Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- GaAs/AlAs (110) -- дырочные состояния -- квантовые ямы -- сверхрешетки -- дырки (физика) -- энергетические уровни -- базисные функции -- смешивание состояний
Аннотация: Рассмотрены состояния в квантовой яме AlAs/GaAs (12) /AlAs (110) и в сверхрешетке AlAs (6) /GaAs (12) (110). Для анализа смешивания состояний легких и тяжелых дырок в этих структурах предложена зависящая от параметра система базисных функций и найдены значения параметра, при которых одна из функций в основном описывает состояния тяжелых дырок, а другая - легких дырок. Для рассмотренного в работе интервала энергии найдено четыре энергетических уровня в данной яме и соответственно четыре мини-зоны в сверхрешетке. Анализ показал, что первый и четвертый уровни в яме и первая и четвертая мини-зоны в сверхрешетке в основном связаны с состояниями тяжелых дырок. Более сложную структуру имеют оставшиеся два состояния в квантовой яме и вторая и третья мини-зоны в сверхрешетке, для которых имеется заметное смешивание дырочных состояний. Для этих мини-зон имеется значительное как пространственное, так и спиновое разделение состояний.

Найти похожие

Квантовый спиновый эффект Холла в наноструктурах на основе фторида кадмия [Текст] / Н. Т. Баграев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 10. - С. 1372-1381 : ил. - Библиогр.: с. 1381 (28 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
спиновый эффект Холла -- Холла спиновый эффект -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- наноструктуры -- фторид кадмия -- электрические свойства -- магнитная восприимчивость -- сандвич-структуры -- квантовые ямы -- квантование дырок -- дырки (физика) -- сверхтоки -- сверхузкие квантовые ямы -- СКЯ -- андреевское отражение -- delta-барьеры
Аннотация: Туннельные вольт-амперные характеристики (ВАХ), температурные зависимости статической магнитной восприимчивости и теплоемкости планарных сандвич-структур CdB[x]F[2-x]/p-CdF[2]-QW/CdB[x]F[2-x], полученных на поверхности кристалла n-CdF[2], исследуются с целью идентификации сверхпроводящих свойств delta-барьеров CdB[x]F[2-x], ограничивающих сверхузкую квантовую яму CdF[2] p-типа проводимости. Сравнительный анализ токовых ВАХ и ВАХ проводимости соответственно ниже и выше критической температуры сверхпроводящего перехода свидетельствует о взаимосвязанности квантования сверхтока и размерного квантования дырок в квантовой яме p-CdF[2]. Причем регистрация джозефсоновского пика тока в позиции каждой дырочной подзоны сопровождается наличием спектра многократного андреевского отражения. Высокая степень спиновой поляризации дырок в краевых каналах по периметру квантовой ямы p-CdF[2], возникающая вследствие многократного андреевского отражения, идентифицирует ВАХ квантового спинового эффекта Холла, обнаруженного при регистрации отличной от нуля проводимости при нулевом напряжении вертикального затвора в холловской геометрии эксперимента. Внутри энергетического интервала сверхпроводящей щели ВАХ спинового транзистора и квантового спинового эффекта Холла определяются спектром многократного андреевского отражения дырок, возникающим при изменении напряжения вертикального затвора. Вне интервала сверхпроводящей щели обнаруженная ВАХ квантового спинового эффекта Холла представляет собой квантовую лестницу проводимости с амплитудой ступенек, равной e{2}/h, которая взаимосвязана с осцилляциями продольной проводимости в зависимости от напряжения вертикального затвора.

Доп.точки доступа:
Баграев, Н. Т.; Гимбицкая, О. Н.; Клячкин, Л. Е.; Кудрявцев, А. А.; Маляренко, А. М.; Романов, В. В.; Рыскин, А. И.; Щеулин, А. С.

Найти похожие

Беляков, В. А.
Миграция возбужденных носителей в ансамблях нанокристаллов кремния, легированных фосфором [Текст] / В. А. Беляков, А. А. Конаков, В. А. Бурдов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1466-1469 : ил. - Библиогр.: с. 1469 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
излучательная рекомбинация -- нанокристаллы кремния -- кремниевые нанокристаллы -- нанокристаллы -- возбужденные носители -- электроны -- дырки (физика) -- легирование фосфором -- миграция возбужденных носителей -- фосфор -- туннелирование электронов
Аннотация: Выполнен расчет скороcти туннельной миграции возбужденных носителей (электронов и дырок) в ансамбле нанокристаллов кремния, легированных фосфором. Показано, что, начиная с некоторых значений концентрации фосфора, зависящих от соотношения между размерами эмиттирующего и принимающего нанокристаллов, скорость туннелирования электронов резко падает (на несколько порядков) и становится меньше скорости излучательной межзонной рекомбинации.

Доп.точки доступа:
Конаков, А. А.; Бурдов, В. А.

Найти похожие

Циклотронный резонанс дырок в гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в квантующих магнитных полях [Текст] / А. В. Иконников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1539-1542 : ил. - Библиогр.: с. 1541 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- InGaAs/GaAs -- циклотронный резонанс -- ЦР -- квантовые ямы -- КЯ -- квантовые каскадные лазеры -- ККЛ -- магнитные поля -- уровни Ландау -- Ландау уровни -- спиновая релаксация -- время спиновой релаксации -- дырки (физика)
Аннотация: Исследованы спектры циклотронного резонанса дырок в селективно-легированных гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в импульсных магнитных полях до 50 Тл при 4. 2 K. Подтвержден обнаруженный ранее эффект инвертированного (по сравнению с результатами одночастичного расчета уровней Ландау) соотношения интегральных интенсивностей двух расщепившихся компонент линии циклотронного резонанса, связываемый с эффектами обменного взаимодействия дырок. Обнаружено, что на восходящей и нисходящей ветвях импульса магнитного поля соотношения интенсивностей компонент линии циклотронного резонанса сильно различаются, что может быть связано с большим временем спиновой релаксации дырок между двумя нижними уровнями Ландау, составляющим десятки миллисекунд.

Доп.точки доступа:
Иконников, А. В.; Спирин, К. Е.; Гавриленко, В. И.; Козлов, Д. В.; Драченко, О.; Schneider, H.; Helm, M.

Найти похожие

621.315.592
Ш 544

Шеховцов, Н. А.
Дифференциальная емкость p{+}-p-перехода [Текст] / Н. А. Шеховцов // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 1. - С. 60-69 : ил. - Библиогр.: с. 68-69 (21 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
дифференциальные емкости -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- электрические поля -- инжекция -- дырки (физика) -- электроны -- биполярная подвижность -- дрейфовая подвижность -- акцепторы
Аннотация: Исследована дифференциальная емкость p{+}-p-перехода, которая образована изменением заряда в области перехода с учетом электрического поля в квазинейтральной p-области. Получена зависимость емкости и тока p{+}-p-перехода от напряжения в области перехода. Показано, что изменение знака емкости p{+}-p-перехода с ростом уровня инжекции вызвано уменьшением биполярной дрейфовой подвижности в p-области. Показано, что изменение знака емкости p{+}-p-перехода при увеличении обратного напряжения определяет уменьшение заряда в области перехода за счет преобладания роста отрицательного заряда ионов акцепторов над ростом положительного заряда дырок.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/01/p60-69.pdf

