Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=локализованные состояния<.>)

Общее количество найденных документов : 15
Показаны документы с 1 по 15

53
Д 13

Давыдов, Д. В.
Локализованные состояния в активной области голубых светодиодов, связанные с системой протяженных дефектов [Текст] / Д. В. Давыдов, А. Л. Закгейм [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 4. - С. 11-18 . - ISSN 0320-0116

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
светодиоды -- система протяженных дефектов -- локализованные состояния
Аннотация: Представлены результаты сравнительных исследований C-V- и DLTS-методами в диапазоне температур 100-450 K и при освещении белым светом синих и голубых светодиодов (СД) на основе InGaN/GaN с разным характером организации системы протяженных дефектов (СПД) , пронизывающих активную область СД. Выявлены широкие пики E1 и E2, амплитуды которых зависели от оптической подсветки. Поведение этих пиков может быть объяснено присутствием локализованных состояний в активной области СД, связанных с СПД. Обнаруженная более высокая концентрация донорных ловушек в СД с более развитой СПД, приводящая к росту концентрации свободных носителей в квантовых ямах, экранирующих электронно-дырочное взаимодействие, может быть одной из причин в несколько раз меньших значений квантовой эффективности таких СД.

Доп.точки доступа:
Закгейм, А. Л.; Снегов, Ф. М.; Соболев, М. М.; Черняков, А. Е.; Усиков, А. С.; Шмидт, Н. М.

Найти похожие

53
Д 138

Давыдов, Д. В.
Локализованные состояния в активной области голубых светодиодов, связанные с системой протяженных дефектов [Текст] / Д. В. Давыдов, А. Л. Закгейм [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 4. - С. 11-18 . - ISSN 0320-0116

УДК

530.1
В 199

Васько, Ф. Т.
Модификация локализованных и резонансных состояний на несимметричных короткодействующих дефектах при гидростатическом сжатии [Текст] / Ф. Т. Васько, авт. М. В. Стриха // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 133, вып. 3. - С. 646-653. - Библиогр.: с. 652-653 . - ISSN 0044-4510

УДК

530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
резонансные состояния -- гидростатическое сжатие -- сжатие -- локализованные состояния -- несимметричные короткодействующие дефекты -- короткодействующие дефекты -- модификация состояний
Аннотация: Изучена модификация локализованных и резонансных состояний на несимметричных короткодействующих дефектах при гидростатическом сжатии.

Доп.точки доступа:
Стриха, М. В.

Найти похожие

Излучательные переходы на локализованные состояния Eu в твердом растворе Pb[1-x]Eu[x]Te [Текст] / И. И. Засавицкий [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 87, вып: вып. 9. - С. 584-587 . - ISSN 0370-274Х

УДК

^a535.37

ББК 22.345
Рубрики: Физика
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- твердые растворы -- излучательные переходы -- локализованные состояния
Аннотация: В спектрах фотолюминесценции твердого раствора Pb[1-x]Eu[x]Te (0 меньше равно х меньше равно 0. 09) при низких температурах наблюдались излучательные переходы двух типов: интенсивная линия излучения, соответствующая переходам из зоны проводимости в валентную зону, и серия (до 15) узких линий, соответствующих переходам из гибридизованной зоны проводимости на расщепленные уровни европия Eu\{3+\}.

Доп.точки доступа:
Засавицкий, И. И.; Мазурин, А. В.; Селиванов, Ю. Г.; Цогг, Г.; Юрушкин, А. В.

Найти похожие

Козлов, Г. Г.
Вычисление степени локализации в смысле критерия Андерсона для одномерной диагонально разупорядоченной системы [Текст] / Г. Г. Козлов // Теоретическая и математическая физика. - 2010. - Т. 162, N 2. - С. 285-303 : 2 рис. - Библиогр.: с. 303 (9 назв. ) . - ISSN 0564-6162

ГРНТИ	29.05.03
УДК	^a530.1	^a53:51

ББК 22.31 + 22.311
Рубрики: Физика
Математическая физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
критерии Андерсона -- Андерсона критерии -- разупорядоченные системы -- степень локализации -- матрицы гамильтониана -- уравнения Шредингера -- Шредингера уравнения -- локализованные состояния
Аннотация: Математические модели современной физики разупорядоченных систем можно разделить на два класса - непрерывные и дискретные. К непрерывным относятся модели, в которых изучается уравнение Шредингера со случайным потенциалом, к дискретным - модели, в которых исследуется случайная матрица гамильтониана разупорядоченной системы.

