Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=уровни Ферми<.>)

Общее количество найденных документов : 29
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-29

539.2
С 600

Солин, Н. И.
Колоссальное магнитосопротивление неоднородного ферромагниного полупроводника HgCr[2]Se[4] [Текст] / Н. И. Солин, В. В. Устинов, С. В. Наумов // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 5. - С. 864-870. - Библиогр.: с. 870 (30 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
магнитосопротивление -- ферромагнитные полупроводники -- магниторезестивные структуры -- контактная разность потенциалов -- уровни Ферми -- Ферми уровни
Аннотация: Исследован новый способ достижения высоких значений магнитосопротивления в неоднородных магнитных материалах, основанный на возникновении обедненного слоя, контактной разности потенциалов на границе раздела двух полупроводников с разными уровнями Ферми, на изменении контактной разности потенциалов и толщины интерфейсного слоя под действием магнитного поля. Предлагаемая модель магниторезестивной структуры реализована на основе магнитного полупроводника HgCr[2]Se[4]. На поверхности объемных монокристаллов p-HgCr[2]Se[4] диффузионным методом созданы n-слои HgCr[2]Se[4] толщиной до нескольких десятков микрон. При наложении магнитного поля в структурах обнаружено сильное (более чем в 200 раз) возрастание тока, протекающего через n-слой.

Доп.точки доступа:
Устинов, В. В.; Наумов, С. В.

Найти похожие

Еремеев, С. В.
Влияние атомного состава поверхности на электронные поверхностные состояния в топологических изоляторах A\{V\}[2] B\{VI\}[3] [Текст] / С. В. Еремеев, Ю. М. Коротеев, Е. В. Чулков // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 8. - С. 419-423

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
электронные поверхностные состояния -- электронная структура -- топологические изоляторы -- изоляторы -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- халькоген -- оборванная связь -- полуметаллы
Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования электронной структуры поверхности соединений A\{V\}[2] B\{VI\}[3], содержащих поверхностные топологически защищенные состояния. Рассмотрены идеальные поверхности Bi[2]Te[3], Bi[2]Se[3] и Sb[2]Te[3] и поверхности с отсутствующим внешним слоем атомов халькогена, наблюдающиеся экспериментально в виде монослойных террас. Показано, что имеющееся расхождение между теоретическим положением уровня Ферми и наблюдаемым в фотоэмиссионных экспериментах может быть объяснено наличием состояний типа "оборванной связи" на поверхности террас, образованных атомами полуметалла. Оценена доля таких террас на поверхности.

Доп.точки доступа:
Коротеев, Ю. М.; Чулков, Е. В.

Найти похожие

Брудный, В. Н.
Электронные свойства и закрепление уровня Ферми в облученных полупроводниках II-IV-V[2] [Текст] / В. Н. Брудный // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1187-1194 : ил. - Библиогр.: с. 1194 (31 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- полупроводники группы II-IV-V[2] -- высокоэнергетические частицы -- электроны -- протоны -- нейтроны -- облучение -- высокоэнергетическое облучение -- тройные полупроводниковые соединения -- электрические свойства -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- экспериментальные данные
Аннотация: Представлены экспериментальные данные по электронным свойствам полупроводников группы II-IV-V[2], облученных высокоэнергетическими частицами - электронами, протонами и нейтронами. Проведена оценка предельных электрических характеристик облученных тройных полупроводников сравнительно с соответствующими данными для их бинарных аналогов III-V. Особое внимание уделено оценке предельного положения уровня Ферми F[lim] в облученных соединениях II-IV-V[2], представлены данные расчетов энергетического положения собственного уровня локальной зарядовой нейтральности.

