Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=химическое травление<.>)

Общее количество найденных документов : 19
Показаны документы с 1 по 19

621.375
М 712

Мишкин, В. П.
Влияние селективного химического травления на диаграмму направленности излучения полупроводникового лазера [Текст] / В. П. Мишкин, Д. О. Филатов, С. М. Некоркин, Ю. В. Кутергина // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 7. - Библиогр.: c. 80 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

621.375

539.2

ББК 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
диаграмма направленности излучения -- квантовые ямы -- полупроводниковые лазеры -- самоформирование -- селективное травление -- химическое травление
Аннотация: Исследовано влияние селективного жидкостного химического травления излучающей поверхности полупроводниковых лазеров на основе InGaP/GaAs с квантовыми ямами InGaAs на диаграмму направленности их излучения в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу. Методом атомно-силовой микроскопии установлено, что за счет разной скорости травления материалов широкозонных слоев (InGaP) и активной области лазеров (GaAs, InGaAs) на излучающей поверхности происходит самоформирование цилиндрической линзы (собирающей или рассеивающей в зависимости от вида травителя) . Показано, что, подбирая соответствующее время травления, возможно изменять ширину диаграммы направленности лазера в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу, в пределах 57-82` при исходной ширине диаграммы направленности на уровне 1/2 максимума, равной 66`.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/07/page-78.html.ru

Доп.точки доступа:
Филатов, Д. О.; Некоркин, С. М.; Кутергина, Ю. В.

Найти похожие

Дульцев, Ф. Н.
Реакция водорода с хлором при реактивном ионном травлении [Текст] / Ф. Н. Дульцев // Химическая физика. - 2007. - Т. 26, N 5. - С. 65-69. - Библиогр.: c. 69 (11 назв. ) . - ISSN 0207-401Х

УДК

^a541.18

^a546

ББК 24.6 + 24.1
Рубрики: Химия
Коллоидная химия
Неорганическая химия
Кл.слова (ненормированные):
водород -- хлор -- реактивное ионное травление -- короткоживущие свободные радикалы -- микроэлектроника -- процессы травления -- углеводороды -- химическое травление
Аннотация: Обсуждается роль цепного механизма взаимодействия хлора с водородом в газовой фазе при реактивном ионном травлении (RIE) GaAs в плазме CF[2]Cl[2].

Найти похожие

Природа излучения пористого кремния, полученного химическим травлением [Текст] / Н. Е. Корсунская [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 82-86 : ил. - Библиогр.: с. 86 (24 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
кремний -- пористый кремний -- люминесцентные характеристики -- структурные характеристики -- химическое травление -- метод химического травления -- спектры люминесценции -- фотолюминесценция -- ФЛ -- температурные зависимости -- рекомбинация -- экситоны -- нанокластеры -- аморфные нанокластеры -- кремниевые нанокластеры -- дефекты -- окислы -- излучения
Аннотация: Исследованы люминесцентные и структурные характеристики пористого кремния, сформированного методом химического травления. На основе анализа температурных зависимостей спектров люминесценции показано, что полоса люминесценции образцов пористого кремния, полученных химическим травлением, является суперпозицией двух полос. Сделан вывод, что одна из этих полос обусловлена рекомбинацией экситонов в аморфных кремниевых нанокластерах размерами меньше 3 нм, а другая - рекомбинацией носителей через дефекты в окисле. Последняя при комнатной температуре является доминирующей.

Доп.точки доступа:
Корсунская, Н. Е.; Стара, Т. Р.; Хоменкова, Л. Ю.; Свеженцова, Е. В.; Мельниченко, Н. Н.; Сизов, Ф. Ф.

Найти похожие

Влияние динамического режима адсорбции на импеданс композитных структур с пористым кремнием [Текст] / А. Ю. Карлаш [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 10. - С. 1387-1393 : ил. - Библиогр.: с. 1393 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
импедансные свойства -- оптические свойства -- композитные структуры -- композиты -- прессованные композиты -- пористый кремний -- кремний -- кристаллиты -- порошки кремния -- химическое травление -- метод химического травления -- кремниевые порошки -- импеданс -- экспериментальные зависимости
Аннотация: Исследованы импедансные и оптические свойства прессованных композитов на основе порошков микрокристаллического и нанопористого кремния. Кристаллиты пористого кремния получены методом химического травления исходного микрокристаллического кремниевого порошка. Кислородная пассивация поверхности в процессе формирования пористого порошка обеспечивает стабильность характеристик композита. Анализ экспериментальных зависимостей импеданса в частотном диапазоне 1-10{6} Гц позволяет разделить вклады в общую проводимость композита объема зерен и межкристаллитных границ. По результатам исследования временных зависимостей импеданса определены скорости изменения электрофизических параметров композитных структур в условиях динамического адсорбционно-десорбционного воздействия внешних реагентов (H[2]O и C[2]H[5]OH).

Доп.точки доступа:
Карлаш, А. Ю.; Кузнецов, Г. В.; Литвиненко, С. В.; Милованов, Ю. С.; Скрышевский, В. А.

Найти похожие

Горячев, Д. Н.
Свободные люминесцирующие слои пористого кремния [Текст] / Д. Н. Горячев, Л. В. Беляков, О. М. Сресели // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 12. - С. 1636-1639 : ил. - Библиогр.: с. 1639 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a537.533/.534

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
свободные слои -- люминесцирующие слои -- пористый кремний -- кремний -- электролиты -- уксусная кислота -- HF -- химическое травление -- выделение газов -- отделение слоев
Аннотация: Изготовлены свободные слои пористого кремния толщиной 50-200 мкм с использованием электролита HF-уксусная кислота. Рассмотрены химические аспекты травления, связанные с выделением газов при травлении, способствующих отделению слоев от подложки. Слои обладают устойчивой фотолюминесценцией в видимой области спектра, наблюдаемой с обеих сторон.

Доп.точки доступа:
Беляков, Л. В.; Сресели, О. М.

Найти похожие

546
Х 200

Характер химического воздействия монокристаллов CdTe и твердых растворов Cd[1-x]Zn[x]Te с водными растворами системы N[2]O[2]-HBr-лимонная кислота [Текст] / З. Ф. Томашик [и др.] // Журнал неорганической химии. - 2007. - Т. 52, N 7. - С. 1234-1238 : граф. - Библиогр.: с. 1238 (10 назв. ) . - ISSN 0044-457X

УДК

546

ББК 24.1
Рубрики: Химия
Неорганическая химия
Кл.слова (ненормированные):
поверхности -- химическое травление -- химико-динамическое полирование -- травители -- концентрационные зависимости -- скорости растворения -- диффузные стадии -- лимонная кислота
Аннотация: Исследован характер химического травления монокристаллических образцовCdTe и Cd[1-x]Zn[x]Te бромвыделяющими водными растворами N[2]O[2]+HBr+лимонная кислота. С помощью математического планирования эксперимента на симплексе построены проекции поверхностей одинаковых скоростей травления, определены концентрационные пределы областей полирующих и неполирующих растворов.

Доп.точки доступа:
Томашик, З. Ф.; Гнатив, В. Н.; Томашик, В. Н.; Стратийчук, И. Б.

Найти похожие

537.311.33
З-356

Зарубина, О. Н.
Состав и строение межфазных границ на полупроводниках типа А{III} В{v}, формирующихся в жидкой среде [Текст] / О. Н. Зарубина, Г. М. Мокроусов, Е. П. Найден // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, № 12. - С. 69-77. - Библиогр.: c. 76-77 (18 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
межфазные границы поверхности -- межфазные превращения -- поверхности многоатомной толщины -- поверхности полупроводников -- поверхностные слои -- полупроводниковые соединения А{III}В{V} -- фазовые слои -- химическое травление
Аннотация: На примере антимонида индия, арсенидов галлия и индия рассмотрен возможный механизм формирования, состав и строение поверхностного фазового слоя и приповерхностного (переходного) кристаллического слоя полупроводниковых соединений с нарушенной структурой в условиях химической обработки. Исходя из предположения о максимально допустимом отклонении от стехиометрического соотношения компонентов в пределах области гомогенности соединений и диффузионных представлений, проведена оценка возможной толщины приповерхностного кристаллического слоя. Методом рентгеноструктурной дифракции осуществлена экспериментальная проверка теоретических представлений.