Найти похожие

621.315.592
С 721

Спиновая интерференция дырок в кремниевых наносандвичах [Текст] / Н. Т. Баграев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 1. - С. 77-89 : ил. - Библиогр.: с. 88 (58 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые наносандвичи -- спиновая интерференция -- дырки (физика) -- сверхузкие кремниевые квантовые ямы -- СККЯ -- барьеры -- квантовые ямы -- легирование бором -- бор -- разность потенциалов -- осцилляция Ааронова - Кашера -- Ааронова - Кашера осцилляция -- спиновая поляризация дырок -- эффект Холла -- Холла эффект -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- дифференциальное сопротивление -- сопротивление -- электромагнитное излучение -- генерация излучения -- эффект Джозефсона -- Джозефсона эффект -- сверхпроводящие каналы -- джозефсоновские переходы -- квантовые точечные контакты -- точечные контакты -- спинозависимые эффекты -- квантовые эффекты -- спиновые эффекты
Аннотация: Спинозависимый транспорт дырок исследуется в кремниевых наносандвичах на поверхности Si (100) n-типа, которые представляют собой сверхузкие кремниевые квантовые ямы p-типа, ограниченные delta-барьерами, сильно легированными бором. На основании данных измерений продольной и холловской разности потенциалов в зависимости от напряжения на вертикальном затворе в отсутствие внешнего магнитного поля идентифицируется наличие в кремниевых наносандвичах краевых каналов проводимости. При этом рост стабилизированного тока исток-сток в интервале 0. 25-5 нА последовательно проявляет значение продольной проводимости 4e{2}/h, обусловленное вкладом многократного андреевского отражения, 0. 7 (2e{2}/h), соответствующее известной особенности в квантовой лестнице проводимости, а также осцилляции Ааронова-Кашера, что свидетельствует о спиновой поляризации дырок в краевых каналах. Кроме того, в условиях низких значений стабилизированного тока исток-сток благодаря наличию спиновой поляризации регистрируется ненулевая холловская разность потенциалов, зависящая от напряжения вертикального затвора, что идентифицирует квантовый спиновый эффект Холла. Измерения продольных вольт-амперных характеристик демонстрируют наличие ступеней Фиске и участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением, обусловленного генерацией электромагнитного излучения вследствие нестационарного эффекта Джозефсона. Предлагается объяснение полученных результатов в рамках модели топологических краевых состояний, представляющих собой систему из сверхпроводящих каналов, содержащих квантовые точечные контакты, способные трансформироваться в одиночные джозефсоновские переходы при увеличении величины стабилизированного тока исток-сток.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/01/p77-89.pdf

Доп.точки доступа:
Баграев, Н. Т.; Даниловский, Э. Ю.; Клячкин, Л. Е.; Маляренко, А. М.; Машков, В. А.

Найти похожие

621.315.592
П 546

Поляризационные зависимости электролюминесценции и поглощения вертикально-коррелированных InAs/GaAs-квантовых точек [Текст] / М. М. Соболев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 1. - С. 96-102 : ил. - Библиогр.: с. 101 (31 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
экспериментальные исследования -- электролюминесценция -- ЭЛ -- квантовые точки -- КТ -- спектры электролюминесценции -- квантовые проволоки -- КП -- оптическая поляризационная анизотропия -- поляризационная анизотропия -- анизотропия -- спектры поглощения -- вертикально-коррелированные квантовые точки -- ВККТ -- сверхрешетки квантовых точек -- СРКТ -- эффект Ваннье - Штарка -- Ваннье - Штарка эффект -- поляризационные зависимости -- волновые функции -- дырки (физика)
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований оптической поляризационной анизотропии спектров электролюминесценции и поглощения систем с различным числом туннельно-связанных вертикально-коррелированных квантовых точек In (Ga) As/GaAs, встроенных в двухсекционный лазер с секциями одинаковой длины. Одной из этих систем являлась сверхрешетка квантовых точек, проявляющая эффект Ваннье-Штарка. Был обнаружен эффект вовлечения основных состояний тяжелых дырок в оптические переходы света, поляризованного как в плоскости перпендикулярной оси роста (X-Y), так и вдоль направления роста структуры Z. Степень поляризационной анизотропии находится в зависимости от высоты вертикально-коррелированных квантовых точек и сверхрешетки квантовых точек: суммарной толщины всех слоев In (Ga) As квантовых точек и прослойки GaAs между квантовыми точками, которая связывается с Z-компонентой волновой функции основных состояний тяжелых дырок для вертикально-коррелированных точек и сверхрешетки квантовых точек.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/01/p96-102.pdf

Доп.точки доступа:
Соболев, М. М.; Гаджиев, И. М.; Бакшаев, И. О.; Неведомский, В. Н.; Буяло, М. С.; Задиранов, Ю. М.; Золотарева, Р. В.; Портной, Е. Л.

Найти похожие

621.315.592
А 500

Алиев, С. А.
Особенности температурной зависимости концентрации электронов проводимости в узкощелевом и бесщелевом состоянии Cd[x]Hg[1-x]Te [Текст] / С. А. Алиев, Э. И. Зульфигаров, Р. И. Селим-заде // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 3. - С. 308-312 : ил. - Библиогр.: с. 311 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
температурные зависимости -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- результаты исследований -- кристаллы -- магнитные поля -- электроны -- дырки (физика) -- закон дисперсии -- примесные состояния -- ионизация электронов -- температура -- акцепторные состояния
Аннотация: Проанализированы результаты исследований удельной проводимости sigma и коэффициента Холла R в кристаллах Cd[x]Hg[1-x]Te с x=0. 1, 0. 12, 0. 14, 0. 15 в интервалах температур T=4. 2-300 K и магнитных полей B=0. 005-2. 22 Тл. По данным R (B) в слабых и сильных магнитных полях и по данным sigma (T) определены концентрации и подвижности электронов и дырок. Показано, что в исследованных образцах в области 4. 2-15 K концентрация электронов n от T почти не зависит, с повышением T она возрастает согласно n пропорционально T{r} (r>3/2), причем r=f (n, T, x). Получено, что r изменяется от 1. 7 для x=0. 1 до 3. 1 в составах с x=0. 14 и 0. 15. Результаты по n (T) сопоставлены с теорией, учитывающей непараболичность закона дисперсии varepsilon (T), и с теорией примесных состояний в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках. Показано, что постоянство n (T) до ~15 K и сильная зависимость n (T) (r>3/2) при более высоких температурах обусловлены интенсивной ионизацией электронов, локализованных на акцепторных состояниях.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/03/p308-312.pdf

Доп.точки доступа:
Зульфигаров, Э. И.; Селим-заде, Р. И.

Найти похожие

621.315.592
Д 142

Дадамирзаев, М. Г.
Разогрев носителей заряда и выпрямление тока на несимметричном p-n-переходе в сверхвысокочастотном электромагнитном поле [Текст] / М. Г. Дадамирзаев // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 299-302 : ил. - Библиогр.: с. 302 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
носители заряда -- выпрямление тока -- p-n переходы -- сверхвысокочастотное электромагнитное поле -- СВЧ поле -- несимметричные p-n переходы -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- электродвижущие силы -- ЭДС -- высокотемпературные носители тока -- холостой ход -- напряжение холостого хода -- температура электронов -- дырки (физика)
Аннотация: ЭДС горячих носителей заряда U[oc], генерируемая на несимметричном p-n-переходе в сверхвысокочастотном электромагнитном поле, несмотря на то, что температура электронов гораздо выше, чем дырок, определяется горячими дырками. Установлено, что напряжение холостого хода определяется температурой тех носителей, которые определяют полный ток через p-n-переход.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/03/p299-302.pdf

Найти похожие

10.

539.2
С 714

Спектроскопия фотоотражения электронно-дырочных состояний квантовой ямы GaAs/InGaAs/GaAs переменной ширины [Текст] / Л. П. Авакянц [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 330-334 : ил. - Библиогр.: с. 334 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
спектроскопия фотоотражения -- метод спектроскопии фотоотражения -- электронно-дырочные состояния -- квантовые ямы -- GaAs/InGaAs/GaAs -- квантование электронов -- электроны -- дырки (физика) -- гетероструктуры -- экспериментальные данные -- гетропереходы -- излучения -- валентные зоны
Аннотация: Методом спектроскопии фотоотражения исследован спектр электронно-дырочных состояний в квантовой яме GaAs/In[0. 5]Ga[0. 5]As переменной ширины от 1. 1 до 3. 6 нм. Произведен расчет энергий уровней размерного квантования электронов и дырок с учетом деформационно-индуцированных изменений зонной структуры квантовой ямы. Показано, что наилучшее совпадение экспериментальных данных с результатами расчета достигается при отношении разрывов зон проводимости и валентной на гетеропереходе Q=Delta E[c]/Delta E[v]=0. 62/0. 38. Обнаружен сигнал фотоотражения в области тени модулирующего излучения на расстояниях до 6 мм между пятнами зондирующего и модулирующего излучений.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/03/p330-334.pdf

Доп.точки доступа:
Авакянц, Л. П.; Боков, П. Ю.; Глазырин, Е. В.; Казаков, И. П.; Червяков, А. В.

Найти похожие

11.