Найти похожие

Аванесян, В. Т.
Прыжковая проводимость в поликристаллических фотопроводящих слоях Pb[3]O[4] [Текст] / В. Т. Аванесян, С. А. Потачев, Е. П. Баранова // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1538-1540 : ил. - Библиогр.: с. 1540 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
слои -- поликристаллические слои -- фотопроводящие слои -- Pb[3]O[4] -- свинцовый сурик -- проводимость -- прыжковая проводимость -- теория Мотта -- Мотта теория -- электроперенос -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- носители заряда -- НЗ -- температура -- электрический перенос
Аннотация: В поликристаллических слоях Pb[3]O[4] изучена проводимость на переменном токе в интервале частот f=10{2}-10{5} Гц и диапазоне температур 293-370 K в темновом и световом режимах измерения. Обсуждаются особенности процесса переноса заряда. Анализ экспериментальных данных в рамках теории Мотта показывает, что проводимость отвечает прыжковому механизму и имеет место электроперенос в запрещенной зоне вблизи уровня Ферми. Для различных значений температуры определены микропараметры, определяющие процесс проводимости, такие как плотность локальных состояний и средняя длина прыжка носителей заряда.

Доп.точки доступа:
Потачев, С. А.; Баранова, Е. П.

Найти похожие

Особенности проводимости gamma-облученных кристаллов TLGaTe[2] с наноцепочечной структурой [Текст] / Р. М. Сардарлы [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 610-614 : ил. - Библиогр.: с. 614 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
монокристаллы -- кристаллы -- TLGaTe[2] -- gamma-облученные кристаллы -- электропроводность -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- наноцепочечные структуры -- температурная зависимость -- приближение Мотта -- Мотта приближение -- энергия активации -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- эффект Пула - Френкеля -- Пула - Френкеля эффект -- потенциальные ямы -- радиационное воздействие -- наноцепочки
Аннотация: Изучены температурные зависимости электропроводности sigma (T) и вольт-амперные характеристики одномерных монокристаллов TLGaTe[2], подвергнутых различным дозам gamma-облучения, в обеих геометриях эксперимента - по наноцепочкам, параллельным тетрагональной оси кристалла (sigma[II]) и перпендикулярно им (sigma [normal] ). Показано, что зависимость sigma (T), измеренная в омической области вольт-амперной характеристики, имеет прыжковый характер и описывается в приближении Мотта. Рассчитаны значения плотности локализованных состояний N[F], энергии активации E[a], длины прыжков R, разность между энергиями состояний Delta E вблизи уровня Ферми и концентрации глубоких ловушек N[t]. Исследованы также вольт-амперные характеристики области более резкого роста тока. Показано, что эта область вольт-амперных характеристик описывается в рамках термополевого эффекта Пула-Френкеля. Определены значения концентрации ионизованных центров N[f], длина свободного пробега lambda, значения коэффициента Френкеля beta, форма потенциальной ямы в исходных и облученных (250 Мрад) кристаллах TLGaTe[2]. Показано, что анизотропия проводимости изменяется при радиационном воздействии, приводящем к трансляционной упорядоченности наноцепочек.

Доп.точки доступа:
Сардарлы, Р. М.; Самедов, О. А.; Абдуллаев, А. П.; Гусейнов, Э. К.; Салманов, Ф. Т.; Сафарова, Г. Р.

Найти похожие

Механизм падения эффективности GaN-светодиодов с ростом тока [Текст] / Н. И. Бочкарева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 6. - С. 822-828 : ил. - Библиогр.: с. 827-828 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
светодиоды -- GaN-светодиоды -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- квантовые ямы -- туннелирование -- барьерные слои -- туннельно-рекомбинационный ток -- дефекты -- квантовая эффективность
Аннотация: Исследована квантовая эффективность светодиодных структур на основе GaN при различных температурах и смещениях. Обнаружено, что уменьшение эффективности с ростом плотности тока наблюдается одновременно с возрастанием туннельной компоненты тока через светодиод и с достижением квазиуровнями Ферми порога подвижности в активном слое InGaN. Показано, что падение внутренней квантовой эффективности с ростом плотности тока обусловлено утечкой носителей из квантовой ямы. Причиной утечки являются туннельные переходы из хвостов плотности состояний квантовой ямы на локальные энергетические уровни дефектов внутри запрещенных зон барьерных слоев.

Доп.точки доступа:
Бочкарева, Н. И.; Вороненков, В. В.; Горбунов, Р. И.; Зубрилов, А. С.; Леликов, Ю. С.; Латышев, Ф. Е.; Ребане, Ю. Т.; Цюк, А. И.; Шретер, Ю. Г.

