Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=спектроскопия фотоотражения<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

539.2
С 714

Спектроскопия фотоотражения электронно-дырочных состояний квантовой ямы GaAs/InGaAs/GaAs переменной ширины [Текст] / Л. П. Авакянц [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 330-334 : ил. - Библиогр.: с. 334 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2^V3

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
спектроскопия фотоотражения -- метод спектроскопии фотоотражения -- электронно-дырочные состояния -- квантовые ямы -- GaAs/InGaAs/GaAs -- квантование электронов -- электроны -- дырки (физика) -- гетероструктуры -- экспериментальные данные -- гетропереходы -- излучения -- валентные зоны
Аннотация: Методом спектроскопии фотоотражения исследован спектр электронно-дырочных состояний в квантовой яме GaAs/In[0. 5]Ga[0. 5]As переменной ширины от 1. 1 до 3. 6 нм. Произведен расчет энергий уровней размерного квантования электронов и дырок с учетом деформационно-индуцированных изменений зонной структуры квантовой ямы. Показано, что наилучшее совпадение экспериментальных данных с результатами расчета достигается при отношении разрывов зон проводимости и валентной на гетеропереходе Q=Delta E[c]/Delta E[v]=0. 62/0. 38. Обнаружен сигнал фотоотражения в области тени модулирующего излучения на расстояниях до 6 мм между пятнами зондирующего и модулирующего излучений.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/03/p330-334.pdf

Доп.точки доступа:
Авакянц, Л. П.; Боков, П. Ю.; Глазырин, Е. В.; Казаков, И. П.; Червяков, А. В.

Найти похожие

535.33
Э 455

Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания / Р. А. Хабибуллин [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 9. - С. 1215-1220 : ил. - Библиогр.: с. 1219-1220 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

535.33

621.315.592

ББК 22.344 + 31.233
Рубрики: Физика
   Спектроскопия
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электрофизические свойства -- оптические свойства -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- двумерные электроны -- электроны -- спектроскопия фотоотражения -- фотоотражение -- ФО -- спектры фотоотражения -- электрические поля -- напряженность поля -- зонные структуры -- барьерные слои -- фотолюминесценция -- спектры фотолюминесценции -- подвижность электронов -- диффузия -- сегрегация
Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращена серия гетероструктур с разной глубиной залегания квантовой ямы и приблизительно одинаковой концентрацией двумерных электронов. На основании данных спектроскопии фотоотражения относительно напряженности встроенного электрического поля в образцах проведен расчет зонной структуры для области квантовой ямы. Обнаружено, что максимальная подвижность двумерных электронов mu[e] достигается в образце с толщиной барьерного слоя L[b]=11 нм. Из спектров фотолюминесценции и расчетов зонной структуры образцов установлено, что при приближении квантовой ямы к поверхности происходит пространственное уширение профиля легирования из-за процессов диффузии и сегрегации. Объяснена немонотонность зависимости mu[e] от глубины залегания квантовой ямы.
The series of AlGaAs/InGaAs/AlGaAs heterostructures with different distances between the surface and quantum well and approximately the same concentration of electrons have been grown by means of molecular-beam epitaxy. The built-in electric field was estimated from the photo reflectance data. The band structures of samples under investigation have been calculated. It is established that maximum of carrier mobility mu[e] is achieved in the sample with the barrier thickness L[b] = 11 nm. From the photoluminescence measurements and the band structure calculation it is shown that the broadening of doping profile is connected with the diminution of the distance between the surface and the quantum well due to diffusion and segregation. The non monotonous dependence of mu[e] from the distance between the surface and the quantum well has been explained.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/09/p1215-1220.pdf

Доп.точки доступа:
Хабибуллин, Р. А.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Пономарев, Д. С.; Васильевский, И. С.; Кульбачинский, В. А.; Боков, П. Ю.; Авакянц, Л. П.; Червяков, А. В.; Мальцев, П. П.; Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва); Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)