669 Б 728 Бобылев, И. Б. Влияние частичного замещения иттрия на низкотемпературный распад фазы 123 [Текст] / И. Б. Бобылев, С. В. Сударева [и др.] // Физика металлов и металловедение. - 2004. - Т. 98, N 3. - Библиогр.: с. 64 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Машиностроение--Металлургия. Металлы и сплавы Кл.слова (ненормированные): спинодальный распад -- низкие температуры -- барий -- медь -- иттрий -- европий -- кислород -- неодим -- низкотемпературный отжиг Аннотация: Исследовано влияние частичного замещения в соединении Ba[2]YCu[3]O[7-delta) иттрия на европий и неодим на устойчивость его к спинодальному распаду при t = 200 градусов С. Доп.точки доступа: Сударева, С. В.; Зюзева, Н. А.; Криницина, Т. П.; Королев, А. В.; Блинова, Ю. В.; Романов, Е. П. |
669 Б 728 Бобылев, И. Б. Влияние частичного замещения иттрия на низкотемпературный распад фазы 123 [Текст] / И. Б. Бобылев, С. В. Сударева [и др.] // Физика металлов и металловедение. - 2004. - Т. 98, N 3. - Библиогр.: с. 64 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Машиностроение--Металлургия. Металлы и сплавы Кл.слова (ненормированные): спинодальный распад -- низкие температуры -- барий -- медь -- иттрий -- европий -- кислород -- неодим -- низкотемпературный отжиг Аннотация: Исследовано влияние частичного замещения в соединении Ba[2]YCu[3]O[7-delta) иттрия на европий и неодим на устойчивость его к спинодальному распаду при t = 200 градусов С. Доп.точки доступа: Сударева, С. В.; Зюзева, Н. А.; Криницина, Т. П.; Королев, А. В.; Блинова, Ю. В.; Романов, Е. П. |
621.3 И 201 Иванов, А. М. Влияние низкотемпературного отжига на характеристики SiC-детекторов с введенными радиационными дефектами [Текст] / А. М. Иванов, Н. Б. Строкан, А. В. Садохин, А. А. Лебедев // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 8. - С. 998-1002 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): SiC-детекторы -- детекторы -- p\{+\}-n-n\{+\}-структуры детекторов -- радиационные дефекты -- низкотемпературный отжиг Аннотация: Исследовались p\{+\}-n-n\{+\}-структуры детекторов, изготовленных на основе CVD-пленок с содержанием нескомпенсированных доноров 2 10\{14\} см\{-3\}. P\{+\}-область создавалась имплантацией ионов Al. Предварительно детекторы были облучены протонами с энергией 8 МэВ и дозой 3 10\{14\} см\{-2\}. Отжиг проводился при температуре 600 C в течение 1 ч. В измерениях, выполненных в интервале температур 20-150 C, сопоставлялись режимы прямого и обратного смещений. Показано, что отжиг способствует более полному переносу носителей заряда, созданных ядерных излучением, а также снижению заряда, накопленного ловушками при тестировании. Несмотря на положительное воздействие отжига, сохраняется значительное количество радиационных дефектов, проявляющихся, в частности, в кинетике прямого тока. Доп.точки доступа: Строкан, Н. Б.; Садохин, А. В.; Лебедев, А. А. |
539.2 Б 541 Бетехтин, В. И. Влияние низкотемпературного отжига на морфологию приповерхностных слоев аморфного сплава на основе железа [Текст] / В. И. Бетехтин, П. Н. Бутенко [и др.] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып. 12. - С. 2118-2124. - Библиогр.: с. 2124 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): аморфные сплавы -- аморфные сплавы на основе железа -- борид железа -- кристаллизация -- низкотемпературный отжиг -- отжиг -- участковая кристаллизация Аннотация: Методами электронной Оже-спектроскопии, трансмиссионной электронной микроскопии, атомной силовой и сканирующей туннельной микроскопии исследовалось влияние изотермического отжига на химический состав, микроструктуру и рельеф поверхности лент аморфного сплава Fe[77]Ni[1]Si[9]B[13]. Установлено, что отжиг ниже температуры стеклования приводит к обогащению бором неконтактной стороны ленты. Обнаружена участковая кристаллизация на обеих сторонах ленты с образованием областей кристаллизации размерами 2-5 мюm, состоящих из нано- и микрокристаллов альфа-Fe на контактной и борида железа не неконтактной стороне ленты. Показано, что отжиг по-разному влияет на спектральные и фрактальные характеристики рельефа поверхности контактной и неконтактной сторон ленты. Обсуждается влияние химического состава и избыточного свободного объема приповерхностных слоев на формирование участковой кристаллизации и рельеф поверхности. Доп.точки доступа: Бутенко, П. Н.; Кадомцев, А. Г.; Косуков, В. Е.; Обидов, Б. А.; Толочко, О. В. |
Структурные превращения при низкотемпературном отжиге двухосно ориентированной полипропиленовой пленки [Текст] / Е. В. Быстрицкая [и др. ] // Пластические массы. - 2009. - N 12. - С. 42-46. - Библиогр.: с. 46 (14 назв. ) . - ISSN 0544-2901
Рубрики: Химическая технология Общие вопросы химической технологии Кл.слова (ненормированные): полимеры -- полипропиленовые пленки -- методы дифференциальной сканирующей калориметрии -- метод ДСК -- ДСК метод -- сканирующая калориметрия -- двухосная ориентация полипропиленовой пленки -- низкотемпературный отжиг -- структурная релаксация -- кинетика структурной релаксации Аннотация: Методом дифференциальной сканирующей калориметрии (Метод ДСК) и по накоплению продольной усадки изучена кинетика структурной релаксации при низкотемпературном отжиге двухосно ориентированной полипропиленовой пленки. Установлено, что первая, быстрая, стадия структурной релаксации обычно реализуется еще в процессе изготовления изделий. Вторая, медленная стадия, представляющая собой процесс вторичной кристаллизации, реализуется в ходе хранения и эксплуатации. Определены кинетические параметры вторичной кристаллизации и сопровождающей ее продольной усадки, позволяющие прогнозировать кинетику этих процессов в широком диапазоне температур и времени наблюдения. Доп.точки доступа: Быстрицкая, Е. В.; Карпухин, О. Н.; Кузнецова, А. В.; Лазарева, О. Л.; Попова, Е. И.; Соковишин, А. В. |
Высокотемпературный радиационно стойкий выпрямитель на основе p{+}-n-переходов в 4H-SiC, ионно-легированном алюминием [Текст] / Е. В. Калинина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 6. - С. 807-816 : ил. - Библиогр.: с. 815-816 (55 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): имплантация ионов -- эпитаксиальные слои -- химическое осаждение -- метод химического осаждения -- быстрый термический отжиг -- БТО -- термоотжиг -- ионное легирование -- ИЛ -- радиационные дефекты -- низкотемпературный отжиг -- p-n переходы -- 4H-SiC -- выпрямители -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- алюминий Аннотация: Сочетание высокодозовой (5x10{16} см{-2}) имплантации ионов Al в эпитаксиальные слои 4H-SiC n-типа, выращенные методом химического осаждения из газовой фазы, и быстрого (15 с) термического отжига при 1700-1750{o}C формирует слои с прямоугольным профилем примеси по механизму твердофазной эпитаксиальной кристаллизации. Совместное действие эффектов ускоренной диффузии радиационных дефектов при имплантации и геттерирования дефектов при отжиге приводит к улучшению качества исходного материала, что обеспечивает увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в несколько раз. В SiC при воздействии различных видов радиации образуются метастабильные состояния, отжигаемые в различных температурных интервалах. Низкотемпературный отжиг радиационных дефектов увеличивает радиационный и временной ресурс приборов при облучении. Высокотемпературный отжиг радиационных дефектов позволяет изменять время жизни неравновесных носителей заряда, т. е. частотный диапазон приборов. Радиационная стойкость SiC-приборов увеличивается с ростом рабочей температуры до 500{o}C. Доп.точки доступа: Калинина, Е. В.; Коссов, В. Г.; Яфаев, Р. Р.; Стрельчук, А. М.; Виолина, Г. Н. |