Найти похожие

Шишлов, Н. М.
Природа высокопроводящего состояния в полидифениленфталиде [Текст] / Н. М. Шишлов // Химическая физика. - 2010. - Т. 29, N 4. - С. 75-83 : ил. - Библиогр.: с. 82-83 (43 назв. ) . - ISSN 0207-401X

УДК

^a539.19

ББК 22.36
Рубрики: Физика
Молекулярная физика в целом
Кл.слова (ненормированные):
высокопроводящие состояния -- полидифениленфталид -- тонкие пленки -- несопряженные полимеры -- ПДФ -- ВПС -- широкозонные полимеры -- электронные структуры -- макромолекулы -- электрические поля -- инжектированные электроны -- электроноакцепторные свойства -- молекулярная электроника -- транспортные узлы -- резонансное туннелирование электронов -- когерентное туннелирование электронов -- туннелирование электронов -- инжекция электронов -- резонансная инжекция -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- химическое подключение -- интерфейсные диполя -- гидроксильные группы -- каброксильные группы -- каброксилат-ионы -- диссоциативные захваты -- фталидные циклы -- молекулы ДНК -- полевая эмиссия -- проводимость электронов
Аннотация: Для тонких пленок ряда несопряженных полимеров, в том числе и полидифениленфталида (ПДФ), наблюдается во многом загадочный переход в металлоподобное высокопроводящее состояние (ВПС). Проанализированы существующие модели ВПС в широкозонных полимерах. Главной особенностью этих моделей является существенное преобразование (часто маловероятное) электронной структуры части макромолекул под действием внешних факторов (электрическое поле, свет, инжектированные электроны и др. ). Предлагается концепция ВПС в ПДФ, основанная на результатах изучения электроноакцепторных свойств фрагментов макромолекул ПДФ и представлениях молекулярной электроники. В качестве транспортных узлов для резонансного когерентного туннелирования электронов рассматриваются электроноакцепторные вакантные орбитали фрагментов макромолекул и соответствующие им уровни энергии. В отсутствие собственных носителей заряда в ПДФ решающую роль в образовании ВПС играют эффективная инжекция электронов из электродов и, соответственно, процессы в интерфейсе. Резонансная инжекция электронов с уровня Ферми электродов непосредственно на транспортные уровни полимера достигается за счет приложенного электрического поля, "химического подключения" макромолекул к электродам и соответствующей модификации интерфейсного диполя. Присоединение макромолекул ПДФ к электродам может происходить по дефектным гидроксильным и карбоксильным группам. Карбоксилат-ион, вступающий во взаимодействие с металлом, может также образоваться при диссоциативном захвате инжектированного электрона фталидным циклом, примыкающим к электроду. В проводящем канале при толщине пленки в 1 мкм должно быть больше десяти макромолекул ПДФ, поэтому необходимо предположить наличие эффективного переноса электрона между макромолекулами. Для обоснования концепции привлекаются также литературные данные по изучению проводимости молекул ДНК и полевой эмиссии электронов из металлов, покрытых пленкой ПДФ.

Найти похожие

Микушкин, В. М.
Химическое действие пучка инертного аргона на нитридный нанослой, сформированный ионной имплантацией поверхности GaAs [Текст] / В. М. Микушкин // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 24. - С. 40-47 : ил. - Библиогр.: с. 47 (14 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a536.22/.23

