Исследование рамановского рассеяния на обертонах полносимметричного LO фонона в нанокристаллах Zn[0. 9]Mn[0. 1]O при резонансном возбуждении [Текст] / В. Е. Кайдашев [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 23. - С. 32-39 : ил. - Библиогр.: с. 38-39 (9 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): рамановская спектроскопия -- резонансная спектроскопия -- резонансная рамановская спектроскопия -- метод резонансной рамановской спектроскопии -- фононы -- полносимметричные фононы -- фононные обертоны -- LO фононы -- кристаллы -- нанокристаллы -- Zn[0. 9]Mn[0. 1]O -- резонансное возбуждение -- решетки (физика) -- наностержни -- легирование марганцем -- дефектность наностержней -- люминесценция -- зеленая люминесценция Аннотация: Методом резонансной рамановской спектроскопии исследовано многофононное рассеяние на обертонах полносимметричного LO фонона в решетках ZnO наностержней, легированных Mn, и установлена связь между его интенсивностью и дефектностью наностержней, проявляющейся в "зеленой" люминесценции. Доп.точки доступа: Кайдашев, В. Е.; Мисочко, О. В.; Correia, M. R.; Peres, M.; Monteiro, T.; Sobolev, N. A.; Кайдашев, Е. М. |
Марьянчук, П. Д. Магнитные и зонные параметры кристаллов (3НgS) [1-х] (АI[2]S[3]) [x] (х = 0, 5), легированных марганцем [Текст] / П. Д. Марьянчук, И. П. Козярский // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 1. - С. 55-60. - Библиогр.: c. 60 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Магнетизм Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кластеры -- кристаллы -- легирование марганцем -- магнитная восприимчивость кристаллов -- магнитные свойства кристаллов -- электропроводность кристаллов Аннотация: Исследования магнитной восприимчивости (хи) кристаллов (3НgS) [1-х] (АI[2]S[з]) [х] (х = 0, 5), легированных марганцем, проведенные методом Фарадея в интервале Т= 77-300 К и Н= 0, 25--4 кЭ, показали, что особенности магнитных свойств могут быть обусловлены наличием в кристаллах кластеров типа Mn-S-Mn-S. На основе исследований кинетических коэффициентов кристаллов, проведенных в интервале Т= 77-300 К и Н= 0, 5-5 кЭ, установлено что кристаллы проявляют n-тип проводимости, их электропроводность очень слабо зависит от температуры и имеет максимум, коэффициент Холла не зависит от температуры, а температурные зависимости подвижности имеют максимум. Из концентрационной зависимости эффективной массы электронов на уровне Ферми определена ширина запрещенной зоны, матричный элемент межзонного взаимодействия, эффективная масса электрона на дне зоны проводимости. На основе оптических исследований установлено наличие в кристаллах прямых межзонных оптических переходов и определена (при Т= 300 К) величина оптической запрещенной зоны. Доп.точки доступа: Козярский, И. П. |
Влияние электрического поля, освещенности и температуры на отрицательное магнетосопротивление кремния, легированного по методу "низкотемпературной диффузии" [Текст] / М. К. Бахадырханов [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 16. - С. 11-18 : ил. - Библиогр.: с. 18 (8 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электрические поля -- освещение -- температура -- кремний -- ОМС -- отрицательное магнетосопротивление -- низкотемпературная диффузия -- метод низкотемпературной диффузии -- марганец -- легирование марганцем -- высокотемпературное отрицательное магнетосопротивление -- магнитные поля Аннотация: Экспериментально показано, что в компенсированном кремнии, легированном марганцем с помощью "низкотемпературной диффузии", наблюдается высокотемпературное, аномально большое ОМС. Установлено, что в таком материале можно менять величину ОМС, изменяя температуру, освещение, электрическое и магнитное поля. Доп.точки доступа: Бахадырханов, М. К.; Аюпов, К. С.; Илиев, Х. М.; Мавлонов, Г. Х.; Саттаров, О. Э. |
544 D 72 Dongfang Zhang Structural, optical, electrical and photocatalytic properties of manganese doped zinc oxide nanocrystals [Текст] / Dongfang Zhang // Журнал физической химии. - 2012. - Т. 86, № 1. - С. 101-106. - Библиогр.: c. 106 (16 назв. ) . - ISSN 0044-4537
Рубрики: Химия Физическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): легирование марганцем -- нанокристаллы оксида цинка -- оптические свойства -- структурные свойства -- фотокаталитические свойства -- электрические свойства Аннотация: Manganese-doped and undoped ZnO nanocrystals were synthesized via wet-chemical methods. The structure, physico-chemical, electrical and optical properties of the as-prepared products were characterized by using the X-ray diffraction (XRD), UV-vis diffuse reflectance spectroscopy (DRS), photoluminescence spectroscopy (PLS) and electrochemical impedance spectroscopy (EIS) techniques. The photocatalytic activity of Mn-doped ZnO nanocrystal (mixed phases) has been examined under the visible-irradiation by using photocatalytic oxidation of rhodamine B (RhB) dye as a model reaction, and compared with that of known system such as pure ZnO nanocrystal (single-phase). The results showed that Mn doped ZnO nanocrystals bleaches RhB much faster than undoped ZnO upon its exposure to the visible light. The enhancement of the photocatalytic activity was discussed as an effect due to the Mn doping in the Mn-doped ZnO semiconductors, which shifts the optical absorption edge to the visible region and alters the electron-hole pair separation conditions. These factors are responsible for the higher photocatalytic performance of Mn/ZnO composites. |