Найти похожие

Особенности механизма переноса заряда в структурах на основе тонких слоев триселенида мышьяка, модифицированных висмутом [Текст] / Н. И. Анисимова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1038-1041 : ил. - Библиогр.: с. 1041 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
тонкие слои -- As[2]Se[3] -- триселенид мышьяка -- носители заряда -- НЗ -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- висмут -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- перенос заряда -- электронные процессы -- контактная емкость -- локализованные состояния -- контактные области -- аккумуляция зарядов
Аннотация: Проведено исследование влияния количества вводимой примеси висмута на процессы переноса и накопления заряда в аморфных слоях As[2]Se[3]. Обнаружена связь между релаксационными процессами переноса и изменением внутренней структуры исследуемых материалов. В изученных слоях определены физические параметры, характеризующие протекающие электронные процессы: контактная емкость, плотность локализованных состояний, ответственных за аккумуляцию зарядов в контактной области, постоянная зарядка контактной области, подвижность носителей зарядов. Обсуждаются механизмы наблюдаемых эффектов.

Доп.точки доступа:
Анисимова, Н. И.; Бордовский, В. А.; Грабко, Г. И.; Кастро, Р. А.

Найти похожие

544
П 641

Потенциальные магнитные свойства нанотрубок (n, 0) с границами Кляйна и Фуджита [Текст] / А. М. Луговая [и др.] // Журнал физической химии. - 2012. - Т. 86, № 8. - С. 1376-1382. - Библиогр.: c. 1382 (20 назв. ) . - ISSN 0044-4537

УДК

544

ББК 24.5
Рубрики: Химия
Физическая химия в целом
Кл.слова (ненормированные):
локализованные состояния -- метод Хюккеля -- спиновый магнетизм -- углеродные нанотрубки -- Хюккеля метод
Аннотация: В рамках метода Хюккеля рассмотрены аналитические решения для локализованных состояний фрагментов нанотрубок (НТ) типа зигзаг с различными вариантами сочетаний границ Кляйна и Фуджита. Показано, что уравнения для поиска молекулярных орбиталей в системах с двумя границами Кляйна аналогичны уравнениям для систем с двумя границами Фуджита.

Доп.точки доступа:
Луговая, А. М.; Павлов, М. В.; Ермилов, А. Ю.; Степанов, Н. Ф.

Найти похожие

621.38
К 289

Кастро, Р. А.
Широкополосный диэлектрический отклик аморфных слоев As[2]Se[3], приготовленных разными методами [Текст] / Р. А. Кастро, Г. И. Грабко, Т. В. Татуревич // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 18. - С. 1-6 : ил. - Библиогр.: с. 6 (8 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

621.38^V3

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
аморфные слои -- диэлектрические отклики -- широкополосные диэлектрические отклики -- термическое испарение -- метод термического испарения -- высокочастотное распыление -- ионно-плазменное распыление -- ионно-плазменное высокочастотное распыление -- метод ионно-плазменного высокочастотного распыления -- электрические поля -- переменные поля -- переменные электрические поля -- частоты -- температуры -- проведенные исследования -- результаты исследований -- изготовление образцов -- локализованные состояния -- специфические особенности -- поляризационные процессы
Аннотация: В аморфных слоях As[2]Se[3], приготовленных методами термического испарения и ионно-плазменного высокочастотного распыления, изучены поляризационные процессы в переменном электрическом поле в диапазоне частот f~ 10{-2}-10{7} Hz и в интервале температур 253-343 K. В результате проведенных исследований установлено значительное влияние способа изготовления образцов на диэлектрический отклик изучаемых структур, что связано со специфическими особенностями локализованных состояний.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/18/p1-6.pdf

Доп.точки доступа:
Грабко, Г. И.; Татуревич, Т. В.

