Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=газофазная эпитаксия<.>)

Общее количество найденных документов : 44
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-44

Гребенщикова, Е. А.
InAs/InAsSbP светоизлучающие структуры, выращенные методом газофазной эпитаксии [Текст] / Е. А. Гребенщикова, Н. В. Зотова [и др.] // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N9. - Библиогр.: с.60 (16 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
газофазная эпитаксия -- светодиоды -- гетероструктура
Аннотация: Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений изготовлены светодиоды на основе двойной гетероструктуры InAs/InAsSbP, работающие в диапазоне длин волн 3.3 мкм. Внешний квантовый выход диодов составил 0.7%. В лазерных диодах получено стимулированное излучение на длине волны 3.04 мкм при Т=77К

Доп.точки доступа:
Зотова, Н.В.; Кижаев, С.С.; Молчанов, С.С.; Яковлев, Ю.П.

Найти похожие

548.522:539.216.22:621.315.592
И 257

Ивонин, И. В.
Взаимодействие ступеней роста на поверхности эпитаксиальных слоев InAs при газофазной эпитаксии [Текст] / И. В. Ивонин, Л. Л. Девятьярова, Л. Г. Лаврентьева, Г. А. Александрова // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N6. - Библиогр.: с.93 (7 назв.) . - ISSN 0021-3411

УДК

548.522:539.216.22:621.315.592

Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
арсенид индия -- газофазная эпитаксия -- ростовые поверхности -- эпитаксиальные пленки
Аннотация: С применением электронной микроскопии исследовано влияние концентрации ростовых компонентов в газовой фазе на структуру сингулярных, вицинальных и несингулярных ростовых поверхностей эпитаксиальных слоев InAs, выращенных в системе In-AsCl[3]-H[2]. Установлено, что среднее растояние lambda между ступенями в эшелоне увеличивается при возрастании входного давления P[AsCl[3]] в диапазоне 70-700 Па с последующим выходом на постоянное значение lambda при P[AsCl[3]]>700 Па. Наблюдаемые зависимости lambda (P[AsCl[3]]) объяснены в рамках модели, предполагающей диффузионное взаимодействие ступеней

Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics

Доп.точки доступа:
Девятьярова, Л.Л.; Лаврентьева, Л.Г.; Александрова, Г.А.

Найти похожие

621.3
Д 797

Дубровский, В. Г.
О влиянии условий осаждения на морфологию нитевидных нанокристаллов [Текст] / В. Г. Дубровский, И. П. Сошников [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 7. - С. 888-896 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- морфология нанокристаллов -- рост нанокристаллов -- осаждение материала -- газофазная эпитаксия -- высоковакуумное напыление
Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования влияния условий осаждения на морфологические свойства нитевидных нанокристаллов в различных ростовых технологиях. Получены зависимости длины кристаллов от их радиуса, температуры, скорости осаждения, плотности и среднего размера капель - катализаторов роста. Определены значения эффективной диффузионной длины адатома на поверхности подложки в различных режимах роста. Теоретические зависимости длины нитевидных нанокристаллов от радиуса и ростовой температуры поверхности подтверждены экспериментальными данными, полученными для кристаллов GaAs, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности GaAs (111) B, активированной Au.

Доп.точки доступа:
Сошников, И. П.; Сибирев, Н. В.; Цырлин, Г. Э.; Устинов, В. М.; Tchernycheva, М.; Harmand, J. C.

Найти похожие

621.315.592
Л 847

Лундин, В. В.
Влияние водорода на анизотропию скорости роста p-GaN при газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на стенках мезаполосков [Текст] / В. В. Лундин, А. Е. Николаев, А. В. Сахаров, А. Ф. Цацульников // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 2. - С. 233-238 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
анизотропия скорости роста -- газофазная эпитаксия -- металлорганические соединения -- мезаполоски -- GaN -- сапфировые подложки
Аннотация: Исследовано влияние состава газа-носителя на анизотропию скоростей роста p-GaN при селективной газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Слои p-GaN номинальной толщиной ~400 нм выращивались на гранях GaN мезаполосков, предварительно сформированных локальной эпитаксией в полосковых окнах в Si[3]N[4].

