669 В 223 Вахний, Т. В. Роль зернограничной диффузии в формировании концентрационных профилей в металлических материалах при воздействиях ионными пучками [Текст] / Т. В. Вахний, Г. А. Вершинин, Г. И. Геринг // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 7. - С. 90-94 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Технология металлов Общая технология металлов Кл.слова (ненормированные): зернограничная диффузия -- концентрационные профили -- ионные пучки -- металлические материалы Аннотация: Для интерпретации аномального переноса вещества в металлических материалах, подвергаемых высокоэнергетическим воздействиям, в данной работе учитывается диффузия по мигрирующим границам зерен, взаимодействующим с примесью. Доп.точки доступа: Вершинин, Г. А.; Геринг, Г. И. |
Кагадей, В. А. Численное моделирование процесса гидрогенизации GaAs на стадии охлаждения [Текст] / В. А. Кагадей, Е. В. Нефедцев // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 4. - С. 433-439 : ил. - Библиогр.: с. 439 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гидрогенизация -- GaAs -- охлаждение -- концентрационные профили -- численное моделирование -- водородные частицы -- частицы -- легирующие примеси -- водород -- электрические поля -- температурно-временной режим -- легирование -- гидрогенизированные слои -- полупроводники Аннотация: Проведено моделирование эволюции концентрационных профилей всех типов водородных частиц, носителей заряда, активной легирующей примеси и распределения электрического поля в приповерхностном слое гидрогенизированного p-GaAs в процессе охлаждения образца после окончания этапа введения водорода. Показано, что вид конечных концентрационных профилей водородсодержащих частиц и распределение внутреннего электрического поля в гидрогенизированном слое p-GaAs зависят от температурно-временного режима охлаждения образца. Степень влияния скорости охлаждения на конечное состояние гидрогенизированного слоя увеличивается по мере уменьшения уровня легирования полупроводника. Приводятся и обсуждаются закономерности формирования конечного состояния системы водород-кристалл в зависимости от скорости охлаждения образца. Доп.точки доступа: Нефедцев, Е. В. |
Рехвиашвили, С. Ш. О поверхностной сегрегации в твердых бинарных растворах [Текст] / С. Ш. Рехвиашвили, А. М. Кармоков, Е. В. Киштикова // Химическая физика. - 2009. - Т. 28, N 6. - С. 23-27 : ил. - Библиогр.: с. 27 (6 назв. ) . - ISSN 0207-401X
Рубрики: Химия Химическая связь и строение молекул Кл.слова (ненормированные): сегрегация -- поверхностная сегрегация -- поверхностная энергия -- твердые бинарные растворы -- приближения Ван-дер-Ваальса -- Ван-дер-Ваальса приближения -- концентрационные профили -- масс-спектральный анализ -- бинарные растворы Аннотация: В рамках единого подхода – модифицированного приближения Ван-дер-Ваальса – получены аналитические выражения для концентрационного профиля, поверхностной энергии в твердом бинарном растворе, обусловленных выходом одного из компонент на поверхность (поверхностной сегрегацией). Проведено сравнение расчетов с экспериментальными результатами, полученными с помощью вторично-ионной масс-спектрометрии для металлических бинарных растворов Cu–Ge и Cu–Al, которое показало приемлемое согласие. Доп.точки доступа: Кармоков, А. М.; Киштикова, Е. В. |
Ярыкин, Н. А. Взаимодействие примеси меди с радиационными дефектами в легированном бором кремнии [Текст] / Н. А. Ярыкин, J. Weber // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1017-1020 : ил. - Библиогр.: с. 1020 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): глубокие уровни -- примеси меди -- радиационные дефекты -- легирование бором -- монокристаллы кремния -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- облучение кристаллов -- облученные кристаллы -- диффузия меди -- концентрационные профили -- дивакансии -- уровни дивакансии Аннотация: Изучается спектр глубоких уровней, формирующихся в легированных бором монокристаллах кремния, выращенных методом Чохральского, в результате взаимодействия радиационных дефектов и примеси меди. Показано, что, независимо от порядка введения дефектов (как при низкотемпературной диффузии меди в предварительно облученные электронами кристаллы, так и при облучении загрязненных медью образцов), возникает один и тот же набор глубоких уровней. В дополнение к обычным радиационным дефектам в медьсодержащих кристаллах выявлены три уровня. Это уже упоминавшийся в литературе центр E[v]+0. 49 эВ, а также ранее не связываемые с медью уровень E[v]+0. 51 эВ и уровень, близкий к донорному уровню дивакансии. На основе анализа концентрационных профилей межузельная пара углерод--кислород исключена из возможных прекурсоров медьсодержащего центра E[v]+0. 49 эВ. Доп.точки доступа: Weber, J. |
53 Б 941 Бухбиндер, Г. Л. (Омский государственный университет). Волновой механизм массопереноса в металлах под действием импульсного облучения [Текст] / Г. Л. Бухбиндер, авт. П. Н. Марталлер // Математическое моделирование. - 2012. - Т. 24, № 2. - С. 139-150 : 3 рис. - Библиогр.: с. 149-150 (30 назв. ) . - ISSN 0234-0879
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): лазерное облучение твердых тел -- гиперболический массоперенос -- ионное облучение твердых тел -- концентрационные профили -- эффект дальнодействия Аннотация: В рамках локально-неравновесной модели рассматривается массоперенос примесных частиц с поверхности металла в его объем под действием высокоэнергетических пучков частиц или лазерного облучения поверхности образца. На основе численного решения интегро-дифференциального уравнения для диффузионного потока получены примесные концентрационные профили. Показано, что для моментов времени t? ? D, где ? D — время релаксации диффузионного потока к своему локально-равновесному значению, волновой механизм массопереноса преобладает над диффузионным. Обсуждаются некоторые экспериментальные результаты. Доп.точки доступа: Марталлер, П. Н. (Омский государственный университет) |