621.3.08 С 46 Скупов, А. В. Особенности моделирования методом Монте-Карло профилей пространственного распределения внедряемых ионов и радиационных дефектов в гетерокомпозициях "кремний на сапфире" [Текст] / А. В. Скупов, В. Д. Скупов, С. В. Оболенский // Физика и химия обработки материалов. - 2006. - N 4. - С. 5-11 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика--Физические приборы Энергетика--Техника высоких измерений Кл.слова (ненормированные): гетерокомпозиции; метод Монте-Карло; Монте-Карло метод; радиационные дефекты; внедряемые ионы; имплантируемые ионы; ионы фосфора; ионы бора; точечные радиационные дефекты; эпитаксиальные гетерокомпозиции; профили пространственного распределения Аннотация: Методом Монте-Карло рассчитаны профили пространственного распределения имплантируемых в гетерокомпозиции "диоксид кремния-кремний-сапфир" ионов бора и фосфора и возникающих при этом точечных радиационных дефектов. Доп.точки доступа: Скупов, В. Д.; Оболенский, С. В. |
53 С 466 Скупов, А. В. Моделирование процесса ионно-лучевого легирования гетерокомпозиции "кремний на сапфире" методом Монте-Карло с учетом влияния дислокационной структуры [Текст] / А. В. Скупов, авт. С. В. Оболенский // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 4. - С. 37-42 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): ионно-лучевое легирование -- легирование -- гетерокомпозиция "кремний на сапфире" -- ускоренные ионы -- интегральные схемы -- метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод -- TRIM-алгоритм Аннотация: Предложена модификация известного TRIM-алгоритма моделирования методом Монте-Карло траекторий ускоренных ионов в мишенях с высокой плотностью структурных дефектов. Проведен расчет параметров профилей пространственного распределения атомов примеси и радиационных дефектов в тонкопленочной гетерокомпозиции "кремний на сапфире" при внедрении ионов бора и фосфора с энергией 30, 60 и 100 кэВ. Показано, что дислокационная структура мишени, учитываемая по предложенной модели, влияет на профиль внедряемых атомов незначительно, в то время как отличие концентрации радиационных дефектов на одном и том же расстоянии от облучаемой поверхности может различаться более чем в два раза в зависимости от типа иона и энергии имплантации. Доп.точки доступа: Оболенский, С. В. |
Якунин, С. Н. О структурных особенностях гетерокомпозиций теллурида кадмия - ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией [Текст] / С. Н. Якунин, Н. Н. Дремова // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 87, вып: вып. 9. - С. 580-583 . - ISSN 0370-274Х
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): гетерокомпозиции -- теллурид кадмия -- ртуть -- молекулярно-лучевая эпитаксия Аннотация: Проведены исследования структурных и композиционных характеристик твердых растворов теллурида кадмия - ртути, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Обнаружено, что содержание кадмия в твердом растворе, определенное методами рентгеновской дифрактометрии и энергодисперсионного микроанализа, различается более чем на 10%. Наблюдаемое различие объясняется эффектом сжатия кристаллической решетки за счет высокой концентрации точечных дефектов - вакансий ртути. Доп.точки доступа: Дремова, Н. Н. |
539.2 О-754 Особенности хлорид-гидридной эпитаксии нитридных материалов на подложке кремния / М. Г. Мынбаева [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 11. - С. 1573-1577 : ил. - Библиогр.: с. 1576 (11 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетерокомпозиции -- GaN/AlN/Si -- нитриды -- кремниевые подложки -- хлорид-гидридная эпитаксия -- метод хлорид-гидридной эпитаксии -- буферные слои -- гетерограницы -- эпитаксиальные слои -- границы раздела -- нитрид галлия -- GaN -- нитрид алюминия -- AlN -- выращивание слоев Аннотация: Исследованы особенности выращивания гетерокомпозиции GaN/AlN/Si, в которой слои нитридов элементов III группы выращены на кремниевой подложке методом хлорид-гидридной эпитаксии. Рассмотрено влияние температуры выращивания буферного слоя AlN на диффузионные процессы на гетерограницах и на качество выращиваемых эпитаксиальных слоев. Показано, что при используемом методе эпитаксии буферный слой должен выращиваться при высоких температурах (1080°C), поскольку при этом минимизируется толщина области перемешивания компонентов и формируются резкие границы раздела в гетерокомпозиции GaN/AlN/Si. Двухстадийное выращивание нитрида галлия на высокотемпературном буферном слое AlN толщиной 300-400 нм позволяет получать слои GaN толщиной до 0. 3 мкм без образования трещин. Studied are the main features of growing GaN/AlN/Si heterocompositions, where epitaxial layers of III-nitrides are grown on silicon substrate by chloride-hydride vapor phase epitaxy (HVPE). The effect of the buffer layer growth temperature on diffusion processes at heterointerfaces and on the epitaxial film quality is considered. It is shown that during HVPE, the buffer layer should be grown at high temperatures (1080°C), as this minimizes the width of the intermixing layer and ensures the formation of sharp interfaces in GaN/AlN/Si heterocomposition. Two-stage GaN epitaxy on the high-temperature buffer AlN layer allows for using HVPE for growing crack-free epitaxial GaN films with the thickness up to 0. 3 Mum. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/11/p1573-1577.pdf Доп.точки доступа: Мынбаева, М. Г.; Головатенко, А. А.; Печников, А. И.; Лаврентьев, А. А.; Мынбаев, К. Д.; Николаев, В. И.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); ООО "Совершенные кристаллы" (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)Университет ИТМО (Санкт-Петербург); Университет ИТМО (Санкт-Петербург); ООО "Совершенные кристаллы" (Санкт-Петербург); ООО "Совершенные кристаллы" (Санкт-Петербург) |