Доп.точки доступа:
Мокроусов, Г. М.; Найден, Е. П.

Найти похожие

546-4
Т 650

Травление монокристаллов CdTe, CdTe(Ge), CdTe(Sn), CdTe(Pb) водными растворами (NH[4])[2]Cr[2]O[7] + HBr + лимонная кислота [Текст] / З. Ф. Томашик [и др.] // Неорганические материалы. - 2012. - Т. 48, № 2. - С. 157-161 : 5 рис. - Библиогр.: с. 161 (7 назв. ) . - ISSN 0002-337Х

УДК

546-4

ББК 35.295
Рубрики: Химическая технология
Химические реактивы
Кл.слова (ненормированные):
химическое травление -- монокристаллы -- травление монокристаллов -- лимонная кислота -- состав травителя-скорость травления
Аннотация: Исследован характер химического растворения монокристаллов нелегированного и легированного элементами IV группы (Ge, Sn, Pb) теллурида кадмия в водных растворах системы (NH[4]) [2]Cr[2]O[7]–НBr–лимонная кислота. Построены диаграммы "состав травителя–скорость травления".

Доп.точки доступа:
Томашик, З. Ф.; Чухненко, П. С.; Иваницкая, В. Г.; Томашик, В. Н.; Окрепка, Г. М.; Стратийчук, И. Б.

Найти похожие

536.42
М 861

Мохов, Е. Н.
Структурное совершенство кристаллов SiC, выращенных на профилированных затравках методом сублимации [Текст] / Е. Н. Мохов, авт. С. С. Нагалюк // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 21. - С. 25-32 : ил. - Библиогр.: с. 32 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

536.42^V3

ББК 22.375
Рубрики: Физика
Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- SiC -- структурное совершенство -- профилированные затравки -- методы сублимации -- микроскопия -- оптическая микроскопия -- методы оптической микроскопии -- химическое травление -- протяженные дефекты -- распределение дефектов -- элементы рельефа -- мезы (геология) -- разращивание мез -- латеральное разращивание -- микропоры -- прорастающие дислокации -- плотность дислокаций
Аннотация: Методами оптической микроскопии в сочетании с химическим травлением исследовано распределение протяженных дефектов в кристаллах, выращенных путем сублимации на профилированных затравках. Показано, что при свободном латеральном разращивании приподнятых элементов рельефа (мез) наблюдается резкое снижение плотности прорастающих дислокаций и микропор. Пониженная плотность дислокаций сохраняется после наращивания толстого слоя, при котором происходит заращивание канавок, разделяющих отдельные мезы.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/21/p25-32.pdf

Доп.точки доступа:
Нагалюк, С. С.

Найти похожие

10.

621.315.592
В 586

Влияние финишной подготовки поверхности арсенида галлия на спектр электронных состояний n-GaAs(100) [Текст] / Н. Н. Безрядин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 6. - С. 756-760 : ил. - Библиогр.: с. 760 (25 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

539.2

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- поверхность арсенида галлия -- электронные состояния -- метод нестационарной спектроскопии -- глубокие уровни -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- границы раздела -- металл-полупроводник -- кластеры -- поверхность кластеров -- химическое травление -- отжиг -- поверхностные электронные состояния -- ПЭС -- нестационарная спектроскопия глубоких уровней -- НСГУ -- спектры электронных состояний
Аннотация: Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней исследовано влияние предварительной подготовки подложек на спектр электронных состояний диодов Шоттки Au/n-GaAs (100). Обнаружены две полосы распределенных по энергии состояний вблизи границы раздела металл-полупроводник. Полоса состояний, проявляющаяся в спектрах при температурах 200-300 K, объясняется присутствием на поверхности кластеров элементарного As, который скапливается в ходе оксидообразования при выдержке образцов на воздухе. Разупорядочением поверхности в процессе селективного травления объясняется появление полосы состояний, проявляющейся в диапазоне 100-250 K. Отжиг в парах селена залечивает дефекты приповерхностной области и удаляет обе полосы состояний из спектров. Отожженные в Se2 образцы содержат только набор уровней, характерных для объема GaAs.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/06/p756-760.pdf

Доп.точки доступа:
Безрядин, Н. Н.; Котов, Г. И.; Арсентьев, И. Н.; Власов, Ю. Н.; Стародубцев, А. А.

Найти похожие

11.

621.315.592
Р 153

Радиационно-стимулированная деградация поверхности GaAs и транзисторных структур с высокой подвижностью электронов [Текст] / А. В. Бобыль [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 6. - С. 833-844 : ил. - Библиогр.: с. 843 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
транзисторные структуры -- радиационно-стимулированная деградация -- гетероструктуры -- радиационная деградация -- РД -- электроны -- носители тока -- собственные дефекты -- микродефекты -- химическое травление -- рентгеноструктурный анализ -- арсенид галлия -- арсенидгаллиевые структуры
Аннотация: Проведены исследования транзисторных гетероструктур с высокой подвижностью носителей тока. Показано, что при увеличении дозы gamma-облучения Phi их деградация включает следующую последовательность. 1) При Phi меньше 10{7} рад наблюдается разрушение приповерхностного слоя GaAs глубиной до 10 нм за счет уменьшения энергии диффузии собственных дефектов на величину более 0. 2 эВ и, вероятно, атмосферного кислорода. 2) При Phi больше 10{7} рад вблизи микродефектов, дислокаций формируются области размером более 1 мкм со значительным структурным беспорядком. 3) При Phi больше 10{8} рад происходит деградация внутренних интерфейсов AlGaAs/InGaAs/GaAs и рабочего канала. Эффективным способом исследования процессов разрушении гетероструктур является использование комплекса методик структурной диагностики, изучение процессов радиационной и временной деградации в сочетании с теоретическим моделированием протекающих процессов.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/06/p833-844.pdf

Доп.точки доступа:
Бобыль, А. В.; Конников, С. Г.; Устинов, В. М.; Байдакова, М. В.; Малеев, М. А.; Саксеев, Д. А.; Конакова, Р. В.; Миленин, В. В.; Прокопенко, И. В.

Найти похожие

12.

621.315.592
О-230

Обработка поверхности заготовок для изготовления CdZnTe-детекторов [Текст] / О. А. Федоренко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 8. - С. 1126-1129 : ил. - Библиогр.: с. 1128 (6 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
CdZnTe-детекторы -- детекторы -- микротвердость -- химическое травление -- метод химического травления -- кристаллы -- поверхность кристаллов -- бром -- метанол -- механическая обработка
Аннотация: Методами измерения микротвердости и химического избирательного травления определена глубина нарушенного слоя, образующегося на поверхности кристаллов CdZnTe при их стандартной механической обработке. Определены скорости химического травления поверхности кристаллов CdZnTe в растворах брома в метаноле, различающихся концентрацией брома.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/08/p1126-1129.pdf

Доп.точки доступа:
Федоренко, О. А.; Дубина, Н. Г.; Христьян, В. А.; Терзин, И. С.

Найти похожие

13.

537.311.322:621.763
Н 254

Наноструктуры систем Si/SiO[2]/металл с треками быстрых тяжелых ионов [Текст] / С. Е. Демьянов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 9. - С. 1262-1264 : рис. - Библиогр.: c. 1264 (5 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

537.311.322:621.763

ББК 22.332
Рубрики: Физика
Электрический ток
Кл.слова (ненормированные):
система Si/SiO[2]/металл -- наноструктуры -- быстрые тяжелые ионы -- химическое травление -- ионные треки -- электрохимическое осаждение -- диоксид кремния -- селективность
Аннотация: С помощью технологии быстрых тяжелых ионов, включающей облучение ионами {197}Au{26+}, химическое травление ионных треков и подпотенциальное электрохимическое осаждение, подготовлены и изучены структуры на основе систем SiO[2]/n-Si и SiO[2]/p-Si, с нанопорами в слоях диоксида кремния, заполненными наночастицами Cu и Ni.

Доп.точки доступа:
Демьянов, С. Е.; Канюков, Е. Ю.; Петров, А. В.; Белоногов, Е. К.

Найти похожие

14.

538.55
И 889

Исследование реальной структуры базисноограненных ленточных кристаллов сапфира [Текст] / И. Л. Шульпина [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 10. - С. 1445-1450 : Рис. - Библиогр.: c. 1450 (6 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

538.55

ББК 26.303
Рубрики: Геология
Минералогия
Кл.слова (ненормированные):
базисноограненные ленты -- газовые включения -- кристаллы сапфира -- лейкосапфиры -- рентгеновская дифракционная топография -- сапфировые ленты -- способ Степанова -- Степанова способ -- термические напряжения -- химическое травление
Аннотация: Методами рентгеновской дифракционной топографии и избирательного травления исследована структура базисноограненных лент лейкосапфира сечениями 30 х 1. 5 и 50 х 1. 5 мм, выращенных способом Степанова.

Доп.точки доступа:
Шульпина, И. Л.; Бахолдин, С. И.; Крымов, В. М.; Антонов, П. И.

Найти похожие

15.

621.7
Х 464

Химическое травление GаАs, GaSb, InАs и InSb водными растворами системы Н[2]О[2]–HBr–этиленгликоль / З. Ф. Томашик [и др.] // Неорганические материалы. - 2012. - Т. 48, № 9. - С. 985-989 : 3 рис., 2 табл. - Библиогр.: с. 989 (11 назв. ) . - ISSN 0002-337Х

УДК

621.7

546

ББК 30.68 + 24.12
Рубрики: Техника
   Обработка материалов
   Химия
   Химические элементы и их соединения
Кл.слова (ненормированные):
химическое травление -- водные растворы -- этиленгликоль -- микроструктурный анализ -- профилографический анализ -- химико-механическое полирование
Аннотация: В воспроизводимых гидродинамических условиях исследовано химическое взаимодействие монокристаллов GаАs, GaSb, InАs и InSb с бромвыделяющими травителями Н2О2–HBr–этиленгликоль, определены границы областей полирующих и неполирующих растворов, проведены микроструктурный и профилографический анализы их поверхности. Оптимизированы составы полирующих растворов и режимы химико-динамического полирования указанных материалов.

Доп.точки доступа:
Томашик, З. Ф.; Шелюк, И. А.; Томашик, В. Н.; Окрепка, Г. М.; Моравец, П.; Стратийчук, И. Б.

Найти похожие

16.

535.2/.3
З-135

Зависимость эффективности комбинационного рассеяния света в ансамблях кремниевых нанонитей от длины волны возбуждения / К. В. Буньков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 3. - С. 329-333 : ил. - Библиогр.: с. 332 (21 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

535.2/.3

ББК 22.343
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
комбинационное рассеяние света -- КРС -- кремниевые нанонити -- КНН -- химическое травление -- кристаллический кремний -- наночастицы серебра -- серебро -- длина волны -- кристаллографическая ориентация -- наноструктуры -- фотолюминесценция -- ФЛ -- возбуждение светом -- упорядоченные структуры -- локализация света -- свет
Аннотация: Исследованы особенности комбинационного рассеяния света в слоях кремниевых нанонитей диаметром от 50 до 350 нм, полученных химическим травлением в растворах плавиковой кислоты пластин кристаллического кремния (c-Si) с предварительно нанесенными наночастицами серебра. Использовались пластины c-Si с различной кристаллографической ориентацией и различным уровнем легирования, что обусловило различия в размерах и упорядоченности возникших наноструктур. Установлено, что излучение комбинационного рассеяния света образцов деполяризовано, а его эффективность существенно зависит от длины волны возбуждения. При возбуждении светом с длиной волны 1064 нм отношение интенсивности комбинационного рассеяния света образцов кремниевых нанонитей к соответствующей величине для c-Si составляло от 2 до 5, тогда как с уменьшением длины волны это отношение возрастало для структур с большим диаметром кремниевых нанонитей и большей упорядоченностью и падало для менее упорядоченных структур. Полученные результаты объясняются эффектом частичной локализации света в ансамблях кремниевых нанонитей.
We studied features of Raman scattering in silicon nanowire (SiNW) layers of 50-350 nm in diameter formed by means of chemical etching of crystalline silicon (c-Si) wafers with preliminary deposited silver nanoparticles in hydrofluoric acid. The c-Si wafers of differnt crystallographic orientations and doping levels were used, which results in variations of the formed nanostructure size and degree of order. Raman scattering was found to be depolarized, its efficiency strongly depends on excitation wavelength. For the excitation at 1064 nm the ratio of Raman scattering signals for SiNWs and those for initial c-Si wafer ranges from 2 to 5, whereas for shorter wavelengths the ratio increases for more ordered arrays of SiNWs of greater diameter and decreases for less ordered SiNW structures. The obtained results are explained by the effect of partial light localization in SiNW ensembles.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/03/p329-333.pdf

Доп.точки доступа:
Буньков, К. В.; Головань, Л. А.; Гончар, К. А.; Тимошенко, В. Ю.; Кашкаров, П. К.; Kulmas, M.; Sivakov, V.

Найти похожие

17.

546
С 890

Субботина, Елена.
Узоры на железе / Е. Субботина, авт. М. Бороноев // Наука и жизнь. - 2013. - № 4. - С. 95 : 1 рис. . - ISSN 0028-1263

УДК

546

ББК 24.1
Рубрики: Химия
Общая и неорганическая химия в целом
Кл.слова (ненормированные):
химические эксперименты -- химические опыты -- гравюры -- металлические поверхности -- химическое травление -- йод -- химические реагенты -- металлы
Аннотация: Авторы предлагают провести химический эксперимент, благодаря которому можно создать нечто вроде гравюры, только изображение на металлическую поверхность будет наноситься методом химического травления.

Доп.точки доступа:
Бороноев, Максим

Найти похожие

18.

621.38
М 744

Модифицирование поверхности пленок полифторолефинов под действием разряда постоянного тока / А. Б. Гильман [и др.]. // Российский Химический Журнал (ЖРХО им. Д. И. Менделеева). - 2013. - Т. 57, № 3/4. - С. 99-107. - Библиогр.: с. 106-107 (37 назв.) . - ISSN 0373-0247

УДК

621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
ток -- полимеры -- электроэнергия -- полифторолефины -- химическое травление -- газы -- модифицирование пленок полифторолефинов -- аноды -- катоды -- разряды постоянного тока -- постоянный ток -- травление -- пленки полифторолефинов
Аннотация: В работе обобщены результаты изучения авторами влияния модифицирования в тлеющем разряде постоянного тока на свойства поверхности и химическую структуру пленок ряда полифторолефинов.

Доп.точки доступа:
Гильман, А. Б.; Пискарев, М. С.; Яблоков, М. Ю.; Кузнецов, А. А.; Институт синтетических полимерных материалов имени Н. С. Ениколопова РАН (Москва); Институт синтетических полимерных материалов имени Н. С. Ениколопова РАН (Москва); Институт синтетических полимерных материалов имени Н. С. Ениколопова РАН (Москва); Институт синтетических полимерных материалов имени Н. С. Ениколопова РАН (Москва)

Найти похожие

19.

539.2
И 889

Исследование постростового процесса изготовления квантовых каскадных лазеров / В. В. Мамутин [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 8. - С. 1132-1137 : ил. - Библиогр.: с. 1136-1137 (22 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

621.315.592

ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
каскадные лазеры -- высокоомные материалы -- фосфид индия -- InP -- фотолитография -- химическое травление -- теплоотвод -- оптические переходы
Аннотация: Исследован процесс специальной постростовой обработки структур для квантовых каскадных лазеров, включающий в себя заращивание высокоомным материалом - фосфидом индия с концентрацией носителей n приблизительно равно 5·10{10} см{-3}, фотолитографию с применением различных химических жидкостных травителей и создание специальных контактов для обеспечения повышенного теплоотвода. Использование модифицированного процесса постростовой обработки позволяет достичь необходимых параметров, удовлетворяющих требования к высококачественным приборам.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/08/p1132-1137.pdf

Доп.точки доступа:
Мамутин, В. В.; Ильинская, Н. Д.; Бедарев, Д. А.; Левин, Р. В.; Пушный, Б. В.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург)

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)