Аннотация: Математически корректно рассмотрена модель фотовозбуждения носителей слабым излучением в поверхностно-варизонных полупроводниках со ступенчатым профилем варизонного поля на варизонно-гомогенной границе. Выведено явное условие обеспечения блокировки поверхностной рекомбинации фотоносителей. |
621.315.592 Т 134 Тагиев, Б. Г. Вольт-амперные характеристики поликристаллов соединения ZnGa[2]Se[4] [Текст] / Б. Г. Тагиев, О. В. Тагиев, С. Г. Асадуллаева // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 1. - С. 53-56 : ил. - Библиогр.: с. 56 (25 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- поликристаллы -- носители заряда -- ловушки -- поверхностная рекомбинация -- время жизни заряда -- монополярная инжекция -- инжекция -- токопрохождение -- электрические поля -- рекомбинация Аннотация: Вольт-амперные характеристики структуры In-ZnGa[2]Se[4]-In исследовались в интервале температур 90-335 K. На основании расчетных данных для концентрации трех типов ловушек носителей заряда в ZnGa[2]Se[4] получены величины N[t]=1. 4 x 10{13}, 8. 2 x 10{12}, 2. 6 x 10{12} см{-3}, определены прозрачность контактной области D{*}[k]=10{-5}, скорость поверхностной рекомбинации S[k]=0. 65 м/с, время жизни носителей заряда tau=1. 5· 10{-4} с. Установлено, что в электрических полях меньше 10{3} В/см механизм токопрохождения обусловлен монополярной инжекцией носителей заряда. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/01/p53-56.pdf Доп.точки доступа: Тагиев, О. В.; Асадуллаева, С. Г. |
539.2 Б 732 Богатыренко, В. В. Измерение скорости поверхностной рекомбинации и объемного времени жизни в пластинах Si по кинетике избыточного теплового излучения [Текст] / В. В. Богатыренко, авт. А. В. Зиновчук // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 1. - С. 62-66 : ил. - Библиогр.: с. 66 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): рекомбинация -- поверхностная рекомбинация -- свободные носители -- время жизни свободных носителей -- пластины Si -- тепловое излучение -- релаксация -- кинетика релаксации -- лазерные импульсы -- запрещенные зоны -- собственное поглощение -- лазерные излучения -- длина волны Аннотация: Представлен бесконтактный, неразрушающий метод измерений рекомбинационных параметров (скорость поверхностной рекомбинации, объемное и эффективное время жизни свободных носителей) в пластинах Si. Метод основан на анализе кинетики релаксации избыточного теплового излучения пластины за краем собственного поглощения Si (lambda>3 мкм) при возбуждении коротким лазерным импульсом с энергией кванта больше ширины запрещенной зоны Si. Представлены экспериментальные результаты для пластин толщиной 300 мкм и 2 мм, возбужденных лазерным излучением с длинами волн 0. 96 и 1. 06 мкм при температурах выше комнатной. Разделение поверхностной и объемной составляющих эффективного времени жизни проводится путем экстраполяции конечного участка кинетики релаксации избыточного теплового излучения до пересечения с координатной осью y. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/01/p62-66.pdf Доп.точки доступа: Зиновчук, А. В. |
620.1/.2 А 736 Анфимов, И. М. Измерение времени жизни неравновесных носителей заряда в монокристаллическом кремнии / И. М. Анфимов, С. П. Кобелева, И. В. Щемеров // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2014. - Т. 80, № 1. - С. 41-45. - Библиогр.: с. 45 (15 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Техника Материаловедение Математика Исследование операций Кл.слова (ненормированные): измерение времени жизни -- неравновесные носители заряда -- монокристаллический кремний -- одномерное приближение -- уравнение непрерывности -- рекомбинационное время жизни -- носители заряда -- свободные носители заряда -- фотопроводимость -- релаксация фотопроводимости -- поверхностная рекомбинация Аннотация: Определены границы применимости приближенных формул оценок эффективного времени жизни с использованием численных методов расчета параметров релаксационной кривой спада фотопроводимости. Доп.точки доступа: Кобелева, С. П.; Щемеров, И. В.; НИТУ "МИСиС" (Москва); НИТУ "МИСиС" (Москва)НИТУ "МИСиС" (Москва) |