Влияние предварительного низкотемпературного отжига на кинетику нуклеации [Текст] / П. М. Валов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 4. - С. 766-770. - Библиогр.: с. 770 (7 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): низкотемпературный отжиг -- отжиг -- нуклеация -- концентрация зародышей -- стеклообразные матрицы -- спектры поглощения Аннотация: Методом оптической спектроскопии изучены изменения в кинетике нуклеации CuCl в стекле при предварительном низкотемпературном отжиге. Исследовано влияние числа зародышей, созданных при 500 градусов C, на скорость роста фазы CuCl при 650 градусов C. Количество фазы CuCl в образце определялось по коэффициенту оптического поглощения в области зона-зонных переходов нанокристаллов CuCl. Средний радиус частиц CuCl находился по положению максимума экситонной полосы. Показано, что предварительное создание зародышей CuCl при 500 градусов C в течение 3 h позволило в 6 раз увеличить скорость роста фазы CuCl. При этом в образце с ранее созданными зародышами наблюдаются два противоположных процесса: термический распад части мелких зародышей, ставших при 650 градусов C "докритическими", и рост более крупных зародышей, "закритических" при 650 градусов C, за счет диффузионного притока компонентов новой фазы. При выходе на равновесную концентрацию радиус частиц новой фазы меньше, но и концентрация больше по сравнению с обычной нуклеацией при 650 градусов C. Доп.точки доступа: Валов, П. М.; Лейман, В. И.; Максимов, М. В.; Деркачева, О. Ю. |
539.21:534 Р 435 Реснина, Н. Н. Эффекты пластичности превращения и памяти формы в никелиде титана после низкотемпературной термообработки [Текст] / Н. Н. Реснина, С. П. Беляев, А. В. Сибирев // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 4. - С. 144-147. - Библиогр.: c. 147 (6 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): никелид титана -- низкотемпературный отжиг -- мартенситные превращения -- эквиатомные сплавы -- память формы -- эффект памяти формы -- упрочнение сплавов -- пластичность превращения Аннотация: Исследовано влияние низкотемпературного отжига на структуру, кинетику мартенситных превращений и функциональные свойства эквиатомного сплава никелида титана (TiNi) с эффектом формы. Показано, что низкотемпературный отжиг сплава TiNi приводит к уменьшению температуры окончания прямого превращения M[f] и начала обратного перехода A[s], что способствует увеличению температурного интервала превращений. При этом эффект памяти формы становится более совершенным за счет уменьшения недовозврата деформации. Выдвинуто предположение, что наблюдаемые явления могут быть обусловлены упрочением сплава TiNi, вызванным низкотемпературным отжигом. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/04/p144-147.pdf Доп.точки доступа: Беляев, С. П.; Сибирев, А. В. |
620.1/.2 П 764 Применение сканирующей туннельной микроскопии для характеристики зеренно-субзеренной структуры СМК никеля после низкотемпературного отжига [Текст] / П. В. Кузнецов [и др.] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2012. - Т. 78, № 4. - С. 26-34. - Библиогр.: с. 34 (29 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Техника Материаловедение Сопротивление материалов Кл.слова (ненормированные): сканирующая туннельная микроскопия -- туннельная микроскопия -- зеренно-субзеренная структура -- субмикрокристаллические материалы -- субмикрокристаллический никель -- низкотемпературный отжиг -- равноканальное угловое прессование -- границы зерен -- микротвердость Аннотация: Представлен метод оценки распределения зеренно-субзеренной структуры субмикрокристаллических простых металлов по размерам и оценке степени неравновесности их границ после низкотемпературного отжига с помощью сканирующей туннельной микроскопии. Доп.точки доступа: Кузнецов, П. В.; Петракова, И. В.; Рахматуллина, Т. В.; Батурин, А. А.; Корзников, А. В. |
621.315.592 Д 403 Джафарова, Э. А. Влияние электроактивного никеля на свойства кремния при низкотемпературном отжиге [Текст] / Э. А. Джафарова, Э. С. Таптыгов, З. А. Искендерзаде // Неорганические материалы. - 2010. - Т. 46, N 10. - С. 1163-1166 : 3 рис. - Библиогр.: с. 1166 (11 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электроактивный никель -- никель -- кремний -- отжиг -- энергия термической активации -- низкотемпературный отжиг Аннотация: Исследовано влияние низкотемпературного отжига на поведение электроактивного никеля в кремнии. Установлено, что состояния электрически активных центров никеля в кремнии устойчивы во времени до 200 C. Начиная с температуры 300 C, наблюдается распад твердого раствора SiNi и уменьшение концентрации электроактивного никеля. Доп.точки доступа: Таптыгов, Э. С.; Искендерзаде, З. А. |
