Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Электронный каталог (14)

Труды ОмГУ (4)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=травление<.>)

Общее количество найденных документов : 171
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

22.33
Т 462

Тихов, С. В.
Влияние модификации поверхности полупроводника на свойства водородочувствительных диодов Шоттки на арсениде галлия [Текст] / С. В. Тихов, Е. Л. Шоболов, С. Б. Левичев, Н. В. Байдусь // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N5. - Библиогр.: 16 назв. . - ISSN 0044-4642

ББК 22.33 + 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Физика твердого тела--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- водородочувствительность -- диоды Шоттки -- квантовые точки -- квантовые ямы -- модификация поверхности -- травление
Аннотация: Установлено, что модификация поверхности полупроводника в водородочувствительных диодах Шоттки на GaAs путем неполирующего травления или введения в область пространственного заряда полупроводника квантовых ям и квантовых точек может увеличивать чувствительность к водороду в 8-37 раз после травления и на два--три порядка после введения квантовых ям и квантовых точек. Показано, что это увеличение связано с уменьшением высоты барьера Pd / GaAs, с задерживанием диффузии водорода в объем GaAs напряженными квантованными слоями и с ростом рекомбинационной составляющей тока. Наличие рекомбинационной составляющей подтверждается электролюминесценцией от квантовых ям и квантовых точек и от GaAs. Для эффекта очувствления после травления определяющим является химический состав травителя

Доп.точки доступа:
Шоболов, Е.Л.; Левичев, С.Б.; Байдусь, Н.В.

Найти похожие

621.375
М 712

Мишкин, В. П.
Влияние селективного химического травления на диаграмму направленности излучения полупроводникового лазера [Текст] / В. П. Мишкин, Д. О. Филатов, С. М. Некоркин, Ю. В. Кутергина // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 7. - Библиогр.: c. 80 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

621.375

539.2

ББК 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
диаграмма направленности излучения -- квантовые ямы -- полупроводниковые лазеры -- самоформирование -- селективное травление -- химическое травление
Аннотация: Исследовано влияние селективного жидкостного химического травления излучающей поверхности полупроводниковых лазеров на основе InGaP/GaAs с квантовыми ямами InGaAs на диаграмму направленности их излучения в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу. Методом атомно-силовой микроскопии установлено, что за счет разной скорости травления материалов широкозонных слоев (InGaP) и активной области лазеров (GaAs, InGaAs) на излучающей поверхности происходит самоформирование цилиндрической линзы (собирающей или рассеивающей в зависимости от вида травителя) . Показано, что, подбирая соответствующее время травления, возможно изменять ширину диаграммы направленности лазера в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу, в пределах 57-82` при исходной ширине диаграммы направленности на уровне 1/2 максимума, равной 66`.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/07/page-78.html.ru

Доп.точки доступа:
Филатов, Д. О.; Некоркин, С. М.; Кутергина, Ю. В.

Найти похожие

539.2
К 216

Карачинов, В. А.
Эффект самосопряженной перфорации аморфных слоев карбида кремния [Текст] / В. А. Карачинов, С. Б. Торицин, Д. В. Карачинов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 12. - Библиогр.: c. 97 (14 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
аморфные пленки -- карбид кремния -- самосопряженная перфорация -- травление пленок
Аннотация: Установлено, что пленки SiC на стеклянных подложках имеют аморфную структуру, обладают высокими изоляционными свойствами и хорошей механической прочностью. Интегральный коэффициент светопропускания пленок SiC в спектральном диапазоне lambda=0. 4-0. 7 mum зависит от их толщины. Обнаружен эффект самосопряженной перфорации пленок SiC при травлении их в плавиковой кислоте.

Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2004/12/page-96.html.ru

Доп.точки доступа:
Торицин, С. Б.; Карачинов, Д. В.

Найти похожие

Павлов, С. Н.
Влияние знака заряда иона на стимуляцию плазмохимического травления кремния [Текст] / С. Н. Павлов // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N2. - Библиогр.: с. 42 (25 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
плазмохимическое травление -- ион -- кремний -- травление кремния -- ионная бомбардировка
Аннотация: Исследуется относительное влияние ионов разных знаков заряда на стимуляцию травления кремния в плазменных условиях. Радикалы фтора производятся тлеющим разрядом с градиентом давления. Пучок положительных или отрицательных ионов создается с помощью источника ионов пеннинговского типа. Поток радикалов фтора и пучок ионов совмещаются на поверхности кремния, расположенного в высоковакуумном объеме. Положительные ионы могут быть конвертированы в быстрые нейтральные атомы методом резонансной перезарядки и собственном газе. Показано, что наибольшей каталитической способностью обладают быстрые нейтральные атомы. Каталитическое влияние положительных ионов примерно в два раза ниже. Отрицательные ионы занимают промежуточное положение. Впервые обнаружено, что некоторые виды ионов (например, молекулярный кислород) не ускоряют, а замедляют процесс травления, т.е. ведут себя как ингибиторы

Найти похожие

Галиев, Г. Б.
Исследование структурного совершенства, распределения и перерапределения кремния в эпитаксиальных пленках GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)А, (111)В [Текст] / Г. Б. Галиев, В. Г. Мокеров [и др.] // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N4. - Библиогр.: с. 52 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксиальные пленки -- арсенид галлия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- рентгеновская дифрактометрия -- атомно-силовая микроскопия -- ВИМС -- термический отжиг -- легирование -- рельеф поверхности -- ионное травление
Аннотация: Методами рентгеновской дифрактометрии и ВИМС исследованы распределение кремния до и после термического отжига в тонких легированных слоях GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)А, (111)В. С помощью атомно-силового микроскопа исследованы рельефы поверхности выращенных эпитаксиальных пленок вне и внутри кратера ионного травления, возникающего во время измерения методом ВИМС. Выявлены особенности рельефа поверхности внутри кратера для разных ориентаций. Обнаруженные изменения формы профилей легирования объяснены как особенностями развития рельефа поверхности во время ионного травления при измерении методом ВИМС, так и ускоренной диффузией Si по дефектам роста

Доп.точки доступа:
Мокеров, В.Г.; Сарайкин, В.В.; Слепнев, Ю.В; Шагимуратов, Г.И.; Имамов, Р.М.; Пашаев, Э.М.

Найти похожие

621.315.592
Б 740

Богобоящий, В. В.
Механизм конверсии типа проводимости в легированном мышьяком p-Cd(x)Hg(1-x)Te при ионно-лучевом травлении [Текст] / В. В. Богобоящий, А. П. Власов, И. И. Ижнин // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N1. - Библиогр.: с.58 (19 назв.) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
твердые растворы -- конверсия типа проводимости -- ионно-лучевое травление -- донорный комплекс -- проводимость
Аннотация: На основе анализа процессов химической диффузии ртути в узкощелевых твердых растворах p-Cd(x)Hg(1-x)te:As предложен механизм конверсии типа проводимости при ионно-лучевом травлении. Показано, что n-p-конверсия типа проводимости в этом случае обусловлена образованием донорного комплекса мышьяк в подрешетке Te-межузельный атом Hg, а концентрация электронов в конвертируемом слое соответствует концентрации введенной примеси мышьяка. Результаты теоретического анализа подтвержены даннымии экспериментального исследования профиля распределения концентрации электронов в конвертированном в процессе ионно-лучевого травления n-слое эпитаксиальной структуры p-Cd(x)Hg(1-x)Te:As

Доп.точки доступа:
Власов, А.П.; Ижнин, И.И.

