001.89 С 858 Стриханов, М. Н. Сотруднчество высшей школы и академической науки - объективная необходимость [Текст] / М. Н. Стриханов // Вестник Российской академии наук. - 2003. - Т.73,N11 . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Наука. Науковедение--Организация науки Кл.слова (ненормированные): Интеграция (программа) -- РАН -- Российская академия наук -- академическая наука -- высшая школа -- высшее образование -- министерства -- научные исследования -- научные кадры -- президиум РАН Аннотация: Коллегия Министерства образования РФ и Президиум РАН провели совместное заседание,посвященное сотрудничеству министерства и академии в области подготовки научных кадров и развития научных исследований. |
537.533.7 П 645 Потылицын, А. П. Резонансное дифракционное излучение ультрарелятивистских частиц [Текст] / А. П. Потылицын, М. Н. Стриханов // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N9. - Библиогр.: с.72 (29 назв.). - Исследования электромагнитных процессов на синхротроне "Сириус" (тематический выпуск) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): Сириус (синхротрон) -- дифракционное излучение -- ультрарелятивистские частицы -- эффект Смита-Парселла Аннотация: В работе рассмотрено излучение Смита-Парселла ультрарелятивистских электронов на "плоской" решетке из набора параллельных проводящих полосок. Предложенная модель, рассматривающая эффект Смита-Парселла (СПЭ) как резонансное дифракционное излучение, позволяет вычислять характеристики СПЭ для малых углов вылета фотонов teta<<1, где традиционные подходы непреминимы из-за возникающих вычислительных трудностей. Предложен новый тип оптической решетки, простой и дешевой при технологической реализации, состоящей из параллельных алюминиевых полосок (стрипов), напыленных на кварцевую подложку, толщина которой выбирается по критерию минимума отраженной интенсивности оптического излучения с длиной волны, соответствующей СПЭ Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics Доп.точки доступа: Стриханов, М.Н. |
001 Е 30 Егоров, В. С. Первая Всероссийская научно-практическая конференция "Потенциал социально-гуманитарных наук и проблемы развития современного российского общества" [Текст] / В. С. Егоров, О. Г. Климас [и др.] // Журнал социологии и социальной антропологии. - 2003. - Т. 6, N 2. - С. 187-198 . - ISSN 1029-8053
Рубрики: Социология--Социология общества--Санкт-Петербург--Россия, 21 в. нач. Наука. Науковедение--Общие вопросы науки Кл.слова (ненормированные): конференции; программы -- гуманитарные науки -- общественные науки -- межрегиональные институты; МИОН; исследовательские институты; грантополучатели -- образование; стандарты качества; толерантность; востоковедение; мировые цивилизации; глобализация; насилие; терроризм; межкультурные коммуникации; российское общество; мультикультурализм; власть и общество; религии; межконфессиональные отношения; наука и образование Аннотация: Проведение конференции (Санкт-Петербург, 18-20 декабря, 2002) - один из этапов реализации программы "Межрегиональные исследования в общественных науках". Цель программы - сохранение и развитие интеллектуального потенциала России в сфере гуманитарных и общественных наук, формирование эффективных научно-коммуникативных сетей. Доп.точки доступа: Климас, О. Г.; Куропятник, М. С.; Кутейников, А. Е.; Смирнов, А. В.; Шиповалова, Л. В.; Троян, В. Н. (проректор по научной работе СПбГУ, профессор); Стриханов, М. Н. (нач. Управления и развития научных исследований); Левина, Г. В. (директор); Фирсов, Б. М. (ректор); Ионин, Л. Г. (куратор Иркутского МИОНа); Юревич, А. В. (куратор Томского МИОНа); Шестопал, Е. Б. (куратор Новгородского и Саратовского МИОНов); Хомяков, М. Б. (административный директор Уральского МИОНа); Маслов, А. А. (куратор Дальневосточного МИОНа); Кантор, В. К. (научный куратор Балтийского МИОНа, профессор); Дробижева, Л. М. (д-р ист. наук, профессор); Миронов, В. В. (д-р философских наук, профессор); Ногманов, А. И.; Шкаровский, М. В.; "Потенциал социально-гуманитарных наук и проблемы развития современного российского общества", Всероссийская научно-практическая конференция; Потенциал социально-гуманитарных наук и проблемы развития современного российского общества, Всероссийская научно-практическая конференция |
378 С 858 Стриханов, М. Н. Высшая школа России с позиций нелинейной динамики [Текст] : [авторское представление книги] / М. Н. Стриханов, Д. И. Трубецков [и др.] // Известия вузов. Прикладная нелинейная динамика. - 2007. - Т. 15, N 2. - С. 129-132. - Авторы представляют кн.: Высшая школа России с позиций нелинейной динамики : проблемы, оценки, модели / М. Н. Стриханов [и др. ]. М.: Физматлит, 2007. 192 с. . - ISSN 0869-6632
Рубрики: Образование. Педагогика--Высшее профессиональное образование Социология--Социология групп Кл.слова (ненормированные): высшая школа -- профессорско-преподавательский состав -- научно-образовательные комплексы Аннотация: Представлены введение, оглавление и заключение монографии "Высшая школа России с позиций нелинейной динамики : проблемы, оценки, модели / М. Н. Стриханов [и др. ]. М.: Физматлит, 2007. 192 с. ", в которой представлены результаты междисциплинарных исследований по анализу социальной системы "профессорско-преподавательский состав высшей школы Российской Федерации" с использованием теоретических методов радиофизики и нелинейной динамики. Доп.точки доступа: Трубецков, Д. И.; Короновский, А. А.; Шараевский, Ю. П.; Храмов, А. Е.; Высшая школа России с позиций нелинейной динамики : проблемы, оценки, модели |
Тищенко, А. А. Дифракционное излучение ультрарелятивистского заряда в области высоких частот [Текст] / А. А. Тищенко, А. П. Потылицын, М. Н. Стриханов // Известия вузов. Физика. - 2004. - Т. 47, N 1. - С. 3-7. - Библиогр.: 13 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): дифракционное излучение -- ультрарелятивисткий заряд -- ультрарелятивистская заряженная частица -- потери излученной энергии -- полные потери Аннотация: Рассмотрено дифракционное излучение ультрарелятивистской заряженной частицы, пролетающей вблизи края мишени конечной ширины и толщины. Решение получено для частот больше плазменной. Показано, что для частиц сверхвысоких энергий спектральная плотность излученной энергии простирается до частот много больше плазменной. Получена оценка полных потерь на излучение. Доп.точки доступа: Потылицын, А. П.; Стриханов, М. Н. |
539.1 С 858 Стриханов, М. Н. Проблемы Стандартной модели и статус ускорительного эксперимента [Текст] / М. Н. Стриханов // Вестник Российской академии наук. - 2012. - Т. 82, № 5. - С. 407-411 : 5 рис. - Библиогр.: с. 411 (15 назв. ) . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Физика Ядерная физика в целом Кл.слова (ненормированные): адронные коллайдеры -- адронные струи -- барионная асимметрия -- бозон Хиггса -- квантовая хромодинамика -- кварк-глюонные материи -- механизм Хиггса -- мощные ускорители -- научные сообщения -- стандартные модели -- ускорительные эксперименты -- физические науки -- фундаментальные исследования -- Хиггса бозон -- Хиггса механизм -- энергия ускорителей Аннотация: В статье представлены основные направления исследований фундаментальной физики с использованием больших ускорителей. Автор приводит список проблем и явлений, суть которых невозможно описать в рамках общепринятой Стандартной модели. Для их понимания, по его мнению, нужен выход на новый уровень энергии ускорителей и достижение большей точности измерений. |
338(470+571) В 110 В Димитровграде Д. А. Медведев обсудил вопросы подготовки специалистов для модернизации экономики [Текст] // Высшее образование сегодня. - 2011. - № 11. - С. 71 . - ISSN 1726-667X
Рубрики: Экономика Экономика России Образование. Педагогика Высшее профессиональное образование Кл.слова (ненормированные): высшее образование -- высшие учебные заведения -- вузы -- подготовка специалистов -- подготовка инженеров -- инженеры -- выпускники вузов -- трудоустройство выпускников -- занятость выпускников -- российская экономика -- модернизация экономики -- технологическое развитие -- научно-исследовательские институты -- президенты -- ректоры вузов -- бизнесмены -- губернаторы -- заседания Аннотация: 26 сентября 2011 года в рамках рабочей поездки в Ульяновскую область Президент РФ Д. А. Медведев посетил Научно-исследовательский институт атомных реакторов в г. Димитровграде, где состоялось очередное заседание Комиссии по модернизации и технологическому развитию экономики России. Ключевой темой совещания стали вопросы подготовки специалистов для реализации проектов по приоритетным направлениям модернизации и технологического развития экономики. Доп.точки доступа: Медведев, Д. А., Дмитрий Анатольевич (Президент РФ) \.\; Стриханов, М. Н. (ректор Национального исследовательского ядерного университета "МИФИ"); Васильев, В. Н. (ректор Санкт-Петербургского государственного университета информационных технологий, механики и оптики); Тараба, Д. О. (председатель совета директоров ЗАО "Энвижн групп"); Корзинов, О. М. (президент научного предприятия "Центр инновационного развития "Биофармкластер Северный""); Морозов, С. И. (губернатор Ульяновской области) |