Найти похожие

621.315.592
В 586

Влияние хвостов локализованных состояний в InGaN на уменьшение эффективности GaN-светодиодов с ростом плотности тока [Текст] / Н. И. Бочкарева [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 8. - С. 1054-1062 : ил. - Библиогр.: с. 1061 (27 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

535.2/.3

ББК 31.233 + 22.343
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
локализованные состояния -- квантовая эффективность -- квантовые ямы -- плотность тока -- структуры -- InGaN -- светодиоды -- мощные светодиоды -- GaN-светодиоды -- спектры излучения -- эмиссия фотонов -- фотоны -- запрещенные зоны -- анализ результатов -- безызлучательная рекомбинация -- дефекты -- глубокие состояния -- коэффициент полезного действия -- КПД -- туннельная инжекция
Аннотация: Изучается механизм уменьшения внутренней квантовой эффективности InGaN/GaN структур с множественными квантовыми ямами при плотностях тока до 40 А/см{2} в мощных светодиодах. Показано, что существует корреляция между уменьшением эффективности и уширением высокоэнергетичного края спектра излучения с ростом плотности тока. Показано также, что эффективность является спектрально зависимой величиной и эффективность эмиссии фотонов с более высокой энергией начинает уменьшаться при большей плотности тока. Рассмотрено влияние туннельного и активационного механизмов термализации носителей, захваченных в мелкие состояния хвостов в запрещенной зоне InGaN, на эффективность и форму спектра излучения. Анализ результатов позволяет сделать вывод, что причиной падения эффективности при высокой плотности тока является относительное возрастание вклада безызлучательной рекомбинации через состояния дефектов в результате роста заселенности глубоких состояний хвостов зон в InGaN. Показано, что близкий к теоретическому пределу коэффициент полезного действия может быть реализован при низковольтной туннельной инжекции в локализованные состояния хвостов зон в активной области InGaN.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/08/p1054-1062.pdf

Доп.точки доступа:
Бочкарева, Н. И.; Вороненков, В. В.; Горбунов, Р. И.; Зубрилов, А. С.; Латышев, Ф. Е.; Леликов, Ю. С.; Ребане, Ю. Т.; Цюк, А. И.; Шретер, Ю. Г.

Найти похожие

10.

621.315.592
Э 554

Эмиссия излучения терагерцевого диапазона из гетероструктур GaAsN/GaAs в электрическом поле [Текст] / Л. Е. Воробьев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 229-231. - Библиогр.: c. 231 (13 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
резонансные состояния -- терагерцевый диапазон -- электрическое поле -- эмиссия излучения -- гетероструктуры GaAsN/GaAs -- напряженные микроструктуры -- квантовые ямы -- энергетические спектры -- локализованные состояния -- акцепторы
Аннотация: Обнаружена эмиссия излучения терагерцевого диапазона из напряженных слоев GaAsN, легированных бериллием, при 4. 2 К в постпробойных электрических полях.

Доп.точки доступа:
Воробьев, Л. Е.; Фирсов, Д. А.; Шалыгин, В. А.; Паневин, В. Ю.; Софронов, А. Н.; Егоров, А. Ю.; Устинов, В. М.; Гладышев, А. Г.; Бондаренко, О. В.; Андрианов, А. В.; Захарьин, А. О.; Козлов, Д. В.

Найти похожие

11.

