Методика определения параметров радиационных дефектов и прогноза радиационной стойкости МОП-транзисторов [Текст] / М. Н. Левин [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 15. - С. 38-44 : ил. - Библиогр.: с. 44 (6 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- МОП-транзисторы -- металл-окисел-полупроводник -- радиационная стойкость -- радиационные дефекты -- определение параметров -- радиационно-индуцированные заряды -- эффекты образования заряда -- окислы -- металлы -- полупроводники -- поверхностные состояния -- релаксационные процессы -- туннельная разрядка -- термическая разрядка -- дозовые зависимости -- мощность радиации -- температурно-временные зависимости -- пороговые напряжения -- релаксация напряжения -- излучение -- низкоинтенсивная радиация Аннотация: Представлен анализ радиационной стойкости МОП-транзисторов, учитывающий как эффекты образования радиационно-индуцированного заряда в объеме окисла и на поверхностных состояниях, так и релаксационные процессы термической и туннельной разрядки накопленного заряда. Методика прогнозирования радиационной стойкости включает процедуру определения параметров радиационных дефектов из экспериментальной дозовой зависимости, полученной при большой мощности радиации, и температурно-временных зависимостей релаксации порогового напряжения. Установленные параметры позволяют предсказать поведение МОП-транзистора под воздействием излучения любой мощности, включая низкоинтенсивную радиацию. Доп.точки доступа: Левин, М. Н.; Бондаренко, Е. В.; Бормонтов, А. Е.; Татаринцев, А. В.; Гитлин, В. Р. |