537.533/.534 М 340 Математическая модель трансформации электронного пучка в узкой трубе [Текст] / А. Ю. Байков [и др.] // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 6. - С. 90-100. - Библиогр.: c. 100 (17 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): электронные пучки -- трансформация электронных пучков -- модуляция электронных пучков -- волновые решения -- группирование в мощных клистронах -- дискретно-аналитические решения -- приближение замороженного пучка -- рассыпание моноскоростного сгустка -- клистроны -- двухрезонаторные клистроны Аннотация: Рассмотрена задача о трансформации электронного пучка в длинной узкой проводящей трубе. Для случая малой модуляции получены общие волновые решения для распространения произвольной (в том числе и непериодической) модуляции однородного пучка. Решение, соответствующие гармонической модуляции, сравнено с полученными ранее и описанными в литературе решениями. Рассмотрена также задача о трансформации пучка, соответствующей режиму группирования в мощных клистронах (в том числе с учетом обгона). Получено дискретно-аналитическое решение задачи в рамках "приближения замороженного пучка". Это решение протестировано на задаче о рассыпании моноскоростного сгустка и на задаче о кпд двухрезонаторного клистрона с бесконечно тонкими зазорами. В обоих случаях получены физически корректные результаты. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/06/p90-100.pdf Доп.точки доступа: Байков, А. Ю.; Грушина, О. А.; Стриханов, М. Н.; Тищенко, А. А. |
621.385 Б 189 Байков, А. Ю. Исследование зависимости максимального КПД от коэффициента усиления в двухрезонаторных клистронах / А. Ю. Байков, О. А. Грушина, М. Н. Стриханов // Журнал технической физики. - 2013. - Т. 83, № 4. - С. 127-133. - Библиогр.: c. 133 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Электровакуумные приборы Кл.слова (ненормированные): клистроны -- двухрезонаторные клистроны -- электронные пучки -- KlypWin -- программные комплексы -- математическое моделирование -- электронно-оптические системы -- резонаторы -- КПД клистронов -- коэффициент полезного действия -- коэффициент усиления -- приближение "замороженного пучка" Аннотация: На основе разработанной авторами математической модели трансформации электронного пучка в узкой трубе и комплекса программ KlypWin исследованы зависимости максимального КПД от коэффициента усиления для двухрезонаторных клистронов, смоделированных на основе реальных электронно-оптических систем и реальных электродинамических параметров резонаторов. Показано, что максимальный КПД таких клистронов составляет 46-47% и достигается при коэффициенте усиления 16-18 dB. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/04/p127-133.pdf Доп.точки доступа: Грушина, О. А.; Стриханов, М. Н. |
621.385 Б 189 Байков, А. Ю. Моделирование условий достижения максимального КПД в клистронах дециметрового диапазона / А. Ю. Байков, О. А. Грушина, М. Н. Стриханов // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 3. - С. 113-119. - Библиогр.: c. 119 (14 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Электровакуумные приборы Кл.слова (ненормированные): клистроны -- клистроны дециметрового диапазона -- КПД клистронов -- электронные пучки -- трансформация электронных пучков -- программные комплексы -- KlypWin -- электронно-оптические системы -- резонаторы -- максимальный КПД -- КПД -- коэффициент полезного действия -- дискретно-аналитические модели Аннотация: На основе разработанной авторами математической модели трансформации электронного пучка в узкой трубе и комплекса программ KlypWin исследованы условия достижения максимального КПД в клистронах дециметрового диапазона, имеющих от трех до шести каскадов усиления. Рассматриваемые клистроны смоделированы на основе реальной электронно-оптической системы и реальных параметров резонаторов. Показано, что максимальный КПД (в нагрузку) для четырехрезонаторного клистрона составляет 83%, для пятирезонаторного - 86%, для шестирезонаторного - 88%, для семирезонаторного - 90%. Соответствующий электронный КПД смоделированного семирезонаторного клистрона составил 94%, что позволяет говорить о достижении глобального экстремума. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/03/p113-119.pdf Доп.точки доступа: Грушина, О. А.; Стриханов, М. Н.; Московский финансово-юридический университет (МФЮА); Национальный исследовательский ядерный университет (МИФИ)Национальный исследовательский ядерный университет (МИФИ) |
539.2 Т 384 Технология и электронные свойства PHEMT-квантовых ям AlGaAs/In[y(z)]Ga[1-y(z)]As/GaAs с переменным профилем состава / И. С. Васильевский [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 9. - С. 1258-1264 : ил. - Библиогр.: с. 1264 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- структурные свойства -- метод рентгеновской дифрактометрии -- рентгеновская дифрактометрия -- гетероструктуры -- PНЕМТ-гетероструктуры -- электронные свойства -- транспортные свойства -- электроны -- волновые функции Аннотация: Для управления потенциальным профилем квантовой ямы реализована технология варизонных слоев In[y]Ga[1-y]As с неоднородным профилем состава вдоль направления роста. Структурные свойства образцов аттестованы методом рентгеновской дифрактометрии. В выращенных PНЕМТ-гетероструктурах с односторонним и двусторонним delta-легированием Al[0. 23]Ga[0. 77]As/In[y]Ga[1-y]As/Al[0. 23]Ga[0. 77]As исследовано влияние неоднородного состава квантовой ямы на структурные и электронные транспортные свойства образцов (градиент содержания InAs до 1. 2%/нм при среднем y =0. 2). Оптимизация профиля состава приводит к увеличению подвижности и концентрации электронов. Эффект связан как с изменением профиля дна квантовой ямы и ее эффективной глубины, так и с уменьшением рассеяния электронов за счет более симметричной формы электронной волновой функции в квантовой яме. Graded In[y]Ga[1-y]As quantum well epitaxial technology is developed for the engineering of potential band profile. Crystal structure of the samples is approved by high resolution X-ray diffraction. The influence of quantum well bending on crystal and electron transport properties is studied on one and two-side delta-doped Al[0. 23]Ga[0. 77]As/In[y]Ga[1-y]As/Al[0. 23]Ga[0. 77]As PHEMTP heterostructures. The highest InAs content gradient reached 1. 2%/nm for the mean InAs content y = 0. 2. InAs content grading lead to electron mobility and concentration enhancement. Effect is attributed to quantum well potential profile straightening and deepening. Electron wave function shifts towards the quantum well center and this causes the decrease of electron scattering. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/09/p1258-1264.pdf Доп.точки доступа: Васильевский, И. С.; Виниченко, А. Н.; Грехов, М. Н.; Гладков, В. П.; Каргин, Н. И.; Стриханов, М. Н.; Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва); Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва); Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва); Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва); Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва); Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва) |
539.21:537 Н 623 Никитенко, В. Р. Аналитическая модель дрейфа и диффузии носителей заряда в органических светодиодах при наличии объемного заряда / В. Р. Никитенко, Н. А. Санникова, М. Н. Стриханов // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 9. - С. 107-112. - Библиогр.: c. 112 ( назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- органические светодиоды -- дрейф носителей заряда -- диффузия носителей заряда -- вольт-амперные характеристики -- тонкие слои -- транспорт зарядов -- неупорядоченные органические материалы -- объемные заряды -- эффект объемного заряда -- энергетический беспорядок -- высота энергетического барьера Аннотация: Предложена сравнительно простая аналитическая модель для расчета вольт-амперных характеристик для монополярного режима транспорта заряда в тонких слоях неупорядоченных органических материалов, которая учитывает энергетический беспорядок и эффекты объемного заряда. Определена зависимость минимальной высоты энергетического барьера для инжекции, при которой можно пренебречь эффектами объемного заряда. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/09/p107-112.pdf Доп.точки доступа: Санникова, Н. А.; Стриханов, М. Н.; Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"; Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" |