539.19
К 930

Курбатов, Д. И.
Электрофизические свойства пленок сульфида цинка, полученных методом вакуумной сублимации в замкнутом объеме / Д. И. Курбатов // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 9. - С. 1175-1180 : ил. - Библиогр.: с. 1179-1180 (25 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.19

621.315.592

ББК 22.36 + 31.233
Рубрики: Физика
   Молекулярная физика в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электрофизические свойства -- пленки -- сульфид цинка -- SZn -- вакуумная сублимация -- метод вакуумной сублимации -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- солнечные элементы -- СЭ -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- локализованные состояния -- ЛС -- запрещенные зоны
Аннотация: Исследованы электрофизические свойства пленок сульфида цинка, полученных вакуумной сублимацией в квазизамкнутом объеме. В результате анализа вольт-амперных характеристик в режиме токов, ограниченных пространственным зарядом, и зависимостей проводимость-температура определены энергетические значения локализованных состояний в запрещенной зоне пленок ZnS.
In this work electro physical properties of zinc sulfide films obtained by a close-spaced volume sublimation technique are investigated. Analysis of current-voltage characteristics with of space charge limited currents condition and conductivity temperature dependences enable to determine the energy of localized states in band-gap of ZnS films.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/09/p1175-1180.pdf

Доп.точки доступа:
Сумский государственный университет (Украина)

Найти похожие

12.

621.315.592
В 586

Влияние температуры на механизм инжекции носителей в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN / И. А. Прудаев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 10. - С. 1391-1395 : ил. - Библиогр.: с. 1395 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- квантовый выход -- множественные квантовые ямы -- МКЯ -- InGaN/GaN -- локализованные состояния -- акцепторы -- инжекция -- дырки -- электроны -- квантовые ямы -- низкие температуры -- плотность тока -- ток -- светодиоды
Аннотация: Представлены экспериментальные вольт-амперные характеристики и зависимости внешнего квантового выхода от плотности тока светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN для широкого интервала температур T=10-400 K. Показано, что в области низких температур, при T<100 K, инжекция дырок в квантовые ямы происходит из локализованных состояний акцепторов. Инжекция электронов в p-GaN при низких температурах происходит за счет квазибаллистического транспорта в области множественных квантовых ям. Рост температуры приводит к увеличению тока, обусловленного термически активированной инжекцией дырок и электронов из разрешенных зон GaN.
Experimental current-voltage characteristics and external quantum efficiency dependences on current density in the wide temperature range, T = 10-400K, for InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes are presented. It is shown that at the low temperatures, T < 100K, hole injection in the quantum wells occurs from the localized states of acceptors. The electron injection in p-GaN occurs due to quasi-ballistic transport in multiple quantum well region. Temperature increase leads to increase of the current which is caused by thermally activated injection of holes and electrons from allowed bands of GaN.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/10/p1391-1395.pdf

Доп.точки доступа:
Прудаев, И. А.; Голыгин, И. Ю.; Ширапов, С. Б.; Романов, И. С.; Хлудков, С. С.; Толбанов, О. П.; Томский государственный университет; Томский государственный университет; Томский государственный университет; Томский государственный университет; Томский государственный университет; Томский государственный университет

Найти похожие

13.

535.37
П 189

Пархоменко, Я. А.
Особенности электролюминесценции в гетероструктурах с квантовыми точками InSb в матрице InAs / Я. А. Пархоменко, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 11. - С. 1536-1541 : ил. - Библиогр.: с. 1541 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

535.37

621.315.592

ББК 22.345 + 31.233
Рубрики: Физика
   Люминесценция
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электролюминесценция -- электрические свойства -- электролюминесцентные свойства -- гетероструктуры -- p-n переходы -- квантовые точки -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- спектры электролюминесценции -- комнатная температура -- отрицательная люминесценция -- длина волны -- излучательные переходы -- локализованные состояния -- гетерограницы
Аннотация: Изучены электрические и электролюминесцентные свойства одиночной узкозонной гетероструктуры на основе p-n-перехода в арсениде индия, содержащей одиночный слой квантовых точек InSb в матрице InAs. Наличие квантовых точек существенно влияло на форму обратной ветви вольт-амперных характеристик гетероструктуры. При приложении обратного смещения спектры электролюминесценции гетероструктуры с квантовыми точками при комнатной температуре помимо полосы отрицательной люминесценции с максимумом на длине волны lambda=3. 5 мкм содержали также полосу излучения положительной люминесценции при 3. 8 мкм, которая обусловлена излучательными переходами с участием локализованных состояний квантовых точек на гетерогранице II типа InSb/InAs.
Electrical and electroluminescent properties of a single narrow-gap heterostructure based on InAs p-n junction and containing a single layer of InSb quantum dots buried into the InAs matrix were studied. Presence of the quantum dots determined a shape of the backward branch in current-voltage characteristics of the heterostructure. At room temperature under the reverse bias applied electroluminescence spectra of the heterostructure with the quantum dots, in addition to the negative luminescence emission band with the maximum wavelength lambda = 3. 5 mum, contained the emission band of the positive luminescence at 3. 8 mum which is induced by radiative transitions on localized states of the quantum dots at the type II InSb/InAs heterointerface.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/11/p1536-1541.pdf