^a539.2

ББК 22.365 + 22.37
Рубрики: Физика
Газы и жидкости
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
аргон -- инертный аргон -- пучки аргона -- химические действия -- нанослои -- нитридные нанослои -- ионы -- имплантация ионов -- спектроскопия -- оже-спектроскопия -- электронная спектроскопия -- электронная оже-спектроскопия -- метод электронной оже-спектроскопии -- азот -- химические состояния -- энергии -- химические фазы -- твердые растворы -- оже-переходы -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- нитридные слои -- каскадное перемешивание -- полупроводники -- широкозонные полупроводники -- узкозонные полупроводники
Аннотация: Методом электронной оже-спектроскопии исследованы состав и химическое состояние азота нитридного нанослоя, полученного на поверхности GaAs (100) имплантацией ионов N{+}[2] с энергией E[i]=2. 5 keV. Установлено, что помимо GaN в нитридном слое формируется химическая фаза твердого раствора GaAsN. Определены энергии оже-переходов NKVV в этих фазах, равные E[A] (GaN) =379. 8± 0. 2 eV и E[A] (GaAsN) =382. 8± 0. 2 eV относительно уровня Ферми, что позволило установить распределение азота в фазах: [N (GaN) ]=70% и [N (GaAsN) ]=30%. Обнаружено химическое действие пучка ионов аргона на нитридный слой, связанное с каскадным перемешиванием материала. Пучок аргона изменяет распределение азота в указанных фазах на противоположное. В результате формируется нанослой с доминированием фазы не широкозонного GaN, а узкозонного GaAsN полупроводника.

Найти похожие

Циклотронный резонанс в гетероструктурах с квантовыми ямами InSb/AlInSb [Текст] / Ю. Б. Васильев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1559-1562 : ил. - Библиогр.: с. 1562 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
циклотронный резонанс -- ЦР -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- InSb/AlInSb -- двумерные электроны -- электроны -- магнитные поля -- поглощение электронов -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- модель Кейна -- Кейна модель -- спин-орбитальное взаимодействие
Аннотация: Проведены исследования поглощения двумерных электронов в квантовых ямах на основе InSb в квантующих магнитных полях в терагерцовой области спектра. В качестве источника излучения использовался циклотронный лазер на p-Ge. Из спектров циклотронного резонанса определена эффективная масса носителей на уровне Ферми, равная 0. 0219[m0] (m0 масса свободного электрона). Показано, что спектр электронов описывается моделью Кейна в широком диапазоне магнитных полей. В слабых магнитных полях наблюдается аномально сильное расщепление линии циклотронного резонанса, не связанное с непараболичностью зоны проводимости InSb, которое может быть объяснено эффектом спин-орбитального взаимодействия.

Доп.точки доступа:
Васильев, Ю. Б.; Gouider, F.; Nachtwei, G.; Buckle, P. D.

Найти похожие

10.

Особенности примесных состояний ванадия в теллуриде свинца [Текст] / А. Б. Артамкин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 12. - С. 1591-1595 : ил. - Библиогр.: с. 1594-1595 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a537.533/.534

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
примесные состояния -- ванадий -- теллурид свинца -- PbTe -- температурные зависимости -- носители заряда -- магнитная восприимчивость -- зависимость сопротивления -- магнитные измерения -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- электронный транспорт -- частотные зависимости -- межпримесные корреляции
Аннотация: Исследованы температурные зависимости сопротивления, магнитной восприимчивости, концентрации носителей заряда и подвижности в монокристаллических образцах PbTe (V) с варьируемым содержанием примеси. Показано, что ванадий формирует донорный уровень, расположенный на ~20 мэВ ниже дна зоны проводимости. Подвижность электронов достигает 10{5} см2В{-1}с{-1} в образцах с N[V] <= 0. 21 ат% и оказывается более чем на порядок выше в образцах с максимальным содержанием ванадия N[V]=0. 26 ат%. В этих же образцах реальная часть проводимости характеризуется выраженной частотной зависимостью. Увеличение концентрации ванадия сопровождается уменьшением эффективного магнитного момента атомов примеси. Особенности электронного транспорта в PbTe (V) могут быть обусловлены переменной валентностью ванадия и эффектами межпримесной корреляции.

Доп.точки доступа:
Артамкин, А. Б.; Добровольский, А. А.; Винокуров, А. А.; Зломанов, В. П.; Гаврилкин, С. Ю.; Иваненко, О. М.; Мицен, К. В.; Рябова, Л. И.; Хохлов, Д. Р.

Найти похожие

11.