539.2 Н 623 Никитенко, В. Р. Особенности вольт-амперных характеристик в тонких проводящих слоях органических светодиодов / В. Р. Никитенко, Н. А. Санникова, М. Н. Стриханов // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 11. - С. 1530-1534 : ил. - Библиогр.: с. 1533-1534 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- аналитическое моделирование -- тонкие слои -- электроды -- носители заряда -- зеркальные заряды -- модель Архипова -- Архипова модель -- тестирование слоев -- органические светодиоды Аннотация: Проведено аналитическое моделирование вольт-амперных характеристик в тонком органическом слое, помещeнном между проводящими электродами. Для этого разработана теоретическая модель, которая учитывает не только взаимодействие инжектированного носителя заряда с его зеркальным зарядом-"отражением" в ближайшем электроде, но и эффект многократных отражений, а также ток инжекции с противоположного электрода. Вольт-амперные характеристики при разных температурах и высотах барьера сравниваются с моделью, развитой ранее Архиповым и соавторами. Установлены пределы применимости этой модели. При низких температурах и малых значениях напряжения эффект многократных отражений становится существенным, что приводит к увеличению тока. Результаты необходимо учитывать при тестировании отдельных тонких слоeв, входящих в многослойные органические светодиоды. The analytical modeling of the current-voltage characteristics in thin organic layer, placed between the conductive electrodes, was carried out. A theoretical model was developed for this purpose. The model takes into account not only the interaction of the injected charge carriers with its mirror-charge, that is "reflected" in the nearest electrode, but also the effects of multiple reflections, and current injection from the opposite electrode. Current- voltage characteristics are compared at various temperatures and barrier heights with the model developed previously by Arkhipov and co-workers. Limits of applicability of this model were established. Multiple reflection effect becomes significant at low temperatures and low voltages. It leads to an increase of current. The results should be considered when testing separated thin layers included in the multilayer OLEDs. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/11/p1530-1534.pdf Доп.точки доступа: Санникова, Н. А.; Стриханов, М. Н.; Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва); Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва)Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва) |
539.2 У 184 Увеличение подвижности электронов в НЕМТ гетероструктурах с составным спейсером, содержащим нанослои AlAs / А. Н. Виниченко [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 12. - С. 1660-1665 : ил. - Библиогр.: с. 1665 (13 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые состояния -- электроны -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- нанобарьеры -- нанослои -- AlAs -- арсенид алюминия Аннотация: Теоретически и экспериментально показано влияние гибридизации квантовых состояний на электронный транспорт в delta-легированной через спейсер двухбарьерной квантовой яме в пределе сильного легирования. Предложен способ увеличения подвижности электронов в квантовой яме за счет подавления туннельной связи с областью доноров за счет введения наноразмерного барьера AlAs в спейсер. Экспериментально показано, что в образцах с неглубокой КЯ введенный в спейсер нанобарьер AlAs приводит к более чем 3-кратному увеличению подвижности электронов при низких температурах. The effect of quantum state hybridization on electron transport properties is studied theoretically and experimentally in the double barrier quantum well delta-doped through the spacer at the high doping limit. The approach is proposed for electron mobility enhancement in quantum well by thin nanoscaled AlAs barrier insertion in the spacer, related to the reduction of the tunnel coupling to the dopant area. Experiment showed more than triple electron mobility increase in the shallow quantum well structures at the low temperature due to 2 nm AlAs insertion in the spacer Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/12/p1660-1665.pdf Доп.точки доступа: Виниченко, А. Н.; Гладков, В. П.; Каргин, Н. И.; Стриханов, М. Н.; Васильевский, И. С.; Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва); Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва); Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва); Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва); Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва) |