621.315.592
В 586

Влияние гидрогенизации на электрофизические свойства эпитаксиальных структур Cd[x]Hg[1-x]Te [Текст] / В. С. Варавин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 408-413 : ил. - Библиогр.: с. 413 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гидрогенизация пленок -- пленки -- электрофизические свойства -- гетероэпитаксиальные структуры -- ГЭС -- электрохимическая обработка -- акцепторные центры -- водород -- активация -- дырки (физика)
Аннотация: Исследовано явление гидрогенизации пленок Cd[x]Hg[1-x]Te. Гидрогенизация осуществлялась путем кипячения пленок Cd[x]Hg[1-x]Te в деионизованной воде либо с помощью электрохимических обработок. Установлено, что при контакте с водными средами в пленки вводятся акцепторные центры, концентрация которых может превышать 10{17} см{-3}. Показано, что вводятся два типа акцепторов на основе водорода: быстрые и медленные, оценены их коэффициенты диффузии. Обнаружено, что часть водорода после обработок присутствует в электрически неактивном виде и может активироваться при дальнейшем хранении либо при прогревах. После активации концентрация дырок может достигать 10{18} см{-3}. Обсуждается влияние pH среды на скорость введения водорода в материал.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/03/p408-413.pdf

Доп.точки доступа:
Варавин, В. С.; Сидоров, Г. Ю.; Гарифуллин, М. О.; Вишняков, А. В.; Сидоров, Ю. Г.

Найти похожие

12.

621.315.592
В 586

Влияние легирования медью на кинетические коэффициенты и их анизотропию в PbSb[2]Te[4] [Текст] / С. А. Немов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 4. - С. 463-468 : ил. - Библиогр.: с. 467 (7 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

536.42^V3

ББК 31.233 + 22.375
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
анизотропные монокристаллы -- монокристаллы -- эффекты Холла -- Холла эффекты -- электропроводность -- кристаллы -- кинетические коэффициенты -- температурные зависимости -- дырки (физика) -- анизотропия термоэдс -- поперечный эффект Нернста - Эттингсгаузена -- Нернста - Эттингсгаузена поперечный эффект -- экспериментальные данные -- акустические фононы -- легирование медью -- медь
Аннотация: На анизотропных монокристаллах PbSb[2]Te[4] и PbSb[2]Te[4]: Cu измерены девять основных независимых компонент эффектов Холла, электропроводности, термоэдс, Нернста-Эттингсгаузена и их анизотропия в диапазоне 77-450 K. Кристаллы PbSb[2]Te[4] имеют высокую концентрацию дырок (p~3 x 10{20} см{-3}). Медь проявляет донорное действие и существенно (примерно в 2 раза) снижает концентрацию дырок в PbSb[2]Te[4]. Температурные зависимости кинетических коэффициентов, за исключением эффекта Холла, имеют вид, характерный для однозонной модели. Значительная анизотропия коэффициента Холла R[123]/R[321] ~ 2 при низких температурах свидетельствует о многоэллипсоидной модели энергетического спектра дырок в PbSb[2]Te[4]. Существенной особенностью данных по явлениям переноса является большая анизотропия термоэдс (Delta S ~ 60-75 мкВ/K) в области примесной проводимости, обусловленная смешанным механизмом рассеяния. Данные по анизотропии поперечного эффекта Нернста-Эттингсгаузена подтверждают смешанный механизм рассеяния дырок, причем в плоскости скола доминирует рассеяние на акустических фононах, а в направлении тригональной оси значительным оказывается примесное рассеяние. Легирование медью усиливает роль примесного рассеяния в направлении тригональной оси c3, в результате чего две компоненты тензора Нернста-Эттингсгаузена Q[321] и Q[132] в монокристалле PbSb[2]Te[4]: Cu при низких температурах положительны, в то время как в нелегированном кристалле положительна только компонента Q[321].

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/04/p463-468.pdf

Доп.точки доступа:
Немов, С. А.; Благих, Н. М.; Дема, Н. С.; Житинская, М. К.; Прошин, В. И.; Свечникова, Т. Е.; Шелимова, Л. Н.

Найти похожие

13.

621.315.592
И 851

Исаев, А. И.
Токи, ограниченные пространственными зарядами в халькогенидной стеклообразной полупроводниковой системе Se[95]As[5], содержащей примеси EuF[3] [Текст] / А. И. Исаев, С. И. Мехтиева, С. Н. Гарибова // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 12. - С. 1599-1603 : ил. - Библиогр.: с. 1603 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
носители заряда -- дырки (физика) -- структуры -- токи, ограниченные пространственными зарядами -- ТОПЗ -- пространственные заряды -- монополярная инжекция -- ловушки захвата (физика) -- собственные дефекты -- заряженные собственные дефекты -- селен -- мышьяк -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ
Аннотация: Установлено, что перенос носителей заряда (дырок) в структуре Al-Se[95]As[5] (EuF[3]) -Te осуществляется по механизму токов монополярной инжекции, ограниченных пространственными зарядами, при участии двух групп ловушек захвата: мелкие, соответствующие заряженным собственным дефектам C[1]{-}, обусловленные оборванными связями селена, и глубокие, соответствующие также заряженным собственным дефектам P[2]{-}, создаваемым атомами мышьяка с нарушенной координацией. Показано, что примесь EuF[3] сильно влияет на концентрацию ловушек захвата, причем в основном влияет на ловушки, расположенные около уровня Ферми.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/12/p1599-1603.pdf

