621.315.592 М 601 Милешко, Л. П. Электролитическое анодирование полупроводников типа A{III}B{V}, имплантированных вентильными металлами [Текст] / Л. П. Милешко, С. П. Авдеев, В. А. Никитенко // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 1. - С. 55-59 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электролитическое анодирование полупроводников -- вентильные металлы -- имплантированные металлы -- имплантированные вентильные металлы -- электролитическое анодирование -- полупроводники -- анодирование полупроводников -- анодные оксидные пленки -- ионное легирование -- легирование арсенида галия -- легирование фосфида галия -- электрическая прочность полупроводников Аннотация: Показано, что ионное легирование арсенида и фосфида галия позволяет повысить электрическую прочность и уменьшить дефектность формирующихся на поверхности полупроводников анодных оксидных пленок. Доп.точки доступа: Авдеев, С. П.; Никитенко, В. А. |
Высокотемпературный радиационно стойкий выпрямитель на основе p{+}-n-переходов в 4H-SiC, ионно-легированном алюминием [Текст] / Е. В. Калинина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 6. - С. 807-816 : ил. - Библиогр.: с. 815-816 (55 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): имплантация ионов -- эпитаксиальные слои -- химическое осаждение -- метод химического осаждения -- быстрый термический отжиг -- БТО -- термоотжиг -- ионное легирование -- ИЛ -- радиационные дефекты -- низкотемпературный отжиг -- p-n переходы -- 4H-SiC -- выпрямители -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- алюминий Аннотация: Сочетание высокодозовой (5x10{16} см{-2}) имплантации ионов Al в эпитаксиальные слои 4H-SiC n-типа, выращенные методом химического осаждения из газовой фазы, и быстрого (15 с) термического отжига при 1700-1750{o}C формирует слои с прямоугольным профилем примеси по механизму твердофазной эпитаксиальной кристаллизации. Совместное действие эффектов ускоренной диффузии радиационных дефектов при имплантации и геттерирования дефектов при отжиге приводит к улучшению качества исходного материала, что обеспечивает увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в несколько раз. В SiC при воздействии различных видов радиации образуются метастабильные состояния, отжигаемые в различных температурных интервалах. Низкотемпературный отжиг радиационных дефектов увеличивает радиационный и временной ресурс приборов при облучении. Высокотемпературный отжиг радиационных дефектов позволяет изменять время жизни неравновесных носителей заряда, т. е. частотный диапазон приборов. Радиационная стойкость SiC-приборов увеличивается с ростом рабочей температуры до 500{o}C. Доп.точки доступа: Калинина, Е. В.; Коссов, В. Г.; Яфаев, Р. Р.; Стрельчук, А. М.; Виолина, Г. Н. |
621.315.592 К 683 Король, В. М. Ионное легирование германия натрием [Текст] / В. М. Король, авт. Yu. Kudriavtsev // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 2. - С. 268-273 : ил. - Библиогр.: с. 272-273 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): ионное легирование -- германий -- Ge -- натрий -- Na -- донорные свойства (физика) -- имплантация -- удельное сопротивление -- температура отжига -- отжиг -- термозонды -- ионы -- диффузия атомов -- атомы -- имплантированные атомы Аннотация: Впервые получены доказательства донорных свойств Na при введении его имплантацией в p-Ge с удельным сопротивлением 20-40 Ом x см. Изучены профили Na, имплантированного в Ge (энергия 70 и 77 кэВ, дозы (0. 8, 3, 30) x 10{14} см{-2}). Установлены дозы и температуры отжига, при которых термозонд регистрирует n-тип проводимости на поверхности образца. После имплантации профили характеризуются протяженным хвостом, глубина максимума концентрации хорошо согласуется с рассчитанным средним пробегом ионов R[p]. Отжиг при температурах 250-700 °C (30 мин) вызывает перераспределение Na с образованием сегрегационных пиков на глубине, зависящей от ионной дозы, и сопровождается диффузией атомов к поверхности с последующим испарением. После отжига при температуре 700 °C в матрице остается менее 7% имплантированных атомов. Вид хвостовых участков профилей, измеренных после отжига при температурах 300-400 °C, указывает на диффузию вглубь небольшой доли атомов Na. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/02/p268-273.pdf Доп.точки доступа: Kudriavtsev, Yu. |
535.37 В 586 Влияние ионного легирования на фотолюминесценцию в кремнии, связанную с дислокациями, сформированными путем имплантации ионов Si{+} / А. Н. Михайлов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 2. - С. 212-216 : ил. - Библиогр.: с. 215-216 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Люминесценция Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): ионное легирование -- легирование ионами -- фотолюминесценция -- кремний -- дислокационная люминесценция -- люминесценция -- имплантация ионов -- ионная имплантация -- хлорсодержащия атмосфера -- ХСА -- отжиг -- центры безызлучательной рекомбинации -- ЦБР Аннотация: Исследовано влияние дополнительной имплантации примесных ионов С{+}, О{+}, В{+}, Р{+} и Ge{+} с отжигом при 800°С на поведение линии дислокационной фотолюминесценции D1, полученной в образцах кремния путем имплантации ионов Si{+} в условиях стабилизации температуры с последующим отжигом в окислительной хлорсодержащей атмосфере. Установлено, что интенсивность линии D1 существенно зависит от типа внедряемых атомов и дозы имплантации. Повышение интенсивности линии D1 наблюдается при имплантации кислорода и бора, тогда как в остальных случаях фотолюминесценция ослабляется. Обсуждаются механизмы такого поведения, в частности роль кислорода и его взаимодействия с имплантируемыми примесями. The effect of additional implantation of C{+}, O{+}, B{+}, P{+} and Ge{+} impurity ions followed by annealing at 800°C on the behavior of dislocation-related D1 photoluminescence line obtained in silicon samples by Si{+} ion implantation in the conditions of temperature stabilization with subsequent annealing in clorine-containing atmosphere has been investigated. It is established that the intensity of D1 line strongly depends on the kind of implanted ion and irradiation dose. The increase in the D1 line intensity is observed when oxygen and boron are implanted, while in other cases the photoluminescence is quenched. The mechanisms of such a behavior, in particular the role of oxygen and its interaction with implanted impurities are discussed. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/02/p212-216.pdf Доп.точки доступа: Михайлов, А. Н.; Белов, А. И.; Королев, Д. С.; Тимофеева, А. О.; Васильев, В. К.; Шушунов, А. Н.; Бобров, А. И.; Павлов, Д. А.; Тетельбаум, Д. И.; Шек, Е. И.; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского |