Моисеев, А. Г. Оценка области применения метода теории возмущений для решения кинетического уравнения Больцмана при расчете времени релаксации носителей заряда в изотропном поликристаллическом кремнии р-типа [Текст] / А. Г. Моисеев // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 10. - С. 19-26. - Библиогр.: c. 26 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): Больцмана уравнение -- время релаксации (физика) -- изотропный поликристаллический кремний р-типа -- кинетическое уравнение Больцмана -- метод теории возмущений -- носители заряда -- поликристаллы Аннотация: Сформулировано условие применения метода теории возмущений для решения кинетического уравнения Больцмана при расчете времени релаксации носителей заряда в изотропном поликристалле кремния, когда рассеяние дырок происходит как на неупорядоченной системе потенциальных барьеров на поверхностях кристаллитов, так и на неупорядоченной сетке атомов кремния, характеризуемой наличием локального порядка. Проведена оценка результирующего удельного сопротивления изотропного поликристаллического кремния р-типа. |
Александров, О. В. Эффект ориентации поверхности кремния в модели объемного термического окисления [Текст] / О. В. Александров, А. И. Дусь // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1413-1418 : ил. - Библиогр.: с. 1418 (38 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кремний -- диоксид кремния -- термическое окисление кремния -- скорость окисления кремния -- ориентация поверхности кремния -- ориентационные зависимости -- температурные зависимости -- диффузия -- коэффициент диффузии -- время релаксации (физика) -- реакционные зоны -- подложки -- монокристаллические подложки Аннотация: На основе объемной модели термического окисления кремния проведен анализ ориентационной зависимости скорости окисления кремния в сухом кислороде. Определены ориентационные и температурные зависимости коэффициента диффузии в напряженном диоксиде кремния и характеристического времени его релаксации. Ориентационная зависимость коэффициента диффузии окислителя в диоксиде кремния на границе реакционной зоны, D1 (110) >D1 (111) >D1 (100), связывается с ориентирующим влиянием монокристаллической подложки кремния на структуру и плотность прилегающего к нему диоксида кремния. Ориентационная зависимость характеристического времени релаксации, tau (100) >tau (110) >tau (111), обратно коррелирует с ориентационной зависимостью D1 для ориентаций (100) и (111) и прямо - с внутренними механическими напряжениями для ориентаций (110) и (111). Доп.точки доступа: Дусь, А. И. |
Электрические свойства слоистых монокристаллов FeGaInS[4] на переменном токе [Текст] / Н. Н. Нифтиев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1447-1449 : ил. - Библиогр.: с. 1449 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- слоистые монокристаллы -- FeGaInS[4] -- температурная зависимость -- частотная зависимость -- проницаемость -- диэлектрическая проницаемость -- проводимость -- энергия активации -- электропроводность -- электрический ток -- переменный электрический ток -- время релаксации (физика) Аннотация: Приводятся результаты исследования частотных и температурных зависимостей диэлектрической проницаемости и проводимости монокристаллов FeGaInS[4] на переменном электрическом токе. Определены диэлектрические проницаемости монокристаллов и энергии активации диэлектрической проницаемости и проводимости. Установлено, что в исследуемой температурной области электропроводность обусловлена активационным механизмом. Наблюдается частотная зависимость энергии активации, которая связана с уменьшением времени релаксации запирающих слоев при увеличении частоты. Доп.точки доступа: Нифтиев, Н. Н.; Тагиев, О. Б.; Мурадов, М. Б.; Мамедов, Ф. М. |
Тензор Нернста-Эттингсгаузена в монокристалле Sb[2]Te[3] [Текст] / С. А. Немов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 12. - С. 1629-1633 : ил. - Библиогр.: с. 1632 (6 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- Sb[2]Te[3] -- температурная зависимость -- тензор Нернста-Эттингсгаузена -- Нернста-Эттингсгаузена тензор -- эффект Нернста-Эттингсгаузена -- Нернста-Эттингсгаузена эффект -- анизотропия -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- R[ikl] -- коэффициент Зеебека -- Зеебека коэффициент -- S[ij] -- коэффициент электропроводности -- sigma[ii] -- рассеяние -- фононы -- акустические фононы -- ионы примесей -- температура -- время релаксации (физика) -- экспериментальные данные -- заряженные ионы -- валентные зоны -- тригональная ось -- заряженные ионы Аннотация: На одном монокристалле Sb[2]Te[3] в диапазоне температур 85-450 K измерены температурные зависимости всех трех независимых компонент тензора Нернста-Эттингсгаузена (Q[ikl]), все три компоненты отрицательны. Наряду с эффектом Нернста-Эттингсгаузена была исследована также анизотропия коэффициентов Холла (R[ikl]), Зеебека (S[ij]) и электропроводности (sigma[ii]). Выполненный анализ экспериментальных данных по эффектам Нернста-Эттингсгаузена и Зеебека свидетельствует о смешанном механизме рассеяния с участием акустических фононов и ионов примеси, причем относительные вклады этих механизмов изменяются с температурой. В приближении тензора времени релаксации определены значения эффективного параметра рассеяния (r). Полученные значения свидетельствуют о доминирующем рассеянии на акустических фононах в плоскости скола и существенном вкладе в рассеяние заряженных ионов вдоль тригональной оси c3. Показано, что основные особенности экспериментальных данных по эффекту Нернста-Эттингсгаузена можно объяснить в рамках двухзонной модели строения валентной зоны с участием в явлениях переноса нескольких групп дырок. Доп.точки доступа: Немов, С. А.; Тарантасов, Г. Л.; Прошин, В. И.; Житинская, М. К.; Иванова, Л. Д.; Гранаткина, Ю. В. |