621.315.592
В 586

Влияние облучения электронами на электрофизические параметры Hg[3]In[2]Te[6] [Текст] / О. Г. Грушка [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 3. - С. 327-329 : ил. - Библиогр.: с. 328-329 (13 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

539.2^V3

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
облучение электронами -- электронное облучение -- электрофизические свойства -- кристаллы -- носители заряда -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- радиационная стойкость
Аннотация: Представлены результаты исследования электрофизических свойств кристаллов Hg[3]In[2]Te[6], облученных электронами с энергией Ee=18 МэВ и дозой D=4 x 10{16} см{-2}. Показано, что независимо от концентрации носителей заряда исходного материала образцы Hg[3]In[2]Te[6] после облучения приобретают концентрацию носителей (1. 6-1. 8) x 10{13} см{-3}. Обсуждается явление стабилизации уровня Ферми в облученном материале. Исходная концентрация носителей заряда, которая практически остается неизменной после облучения и обеспечивает высокую радиационную стойкость кристаллов Hg[3]In[2]Te[6], соответствует компенсированному материалу, подобному собственному полупроводнику при T больше 260 K.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/03/p327-329.pdf

Доп.точки доступа:
Грушка, О. Г.; Маслюк, В. Т.; Чупыра, С. М.; Маслюк, О. М.; Биличук, С. В.; Заболоцкий, И. И.

Найти похожие

12.

621.315.592
Э 455

Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN [Текст] / В. Н. Брудный [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 4. - С. 450-456 : ил. - Библиогр.: с. 455 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

539.2^V3

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
облучение электронами -- электронное облучение -- термообработка -- термическая обработка -- электронные свойства -- нитрид галлия -- GaN -- электрофизические свойства -- глубокие ловушки (физика) -- эпитаксиальные слои -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- спектры ловушек -- электроны -- отжиг -- радиационные дефекты
Аннотация: Рассмотрено влияние облучения электронами (энергии E=7 и 10 МэВ, дозы D=10{16}-10{18} см{-2}) и последующих термообработок в интервале температур 100-1000 °C на электрофизические свойства и спектр глубоких ловушек нелегированных (концентрации электронов n=1 x 10{14}-1 x 10{16} см{-3}), промежуточно легированных (n= (1. 2-2) x 10{17} см{-3}) и сильно легированных кремнием (n= (2-3. 5) x 10{18} см{-3}) эпитаксиальных слоев n-GaN, выращенных на подложке Al[2]O[3] с использованием технологии MOCVD. Обнаружено увеличение удельного сопротивления n-GaN при электронном облучении, обусловленное смещением уровня Ферми в предельное положение вблизи E[c]-0. 91 эВ. Исследован спектр глубоких ловушек в исходном и облученном электронами n-GaN. Показано, что восстановление исходных свойств облученного материала имеет место в интервале температур 100-1000 °C с основной стадией отжига радиационных дефектов вблизи 400 °C.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/04/p450-456.pdf

Доп.точки доступа:
Брудный, В. Н.; Веревкин, С. С.; Говорков, А. В.; Ермаков, В. С.; Колин, Н. Г.; Корулин, А. В.; Поляков, А. Я.; Смирнов, Н. Б.

Найти похожие

13.

621.315.592
Д 138

Давыдов, С. Ю.
О влиянии спонтанной поляризации SiC-подложки на буферный слой и квазисвободный однолистный графен [Текст] / С. Ю. Давыдов // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 9. - С. 1209-1212 : ил. - Библиогр.: с. 1212 (23 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

537.311.33

ББК 31.233 + 22.379
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
спонтанная поляризация -- буферные слои -- атомы кремния -- атомы углерода -- Sic-подложки -- квазисвободный однолистный графен -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- уравнение Дирака -- Дирака уравнение -- графен
Аннотация: Рассмотрены две задачи: о влиянии спонтанной поляризации SiC-подложки на энергию связи атомов кремния и углерода подложки с атомами углерода буферного слоя; о роли спонтанной поляризации SiC-подложки в допировании квазисвободного однолистного графена. Показано, что в первом случае спонтанная поляризация практически не влияет на энергию связи подложка-буферный слой. Во втором случае сильное качественное влияние спонтанной поляризации имеет место только тогда, когда уровень Ферми системы почти совпадает с точкой Дирака графена. Все оценки получены в рамках простых моделей. В качестве подложек рассматривались 6H-SiC{0001} и 4H-SiC{0001}.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/09/p1209-1212.pdf

Найти похожие

14.