Доп.точки доступа:
Иванов, Э. В.; Моисеев, К. Д.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)

Найти похожие

14.

537
Г 818

Грешнов, А. А.
О влиянии электрон-фононного взаимодействия на температурные зависимости магнетотранспорта в квантово-холловских системах / А. А. Грешнов, Я. М. Бельтюков // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 2. - С. 242-248 : ил. - Библиогр.: с. 248 (22 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

537

621.315.592

ББК 22.33 + 31.233
Рубрики: Физика
   Электричество и магнетизм в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электрон-фононные взаимодействия -- температурные зависимости -- эффект Холла -- Холла эффект -- локализованные состояния -- уровни Ландау -- Ландау уровни -- численные расчеты -- магнетотранспортные кривые -- переходные области -- экспериментальные данные
Аннотация: Изучен вопрос о влиянии электрон-фононного взаимодействия на температурные зависимости проводимости в режиме целочисленного квантового эффекта Холла. Показано, что электрон-фононное взаимодействие приводит к возможности переноса в области локализованных состояний и тем самым формирует вид магнетотранспортных кривых при заданной температуре. В рамках аналитической модели показана связь между показателями в степенных законах, описывающих зависимости ширин переходных областей между последовательными плато квантового эффекта Холла от температуры и длины локализации, от энергии, отсчитанной от центра определенного уровня Ландау. Проведены прямые численные расчеты магнетотранспортных кривых в зависимости от температуры, результаты которых хорошо согласуются с теорией и экспериментальными данными по целочисленному квантовому эффекту Холла.
Influence of the electron-phonon interaction on the temperature dependencies of conductivity has been studied in the regime of the integer quantum Hall effect. It is shown that electron phonon interaction leads to non-zero transport in the region of localized states thus forming shape of the magneto transport curves at given temperature. Relation between scaling indices in the power laws describing quantum Hall plateau widths as functions of temperature and localization length as a function of energy counted from the corresponding Landau level center is established in the framework of an analytical model. Direct numerical calculations of the magneto transport curves carried out at various temperatures are in good agreement with the theory and available experimental data on the quantum Hall effect.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/02/p242-248.pdf

Доп.точки доступа:
Бельтюков, Я. М.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)

Найти похожие

15.

530.1
Б 825

Борисов, А. В.
Решения уравнения Гросса - Питаевского в координатах вытянутого эллипсоида вращения / А. В. Борисов, А. В. Шаповалов // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 9. - С. 47-53 : рис. - Библиогр.: c. 53 (18 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
Гросса - Питаевского уравнение -- вырожденные эллипсоидные координаты -- локализованные состояния -- нелинейные уравнения -- точные решения -- уравнение Гросса - Питаевского -- уравнения редукции
Аннотация: С помощью метода преобразований подобия рассмотрен подход, позволяющий находить частные решения уравнения Гросса - Питаевского с нестационарным коэффициентом нелинейности в вырожденных эллипсоидальных координатах для вытянутого эллипсоида вращения. В явном виде найдено два точных решения, имеющих солитонные свойства, и соответствующие потенциалы. Вид решений проиллюстрирован примерами.

Доп.точки доступа:
Шаповалов, А. В.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)