621.315.592 В 586 Влияние отжига на спектры ядерного квадрупольного резонанса селенидов галлия-индия и характеристики структур на их основе [Текст] / З. Д. Ковалюк [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 9. - С. 1168-1174 : ил. - Библиогр.: с. 1174 (26 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): ядерный квадрупольный резонанс -- ЯКР -- метод ЯКР -- спектры ЯКР -- отжиг -- низкотемпературный отжиг -- монокристаллы -- электрические характеристики -- фотоэлектрические характеристики -- селенид галлия -- GaSe -- InSe -- селенид индия -- температура отжига -- дефекты кристаллов -- кристаллы -- термообработка -- термическая обработка -- гетеропереходы Аннотация: Представлены результаты исследования влияния низкотемпературного отжига (до 250 °C) на спектры ядерного квадрупольного резонанса в слоистых монокристаллах GaSe и InSe, а также электрические и фотоэлектрические характеристики структуры p-GaSe-n-InSe. Показано, что с понижением температуры отжига вплоть до комнатной качество образцов улучшается за счет уменьшения дефектности кристаллов и упорядочения в системе политипов. Определены температурные режимы термообработки, при которых происходит улучшение основных параметров гетероперехода. Обсуждаются механизмы, оказывающие влияние на поведение структуры p-GaSe-n-InSe при отжиге. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/09/p1168-1174.pdf Доп.точки доступа: Ковалюк, З. Д.; Сидор, О. Н.; Ластивка, Г. И.; Хандожко, А. Г. |
621.315.592 О-754 Особенности и природа полосы фотолюминесценции 890 нм, обнаруженной после низкотемпературного отжига пленок SiO[x] [Текст] / Н. А. Власенко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 11. - С. 1470-1475 : ил. - Библиогр.: с. 1474-1475 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- спектры фотолюминесценции -- ФЛ -- термическое испарение -- термоиспарение -- низкотемпературный отжиг -- отжиг -- температура отжига -- атмосфера отжига -- воздух -- вакуум -- длина волны -- рекомбинационные переходы -- зонные состояния -- нанокластеры -- примесные редкоземельные ионы -- ионы -- переходы -- люминесценция стекол Аннотация: В спектре фотолюминесценции пленок SiO[x] (x~ 1. 3), нанесенных термическим испарением SiO и отожженных на воздухе при 650-1150°C, обнаружена полоса с максимумом при 890 нм. Эта полоса появляется после низкотемпературного (~650°C) отжига и имеет следующие особенности: 1) положение ее максимума не изменяется при повышении температуры отжига до 1150°C, а интенсивность при этом возрастает в ~100 раз; 2) влияние на ее интенсивность атмосферы отжига (воздух, вакуум), длины волны и плотности мощности возбуждающего света иное, чем для наблюдаемых известных полос в области 600-650 и 700-800 нм; 3) фотолюминесценция затухает вначале быстро, а затем значительно медленнее с соответствующим временем жизни ~9 и ~70 мкс. Выявленные особенности не согласуются с интерпретацией наблюдавшейся до сих пор фотолюминесценции пленок SiO[x], а именно: рекомбинационные переходы "зона-дефекты матрицы" и между хвостами зонных состояний, фотолюминесценция нанокластеров Si, внутриионные переходы в примесных редкоземельных ионах. Поэтому рассматривается возможность объяснения полосы 890 нм переходами в локальных центрах с двух- и (или) трех-координированными по кислороду ионами Si, т. е. так, как объясняют люминесценцию стекол и пленок SiO[2] с небольшим дефицитом кислорода. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/11/p1470-1475.pdf Доп.точки доступа: Власенко, Н. А.; Сопинский, Н. В.; Гуле, Е. Г.; Манойлов, Э. Г.; Олексенко, П. Ф.; Велигура, Л. И.; Мухльо, М. А. |