621.315.592
Т 327

Температурная зависимость пороговой плотности тока в полупроводниковых лазерах (lambda=1050-1070 нм) [Текст] / И. С. Шашкин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 9. - С. 1234-1238 : ил. - Библиогр.: с. 1238 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

621.371.8

ББК 31.233 + 32.86-5
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Радиоэлектроника
   Квантовые приборы
Кл.слова (ненормированные):
температурные зависимости -- плотность тока -- полупроводниковые лазеры -- асимметричные гетероструктуры -- гетероструктуры -- волноводы -- МОС-гидридная эпитаксия -- длина волны -- комнатная температура -- температурная делокализация -- носители заряда -- волноводные слои -- лазерные гетероструктуры -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- квантовые ямы -- активная область -- температурная стабильность -- гетероструктуры раздельного ограничения
Аннотация: Исследованы температурные зависимости пороговой плотности тока и пороговой концентрации в полупроводниковых лазерах на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения с расширенным волноводом, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии (длины волн lambda=1050-1070 нм). Показано, что в полупроводниковых лазерах при температурах выше комнатной температурная зависимость пороговой плотности тока резко усиливается, что обусловлено температурной делокализацией носителей заряда в волноводные слои лазерной гетероструктуры. Установлено, что резкое снижение температурной стабильности пороговой плотности тока с увеличением температуры коррелирует с совмещением положения уровня Ферми с дном зоны проводимости волноводного слоя лазерной гетероструктуры. Экспериментально показано, что увеличение энергетической глубины и числа квантовых ям в активной области полупроводникового лазера повышает температурную стабильность пороговой плотности тока. Показано, что характеристический параметр T0 в диапазоне температур (-20) - (+70°) C достигает величины 220 K.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/09/p1234-1238.pdf

Доп.точки доступа:
Шашкин, И. С.; Винокуров, Д. А.; Лютецкий, А. В.; Николаев, Д. Н.; Пихтин, Н. А.; Рудова, Н. А.; Соколова, З. Н.; Слипченко, С. О.; Станкевич, А. Л.; Шамахов, В. В.; Веселов, Д. А.; Бахвалов, К. В.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

15.

621.315.592
Г 550

Глубокий уровень ванадия в разбавленных магнитных полупроводниках Pb[1-x-y]Sn[x]V[y]Te [Текст] / Е. П. Скипетров [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 6. - С. 761-768 : ил. - Библиогр.: с. 767-768 (27 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

537

ББК 31.233 + 22.33
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Электричество и магнетизм в целом
Кл.слова (ненормированные):
кристаллические структуры -- разбавленные магнитные полупроводники -- РМП -- олово -- ванадий -- монокристаллические слитки -- гальваномагнитные эффекты -- магнитные поля -- твердые растворы -- глубокие уровни -- свободные дырки (физика) -- запрещенные зоны -- легирование ванадием -- уровни Ферми -- Ферми уровни
Аннотация: Исследованы кристаллическая структура, распределение олова и ванадия по длине монокристаллических слитков и гальваномагнитные эффекты в слабых магнитных полях (4. 2 меньше или равно T меньше или равно 300 K, B меньше или равно 0. 07 Тл) в твердых растворах Pb[1-x-y]Sn[x]V[y]Te (x = 0. 05-0. 21, y меньше или равно 0. 015). Показано, что все образцы однофазны, а концентрации олова и ванадия экспоненциально увеличиваются от начала к концу слитков. При легировании ванадием обнаружены уменьшение концентрации свободных дырок и переход металл-диэлектрик, связанные с возникновением глубокого примесного уровня ванадия в запрещенной зоне, перераспределением электронов между уровнем и валентной зоной и стабилизацией уровня Ферми примесным уровнем. Определена скорость движения уровня ванадия относительно дна зоны проводимости и предложена диаграмма перестройки электронной структуры Pb[1-x-y]Sn[x]V[y]Te при изменении состава матрицы.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/06/p761-768.pdf

Доп.точки доступа:
Скипетров, Е. П.; Голованов, А. Н.; Кнотько, А. В.; Слынько, Е. И.; Слынько, В. Е.