Доп.точки доступа:
Николаев, А. Е.; Сахаров, А. В.; Цацульников, А. Ф.

Найти похожие

621.315.592
Д 754

Дроздов, М. Н.
Фотолюминесценция с длиной волны до 1. 6 мкм в квантовых точках с увеличенной эффективной толщиной слоя InAs [Текст] / М. Н. Дроздов, Н. В. Востоков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 3. - С. 303-310 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
газофазная эпитаксия -- квантовые точки -- релаксированные кластеры -- фотоприемники -- фотолюминесценция
Аннотация: Методом металлорганической газофазной эпитаксии изготовлены многослойные гетероструктуры InAs/GaAs с квантовыми точками, демонстрирующие фотолюминесценцию в диапазоне 1. 55 мкм при 300 K. Особенностью процесса роста является использование повышенной эффективности толщины слоя InAsd[eff] для формирования квантовых точек в сочетании с низкотемпературным заращиванием их тонким (6 нм) слоем GaAs и со стадией отжига дефектов. Методами рентгеновской дифракции и фотолюминесценции в структурах с повышенной толщиной d[eff] показано возникновение вторичного смачивающего слоя InGaAs поверх слоя квантовых точек из растворенных крупных релаксированных кластеров InAs при отжиге. Предложен новый механизм формирования крупных квантовых точек с большим значением "aspect ratio", основанный на 2D-3D трансформации вторичного слоя InGaAs в поле упругих напряжений ранее сформированных квантовых точек. Особенностью массива квантовых точек является наличие трех популяций квантовых точек разных размеров с многомодовой фотолюминесценцией в диапазоне от 1 до 1. 6 мкм. Исследуется применение таких структур в качестве фотоприемников на инфракрасный диапазон 1-2. 5 мкм при комнатной температуре.

Доп.точки доступа:
Востоков, Н. В.; Данильцев, В. М.; Дроздов, Ю. Н.; Молдавская, Л. Д.; Мурель, А. В.; Шашкин, В. И.

Найти похожие

621.315.592
У 760

Усов, С. О.
Энергетические характеристики экситонов в структурах на основе твердых растворов InGaN [Текст] / С. О. Усов, А. Ф. Цацульников [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 6. - С. 736-741 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
экситоны -- энергия Урбаха -- Урбаха энергия -- фотоны -- энергия фотона -- наногетероструктуры -- InGaN -- газофазная эпитаксия -- металлорганические соединения
Аннотация: Проведено исследование образцов, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, которые содержат ультратонкие слои InGaN, излучающие в спектральном интервале от ультрафиолетового до желтого диапазонов. Определены энергия Урбаха, энергии локализации экситонов и активации носителей заряда, которые характеризуют излучательные и безызлучательные процессы в квантовых точках и барьерах исследуемых структур. Показано, что значения этих энергетических параметров линейно зависят от энергии фотона в диапазоне от 3. 05 до 2. 12 эВ. Установлено, что изменение интенсивности излучения в зависимости от температуры связано с увеличением числа термически активированных носителей, уходящих из квантовых ям в барьеры, а также с увеличением процессов рассеяния свободных экситонов на дефектах.

Доп.точки доступа:
Цацульников, А. Ф.; Лундин, В. В.; Сахаров, А. В.; Заварин, Е. Е.; Синицын, М. А.; Леденцов, Н. Н.