539.2 С 554 Собственный ферромагнетизм в полупроводниковом оксиде Ti[1-x]Co[x]O[2-дельта], создаваемый инжекцией вакансий [Текст] / А. Ф. Орлов [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 3. - С. 452-454. - Библиогр.: с. 459 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): ферромагнетизм -- легированные оксидные полупроводники -- метод магнетронного распыления -- полупровдниковые оксиды -- низкотемпературный отжиг Аннотация: Исследована возможность создания собственного ферромагнетизма в сильно легированном оксидном полупроводнике при комнатной температуре. Результаты показывают, что такое состояние ферромагнитного полупроводника может быть достигнуто путем нанесения методом магнетронного распыления полуизолирующей пленки легированного переходным металлом оксида с последующим низкотемпературным отжигом в вакууме. Доп.точки доступа: Орлов, А. Ф.; Балагуров, Л. А.; Кулеманов, И. В.; Перов, Л. А.; Ганьшина, Е. А.; Фетисов, Л. Ю.; Rogalev, А.; Smekhova, А.; Cezar, J. C. |
539.2 Б 728 Бобылев, И. Б. Влияние низкотемпературного отжига на критические параметры высокотекстурированного YBa[2]Cu[3]O[y] [Текст] / И. Б. Бобылев, Е. Г. Герасимов, Н. А. Зюзева // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 9. - С. 1633-1638. - Библиогр.: с. 1637-1638 (27 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): низкотемпературный отжиг -- отжиг -- высокотекстурированный YBa[2]Cu[3]O[y] -- центры пиннинга Аннотация: Исследовано влияние обработки при температуре 200 градусов C, а также естественного старения на критические параметры высокотекстурированного YBa[2]Cu[3]O[6. 9]. Показано, что выделяющиеся при фазовом распаде данного соединения несверхпроводящие при T=77 K частицы являются эффективными центрами пиннинга. При температуре 200 градусов C YBa[2]Cu[3]O[y] взаимодействует с атмосферной влагой, вследствие чего образуются дефекты упаковки, которые также осуществляют пиннинг магнитных вихрей. Происходящие в ходе низкотемпературного отжига и при старении изменения структуры приводят к увеличению значений критической плотности тока и первого критического поля. Наличие центров пиннинга различной природы создает синергический эффект, который существенно увеличивает токонесущую способность материалов, в том числе в высоких магнитных полях. Доп.точки доступа: Герасимов, Е. Г.; Зюзева, Н. А. |
669.018.6:620.187 И 395 Изучение влияния термообработки на формирование наноструктурного состояния в объемных сплавах никелида титана, подвергнутых интенсивной пластической деформации [Текст] / Р. З. Валиев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 11. - С. 1616-1618 : Рис. - Библиогр.: c. 1618 (5 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Технология металлов Общая технология металлов Кл.слова (ненормированные): аморфизация сплавов -- высокое давление -- интенсивная пластическая деформация кручением -- мартенситные превращения -- низкотемпературный отжиг -- никелид титана -- пластическая деформация -- просвечивающая электронная микроскопия -- рентгеновская дифрактометрия -- сплав Ti[49. 4]Ni[50. 6] -- эффект памяти формы Аннотация: Изучено влияние отжига объемных образцов сплава Ti[49. 4]Ni[50. 6], предварительно подвергнутых интенсивной пластической деформации кручением под высоким давлением. Доп.точки доступа: Валиев, Р. З.; Гундеров, Д. В.; Лукьянов, А. В.; Прокофьев, Е. А.; Куранова, Н. Н.; Макаров, В. В.; Пушин, В. Г.; Уксусников, А. Н. |
539.2 Ю 851 Юрьев, С. А. Влияние отжига на магнитные свойства пленок Y[3]Fe[5]O[12] и Y[2.95]La[0.05]Fe[4.7]Ga[0.3]O[12] / С. А. Юрьев, авт. С. И. Ющук // Неорганические материалы. - 2013. - Т. 49, № 2. - С. 194-197 : 6 рис. - Библиогр.: с. 197 (19 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Магнитные материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): отжиг -- магнитные свойства -- пленки -- высокотемпературный отжиг -- низкотемпературный отжиг -- феррогранатовые пленки -- метод жидкофазной эпитаксии -- намагниченность Аннотация: Исследовано влияние высокотемпературного (1273–1673 K) и низкотемпературного (523–873 K) отжигов феррогранатовых пленок Y[3]Fe[5]O[12] и Y[2. 95]La[0. 05]Fe[4. 7]Ga[0. 3]O[12] на воздухе и в атмосферах О[2], N[2] на их магнитные свойства. Пленки толщиной 5–15 мкм выращены на подложках из галлий-гадолиниевого граната Gd[3]Ga[5]O[12] ориентации (111) методом жидкофазной эпитаксии. Доп.точки доступа: Ющук, С. И. |
539.2 М 126 Магнитные свойства и температурная стабильность сплава типа Файнмет, легированного молибденом / Б. Н. Филиппов [и др.]. // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 3. - С. 63-68. - Библиогр.: c. 67-68 (16 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нанокристаллизация -- магнитомягкие сплавы -- сплавы типа Файнмет -- Файнмет -- молибден -- легированные сплавы -- низкотемпературный отжиг -- термомагнитная обработка -- магнитные свойства -- температурная стабильность Аннотация: Исследовано влияние условий нанокристаллизации на структуру, магнитные свойства и температурную стабильность нанокристаллического магнитомягкого сплава Fe[73. 5]Cu[1]Nb[1. 5]Mo[1. 5]Si[13. 5]B[9]. Обнаружено влияние предварительного низкотемпературного отжига на процессы последующей нанокристаллизации сплава. Установлено, что предварительный низкотемпературный отжиг с последующей нанокристаллизацией существенно улучшает магнитные свойства исследуемого сплава. Показано, что, изменяя частоту магнитного поля при термообработке, приводящей к нанокристаллизации, можно получить материал с различными магнитными свойствами. Установлено, что нанокристаллический сплав Fe[73. 5]Cu[1]Nb[1. 5]Mo[1. 5]Si[13. 5]B[9] имеет высокую температурную стабильность магнитных свойств. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/03/p63-68.pdf Доп.точки доступа: Филиппов, Б. Н.; Шулика, В. В.; Потапов, А. П.; Вильданова, Н. Ф.; Институт физики металлов УрO PAH; Институт физики металлов УрO PAH; Институт физики металлов УрO PAH; Институт физики металлов УрO PAH |
536.42 Х 190 Хандожко, В. А. Влияние температурного отжига на качество слоистых монокристаллов InSe и характеристики гетеропереходов n-InSe-p-InSe / В. А. Хандожко, З. Р. Кудринский, З. Д. Ковалюк // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 4. - С. 564-569 : ил. - Библиогр.: с. 569 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): низкотемпературный отжиг -- отжиг -- монокристаллы -- фотоэлектрические свойства -- гетеропереходы -- температура отжига -- ядерный квадрупольный резонанс -- ЯКР -- спектры резонанса -- короткое замыкание Аннотация: Исследовано влияние низкотемпературного отжига исходных монокристаллов InSe n- и p-типа проводимости на фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-InSe-p-InSe. Найдено, что максимальное улучшение фотоэлектрических параметров гетеропереходов n-InSe-p-InSe наблюдается при температурах отжига 150-200°C. Повышение качества монокристаллических образцов после отжига подтверждается мультиплетностью спектров ядерного квадрупольного резонанса, которые отражают упорядочение в системе политипов слоистой структуры InSe. Для отожженных материалов структура n-InSe-p-InSe характеризовалась увеличением интенсивности экситонного пика, ростом напряжения холостого хода с 0. 29 до 0. 56 В и тока короткого замыкания с 350 до 840 мкА/см{2}. We report on the influence of low-temperature annealing on initial InSe single crystals of n and p types and photoelectric properties of n-InSe–p-InSe heterojunctions. It was found that maximal improvement of photoelectric characteristics of n-InSe–p-InSe heterojunctions occurs at the annealing temperatures of 150-200°C. The improvement of quality of single crystal samples after annealing is justified by multiplicity of nuclear quadrupole resonance spectra, which reflect ordering in the system of polytypes of InSe layer structure. For the annealed materials the n-InSe–p-InSe structure was characterized by increases in intensity of exciton peak, open-circuit voltage from 0. 29 to 0. 56V and shortcircuit current from 350 to 840 muA/cm{2}. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/04/p564-569.pdf Доп.точки доступа: Кудринский, З. Р.; Ковалюк, З. Д.; Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича; Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича Национальной академии наук УкраиныИнститут проблем материаловедения им. И. Н. Францевича Национальной академии наук Украины |