Найти похожие

16.

536.22/.23
J 48

Jinrong pu
An accurate polynomial-based analytical charge control model for AlGaN/GaN HEMT [Текст] / Jinrong pu, Jiuxun Sun, Da Zhang // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 9. - С. 1252-1257 : ил. - Библиогр.: с. 1257 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

536.22/.23^V3

ББК 22.365
Рубрики: Физика
Газы и жидкости
Кл.слова (ненормированные):
уровни Ферми -- Ферми уровни -- электронная газовая плотность -- числовые результаты -- экспериментальные данные
Аннотация: A new nonlinear expression of Fermi-level variation with two-dimensional electron gas density in a high electron mobility has been proposed. It was found that our expression has a better fit with the numerical results. And, an analytical expression for n[s] in terms of the applied gate voltage is developed. Comparing with other previous approximations, the solutions of our expression has a better agreement with the exact numerical results over the entire range of interest. Besides, the solutions of our expression of n[s] versus V[G] are compared with the experimental data and shown to be in good agreement over a wide range of bias conditions.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/09/p1252-1257.pdf

Доп.точки доступа:
Jiuxun Sun; Da Zhang

Найти похожие

17.

621.315.592
С 389

Синявский, Э. П.
Исследования подвижности в низкоразмерных системах в постоянном поперечном электрическом поле [Текст] / Э. П. Синявский, авт. С. А. Карапетян // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 8. - С. 1062-1064 : ил. - Библиогр.: с. 1064 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
поперечное электрическое поле -- низкоразмерные системы -- параболические квантовые ямы -- ПКЯ -- пространственное квантование -- шероховатая поверхность -- размерное квантование -- электропроводность -- уровни Ферми -- Ферми уровни
Аннотация: Вычислена подвижность mu в параболической квантовой яме в электрическом поле E, направленном вдоль оси пространственного квантования. Показано, что при учете рассеяния носителей на шероховатой поверхности mu уменьшается с ростом E. Предлагается физическая интерпретация рассмотренного эффекта.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/08/p1062-1064.pdf

Доп.точки доступа:
Карапетян, С. А.

Найти похожие

18.

535
Ф 815

Фотопроводимость теллурида свинца, легированного ванадием, в терагерцовом спектральном диапазоне / А. И. Артамкин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 3. - С. 293-297 : ил. - Библиогр.: с. 296-297 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

535

ББК 22.34
Рубрики: Физика
Оптика в целом
Кл.слова (ненормированные):
монокристаллы -- теллурид свинца -- PbTe -- фоточувствительность -- длина волны -- диапазоны -- терагерцовые спектральные диапазоны -- спектральные диапазоны -- фотопроводимость -- легирование ванадием -- ванадий -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- кристаллы -- фотоотклик -- лазерные импульсы
Аннотация: Показано, что монокристаллы PbTe (V) обладают фоточувствительностью в терагерцовом спектральном диапазоне вплоть до длины волны 280 мкм. Измерения проводились в области температур 8-300 K. В указанном температурном интервале проводимость кристаллов в темновом состоянии активационным образом зависит от температуры и изменяется на 4 порядка величины, что обусловлено эффектом стабилизации уровня Ферми на 20 мэВ ниже дна зоны проводимости. С повышением температуры и соответственно с ростом проводимости образцов амплитуда фотоотклика существенно возрастает. Полученный результат интерпретируется в рамках модели, учитывающей значительное уширение примесного уровня ванадия и его смещение к дну зоны проводимости с ростом температуры.
PbTe (V) single crystals are found to be photosensitive in terahertz spectral range up to the wavelength of 280 Mum. The measurements were performed at temperatures 8-300K. Due to the Fermi level pinning at 20meV below the conduction band edge, the "dark" conductivity of PbTe (V) samples changes by4 orders of magnitude in the indicated temperature range. The photoresponse is enhanced significantly as the temperature rises and, consequently, the conductivity increases. The impurity level broadening and its shift towards the conduction band edge with increasing temperature are taken into account to interpret the experimental data.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/03/p293-297.pdf

Доп.точки доступа:
Артамкин, А. И.; Добровольский, А. А.; Винокуров, А. А.; Зломанов, В. П.; Данилов, С. Н.; Бельков, В. В.; Рябова, Л. И.; Хохлов, Д. Р.

