Марченко, И. Г. Влияние электронного облучения, ослабленного алюминиевыми экранами, на электрические параметры кремниевых p-n-структур [Текст] / И. Г. Марченко, Н. Е. Жданович // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 10. - С. 45-51 : ил. - Библиогр.: с. 51 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): электронное облучение -- влияние электронного облучения -- алюминиевые экраны -- электрические параметры -- p-n-структуры -- кремниевые p-n-структуры -- время жизни -- заряды -- неравновесные носители -- обратный ток -- ВАХ -- вольт-амперные характеристики -- электроны -- облучение электронами -- энергия (физика) -- плоские алюминиевые экраны -- процессы облучения Аннотация: Проведено исследование поведения времени жизни неравновесных носителей заряда tau, обратного тока I[R] и прямой ВАХ в кремниевых p{+}-n-n{+}-структурах при облучении электронами с энергией 6 MeV через плоские алюминиевые экраны толщиной \it d от 2 до 14 mm (массовой толщиной 0. 5-3. 8 g/cm{2}). В том случае, когда d=14 mm (3. 8 g/cm{2}), структуры обнаруживают существенно меньшее изменение I[R] и ВАХ по сравнению с экранами d=2-12 mm при одинаковом снижении в процессе облучения величины tau: от 20 до 1. 5 mus. Доп.точки доступа: Жданович, Н. Е. |
621.382 М 300 Марченко, И. Г. Особенности технологического облучения электронами кремниевых p-n-структур большой площади [Текст] / И. Г. Марченко, авт. Н. Е. Жданович // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 17. - С. 26-34 : ил. - Библиогр.: с. 33-34 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): электроны -- ускоренные электроны -- технологическое облучение -- особенности облучения -- p-n-структуры -- кремниевые p-n-структуры -- защитные маски -- повышенная рекомбинация -- зоны рекомбинации -- базовые области -- диоды -- кремниевые диоды -- электрофизические характеристики -- токи -- локальное облучение -- диодные структуры -- структуры большой площади -- обратное восстановление -- энергии -- температуры -- локально облученные структуры -- эксперименты Аннотация: Исследовано влияние облучения ускоренными электронами (4 MeV) через защитные маски, формирующие зоны повышенной рекомбинации (ERZ) в базовой области p{+}-n-n{+}-структур, на основные электрофизические характеристики кремниевых диодов, рассчитанных на токи до 600 A. Показано, что локальное облучение диодной структуры большой площади по сравнению с облучением всей структуры улучшает соотношение между временем обратного восстановления (t[rr]) и потерями энергии в проводящем состоянии (U[F]) при снижении чувствительности обратного тока (I[R]) диода к температуре. Установлена зависимость соотношения t[rr], U[F] и I[R] в локально облученных структурах от условий эксперимента (размера ERZ). Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/17/p26-34.pdf Доп.точки доступа: Жданович, Н. Е. |