Найти похожие

621.794.42: 546.56
Л 251

Ларин, В. И.
Влияние некоторых органических аминов на травление меди [Текст] / В. И. Ларин, Э. Б. Хоботова, В. В. Даценко // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2003. - Т.46,N4. - Библиогр.: 11 назв. . - ISSN 0579-2991

УДК

621.794.42: 546.56

ББК 30.68; 24.1
Рубрики: Техника--Неорганическая химия--Обработка материалов
Кл.слова (ненормированные):
автокаталитические реакции -- амины -- аммиачные растворы -- бром -- иод -- ионизация меди -- ионы брома -- ионы иода -- катализ -- катализаторы -- кислые растворы -- медь -- органические амины -- реакции -- травильные растворы -- травление -- травление меди -- химические реакции
Аннотация: Изучено влияние добавок некоторых органических аминов на процесс травления меди в кислых и аммиачных растворах CuCl[2] на фоне ионов брома и иода. Показано, что существует определенный синергизм действия аминов и ионов брома (иода), выражающийся в увеличении емкости растворов по стравленной меди и обеспечении достаточно высокого значения скорости травления в течение всего процесса.

Доп.точки доступа:
Хоботова, Э.Б.; Даценко, В.В.

Найти похожие

621.3
С 810

Стогний, А. И.
Лабораторный генератор с. в. ч.-плазмы для обработки поверхностей [Текст] / А. И. Стогний, С. В. Корякин [и др.] // Приборы и техника эксперимента. - 2004. - N 4. - Библиогр.: с. 165 (1 назв. ) . - ISSN 0032-8162

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
полимеры -- лабораторные исследования -- генераторы -- СВЧ плазма -- СВЧ печи -- обработка поверхностей -- диэлектрики -- очистка -- полупроводники -- органические примеси -- травление
Аннотация: Описан усовершенствованный генератор с. в. ч.-плазмы на основе бытовой с. в. ч.-печи, предназначенный для очистки поверхностей изделий, в том числе полупроводниковых и диэлектрических, от органических примесей, а также для для травления полимеров.

Доп.точки доступа:
Корякин, С. В.; Марченко, А. В.; Демченко, А. И.; Хитько, В. И.

Найти похожие

УДК

621.3

10.

621.37/39
В 676

Волков, И. А.
Углеродные маски для получения YBa2Cu3Oх субмикронных мостиков и джозефсоновских переходов [Текст] / И. А. Волков, А. С. Калабухов [и др.] // Радиотехника и электроника. - 2001. - Т.46,N7. - Библиогр.:с.896 (7 назв.) . - ISSN 0033-8494

УДК

621.37/39

Рубрики: Радиоэлектроника--Другие отрасли радиоэлектроники
Кл.слова (ненормированные):
YBaCO-пленки -- СКВИДы -- бикристаллические подложки -- ионное травление -- сверхпроводящие квантовые интерференционные устройства -- субмикронные джозефсоновские переходы
Аннотация: Разработана технология изготовления тонкопленочных YBa2Cu3Oх сублимированных джозефсоновских переходов на бикристаллических подложках. Для ионного травления тонких пленок YBa Cu O использовали маски, сформированные в углеродных пленках, полученных методом лазерной абляции. Найдены режимы осаждения углерода, позволяющие сохранить сверхпроводящие свойства тонких пленок YBa Cu O .

Перейти: http://www.maik.ru

Доп.точки доступа:
Калабухов, А.С.; Снигирев, О.В.; Жерихин, А.Н.; Маврин, Б.Н.

Найти похожие

11.

3
Т 382

Технические моющие и чистящие средства нового поколения [Текст] // ЭКиП: Экология и промышленность России. - 2001. - N12

ББК 3
Рубрики: Техника--Технологические процессы
Кл.слова (ненормированные):
моющие средства -- обезжиривание -- отмывка -- очистка -- средства моющие -- травление
Аннотация: Процессы травления, преобразования поверхности, обезжиривания, очистки и отмывки щироко распространены в производстве радиоэлектронной аппаратуры и других отраслях. Статья о новых средствах очистки

Перейти: http://www.rusmet.ru/ecology/

Найти похожие

12.

3
Ф 333

Федорова, Е. А.
Регенерация электролитов полирования и травления [Текст] / Е. А. Федорова // ЭКиП: Экология и промышленность России. - 2002. - N2. - Библиогр.:с.16(3 назв.)