Найти похожие

19.

539.21:537
М 550

Механизм переноса заряда в тонких пленках твердых растворов Bi[2](Te[0.9]Se[0.1])[3] / Н. А. Абдуллаев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 5. - С. 586-590 : ил. - Библиогр.: с. 589-590 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
твердые растворы -- тонкие пленки -- перенос заряда -- электропроводность -- эффект Холла -- Холла эффект -- температурные интервалы -- магнитные поля -- высокие температуры -- термоактивация -- низкие температуры -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- магнитосопротивление -- радиусы локализации
Аннотация: Исследованы электропроводность, эффект Холла и магнитосопротивление в тонких пленках Bi[2] (Te[0. 9]Se[0. 1]) [3] в широком интервале температур 2. 5-300 K и в сильных магнитных полях вплоть до 8 Тл. Обнаружено, что, в то время как в объемных монокристаллах проводимость имеет "металлический" характер, в тонких пленках Bi[2] (Te[0. 9]Se[0. 1]) [3] проводимость "диэлектрического" типа. Предложено, что при высоких температурах 100-300 K проводимость определяется в основном термоактивированными носителями заряда по протяженным состояниям зоны проводимости с энергией активации примерно равной 15 мэВ. При более низких температурах 2. 5-70 K доминирует проводимость, обусловленная прыжками носителей заряда по локализованным состояниям, лежащим в узкой полоске энергий вблизи уровня Ферми. Из данных магнитосопротивления и электропроводности оценены радиус локализации, а также плотность локализованных состояний и средняя длина прыжка носителей заряда.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/05/p586-590.pdf

Доп.точки доступа:
Абдуллаев, Н. А.; Абдуллаев, Н. М.; Алигулиева, Х. В.; Керимова, А. М.; Мустафаева, К. М.; Мамедова, И. Т.; Мамедов, Н. Т.; Немов, С. А.; Буланчук, П. О.

Найти похожие

20.

539.2
П 381

Пленки оксида галлия, полученные методом термического напыления / В. М. Калыгина [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 5. - С. 598-603 : ил. - Библиогр.: с. 603 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
оксид галлия -- пленки -- термическое напыление -- вольт-амперные характеристики -- вольт-сименсные характеристики -- порошки -- подложки -- кислородная плазма -- положительные потенциалы -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- границы раздела
Аннотация: Изучены вольт-амперные, вольт-фарадные и вольт-сименсные характеристики структур металл-Ga[x]O[y]-GaAs-металл. Пленки оксида галлия толщиной 150-170 нм получали термическим напылением порошка Ga[2]O[3] на подложки электронного GaAs с концентрацией доноров N[d]=2·10{16} см{-3}. После обработки пленок Ga[x]O[y] в кислородной плазме снижаются прямые и обратные токи; C-U и G-U зависимости сдвигаются в область более высоких положительных напряжений. Уровень Ферми на границе раздела диэлектрик-полупроводник исследованных структур откреплен. Показано, что на границе Ga[x]O[y]-GaAs плотность состояний N[t]= (2-6) ·10{12} эВ{-1}см{-2}.
It was studied the current-voltage, capacitance-voltage and conductance-voltage characteristics of metal-Ga[x]O[y]-GaAsstructures. The gallium oxide films have a thickness of 150-170 nm were deposited from Ga[2]O[3] powder by the thermal evaporation on electron GaAs substrates with donor concentration Nd=2·10{16} cm{-3}. After treatment of Ga[x]O[y] films in oxygen plasma the direct and reverse currents decreased; C-U and G-U dependences shift to lager positive voltages.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/05/p598-603.pdf

Доп.точки доступа:
Калыгина, В. М.; Зарубин, А. Н.; Новиков, В. А.; Петрова, Ю. С.; Толбанов, О. П.; Тяжев, А. В.; Цупий, С. Ю.; Яскевич, Т. М.

Найти похожие

1-20 21-29

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)