621.315.592 М 744 Моделирование эффективности многопереходных солнечных элементов / А. В. Саченко [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 5. - С. 693-701 : ил. - Библиогр.: с. 700 (18 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): многопереходные солнечные элементы -- МПСЭ -- излучательная рекомбинация -- рекомбинация Шокли - Рида -- Шокли - Рида рекомбинация -- поверхностная рекомбинация -- поверхности -- рекомбинация -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- границы гетеропереходов -- гетеропереходы -- фототоки -- тепловой баланс -- теплоотвод -- фотоны -- солнечные элементы -- СЭ -- расчетные зависимости Аннотация: При расчете эффективности eta многопереходных солнечных элементов (МПСЭ) учтены излучательная рекомбинация, рекомбинация Шокли - Рида, поверхностная рекомбинация на фронтальной и тыльной поверхностях, рекомбинация в областях пространственного заряда, а также рекомбинация на границах гетеропереходов. Расчет выполнен путем самосогласованного решения уравнений для фототока и фотонапряжения, а также для теплового баланса. Учтено охлаждение МПСЭ по мере увеличения числа ячеек n и улучшения условий теплоотвода. Рассмотрен эффект, приводящий к уменьшению фототока по мере увеличения n, связанный с сужением интервалов энергий фотонов, падающих на ячейку МПСЭ. Установлено, что существенное увеличение эффективности МПСЭ может быть достигнуто за счет улучшения условий теплоотвода, в частности, при использовании радиаторов и за счет приближения коэффициента серости МПСЭ к единице. Проведено сравнение полученных в работе результатов с результатами, приведенными в работах других авторов. Показано, что расчетные зависимости eta (n) согласуются со значениями, полученными экспериментально. The radiative recombination, Shokley-Read recombination, frontal-surface and rear-surface recombination and the recombination at the heterojunction boundaries and the recombination in the space charge region are considered in the calculation of the multijunction solar cell (MSC) efficiency. The calculation is performed by a self-consistent solution of the equations for the photocurrent and photovoltage, as well as the heat balance equation. A cooling of MSC with the increase of the number of cells n and the improvement in the heat dissipation is regarded. It was found that, as the number of cells n is increased, narrowing of spectral range for each cell causes additional reduction of current. A substantial increase in the MSC efficiency can be achieved by improving the heat extraction using radiators and increasing emissivity. A comparison is made between the calculated and experimental efficiency values. A rather good agreement was found. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/05/p693-701.pdf Доп.точки доступа: Саченко, А. В.; Костылев, В. П.; Кулиш, Н. Р.; Соколовский, И. О.; Шкребтий, А. И.; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины; University of Ontario (Canada) |
539.2 Ф 942 Фукс, Б. И. Повышение эффективности кремниевых солнечных элементов / Б. И. Фукс // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 12. - С. 1704-1712 : ил. - Библиогр.: с. 1712 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кремниевые солнечные элементы -- солнечные элементы -- поверхностная рекомбинация -- диэлектрики -- неосновные элементы -- ток Аннотация: Эффективность кремниевого солнечного элемента можно значительно повысить за счет сильного снижения темнового тока, заменив сплошные сильно легированные слои множеством малых сильно легированных областей, расстояния между которыми намного больше их размера. Эффект обусловлен тем, что основной вклад в темновой ток вносит поверхностная рекомбинация, которая сильно растет с усилением легирования вблизи границы с диэлектриком. Показано, что имеется оптимальное соотношение расстояний между областями и их размеров, при котором темновой ток сильно подавлен, но нет заметного снижения фототока из-за ухудшения условий собирания неосновных носителей и не вносится значительное последовательное сопротивление. При этом существенно растут рабочее напряжение и эффективность солнечного элемента. It is possible to increase essentially the efficiency of a silicon solar cell because of strong decrease the dark current if replacing its continuous heavy-doped layers by numerous small heavy-doped regions, which size is much less than the distance between them. This effect is caused by the fact that the main contribution in the dark current is produced by the surface recombination which strongly increases with increasing of doping level near the interface Si : SiO[2]. It is shown that there exists the optimum relationship between the size and the distance at which the dark current is strongly suppressed whereas there are no essential decrease of the photocurrent due to worsening conditions for minority carriers collecting and no essential additional series resistance. This permits to essential increase of the operation voltage and the efficiency of the solar cell. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/12/p1704-1712.pdf Доп.точки доступа: Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук (Москва) |