Мележик, Е. А. Моделирование времен релаксации и энергетического спектра квантовой ямы CdTe/Hg[1-x]CdTe при варьировании разрыва валентных зон, ширины ямы и состава x [Текст] / Е. А. Мележик, Ж. В. Гуменюк-Сычевская, Ф. Ф. Сизов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 10. - С. 1365-1371 : ил. - Библиогр.: с. 1371 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- релаксация (физика) -- время релаксации (физика) -- энергетические спектры -- валентные зоны -- кадмий -- интерфейсные уровни -- волновые функции -- электроны -- локализованные электроны -- CdTe/Hg[1-x]CdTe Аннотация: Смоделированы зависимости времен релаксации и энергетического спектра квантовой ямы CdTe/Hg[1-x]Cd[x]Te/CdTe от параметров такой квантовой ямы в интервале молярных долей кадмия (0 Доп.точки доступа: Гуменюк-Сычевская, Ж. В.; Сизов, Ф. Ф. |
Кинетика терагерцовой фотопроводимости в p-Ge в условиях примесного пробоя [Текст] / С. В. Морозов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1523-1526 : ил. - Библиогр.: с. 1526 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотопроводимость -- кинетика фотопроводимости -- примесный пробой -- время релаксации (физика) -- терагерцовое излучение -- электрические поля -- акцепторы -- гелий -- жидкий гелий -- p-Ge -- экспериментальные исследования Аннотация: Исследованы времена релаксации примесной фотопроводимости в p-Ge при возбуждении наносекундным узкополосным источником терагерцового излучения в зависимости от приложенного к образцу напряжения смещения. Показано, что в допробойных полях время релаксации растет с приложенным электрическим полем, а при превышении поля примесного пробоя уменьшается. В исследованных образцах, различающихся концентрацией акцепторов и степенью компенсации, наблюдалась немонотонная кинетика фотопроводимости при приближении к полю примесного пробоя. Доп.точки доступа: Морозов, С. В.; Маремьянин, К. В.; Ерофеева, И. В.; Яблонский, А. Н.; Антонов, А. В.; Гавриленко, Л. В.; Румянцев, В. В.; Гавриленко, В. И. |
621.315.592 Д 393 Деформация поверхности арсенида галлия в процессе осаждения золота [Текст] / Т. А. Брянцева [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 12. - С. 1585-1590 : ил. - Библиогр.: с. 1590 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): деформация поверхности -- арсенид галлия -- GaAs -- пленки золота -- золото -- поверхностные акустические волны -- ПАВ -- фазовые превращения -- облучение поверхности -- активация энергии -- потеря энергии -- интегральные характеристики -- время релаксации (физика) -- рассеянная энергия Аннотация: Изучены явления деформации приповерхностных слоев арсенида галлия с помощью поверхностных акустических волн в процессе осаждения золота и облучения поверхности полупроводника светом разогретого испарителя. Показано, что в случае осаждения золота в результате фазовых превращений в системе Au-Ga-As происходит пластификация приповерхностных слоев, тогда как при облучении светом поверхности GaAs - формирование крупнозернистого слоя оксида с жидкоподобными прослойками. В результате изменяются вид деформаций поверхности и время их релаксации. Интегральные временные характеристики поверхностной акустической волны, такие как интегралы изменения ее скорости и рассеянной мощности, отражают протекающие на поверхности процессы в режиме реального времени. Суммарно они отображают текущую величину результирующей деформации. Определены параметры протекающих процессов, такие как величина энергии активации и времена релаксации. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/12/p1585-1590.pdf Доп.точки доступа: Брянцева, Т. А.; Любченко, Д. В.; Марков, И. А.; Тен, Ю. А. |
530.1 К 872 Ктиторов, С. А. Электронные состояния в однослойном графене с короткодействующими дефектами. Сепарабельный в импульсном представлении потенциал [Текст] / С. А. Ктиторов, Ю. И. Кузьмин, Н. Е. Фирсова // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 9. - С. 1246-1251 : ил. - Библиогр.: с. 1251 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): электронные состояния -- графен -- однослойный графен -- дефекты -- короткодействующие дефекты -- уравнение Дирака -- Дирака уравнение -- потенциалы -- преобразование Фурье -- Фурье преобразование -- матрица рассеяния -- время релаксации (физика) Аннотация: Изучены электронные состояния в монослойном графене с короткодействующими дефектами. Рассмотрен модельный потенциал, сосредоточенный на окружности и асимметричный по зонному индексу. Исследование выполнено для (2+1) -мерного уравнения Дирака с потенциалом, сепарабельным в представлении углового момента. Полученное в данной работе характеристическое уравнение для связанных и резонансных состояний сравнивается с полученным нами ранее другим методом уравнением для того же случая. Использованное здесь импульсное представление позволило удовлетворительно регуляризовать эту некорректную по Адамару задачу с сингулярным потенциалом. Развитый метод применен к регуляризации полученных ранее формул для данных рассеяния и проводимости графена. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/09/p1246-1251.pdf Доп.точки доступа: Кузьмин, Ю. И.; Фирсова, Н. Е. |