621 М 307 Марьянчук, П. Д. Механизмы рассеяния электронов в кристаллах (3HgSe) [1-x] (Al[2]Se[3]) [x], легированных марганцем [Текст] / П. Д. Марьянчук, авт. Д. П. Козярский // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 12. - С. 93-95. - Библиогр.: c. 95 (5 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Машиностроение Отраслевое машиностроение Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- легирование марганцем -- механизмы рассеяния электронов -- полупроводники -- рассеяния электронов на оптических фонах Аннотация: Исследованы механизмы рассеяния электронов в кристаллах, легированных марганцем. Доп.точки доступа: Козярский, Д. П. |
537.311.33 И 889 Исследование полупроводниковых соединений CuGaTe[2], легированных Mn, методом ЭПР [Текст] / В. Л. Матухин [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, N 3. - С. 20-24. - Библиогр.: c. 24 (7 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): легирование марганцем -- метод ЭПР -- полупроводниковые соединения -- спинтроника -- структурные дефекты -- халькопиритовые полупроводники -- электронный парамагнитный резонанс Аннотация: Методом ЭПР исследованы синтезированное базовое соединение CuGaTe[2] и легированные Mn соединения CuGaTe[2]{Mn}. Полученные спектры ЭПР CuGaTe[2] свидетельствуют об образовании нескольких видов янтеллеровских центров меди с g-тензорами осевой симметрии, отличающихся величинами главных компонент g-тензора (g || и g _|_ ). Интенсивная линия с g [эфф3] = 1, 996+0, 001, зарегистрированная в образцах соединений CuGaTe[2]{Mn}, связывается с наличием центров, образуемых марганцем. Доп.точки доступа: Матухин, В. Л.; Уланов, В. А.; Суханов, А. А.; Сафонов, А. Н.; Шмидт, С. В.; Аминов, Т. Г.; Шабунина, Г. Г. |
539.2 В 406 Взаимосвязь фотокаталитических и фотолюминесцентных свойств оксида цинка, легированного медью и марганцем / И. А. Пронин [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 7. - С. 868-874 : ил. - Библиогр.: с. 873-874 (30 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотокаталитические свойства -- фотолюминесцентные свойства -- оксид цинка -- ZnO -- легирование медью -- легирование марганцем -- электрические свойства -- оптические свойства -- газовые сенсоры Аннотация: Сопоставление фотокаталитических и фотолюминесцентных свойств оксида цинка, легированного малыми количествами меди и марганца, показало, что взаимосвязь между двумя этими явлениями зависит от нескольких причин, главные из которых - кристаллическое состояние материала, тип и концентрация модификатора. Увеличение концентрации легирующих добавок приводит к росту интенсивности фотолюминесценции и уменьшению фотокаталитической активности. Установлено, что механизм включения допанта оказывает существенное влияние на исследованную взаимосвязь, приводя в некоторых случаях к отклонению от указанной тенденции. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/07/p868-874.pdf Доп.точки доступа: Пронин, И. А.; Донкова, Б. В.; Димитров, Д. Ц.; Аверин, И. А.; Пенчева, Ж. А.; Мошников, В. А.; Пензенский государственный университет; Софийский университет им. Св. Климента Охридского (Болгария); Софийский университет им. Св. Климента Охридского (Болгария); Пензенский государственный университет; Русенский университет им. Ангела Кынчева (Русе (Болгария); Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)Санкт-Петербургский государственный политехнический университет |
539.2 О-754 Особенности магнетосопротивления в перекомпенсированном кремнии, легированном марганцем / М. К. Бахадырханов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 8. - С. 1014-1016 : ил. - Библиогр.: с. 1016 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): магнетосопротивление -- кремний -- Si -- легирование марганцем -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- температурные зависимости -- марганец Аннотация: Экспериментально установлено, что достаточно большое отрицательное магнитосопротивление в кремнии наблюдается не только в компенсированном p-Si меньше чем B, Mn больше чем, а также в перекомпенсированном n-Si меньше чем B, Mn больше чем с положением уровня Ферми F=E[C]-0. 35/ E[C]-0. 55 эВ. Величина, а также температурная область существования отрицательного магнитосопротивления в таких материалах определяется положением уровня Ферми. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/08/p1014-1016.pdf Доп.точки доступа: Бахадырханов, М. К.; Мавлонов, Г. Х.; Илиев, Х. М.; Аюпов, К. С.; Саттаров, О. Э.; Тачилин, С. А.; Ташкентский государственный технический университет; Ташкентский государственный технический университет; Ташкентский государственный технический университет; Ташкентский государственный технический университет; Ташкентский государственный технический университет; Ташкентский государственный технический университет |
539.2 Т 343 Тепловые свойства поликристаллических пленок ZnO, легированного марганцем / Х. Т. Игамбердиев [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 10. - С. 1835-1838. - Библиогр.: с. 1838 (25 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): тепловые свойства -- поликристаллические пленки -- пленки -- оксид цинка -- легирование марганцем -- поликристаллы оксида цинка Аннотация: В диапазоне температур 30-300 К исследованы теплопроводность и теплоемкость поликристаллов оксида цинка, легированного марганцем. Показано существенное влияние образовавшихся при легировании вторичной фазы или кластеров MnO на температурные зависимости теплофизических свойств поликристаллических пленок оксида цинка. Доп.точки доступа: Игамбердиев, Х. Т.; Юлдашев, Ш. У.; Kang, T. W.; Пеленович, В. О.; Рахимова, Ш. М.; Ахмедов, Т. Х. |