Сейткасимов, Г. (д-р экон. наук; акад. НАН Республики Казахстан). Проблемы банковской системы Казахстана [Текст] / Г. Сейткасимов // Общество и экономика. - 2009. - N 8/9. - С. 138-147 . - ISSN 0207-3676
Рубрики: Экономика Кредитно-денежная система--Казахстан--Республика Казахстан, 21 в. нач. Кл.слова (ненормированные): банковская система -- банковский сектор -- банки -- банковский кризис -- финансовый кризис -- кредитная политика -- финансовый сектор -- государственные органы -- банковский надзор -- кризис ликвидности Аннотация: О современном состоянии, проблемах и перспективах развития банковской системы Республики Казахстан. Доп.точки доступа: СНГ; Содружество Независимых Государств; Нацбанк Республики Казахстан; АФН Республики Казахстан |
Набиев, Г. А. О механизмах эффекта аномально больших фотонапряжений в пленках CdTe [Текст] / Г. А. Набиев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 926-927 : ил. - Библиогр.: с. 927 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): аномально большие напряжения -- АФН -- эффект аномально больших наряжений -- АНФ-эффект -- пленки CdTe -- пленки теллурида кадмия -- n-p переходы -- p-n-p структуры -- p-n переходы -- теллурид кадмия -- CdTe Аннотация: Предлагается метод определения вкладов асимметрии освещения и различия параметров p-n- и n-p-переходов p-n-p-структуры на эффект аномально больших фотонапряжений в пленках теллурида кадмия. |
621.315.592 В 586 Влияние структурных особенностей поликристаллических пленок полупроводников на формирование эффекта аномального фотонапряжения [Текст] / Ш. Б. Атакулов [и др.]. I. Механизм явления // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 6. - С. 728-733 : ил. - Библиогр.: с. 733 (27 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): поликристаллические пленки -- экспериментальные исследования -- аномальное фотонапряжение -- АФН -- границы кристаллитов -- ГК -- поверхностные состояния -- ПС -- пространственное распределение -- кристаллиты -- структурные особенности -- фотовольтаические эффекты -- потенциальные барьеры -- неоднородность -- фотоносители -- носители заряда -- неосновные фотоносители -- анизотропное поглощение света -- поглощение света -- поликристаллы Аннотация: Предложена модель поликристаллического полупроводника, соответствующая его реальной структуре, и на основе этой модели развит механизм аномальных фотовольтаических эффектов (возникновение аномального фотонапряжения, его зависимость от угла освещения, аномальный фотомагнитный эффект). Считается, что потенциальные барьеры, вносящие неоднородность в пространственное распределение фотоносителей, возникают вследствие захвата основных носителей заряда на поверхностные состояния границ кристаллитов. Эффект существенно зависит от амплитуды барьера: если изгиб зон у границ кристаллитов истощающий, эффект определяется пространственным разделением основных фотоносителей барьером, в противном случае (инверсионный изгиб зон) эффект формируется за счет разделения неосновных фотоносителей. В основе механизма лежат анизотропия поглощения света объемом поликристалла (истощающий изгиб зон) или геометрическая неоднородность пленок, вызванная косым напылением при получении (инверсионный изгиб зон). Причиной анизотропного поглощения света является отражение света границами кристаллитов. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/06/p728-733.pdf Доп.точки доступа: Атакулов, Ш. Б.; Зайнолобидинова, С. М.; Набиев, Г. А.; Тухтаматов, О. А. |
621.315.592 В 586 Влияние структурных особенностей поликристаллических пленок полупроводников на формирование эффекта аномального фотонапряжения [Текст] / Ш. Б. Атакулов [и др.]. II. Сравнение с экспериментом // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 6. - С. 734-738 : ил. - Библиогр.: с. 737-738 (26 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): структурные особенности -- поликристаллические пленки -- аномальное фотонапряжение -- АФН -- угловое распределение -- экспериментальные исследования -- подложки -- границы кристаллитов -- ГК -- поликристаллы -- кристаллиты -- поверхностные состояния -- ПС -- токоперенос Аннотация: Для трех групп поликристаллических пленок полупроводников проведено экспериментальное исследование влияния угла падения света относительно плоскости подложки на амплитуду и знак эффекта аномального фотонапряжения. В соответствии с теорией, развитой ранее, исследованы пленки, в которых имелась возможность обеспечения на границах кристаллитов истощающего изгиба зон, инверсионного изгиба зон с сохранением надбарьерного механизма токопереноса и инверсионного изгиба зон с механизмом токопереноса вдоль инверсионных каналов. Все три типа границ кристаллитов обнаруживаются в пленках n-PbTe. Экспериментально установлено, что для первого и третьего типов границ наблюдается инверсия знака аномального фотонапряжения, для второго типа инверсии нет. К первому типу пленок относятся пленки Si, где возможен только истощающий изгиб зон, там наблюдается инверсия знака аномального фотонапряжения. Установлено полное соответствие теории и эксперимента. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/06/p734-738.pdf Доп.точки доступа: Атакулов, Ш. Б.; Зайнолобидинова, С. М.; Набиев, Г. А.; Тухтаматов, О. А. |