Найти похожие

621.315.592
А 852

Арсентьев, И. Н.
Свойства барьерных контактов к InP с наноразмерными слоями TiB[x] [Текст] / И. Н. Арсентьев, А. В. Бобыль [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 7. - С. 793-798 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
многослойные барьерные структуры -- наноразмерные слои -- пористые подложки -- газофазная эпитаксия -- магнетронное распыление -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер
Аннотация: Исследованы структурные и электрические свойства многослойных барьерных структур Au-TiB[х]-nn\{+\}n\{++\}-InP и TiB[x]-nn\{+\}n\{++\}-InP на стандартных ("жестких") и пористых ("мягких") подложках n\{++\}-InP. Полупроводниковые слои были изготовлены методом газофазной эпитаксии, металлические - магнетронным распылением, а пористые подложки - электрохимическим травлением стандартного InP. Образцы на пористых подложках имеют преимущества по следующим параметрам: токи утечек обратной ветви вольт-амперной характеристики меньше в 10 раз; на порядок больше диапазон экспоненциального роста тока на прямой ветви; при изменении площади контакта в 100 раз изменение фактора идеальности и высоты барьера Шоттки соответственно в 3 и ~ 10 раз меньше; более стабильная структура слоев при отжигах до 800 градусов C.

Доп.точки доступа:
Бобыль, А. В.; Тарасов, И. С.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Беляев, А. Е.; Камалов, А. Б.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Литвин, О. С.; Миленин, В. В.; Руссу, Е. В.

Найти похожие

Oптический мониторинг параметров технологических процессов в условиях металлоорганической газофазной эпитаксии [Текст] / П. В. Волков [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 8. - С. 5-10

УДК

^a681.7

ББК 22.341
Рубрики: Физика
Экспериментальные методы и аппаратура оптики
Кл.слова (ненормированные):
низкокогерентная тандемная интерферометрия -- полупроводниковые подложки -- газофазная эпитаксия -- оптический коррелометр -- арсенид галлия -- кремний -- сапфировые подложки
Аннотация: Впервые продемонстрированы возможности низкокогерентной тандемной интерферометрии для оптического мониторинга температуры полупроводниковой подложки и толщины наращиваемого слоя в условиях металлоорганической газофазной эпитаксии. Абсолютная точность измерений температуры подложек Si, GaAs и сапфира в условиях металлоорганической газофазной эпитаксии ограничена точностью калибровки и составляет плюс минус 1градусов С. Погрешность измерения толщины наращиваемого слоя - 2 нм.

Доп.точки доступа:
Волков, П. В.; Горюнов, А. В.; Данильцев, В. М.; Лукьянов, А. Ю.; Пряхин, Д. А.; Тертышник, А. Д.; Хрыкин, О. И.; Шашкин, В. И.

Найти похожие

Газофазная эпитаксия нитрида алюминия из триметилалюминия и молекулярного азота [Текст] / В. В. Лундин [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 21. - С. 7-14 . - ISSN 0320-0116

УДК

^a536.22/.23

ББК 22.365
Рубрики: Физика
Газы и жидкости
Кл.слова (ненормированные):
газофазная эпитаксия -- нитриды алюминия -- триметилалюминий -- молекулярный азот
Аннотация: Исследован пиролиз триметилалюминия в реакторе газофазной эпитаксиальной установки в азот-содержащей атмосфере. Показано, что при наличии нитрид-галлиевых покрытий в реакторе продуктом пиролиза триметилалюминия в азот-водородной атмосфере является нитрид алюминия. Данным методом (без введения аммиака в реактор) выращены совершенные эпитаксиальные слои нитрида алюминия.

Доп.точки доступа:
Лундин, В. В.; Заварин, Е. Е.; Синицын, М. А.; Яговкина, М. А.; Цацульников, А. Ф.

Найти похожие

10.

Разъединенный гетеропереход II-типа GaSb[1-x]As[x]/InAs (x) : эволюция зонной энергетической диаграммы тройного твердого раствора [Текст] / В. В. Романов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 12. - С. 1434-1438

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
твердые растворы -- гетеропереходы -- GaSb[1-x]As[x] -- InAs -- газофазная эпитаксия
Аннотация: Слои твердого раствора GaSb[1-x]As[x] в диапазоне содержания мышьяка от x=0. 06 до 0. 15 были впервые выращены на подложках InAs (100) методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Предложен новый подход к расчету зонной энергетической диаграммы твердого раствора GaSbAs. На основе измерений магнитотранспорта гетероструктур p-GaSbAs/p-InAs и предложеного авторами расчета зонных энергетических диаграмм твердых растворов в системе GaSbAs было установлено, что гетеропереход GaSbAs/InAs в исследуемом интервале составов является разъединенным гетеропереходом II типа.

Доп.точки доступа:
Романов, В. В.; Моисеев, К. Д.; Воронина, Т. И.; Лагунова, Т. С.; Яковлев, Ю. П.

Найти похожие

11.

Здоровейщев, А. В.
Влияние периодического прерывания роста квантовых точек InAs/GaAs на их морфологию и оптоэлектронные спектры в методе газофазной эпитаксии при атмосферном давлении [Текст] / А. В. Здоровейщев, П. Б. Демина, Б. Н. Звонков // Письма в журнал технической физики. - 2009. - Т. 35, вып: вып. 2. - С. 15-20 . - ISSN 0320-0116

УДК

^a530.145

ББК 22.314
Рубрики: Физика
Квантовая механика
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- оптоэлектронные спектры -- газофазная эпитаксия -- атмосферное давление
Аннотация: Модифицирован режим роста квантовых точек газофазной эпитаксией из металлорганических соединений при атмосферном давлении. В отличие от стандартного режима роста время периодического прерывания подачи триметилиндия и арсина в реактор было увеличено и варьировалось в диапазоне от 4 до 18 s.

Доп.точки доступа:
Демина, П. Б.; Звонков, Б. Н.

Найти похожие

12.

Жиляев, Ю. В.
Рост слоев нитрида галлия методом хлоридной газофазной эпитаксии при пониженной температуре источника [Текст] / Ю. В. Жиляев, С. Н. Родин // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 9. - С. 11-16 : ил. - Библиогр.: с. 16 (3 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
галлий -- нитрид галлия -- нитридные слои -- рост слоев -- газофазная эпитаксия -- хлоридная газофазная эпитаксия -- метод хлоридной газофазной эпитаксии -- подложки сапфира -- пониженные температуры -- морфология поверхности -- дифрактометрия -- рентгеновская дифрактометрия -- трехкристальная рентгеновская дифрактометрия -- фотолюминесцентные свойства -- кристаллическое состояние -- источники (физика) -- газовые фазы
Аннотация: Методом хлоридной газофазной эпитаксии получены слои нитрида галлия на подложке сапфира при температуре источника Ga от 890 до 600{o}C. Все слои прозрачные, имеют гладкую морфологию поверхности. Структурное качество оценивалось по измерению полуширины кривой качания отражения в случае трехкристальной рентгеновской дифрактометрии, которая для лучших образцов составляет 8 arcmin. Данные по зависимости фотолюминесцентных свойств и кристаллического совершенства GaN от температуры галлиевого источника продемонстрировали, что снижение температуры источника вплоть до 600{o}C не влияет существенным образом на процесс роста нитрида галлия, несмотря на существенное изменение состава газовой фазы - соотношения GaCl и GaCl[3].

Доп.точки доступа:
Родин, С. Н.

Найти похожие

13.

Нитрид алюминия на кремнии: роль промежуточного SiC слоя и технологии хлоридной газофазной эпитаксии [Текст] / В. Н. Бессолов [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 11. - С. 17-23 : ил. - Библиогр.: с. 23 (13 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
экспериментальные исследования -- кремний -- алюминий -- нитрид алюминия -- тонкие слои -- газофазная эпитаксия -- хлоридная газофазная эпитаксия -- метод хлоридной газофазной эпитаксии -- кремниевые подложки -- формирование слоев -- волнообразные выпуклые полосы -- блочные структуры -- волнообразные структуры -- образование структур -- морфологическая неустойчивость -- послойные механизмы -- рентгеновская дифракция
Аннотация: Предложен и экспериментально реализован новый подход к созданию методом хлоридной газофазной эпитаксии слоев AlN толщиной ~0. 1-10 mum на кремниевой подложке за счет формирования промежуточных тонких 3C-SiC слоев (100 nm). Обнаружено, что на поверхности слоя AlN присутствуют волнообразные выпуклые полосы высотой порядка 40 nm, которые расположены в местах формирования блочной структуры слоя. Предполагается, что образование этих волнообразных структур вызвано морфологической неустойчивостью слоев AlN, возникающей в связи с ускоренным ростом в области границ блоков. Экспериментально доказано, что при низких скоростях слои AlN растут посредством послойного (quasi-2D) механизма, который позволяет получить слои AlN с полуширинами кривой качания рентгеновской дифракции (0002) omega[theta]=2100 arcsec.

