Меженный, М. В. Генерация дислокаций в термообработанных пластинах кремния, легированных азотом, при приложении внешних нагрузок [Текст] / М. В. Меженный, М. Г. Мильвидский, В. Я. Резник // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 9. - С. 99-104
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): бездислокационные пластины кремния -- легирование азотом -- генерация дислокаций -- термообработка -- движение дислокаций Аннотация: Исследованы особенности генерации и движения дислокаций в легированных азотом бездислокационных пластинах кремния после их многоступенчатых термообработок. Установлено, что легирование азотом приводит к существенному увеличению напряжений начала пластической деформации от поверхностных и внутренних гетерогенных источников в термообработанных пластинах. Скорость движения дислокаций в легированных азотом пластинах кремния оказываются ниже, чем в нелегированных. Упрочняющее влияние азота, по-видимому, обусловлено его активирующим влиянием на процесс распада пересыщенного твердого раствора кислорода при термообработке. Доп.точки доступа: Мильвидский, М. Г.; Резник, В. Я. |
Влияние отжига на электрические свойства легированных азотом монокристаллов кремния, выращенных методом бестигельной зонной плавки [Текст] / Г. И. Воронкова [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 11. - С. 2128-2134. - Библиогр.: с. 2134 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): отжиг кремния -- легирование азотом -- монокристаллы -- отожженные монокристаллы -- бестигельные зонные плавки -- азотсодержащие центры в кристаллах -- ростовые микродефекты -- примеси азота Аннотация: Излучены электрические свойства отожженных при 680 градусов Цельсия легированных азотом монокристаллов кремния n- и p-типа, полученных методом бестигельной зонной плавки. Показано, что отжиг приводит к появлению в кристаллах азотсодержащих центров, образующих глубокие донорные и акцепторные уровни в запрещенной зоне. Этот процесс сопровождается увеличением удельного сопротивления, особенно существенным в исходно высокоомных монокристаллах. При этом в слаболегированных бором монокристаллах n- и p-типа наблюдается конверсия типа проводимости. В конвертированном материале n-типа подвижность электронов аномально низка, что свидетельствует о его высокой электрической пространственной неоднородности. Определено энергетическое положение вводимого при отжиге глубокого акцепторного уровня вблизи Ec-0. 35 eV. Предложена модель, объясняющая наблюдаемые явления. Доп.точки доступа: Воронкова, Г. И.; Воронков, В. В.; Батунина, А. В.; Головина, В. Н.; Гуляева, А. С.; Тюрина, Н. Б.; Мильвидский, М. Г. |
536.42 С 387 Синтез тонких пленок рутила с проводимостью p-типа / В. М. Иевлев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 2. - С. 265-271 : ил. - Библиогр.: с. 270 (26 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электрофизические свойства -- оптические свойства -- гетероструктуры -- термическая обработка -- термообработка -- импульсная фотонная обработка -- фотонная обработка -- обработка фотонами -- монокристаллический кремний -- кремний -- Si -- поверхность кремния -- термический отжиг -- термоотжиг -- пленки рутила -- рутил -- легирование азотом Аннотация: Исследованы структура, электрофизические и оптические свойства гетероструктур, образующихся в процессах термической обработки и импульсной фотонной обработки в атмосфере кислорода, воздуха и азота пленок Ti на поверхности монокристаллических пластин кремния. Показано, что на воздухе при термической обработке формируется гетероструктура TiO[2]/Ti[5]Si[3]/Si-p, а при фотонной обработке - TiO[2]/TiSi[2]/Si-p. Установлено, что термическая обработка в кислороде пленок Ti, легированных Ni, приводит к формированию пленок рутила с ярко выраженной проводимостью n-типа. Термический отжиг пленок Ti на воздухе с последующей фотонной обработкой в среде азота приводит к формированию пленок рутила с проводимостью p-типа. The structure, electrical and optical properties of heterostructures formed during thermal processing and pulsed photon processing Ti films on the surface of single-crystal silicon wafers in an atmosphere of oxygen, air and nitrogen. It is shown that during the heat treatment in air TiO[2]/Ti[5]Si[3]/Si-p heterostructure is formed, and the photon processing in air formed TiO[2]/TiSi[2]/Si-p heterostructure. Found that the heat treatment in oxygen films Ti, alloy Ni, leads to the formation of rutile films with a strong n-type. Heat treatment of Ti films in air with followed photon processing in nitrogen leads to the formation of rutile films with p-type conductivity. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/02/p265-271.pdf Доп.точки доступа: Иевлев, В. М.; Кущев, С. Б.; Овчинников, О. В.; Сумец, М. П.; Латышев, А. Н.; Безрядин, М. Н.; Леонова, Л. Ю.; Канныкин, С. В.; Возгорьков, А. М.; Смирнов, М. С.; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный технический университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университетВоронежский государственный технический университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный технический университет |