ББК 3
Рубрики: Техника--Охрана окружающей среды--Промышленное оборудование
Кл.слова (ненормированные):
полирование -- регенерация -- технологии -- травление -- экология -- электролиты
Аннотация: Рассматриваемая технология позволяет обезвреживать и повторно использовать электролиты и гальваношламы аналогичного состава в любых количествах

Найти похожие

13.

621.38
А 79

Аракчеева, А. М.
Технология получения полупроводниковых микрорезонаторов и фотонных кристаллов [] / А. М. Аракчеева, А. В. Нащекин [и др.] // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, N 2. - С. 78-81. - Библиогр.: c. 81 (7 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия; волноводные структуры; микрорезонаторы; реактивное ионное травление; фотонные кристаллы; электронная литография
Аннотация: Описана технология получения микрорезонаторов и фотонных кристаллов в структурах на основе GaAs с использованием электронной литографии и реактивного ионного травления. Было получено 2 типа структур: с микростолбиками и фотонными кристаллами, представляющими собой квадратную и гексагональную решетки отверстий в планарной волноводной структуре. Минимальный диаметр микростолбиков составил 100 nm, высота - 700 nm. Размер отверстия фотонных кристаллов контролируемым образом варьировался от 140 до 500 nm, период фотонного кристалла от 400 до 1000 nm. Глубина травления фотонных кристаллов составила более 350 nm.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2005/02/page-78.html.ru

Доп.точки доступа:
Нащекин, А. В.; Соловьев, В. А.; Танклевская, Е. М.; Максимов, М. В.; Конников, С. Г.; Гуревич, С. А.; Леденцов, Н. Н.

Найти похожие

14.

331
С 59

Соколов, М.
Работа с металлом требует осторожности [] / М. Соколов // Социальная защита. - 2002. - N9. - С.6-10. - Межотраслевые типовые инструкции по охране труда для работников, занятых в процессах нанесения металлопокрытий ТИР РМ (054-061)-2002. - (Безопасность и медицина труда; 2002; N9) . - ISSN XXXX-XXXX

УДК

331

349.2

ББК 65.24 + 64.405
Рубрики: Экономика--Экономика труда
Право --Трудовое право
Кл.слова (ненормированные):
гидропескоструйная очистка; кадры; комментарии; металлопокрытия; охрана труда; очистка деталей; типовые инструкции; травление металлов
Аннотация: Комментарий статей Межотраслевых типовых инструкций по охране труда для работников, занятых в процессах нанесения металлопокрытий ТИР РМ (054-061)-2002.

Найти похожие

15.

669.017
П 29

Петелин, А. Л.
Особенности взаимодействия металлических расплавов с твердыми поликристаллами металлов [] / А. Л. Петелин // Физика и химия обработки материалов. - 2005. - N 2. - С. 10-13 . - ISSN 0015-3214

УДК

669.017

ББК 34.2
Рубрики: Машиностроение--Металловедение
Кл.слова (ненормированные):
металлические расплавы; поликристаллы металлов; жидкометаллическое травление; границы зерен металлов; системы охлаждения атомных реакторов; атомные реакторы; безопасность атомных реакторов; теплоносители атомных реакторов; расплавы легкоплавких металлов
Аннотация: Рассмотрено взаимодействие жидкой металлической фазы с твердым металлическим поликристаллом. Предполагается, что в поликристалле канавки жидкометаллического травления могут возникать не только по границам зерен, но и вдоль линий тройных стыков зерен.

Найти похожие

16.

539.2
К 31

Кашкаров, П. К.
Увеличение эффективности нелинейно-оптических взаимодействий в наноструктурированных полупроводниках [] / П. К. Кашкаров, Л. А. Головань [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 153-159. - Библиогр.: с. 158-159 (30 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
взаимодействия; галлий; гармоники; кремний; кристаллические полупроводники; наноструктурирование; наноструктурированные полупроводники; наноструктуры; нанофотоника; нелинейно-оптические взаимодействия; оптические гармоники; полупроводники; травление; фосфид галлия; электрохимическое травление
Аннотация: Обсуждаются способы увеличения эффективности генерации второй и третьей оптических гармоник в наноструктурах кремния и фосфида галлия, сформированных с помощью электрохимического травления кристаллических полупроводников.

Доп.точки доступа:
Головань, Л. А.; Заботнов, С. В.; Мельников, В. А.; Круткова, Е. Ю.; Коноров, С. О.; Федотов, А. Б.; Бестемьянов, К. П.; Гордиенко, В. М.; Тимошенко, В. Ю.; Желтиков, А. М.; Петров, Г. И.; Яковлев, В. В.

Найти похожие

17.

621.396
Б 93

Бутов, А.
Ускорение процесса травления печатных плат [Текст] / А. Бутов // Радио. - 2003. - N1. - С.45

УДК

621.396

ББК 32.84
Рубрики: Радиоэлектроника--Общая радиотехника
Кл.слова (ненормированные):
динамические головки; печатные платы; радиотехника; травление плат
Аннотация: Существенно ускорить процесс травления печатных плат можно,перемешивая раствор хлорного железа или обеспечивая его небольшие колебания.

Перейти: www.padio.ru

Найти похожие

18.

621.382
К 61

Колпаков, В. А.
Механизм адгезии в структурах металл-диэлектрик после бомбардировки потоком заряженных частиц [Текст] / В. А. Колпаков // Физика и химия обработки материалов. - 2006. - N 5. - С. 41-48 . - ISSN 0015-3214

УДК

621.382

539.216

ББК 22.37 + 32.85
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
адгезия; заряженные частицы; диэлектрики; тонкие пленки; ситаллы; диэлектрические подложки; высоковольтные газовые разряды; металлические пленки; бомбардировка потоком заряженных частиц; структуры металл-диэлектрик; вакуумно-плазменное травление
Аннотация: Исследовано влияние бомбардировки потоком заряженных частиц из плазмы высоковольтного газового разряда на адгезию тонких пленок меди на поверхности диэлектрических подложек из диоксида кремния и ситалла.

Найти похожие

19.

539.2
Р 37

Ременюк, А. Д.
Исследование ориентации жидкокристаллической смеси E7 в композитных фотонных кристаллах на основе монокристаллического кремния [Текст] / А. Д. Ременюк, Е. В. Астрова [и др.] // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 2. - С. 361-367. - Библиогр.: с. 367 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
анизотропное травление; емкостный метод; жидкие кристаллы; жидкокристаллические смеси; композитные фотонные кристаллы; метод инфракрасного поглощения; метод отражения; монокристаллический кремний; щелевой кремний
Аннотация: Исследована ориентация жидкого кристалла E7 на поверхности кремниевых пластин и внутри канавок щелевого кремния, полученного анизотропным травлением в щелочи. Для определения ориентации жидкого кристалла использованы методы инфракрасного поглощения и отражения, а также емкостный метод. Рассмотрены особенности инфракрасного поглощения жидкого кристалла, введенного в периодические матрицы.

Доп.точки доступа:
Астрова, Е. В.; Витман, Р. Ф.; Perova, T. S.; Толмачев, В. А.; Vij, J. K.

Найти похожие

20.

539.2
А 16

Абрамов, А. В.
Размерное травление кремния и диоксида кремния локализованным газовым разрядом [Текст] / А. В. Абрамов, Е. А. Абрамова, И. С. Суровцев // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, N 7. - С. 70-74. - Библиогр.: c. 74 (7 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

537

ББК 22.33
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
диоксид кремния; кремний; локализованный газовый разряд; размерное травление; разрешающая способность травления
Аннотация: Изучена возможность размерного травления материалов без использования масок с помощью локализованного газового разряда, геометрия которого задается топологией поверхности одного из электродов. Впервые представлены результаты травления таким способом рисунка в пленке SiO[2] на Si с разрешением ~ 5 mum. Определены основные параметры, влияющие на разрешающую способность процесса.

Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2005/07/page-70.html.ru

Доп.точки доступа:
Абрамова, Е. А.; Суровцев, И. С.

Найти похожие

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)