Доп.точки доступа:
Бессолов, В. Н.; Жиляев, Ю. В.; Коненкова, Е. В.; Сорокин, Л. М.; Феоктистов, Н. А.; Шарофидинов, Ш.; Щеглов, М. П.; Кукушкин, С. А.; Метс, Л. И.; Осипов, А. В.

Найти похожие

14.

Определение фрактальной размерности поверхности эпитаксиального n-GaAs в локальном пределе [Текст] / Н. А. Торхов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 1. - С. 38-47 . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовая микроскопия -- эпитаксиальный слой -- метод триангуляции -- профиль поверхности -- броуновские поверхности -- газофазная эпитаксия
Аннотация: Исследования методом атомно-силовой микроскопии подготовленных для нанесения барьерного контакта поверхностей эпитаксиального n-GaAs показали, что основной рельеф таких поверхностей характеризуется шероховатостью в пределах 3-15 нм, хотя наблюдаются "выбросы" до 30-70 нм. С использованием трех независимых методов определения пространственной размерности поверхности, основанных на фрактальном анализе поверхности (метод триангуляции), контура ее сечения в горизонтальной плоскости и вертикального сечения (профиля поверхности) показано, что рабочая поверхность эпитаксиального n-GaAs удовлетворяет всем основным закономерностям поведения фрактальных броуновских поверхностей и в локальном приближении может характеризоваться величиной фрактальной размерности D[f], несколько различающейся для различных измерительных масштабов. Показано, что реальная площадь поверхности эпитаксиального n-GaAs может значительно (на порядок и более) превышать площадь видимого контактного окна.

Доп.точки доступа:
Торхов, Н. А.; Божков, В. Г.; Ивонин, И. В.; Новиков, В. А.

Найти похожие

15.

Дисковые WGM-лазеры (ламбда=3. 0 мкм) на основе InAs/InAsSbP-гетероструктур, работающие в непрерывном режиме [Текст] / Н. С. Аверкиев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 1. - С. 124-127 . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
WGM-лазеры -- инфракрасные полупроводниковые WGM-лазеры -- газофазная эпитаксия -- гетероструктуры -- металлорганические соединения
Аннотация: Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений созданы инфракрасные полупроводниковые WGM-лазеры на длину волны 3. 04 мкм на основе InAs/InAsSbP-гетероструктур, работающие в непрерывном режиме. Изучены спектры излучения в интервале температур от 77 до 125 К. Лазеры имеют пороговый ток 25 мА при температуре 77 К. Созданные WGM-лазеры работают также в импульсном режиме до 125 К. Обнаружено существенное расширение динамического диапазона работы дисковых лазеров вплоть до токов, превышающих пороговый в 200 раз.

Доп.точки доступа:
Аверкиев, Н. С.; Астахова, А. П.; Гребенщикова, Е. А.; Ильинская, Н. Д.; Калинина, К. В.; Кижаев, С. С.; Кислякова, А. Ю.; Монахов, А. М.; Шерстнев, В. В.; Яковлев, Ю. П.

Найти похожие

16.

Дубровский, В. Г.
Нелинейные эффекты при росте полупроводниковых нитевидных нанокристаллов [Текст] / В. Г. Дубровский, Н. В. Сибирев, М. А. Тимофеева // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1267-1274 : ил. - Библиогр.: с. 1274 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- нелинейные эффекты -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- эффект Гиббса-Томсона -- Гиббса-Томсона эффект -- адсорбция -- ПЖК -- диффузия -- поверхностная диффузия -- адатомы -- осаждение -- пар-жидкость-кристалл
Аннотация: Развита кинетическая модель роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов по механизму "пар-жидкость-кристалл" за счет адсорбции из газообразной среды и поверхностной диффузии адатомов. Получено нелинейное уравнение для скорости роста нитевидного нанокристалла в стационарном режиме с учетом эффекта Гиббса-Томсона в капле. Показано, что в зависимости от условий процесса осаждения, радиуса кристалла и его начальной длины возможны шесть принципиально различных режимов роста, что связано с квадратичной нелинейностью уравнения роста. При заданных условиях осаждения длина нитевидного нанокристалла либо неограниченно увеличивается, либо стремится к некоторому конечному (в некоторых случаях нулевому) пределу.

Доп.точки доступа:
Сибирев, Н. В.; Тимофеева, М. А.

Найти похожие

17.

Дубровский, В. Г.
Полупроводниковые нитевидные нанокристаллы: синтез, свойства, применения [Текст] : обзор / В. Г. Дубровский, Г. Э. Цырлин, В. М. Устинов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 12. - С. 1585-1628 : ил. - Библиогр.: с. 1625-1628 (176 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- полупроводниковые нитевидные нанокристаллы -- выращивание нанокристаллов -- рост нанокристаллов -- структура нанокристаллов -- эффект Гиббса-Томсона -- Гиббса-Томсона эффект -- пар-жидкость-кристалл -- ПЖК -- эпитаксия -- селективная эпитаксия -- физические свойства -- нанофотоника -- наноэлектроника -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- нанобиотехнологии -- обзоры -- синтез нанокристаллов -- свойства нанокристаллов -- применение нанокристаллов -- кристаллическая структура нанокристаллов -- пар-кристалл-кристалл -- ПКК -- нуклеация -- поверхностная диффузия -- релаксация упругих напряжений -- температурная зависимость -- морфологические свойства -- магнитные свойства -- эмиттеры -- полевые эмиттеры -- фотоэлектрические преобразователи -- ФЭП -- наносенсоры
Аннотация: Дан обзор современных результатов исследований полупроводниковых нитевидных нанокристаллов. Изложены физические основы выращивания нитевидных нанокристаллов по механизму "пар-жидкость-кристалл" и представлены основные эпитаксиальные технологии синтеза нитевидных нанокристаллов. Детально рассмотрены термодинамические и кинетические факторы, определяющие морфологические свойства, состав и кристаллическую структуру нитевидных нанокристаллов. Изложены основные теоретические модели роста и структуры нитевидных нанокристаллов. Приведены данные по физическим свойствам нитевидных нанокристаллов и возможностям их применений в нанофотонике, наноэлектронике и нанобиотехнологии.

Доп.точки доступа:
Цырлин, Г. Э.; Устинов, В. М.

Найти похожие

18.

Электролюминесценция в гетероструктурах II типа p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p (n) -GaSb с глубокими квантовыми ямами на гетерогранице [Текст] / М. П. Михайлова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 69-74 : ил. - Библиогр.: с. 74 (25 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры 2 типа -- p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p (n) -GaSb -- квантовые ямы -- КЯ -- асимметричные гетероструктуры -- электролюминесцентные характеристики -- электролюминесценция -- ЭЛ -- гетерограницы -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- метод газофазной эпитаксии -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- спектры электролюминесценции -- металлоорганические соединения -- фотоны -- положительная люминесценция -- отрицательная люминесценция -- светодиоды -- фотодиоды -- ИК-спектры
Аннотация: Исследованы люминесцентные характеристики асимметричных гетероструктур II типа p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p-GaSb с глубокими квантовыми ямами на гетерогранице, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Интенсивная положительная и отрицательная люминесценция наблюдалась в интервале энергий фотонов 0. 3-0. 4 эВ при прямом и обратном смещении соответственно. Изучены зависимости спектров и интенсивности для положительной и отрицательной люминесценции от тока накачки, а также температуры в диапазоне 77-380 K. Установлено, что при температуре свыше 75{o}C отрицательная люминесценция превосходит по интенсивности положительную люминесценцию на 60%. Предложенные гетероструктуры могут быть использованы в качестве светодиодов (фотодиодов) с переключаемой положительной и отрицательной люминесценцией в среднем ИК-спектральном диапазоне 3-4 мкм.

Доп.точки доступа:
Михайлова, М. П.; Иванов, Э. В.; Моисеев, К. Д.; Яковлев, Ю. П.; Hulicius, E.; Hospodkova, A.; Pangrac, J.; Simecek, T.

Найти похожие

19.

Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов [Текст] / В. В. Лундин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 126-129 : ил. - Библиогр.: с. 128-129 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
светодиоды -- реакторы -- давление -- активная область структур -- InGaN/GaN -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- метод газофазной эпитаксии -- металлоорганические соединения -- электролюминесценция -- ЭЛ -- электролюминесцентные свойства -- структурные свойства -- трансформация -- слои -- излучения -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- спектры электролюминесценции -- квантовые ямы -- КЯ
Аннотация: Исследовано влияние давления в реакторе при росте активных областей InGaN/GaN светодиодов методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на их электролюминесцентные и структурные свойства. Показано, что при увеличении давления происходит трансформация слоев InGaN от сплошных в латеральном направлении к слоям изолированных InGaN-островков. Данная трансформация влияет как на эффективность излучения, так и на зависимость эффективности от тока.

Доп.точки доступа:
Лундин, В. В.; Заварин, Е. Е.; Синицын, М. А.; Сахаров, А. В.; Усов, С. О.; Николаев, А. Е.; Давыдов, Д. В.; Черкашин, Н. А.; Цацульников, А. Ф.

Найти похожие

20.

Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана (lambda~3. 3 мкм) [Текст] / А. П. Астахова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 278-284 : ил. - Библиогр.: с. 284 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
светодиоды -- двойные гетероструктуры -- InAs/InAsSbP -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- метод газофазной эпитаксии -- металлоорганические соединения -- подложки -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- электролюминесцетные характеристики -- светоизлучающие кристаллы -- чипы -- эпитаксиальные слои -- спектральные характеристики -- инжекция -- квантовая характеристика -- квантовая эффективность -- излучательная рекомбинация -- квантовый выход -- длина волны -- мощные светодиоды -- светоизлучающие структуры -- оптическая мощность -- квазинепрерывный режим
Аннотация: Исследованы два типа конструкций светодиодов на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на подложках p- и n-InAs. Изучены вольт-амперные и электролюминесцетные характеристики созданных светодиодов. Показано, что конструкция светодиода со светоизлучающим кристаллом (чипом), смонтированным эпитаксиальным слоем к корпусу прибора и выводом излучения через подложку n-InAs, обеспечивает лучший отвод тепла и, как следствие, устойчивость спектральных характеристик при увеличении тока инжекции и более высокую квантовую эффективность излучательной рекомбинации. Внутренний квантовый выход светоизлучающих структур с длиной волны lambda=3. 3-3. 4 мкм достигал величины 22. 3%. Оптическая мощность излучения светодиодов в квазинепрерывном режиме составляла 140 мкВт при токе 1 А, а в импульсном режиме достигала значения 5. 5 мВт при токе 9 А.

Доп.точки доступа:
Астахова, А. П.; Головин, А. С.; Ильинская, Н. Д.; Калинина, К. В.; Кижаев, С. С.; Серебренникова, О. Ю.; Стоянов, Н. Д.; Horvath, Zs. J; Яковлев, Ю. П.

Найти похожие

1-20 21-40 41-44

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)