Доп.точки доступа:
Мехтиева, С. И.; Гарибова, С. Н.

Найти похожие

14.

621.315.592
О-796

Осцилляции Шубникова-де-Гааза и де-Гааза-ван Альфена в кремниевых наноструктурах [Текст] / Н. Т. Баграев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 11. - С. 1503-1508 : ил. - Библиогр.: с. 1507-1508 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

537^V3

ББК 31.233 + 22.33
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Электричество и магнетизм в целом
Кл.слова (ненормированные):
продольное сопротивление -- осцилляция Шубникова - де-Гааза -- Шубникова - де-Гааза осцилляция -- осцилляция де-Гааза - ван Альфена -- де-Гааза - ван Альфена осцилляция -- магнитная восприимчивость -- магнитные поля -- кремниевые наноструктуры -- барьеры -- легирование бором -- сверхузкие кремниевые квантовые ямы -- СККЯ -- дырки (физика) -- температурные зависимости -- высокие температуры
Аннотация: Зависимости продольного сопротивления и статической магнитной восприимчивости от магнитного поля, перпендикулярного плоскости сверхузкой кремниевой квантовой, ограниченной delta-барьерами, сильно легированными бором, демонстрируют соответственно осцилляции Шубникова-де-Гааза и де-Гааза-ван Альфена при высоких температурах в слабых магнитных полях. Полученные результаты свидетельствуют о реализации в этих условиях приближения сильного поля, mu B>>1, благодаря малой эффективной массе двумерных тяжелых дырок, что подтверждается измерениями температурных зависимостей осцилляций де-Гааза-ван Альфена.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/11/p1503-1508.pdf

Доп.точки доступа:
Баграев, Н. Т.; Брилинская, Е. С.; Гец, Д. С.; Клячкин, Л. Е.; Маляренко, А. М.; Романов, В. В.

Найти похожие

15.

621.315.592
О-754

Особенности анизотропии микроволнового низкотемпературного магнитосопротивления слабо легированного p-Ge, обусловленные наличием в нем легких и тяжелых дырок [Текст] / А. И. Вейнгер [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 10. - С. 1314-1322 : ил. - Библиогр.: с. 1322 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.21:537^V3

ББК 31.233 + 22.373
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
микроволновое магнитопоглощение -- ММП -- анизотропия -- магнитосопротивление -- электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- магнитные поля -- электромагнитные поля -- дырки (физика) -- температурные зависимости -- угловые зависимости -- экспериментальные результаты
Аннотация: Исследовано микроволновое магнитосопротивление слабо легированного (невырожденного) p-Ge с помощью методики электронного парамагнитного резонанса, которая позволяет регистрировать производную изменения микроволнового поглощения в магнитном поле, исходя из того, что изменение такого поглощения пропорционально изменению проводимости полупроводника. Из-за того, что при частоте электромагнитного поля 10 ГГц время усреднения эффективных масс легких и тяжелых дырок в области низких температур много больше периода колебаний, таким способом можно изучать индивидуальную реакцию на магнитное поле легких и тяжелых дырок. Показано, что микроволновое магнитопоглощение, связанное с легкими дырками, слабо зависит от направления магнитного поля относительно кристаллографических осей Ge. В то же время сигнал, связанный с тяжелыми дырками, при повороте образца в магнитном поле изменяется в несколько раз. Экспериментальные результаты сравниваются с теорией классического магниторезистивного эффекта.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/10/p1314-1322.pdf

Доп.точки доступа:
Вейнгер, А. И.; Забродский, А. Г.; Тиснек, Т. В.; Голощапов, С. И.

Найти похожие

16.

621.315.592
Г 834

Григорьев, М. М.
Интерфейсная электролюминесценция в изотипном гетеропереходе II типа InAs/InAsSbP при комнатной температуре [Текст] / М. М. Григорьев, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 10. - С. 1386-1391 : ил. - Библиогр.: с. 1390-1391 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.375^V3

ББК 31.233 + 32.86
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Радиоэлектроника
   Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
интерфейсная люминесценция -- люминесценция -- гетерограницы -- гетеропереходы -- изотипные гетеропереходы -- InAs/InAsSbP -- комнатная температура -- электронные каналы -- излучательные переходы -- дырки (физика) -- поверхностные состояния -- светоизлучающие диоды -- оптоэлектронные матрицы
Аннотация: Впервые продемонстрирована интерфейсная люминесценция на одиночной гетерогранице II типа в системе соединений InAs/InAsSbP при комнатной температуре. Экспериментально подтверждено, что одиночная гетероструктура InAs/InAsSbP является ступенчатым гетеропереходом II типа. В гетероструктуре n-InAs/n-InAsSbP образование электронного канала на гетерогранице на стороне n-InAs не приводило к возникновению излучательной интерфейсной люминесценции, тогда как гетероструктура p-InAs/p-InAsSbP при обратном смещении демонстрировала интерфейсную люминесценцию, обусловленную излучательными переходами дырок с заполненных поверхностных состояний, локализованных на гетерогранице. Обнаружение интенсивной интерфейсной люминесценции, соизмеримой по интенсивности с объемной, открывает новые возможности в создании многоцветных светоизлучающих диодов и интегральных оптоэлектронных матриц для среднего ИК-диапазона 3-5 мкм.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/10/p1386-1391.pdf

Доп.точки доступа:
Иванов, Э. В.; Моисеев, К. Д.

Найти похожие

17.

621.3
Л 385

Легирование твердого раствора Bi[1. 9]Sb[0. 1]Te[3] примесью Sn [Текст] / М. К. Житинская [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 8. - С. 1021-1025 : ил. - Библиогр.: с. 1024 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3^V3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника в целом
Кл.слова (ненормированные):
твердые растворы -- легирование примесью Sn -- удельная электропроводность -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- коэффициент Зеебека -- Зеебека коэффициент -- коэффициент Нернста - Эттингсгаузена -- Нернста - Эттингсгаузена коэффициент -- температурные зависимости -- олово -- Sn -- кинетические коэффициенты -- квазилокальные состояния -- валентные зоны -- дырки (физика) -- запрещенные зоны -- примесные состояния -- акустические фононы
Аннотация: В твердом растворе (Bi[1. 9]Sb[0. 1]) [1-x]Sn[x]Te[3] с различным содержанием Sn измерены удельная электропроводность sigma[11], коэффициенты Холла R[123] и R[321], коэффициенты Зеебека S[11] и S[33], коэффициенты Нернста-Эттингсгаузена Q[123] и Q[321]. Показано, что легирование оловом в значительной степени модифицирует температурные зависимости кинетических коэффициентов. Изучено влияние олова на электрическую однородность образцов: увеличение количества атомов Sn, введенного в состав, повышает однородность кристаллов. Эти особенности свидетельствуют о наличии квазилокальных состояний Sn в валентной зоне Bi[1. 9]Sb[0. 1]Te3. В рамках однозонной модели сделаны оценки эффективной массы плотности состояний дырок md, ширины запрещенной зоны, экстраполированной к 0 K (E[g0]=0. 20-0. 25 eV), энергии примесных состояний (E[Sn]~40-45 meV) и параметра рассеяния (r~ 0. 1-0. 4). Численные значения параметра рассеяния указывают на смешанный механизм рассеяния в исследуемых образцах при доминирующем рассеянии на акустических фононах. При увеличении содержания олова в составе образцов возрастает вклад примесного рассеяния.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/08/p1021-1025.pdf

Доп.точки доступа:
Житинская, М. К.; Немов, С. А.; Мухтаров, В. Р.; Свечникова, Т. Е.

Найти похожие

18.

539.2
С 306

Семина, М. А.
Влияние локализации в квантовых ямах и квантовых проволоках на смешивание тяжелых и легких дырок и на энергию связи акцептора [Текст] / М. А. Семина, авт. Р. А. Сурис // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 7. - С. 947-955 : ил. - Библиогр.: с. 954 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК