Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
аморфные пленки -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- электрические поля -- сильные электрические поля -- электропроводность -- напряженность поля
Аннотация: Исследовано влияние напряженности электрического поля и температуры на электропроводность аморфных тонких пленок халькогенидных соединений. Показано, что при напряженности электрического поля, превышающей 10{4} В/см, ток растет экспоненциально с увеличением напряжения. При этом энергия активации температурной зависимости проводимости уменьшается с ростом напряженности электрического поля. На основе допущения о доминирующем влиянии на проводимость роста концентрации носителей заряда с увеличением напряженности поля предложена модель, которая удовлетворительно объясняет экспериментальные результаты. В качестве характеристических параметров модели использована эффективная подвижность носителей заряда ~10{-2} см{2}/ (Вхс) и характеризующая влияние электрического поля длина активации ~ (10-30) нм.

Доп.точки доступа:
Козюхин, С. А.

Найти похожие

Богословский, Н. А.
Нелинейность вольт-амперных характеристик халькогенидных стеклообразных полупроводников, обусловленная многофононной туннельной ионизацией U-минус центров [Текст] / Н. А. Богословский, К. Д. Цэндин // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1378-1382 : ил. - Библиогр.: с. 1382 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- многофононная туннельная ионизация -- МТИ -- U-минус центры -- электрические поля -- сильные электрические поля -- нелинейность -- проводимость -- электроны проводимости -- туннелирование -- изотермическая вольт-амперная характеристика
Аннотация: Рассмотрено поведение U-минус центров в сильных электрических полях. Показано, что многофононная туннельная ионизация U-минус центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках приводит к существенному увеличению числа электронов проводимости и, как следствие, к сильной нелинейности вольт-амперной характеристики. Данный механизм нелинейности хорошо объясняет экспериментально наблюдаемую вольт-амперную характеристику халькогенидных стеклообразных полупроводников, используемых в настоящее время в качестве ячеек памяти.

Доп.точки доступа:
Цэндин, К. Д.

Найти похожие

Проводимость слоев халькогенидного стеклообразного полупроводника Ge[2]Sb[2]Te[5] в сильных электрических полях [Текст] / Э. А. Лебедев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1383-1386 : ил. - Библиогр.: с. 1385-1386 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- слои (физика) -- Ge[2]Sb[2]Te[5] -- электрические поля -- сильные электрические поля -- проводимость -- ток -- ток ограниченный пространственными зарядами -- ТОПЗ -- напряжения -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- ионизация -- локальные центры
Аннотация: Изучено влияние сильных электрических полей на проводимость слоев толщиной 0. 5-1 мкм халькогенидного стеклообразного полупроводника состава Ge[2]Sb[2]Te[5], который используется для ячеек фазовой памяти. Установлено, что в сильных полях проявляются зависимость тока I от напряжения U вида I пропорционально U{n} с показателем степени n~2, связанная с токами, ограниченными пространственным зарядом, и зависимость проводимости sigma от поля F вида sigma=sigma[0]exp (F/F[0]), где F[0]=6x104 Bxсм{-1}, обусловленная ионизацией локальных центров. Определенное из величины токов значение подвижности составляет 10{-3}-10{-2} см{2}/Bxc.

Доп.точки доступа:
Лебедев, Э. А.; Козюхин, С. А.; Константинова, Н. Н.; Казакова, Л. П.

Найти похожие

Джалилов, Н. З.
Инжекционные токи в аморфных твердых растворах системы Se-S [Текст] / Н. З. Джалилов, Г. М. Дамиров // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1521-1525 : ил. - Библиогр.: с. 1524-1525 (25 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
твердые растворы -- аморфные твердые растворы -- Se[1-x]S[x] -- селен-сера -- инжекционные токи -- монополярная инжекция -- ток ограниченный пространственными зарядами -- ТОПЗ -- халькогенидные полупроводники -- ХСП -- ловушки -- ловушечный квадратичный закон -- ЛКЗ -- селен -- заряды -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- дефекты -- сера
Аннотация: В результате проведенных исследований вольт-амперных характеристик аморфных пленочных образцов системы Se[1-x]S[x] (x=0, 0. 05, 0. 1, 0. 2, 0. 3, 0. 4, 0. 5) установлено, что перенос носителей заряда в исследованных образцах осуществляется по механизму токов монополярной инжекции, ограниченных пространственными зарядами при участии двух групп ловушек захвата: мелких (E[t1]), соответствующих заряженным собственным дефектам C[1]{-}, обусловленных оборванными связями в селене; глубоких E[t2], соответствующих также заряженным собственным дефектам C[3]{+} в селене. Показано, что изменение состава системы Se-S сильно влияет как на механизм транспорта зарядов, так и на параметры ловушек - на их энергетические положения и концентрации.

Доп.точки доступа:
Дамиров, Г. М.

Найти похожие

Перенос носителей зарядов в пленках халькогенидного стеклообразного полупроводника состава Ge[20]As[20]S[60] [Текст] / Л. П. Казакова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 79-81 : ил. - Библиогр.: с. 81 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- носители зарядов -- пленки -- Ge[20]As[20]S[60] -- измерение времени пролета -- метод измерения времени пролета -- инжекция -- перенос носителей зарядов -- электроны -- дырки -- дисперсионный перенос -- проводимость -- валентные зоны -- экспоненциальный закон
Аннотация: Проведено исследование переноса носителей заряда в пленках состава Ge[20]As[20]S[60] методом измерения времени пролета в режиме слабой инжекции при комнатной температуре. Получено, что значения дрейфовых подвижностей электронов и дырок в пленках Ge[20]As[20]S[60] близки: mu[e]~mu[h]~ 2 x 10{-3} см{2}В{-1}с{-1} при T=295 K и F=5 x 10{4} В/см. Показано, что характер зависимости фототока от времени при дрейфе носителей заряда и зависимости дрейфовой подвижности от напряжения позволяют использовать представления об аномальном дисперсионном переносе. Экспериментальные данные объяснены в модели переноса, контролируемого захватом носителей на локализованные состояния, распределение которых по энергии вблизи краев зоны проводимости и валентной зоны описывается экспоненциальным законом с характеристической энергией ~0. 05 эВ.

Доп.точки доступа:
Казакова, Л. П.; Цэндин, К. Д.; Лебедев, Э. А.; Арсова, Д.; Обухова, И. А.

Найти похожие

Двухэлектронные центры олова, образующиеся в стеклообразных халькогенидах мышьяка в результате ядерных превращений [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1012-1016 : ил. - Библиогр.: с. 1016 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
примесные атомы -- стеклообразные халькогениды мышьяка -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- материнские атомы -- ядерные превращения -- двухэлектронные центры олова -- мышьяк -- корреляционная энергия -- радиоактивный распад -- мессбауэровская спектроскопия -- мессбауэровские спектры -- ядерный квадрупольный резонанс -- ЯКР -- метод ядерного квадрупольного резонанса
Аннотация: Примесные атомы {119m}Sn, образующиеся после радиоактивного превращения материнских атомов {119mm}Sn в структуре стекол As[2]S[3], As[2]Se[3] и As[2]Te[3], входят в состав стекла в виде структурных единиц, отвечающих четырехвалентному олову. Примесные атомы {119m}Sn, образующиеся после радиоактивного распада атомов {119}Sb в структуре стекол As[2]S[3] и As[2]Se[3], локализуются в узлах мышьяка и играют роль двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией. Для стекла As[2]Te[3] аналогичным образом образующиеся атомы {119m}Sn электрически неактивны. Большая часть дочерних атомов {119m}Sn, образующихся после радиоактивного распада материнских атомов {119m}Te в стеклах As[2]S[3], As[2]Se[3] и As[2]Te[3], находится в узлах халькогенидов, и они электрически неактивны. Значительная энергия отдачи дочерних атомов в случае распада {119m}Te приводит к появлению смещенных атомов {119m}Sn.

Доп.точки доступа:
Бордовский, Г. А.; Гладких, П. В.; Кожокарь, М. Ю.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П.; Теруков, Е. И.

Найти похожие

Особенности механизма переноса заряда в структурах на основе тонких слоев триселенида мышьяка, модифицированных висмутом [Текст] / Н. И. Анисимова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1038-1041 : ил. - Библиогр.: с. 1041 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
тонкие слои -- As[2]Se[3] -- триселенид мышьяка -- носители заряда -- НЗ -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- висмут -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- перенос заряда -- электронные процессы -- контактная емкость -- локализованные состояния -- контактные области -- аккумуляция зарядов
Аннотация: Проведено исследование влияния количества вводимой примеси висмута на процессы переноса и накопления заряда в аморфных слоях As[2]Se[3]. Обнаружена связь между релаксационными процессами переноса и изменением внутренней структуры исследуемых материалов. В изученных слоях определены физические параметры, характеризующие протекающие электронные процессы: контактная емкость, плотность локализованных состояний, ответственных за аккумуляцию зарядов в контактной области, постоянная зарядка контактной области, подвижность носителей зарядов. Обсуждаются механизмы наблюдаемых эффектов.

Доп.точки доступа:
Анисимова, Н. И.; Бордовский, В. А.; Грабко, Г. И.; Кастро, Р. А.

Найти похожие

621.315.592
М 533

Мессбауэровские исследования двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией в кристаллических и аморфных полупроводниках [Текст] / Г. А. Бордовский [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 1. - С. 3-23 : ил. - Библиогр.: с. 21-23 (70 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2^V3

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
мессбауэровские исследования -- эмиссионная мессбауэровская спектроскопия -- донорные центры (физика) -- халькогениды свинца -- свинец -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- корреляционная энергия -- результаты исследований -- пространственная неоднородность -- полуметаллические металлоксиды меди -- медь -- электронная плотность -- кристаллические решетки -- фазовые переходы -- металлоксиды меди -- аморфные полупроводники -- кристаллические полупроводники -- олово -- мышьяк -- германий
Аннотация: Обсуждаются результаты исследования донорных U{-}-центров олова и германия в халькогенидах свинца методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии. Рассмотрены литературные данные по идентификации амфотерных U{-}-центров олова в стеклообразных бинарных халькогенидах мышьяка и германия с использованием эмиссионной мессбауэровской спектроскопии, а также в многокомпонентных халькогенидных стеклах с использованием метода абсорбционной мессбауэровской спектроскопии. Анализируются литературные данные по идентификации двухатомных U{-}-центров меди в решетках полуметаллических металлооксидов меди методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии. Приводятся литературные данные по обнаружению пространственной неоднородности бозе-конденсата в сверхпроводящих полупроводниковых и полуметаллических соединениях и по существованию корреляции между изменением электронной плотности в узлах кристаллической решетки и температурой сверхпроводящего перехода. Рассматриваются принципиальные возможности использования мессбауэровских U{-}-центров как инструмента исследования процессов бозе-конденсации электронных пар при сверхпроводящем фазовом переходе в полупроводниках и полуметаллах.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/01/p3-23.pdf

Доп.точки доступа:
Бордовский, Г. А.; Немов, С. А.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П.

Найти похожие

621.315.592
К 125

Кавецкий, Т. С.
Влияние толщины образца и дозы gamma-облучения на проявление радиационно-индуцированных оптических эффектов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках системы Ge-Sb-S [Текст] / Т. С. Кавецкий // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 4. - С. 506-509 : ил. - Библиогр.: с. 508-509 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- оптические эффекты -- радиационно-индуцированные эффекты -- сплавы -- химический состав -- gamma-облучение -- спектры оптического пропускания -- оптическое пропускание
Аннотация: Исследовано влияние толщины образца и дозы gamma-облучения на величину суммарного и статического радиационно-индуцированных оптических эффектов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках на примере сплавов системы Ge-Sb-S химического состава Ge[23. 5]Sb[11. 8]S[64. 7]. Установлено, что при сопоставимых соотношениях между дозами gamma-облучения (Phi=3. 0 и 7. 72 МГр) и толщинами образцов (d=1. 0 и 1. 7 мм) изменение дозы значительно влияет на проявление радиационно-индуцированных оптических эффектов в данных полупроводниках.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/04/p506-509.pdf

Найти похожие

10.

621.315.592
А 511

Алмасов, Н. Ж.
Инверсия знака примесной проводимости в стеклообразных пленках As[2]Se[3]:Bi, полученных двумя различными методами [Текст] / Н. Ж. Алмасов, О. Ю. Приходько, К. Д. Цэндин // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 10. - С. 1319-1321 : ил. - Библиогр.: с. 1321 (11 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
примесная проводимость -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- стеклообразные пленки -- термическое травление -- метод термического травления -- вакуум -- пленочные структуры -- легирование висмутом -- висмут -- ионно-плазменное сораспыление
Аннотация: Показано, что в пленках As[2]Se[3]: Bi[x], полученных методом термического напыления, осуществляется примесная проводимость p-типа, а в таких же пленках, полученных ионно-плазменным сораспылением в вакууме, осуществляется примесная проводимость n-типа. На основе этого предложен новый метод получения p-n-гомопереходов в пленочных структурах из халькогенидных стеклообразных полупроводников, легированных висмутом различными методами.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/10/p1319-1321.pdf

Доп.точки доступа:
Приходько, О. Ю.; Цэндин, К. Д.

Найти похожие

11.

621.315.592
Э 455

Электропроводность слоев халькогенидного стеклообразного полупроводника Se[95]As[5], содержащего примеси редкоземельных атомов EuF[3], в сильных электрических полях [Текст] / А. И. Исаев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 9. - С. 1138-1142 : ил. - Библиогр.: с. 1142 (23 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

537.311.33

ББК 31.233 + 22.379
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- электропроводность -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- токопрохождение -- редкоземельные элементы -- РЗЭ -- монополярная инжекция -- токи -- электрические поля -- пространственные заряды -- термополевая ионизация -- рекомбинация -- электроны -- дырки -- носители заряда -- локальные состояния -- примеси
Аннотация: Исследованием вольт-амперных характеристик структуры Al-Se[95]As[5] (EuF[3]) -Te установлено, что токопрохождение в нем при приложении к Te положительного потенциала осуществляется по механизму токов монополярной инжекции, ограниченных пространственным зарядом, а при обратной полярности наблюдается вольт-амперная характеристика N-типа. Показано, что при напряженностях приложенного электрического поля, превышающих 10{5} В/см, в механизме токопрохождения в исследованных структурах преобладающую роль играют процессы термополевой ионизации нейтральных и отрицательно заряженных U{-}-центров, а также процессы рекомбинации электронов и дырок, и захват носителей заряда на U{-}-центры. Определены энергетическое положение и концентрация локальных состояний, соответствующих указанным центрам и характеризующих влияние электрического поля-длина активации. Установлено, что примеси EuF[3] в основном влияют на концентрацию локальных состояний.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/09/p1138-1142.pdf

Доп.точки доступа:
Исаев, А. И.; Мехтиева, С. И.; Гарибова, С. Н.; Зейналов, В. З.

Найти похожие

12.

621.315.592
Б 746

Богословский, Н. А.
Физика эффектов переключения и памяти в халькогенидных стеклообразных полупроводниках [Текст] / Н. А. Богословский, авт. К. Д. Цэндин // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 5. - С. 577-608 : ил. - Библиогр.: с. 605-607 (161 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- электронные свойства -- структура полупроводников -- эффект памяти -- эффект переключения -- фазовые состояния -- электронные модели -- электронно-тепловое переключение -- туннельная ионизация -- модель Хуанга - Риса -- Хуанга - Риса модель -- халькогениды -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- адиабатические потенциалы -- фазовый переход -- стекло-кристалл -- экспериментальные закономерности -- фазовая память
Аннотация: Эффекты переключения и памяти в халькогенидных стеклообразных полупроводниках известны уже почти полвека. Однако до сегодняшнего дня физика этих эффектов остается неизвестной. В последнее время интерес к данному вопросу вызван интенсивными разработками элементов энергонезависимой памяти нового поколения на основе фазового перехода халькогенидное стекло-кристалл. В данной работе приведен обзор основных экспериментальных закономерностей эффектов переключения и памяти, сделан обзор и анализ моделей эффекта переключения. Рассмотрены основные характеристики элементов памяти с изменяемым фазовым состоянием и используемых материалов. На основании этого сформулированы преимущества современных элементов фазовой памяти по сравнению с элементами памяти первого поколения.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/05/p577-608.pdf

Доп.точки доступа:
Цэндин, К. Д.

Найти похожие

13.

621.315.592
Э 949

Эффект фототравления в тонких слоях халькогенидных стеклообразных полупроводников [Текст] / В. А. Данько [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 4. - С. 520-524 : ил. - Библиогр.: с. 524 (22 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2^V3

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- фототравление -- эффект фототравления -- селективные травители -- амины -- межзонные переходы -- фотостимулированный эффект -- фотолитография -- пленки
Аннотация: Обнаружен эффект фотостимулированного повышения растворимости отожженных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников в селективных травителях на основе аминов. Установлено, что скорость травления повышается при увеличении интенсивности облучения, а ее спектральная зависимость коррелирует с поглощением в пленке в области края межзонных переходов. Показано, что новый фотостимулированный эффект позволяет реализовать фотолитографический процесс (в том числе процесс интерференционной фотолитографии) на слоях халькогенидных стеклообразных полупроводников, отожженных при температуре, близкой к температуре размягчения халькогенидного стекла, путем одновременного экспонирования и селективного травления таких слоев. Обсуждается возможный механизм фототравления халькогенидных стеклообразных полупроводников.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/04/p520-524.pdf

Доп.точки доступа:
Данько, В. А.; Индутный, И. З.; Минько, В. И.; Шепелявый, П. Е.; Березнева, О. В.; Литвин, О. С.

Найти похожие

14.

621.315.592
И 851

Исаев, А. И.
Токи, ограниченные пространственными зарядами в халькогенидной стеклообразной полупроводниковой системе Se[95]As[5], содержащей примеси EuF[3] [Текст] / А. И. Исаев, С. И. Мехтиева, С. Н. Гарибова // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 12. - С. 1599-1603 : ил. - Библиогр.: с. 1603 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
носители заряда -- дырки (физика) -- структуры -- токи, ограниченные пространственными зарядами -- ТОПЗ -- пространственные заряды -- монополярная инжекция -- ловушки захвата (физика) -- собственные дефекты -- заряженные собственные дефекты -- селен -- мышьяк -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ
Аннотация: Установлено, что перенос носителей заряда (дырок) в структуре Al-Se[95]As[5] (EuF[3]) -Te осуществляется по механизму токов монополярной инжекции, ограниченных пространственными зарядами, при участии двух групп ловушек захвата: мелкие, соответствующие заряженным собственным дефектам C[1]{-}, обусловленные оборванными связями селена, и глубокие, соответствующие также заряженным собственным дефектам P[2]{-}, создаваемым атомами мышьяка с нарушенной координацией. Показано, что примесь EuF[3] сильно влияет на концентрацию ловушек захвата, причем в основном влияет на ловушки, расположенные около уровня Ферми.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/12/p1599-1603.pdf

Доп.точки доступа:
Мехтиева, С. И.; Гарибова, С. Н.

Найти похожие

15.

621.315.592
И 889

Исследование структуры аморфной полупроводниковой системы As-Se релаксационными методами [Текст] / Р. А. Кастро [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 12. - С. 1646-1651 : ил. - Библиогр.: с. 1651 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2^V3

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- структуры -- металл-диэлектрик-металл -- МДМ -- функция распределения времен релаксации -- ФРВР -- термическое испарение -- ТИ -- термоиспарение -- As-Se -- релаксационные методы (физика)
Аннотация: Представлены результаты комплексного исследования релаксации темнового тока в длинновременной области МДМ структуры на основе тонкопленочной халькогенидной системы As-Se. Оценены значения параметров, характеризующих электронные процессы, происходящие в приконтактных слоях исследуемых соединений. Обнаружено совпадение природы механизмов проводимости и накопления заряда. Вычислена функция распределения времен релаксации и установлена ее структурная чувствительность к таким технологическим факторам, как изменение стехиометрии состава и способа изготовления экспериментальных образцов.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/12/p1646-1651.pdf

Доп.точки доступа:
Кастро, Р. А.; Бордовский, В. А.; Грабко, Г. И.; Татуревич, Т. В.

Найти похожие

16.

621.315.592
К 825

Кристаллизационная способность, оптические и электрические свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников Ge[10] (Se-Te) [90] и Ge[30] (Se-Te) [70] [Текст] / С. А. Грудинкин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 11. - С. 1520-1524 : ил. - Библиогр.: с. 1524 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

535.2/.3^V3

ББК 31.233 + 22.343
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- оптические свойства -- электрические свойства -- кристаллизационная способность -- спектры пропускания -- инфракрасные области -- температурная зависимость -- электропроводность -- температура размягчения -- кристаллизация -- фазовые переходы -- кристаллическое состояние -- длина волны -- коэффициент поглощения -- сплавы
Аннотация: Синтезированы халькогенидные стеклообразные полупроводники тройной системы Ge-Se-Te по разрезам Ge[10] (Se-Te) [90] и Ge[30] (Se-Te) [70]. Исследованы кристаллизационная способность, спектры пропускания в ближней инфракрасной области спектра и температурная зависимость электропроводности полученных сплавов. Показано, что халькогенидные стеклообразные полупроводники разреза Ge[10] (Se-Te) [90] обладают меньшей температурой размягчения и кристаллизации по сравнению с полупроводниками разреза Ge[30] (Se-Te) [70]. Зарегистрировано изменение на несколько порядков электропроводности образцов при фазовом переходе из стеклообразного в кристаллическое состояние. Найдены составы халькогенидных стеклообразных полупроводников системы Ge-Se-Te, имеющие в области длин волн lambda~1. 5 мкм коэффициент поглощения <1 см{-1} и характеризующиеся термически индуцированным фазовым переходом стеклообразное-кристаллическое состояние.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/11/p1520-1524.pdf

Доп.точки доступа:
Грудинкин, С. А.; Бахарев, В. И.; Егоров, В. М.; Мелех, Б. Т.; Голубев, В. Г.

Найти похожие

17.

621.315.592
П 765

Примесные центры олова в стеклообразных халькогенидах германия [Текст] / Г. А. Бордовский [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 10. - С. 1399-1404 : ил. - Библиогр.: с. 1403 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

544^V3

ББК 31.233 + 24.5
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Химия
   Физическая химия в целом
Кл.слова (ненормированные):
халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- халькогениды германия -- Ge -- германий -- примесные центры -- олово -- радиоактивный распад -- примесные атомы -- стеклообразные сплавы -- ионизированные состояния -- корреляционная энергия -- акцепторы -- доноры (физика) -- халькогены -- свинец -- Sn
Аннотация: Атомы олова, образующиеся после радиоактивного распада примесных атомов {119mm}Sn и {119}Sn в структуре стекол Ge[x]S[1-x] и Ge[x]Se[1-x], стабилизируются в виде ионов Sn{2+}, Sn{4+} и отвечают ионизованным состояниям амфотерного двухэлектронного центра с отрицательной корреляционной энергией (Sn{2+} является ионизованным акцептором, а Sn{4+} - ионизованным донором), тогда как нейтральное состояние центра Sn{3+} оказывается нестабильным. Атомы {119}Sn, образующиеся после радиоактивного распада примесных атомов {119m}Te в структуре стекол Ge[x]S[1-x] и Ge[x]Se[1-x], стабилизируются как в узлах халькогенов (они электрически неактивны), так и в узлах германия.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/10/p1399-1404.pdf

Доп.точки доступа:
Бордовский, Г. А.; Гладких, П. В.; Кожокарь, М. Ю.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П.; Теруков, Е. И.

Найти похожие

18.

535.2/.3
И 889

Исследование оптических параметров халькогенидной полупроводниковой системы Se-As, содержащей примеси EuF[3] [Текст] / А. И. Исаев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 8. - С. 1026-1030 : ил. - Библиогр.: с. 1029 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

535.2/.3^V3

ББК 22.343
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
оптические свойства -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- примеси фторида -- редкоземельные элементы -- показатель преломления -- экстинкция -- модель Пенна -- Пенна модель
Аннотация: Исследованием оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников состава Se[95]As[5] с различным содержанием примесей фторидов редкоземельных элементов (EuF[3]) определены такие фундаментальные параметры, как показатель преломления, коэффициент экстинкции. Зависимость этих величин от концентрации молекул EuF[3] носит немонотонный характер: малые концентрации (до 0. 25 ат%) уменьшают, а большие увеличивают их значения. Анализируя полученные результаты, а также учитывая структурные особенности халькогенидных стеклообразных полупроводников системы Se[95]As[5], т. е. наличие упорядоченных микрообластей с высоким координационным числом, отделенных друг от друга областями с пониженной атомной плотностью, сделан вывод, что оптические свойства указанной системы халькогенидных стеклообразных полупроводников можно описывать в рамках модели Пенна.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/08/p1026-1030.pdf

Доп.точки доступа:
Исаев, А. И.; Мехтиева, С. И.; Гарибова, С. Н.; Алекперов, Р. И.; Зейналов, В. З.

Найти похожие

19.

539.16
О-127

Об использовании методов позитронной аннигиляционной спектроскопии к изучению радиационно-стимулированных процессов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках / Т. С. Кавецкий [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 1. - С. 11-14 : ил. - Библиогр.: с. 13-14 (38 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.16

ББК 22.36 + 31.233
Рубрики: Физика
   Молекулярная физика в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- позитронная аннигиляционная спектроскопия -- временное распределение аннигиляционных фотонов -- ВРАФ -- аннигиляционные фотоны -- фотоны -- доплеровское уширение аннигиляционной линии -- ДУАЛ -- позитроны -- радиационно-стимулированные процессы
Аннотация: Исследованы необлученные и gamma-облученные (средняя энергия E = 1. 25 МэВ, доза Phi = 2. 41 МГр) халькогенидные стеклообразные полупроводники (ХСП) As[2]S[3] и Ge[15. 8]As[21]S[63. 2] с помощью измерений временного распределения аннигиляционных фотонов (ВРАФ) и доплеровского уширения аннигиляционной линии с энергией 0. 511 МэВ (ДУАЛ). Применялись два источника позитронов {22}Na, имеющих активности 0. 6 и 2. 0 МБк и толщины каптоновой пленки 8. 0 и 25. 0 мкм. Показано, что в данных типах ХСП обнаруженные радиационно-индуцированные изменения параметров ВРАФ находятся в пределах экспериментальной погрешности измерений. Метод ДУАЛ оказался более эффективным и точным для изучения радиационно-стимулированных процессов в ХСП.
In this work, the unirradiated and gamma-irradiated (average energy E = 1. 25MeV and accumulated dose 8 = 2. 41MGy) chalcogenide vitreous semiconductors (ChVSs) As[2]S[3] and Ge[15. 8]As[21]S[63. 2] have been investigated by means of the positron annihilation lifetime spectroscopy (PALS) and by measuring the Doppler broadening of the 0. 511MeV annihilation line (DBAL). Two {22}Na positron sources having the activity 0. 6 and 2. 0MBq and thicknesses of Kapton foil 8. 0 and 25. 0 Mum, respectively, have been applied. It has been shown that the observed radiationinduced changes of PALS parameters for the ChVSs are within experimental error of the measurements. The DBAL method is appeared to be more effective and accurate for studying the radiation-stimulated processes in ChVSs.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/01/p11-14.pdf

Доп.точки доступа:
Кавецкий, Т. С.; Цмоць, В. М.; Шауша, О.; Степанов, А. Л.; Дрогобычский государственный педагогический университет им. Ивана Франко (Украина); Дрогобычский государственный педагогический университет им. Ивана Франко (Украина); Институт физики Словацкой академии наук; Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра Российской академии наук

Найти похожие

20.

535.2/.3
Р 680

Роль заряженных дефектов в фотопроводимости халькогенидного стеклообразного полупроводника Se[95]As[5] с примесью EuF[3] / А. И. Исаев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 2. - С. 158-162 : ил. - Библиогр.: с. 161 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

535.2/.3