21 М 152 Макаров, Ю. Н. (кандидат исторических наук). Издательская деятельность религиозных организаций на территории СССР в 1920-е годы и органы советской политической цензуры [Текст] : Ч. 2 / Ю. Н. Макаров // Вестник Санкт-Петербургского университета. Сер. 2, История. - 2008. - Вып. 1. - С. 89-96. - Библиогр. в примеч. . - ISSN 1812-9323
Рубрики: Религия. Мистика. Свободомыслие Религиоведение--Россия, 1921-1929 гг. История История России и СССР (октябрь 1917 - 1991 г.)--Россия, 1921-1929 гг. Кл.слова (ненормированные): религиозные организации -- религиозное мировоззрение -- сектанты -- баптисты -- евангельские христиане -- адвентисты седьмого дня -- старообрядцы -- издательская деятельность -- типографии -- журналы -- календари -- религиозная литература -- управления по делам литературы -- комиссии -- антирелигиозные комиссии -- антирелигиозная борьба -- инструкции -- циркуляры -- цензура -- политическая цензура Аннотация: Несмотря на предпринимавшиеся в первые послереволюционные десятилетия партийно-советскими органами усилия по нейтрализации конфессиональных влияний, все попытки административными мерами вытеснить религию и церковь из реальной жизни российских граждан не удались. В 1920-х гг. большая часть населения страны по-прежнему испытывала потребность в религиозной вере, в религиозной мотивации моральных ценностей и норм поведения. Религиозное мировоззрение продолжало оставаться господствующим среди большей части населения страны. |
Газодинамические эффекты при росте кристаллического нитрида галлия методом хлоридно-гидридной эпитаксии в вертикальном реакторе [Текст] / А. В. Кондратьев [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 7. - С. 8-11. - Библиогр.: c. 11 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Газы и жидкости Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): газодинамические эффекты -- нитрид галлия -- хлоридно-гидридная эпитаксия -- эпитаксия -- рост кристаллов -- газовые потоки Аннотация: Проведено численное моделирование роста кристаллического нитрида галия методом хлоридно-гидридной парофазной эпитаксии в вертикальном реакторе. Проанализированы эффекты нарушения устойчивости газового потока и связанные с ними изменения характеристик роста кристаллов, происходящие при изменении расходов газовых компонентов и положения кристалла относительно источника галлия. Выявлено существенное влияние свободной концентрационной конвекции на распределение скорости роста кристалла по его поверхности. Доп.точки доступа: Кондратьев, А. В.; Базаревский, Д. С.; Сегаль, А. С.; Смирнов, С. А.; Макаров, Ю. Н. |
Исследование процесса роста кристаллических слоев GaN в горизонтальном реакторе методом хлоридной эпитаксии [Текст] / С. А. Смирнов [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 12. - С. 70-73. - Библиогр.: c. 73 (5 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нитрид галлия -- рост кристаллов -- хлоридная эпитаксия -- эпитаксиальные слои Аннотация: Численно исследованы процессы роста эпитаксиальных слоев GaN в горизонтальном реакторе методом хлоридной эпитаксии. Выполнены расчеты стационарных трехмерных течений газовой смеси в горизонтальном реакторе с учетом гетерогенных реакций на подложке (рост эпитаксиального слоя GaN) и на стенках реактора (осаждение слоев поликристаллического депозита GaN). Дано объяснение экспериментальным данным по распределению скорости роста поликристаллических и эпитаксиальных слоев GaN. Показано, что при недостаточно большом диаметре реактора осаждение депозита на его стенках увеличивает неоднородность распределения скорости роста GaN по подложке из-за паразитного диффузионного ухода реагентов из газовой фазы на стенки реактора. Доп.точки доступа: Смирнов, С. А.; Пантелеев, В. Н.; Жиляев, Ю. В.; Родин, С. Н.; Сегаль, А. С.; Макаров, Ю. Н.; Буташин, А. В. |
Макаров, Ю. Н. (кандидат исторических наук). Издательская деятельность религиозных организаций на территории СССР в 1920-е годы и органы советской политической цензуры [Текст] : (Ч. 1) / Ю. Н. Макаров // Вестник Санкт-Петербургского университета. Сер. 2. История. - 2007. - Вып : 4. - С. 118-124. - Библиогр. в примеч. . - ISSN 1812-9323
Рубрики: Религия. Мистика. Свободомыслие Религиоведение--Россия, 1921-1927 гг.; 20 в. 1-я пол. Книжное дело Издательское дело--Россия, 1921-1927 гг.; 20 в. 1-я пол. История История России в целом, 1921-1927 гг.; 20 в. 1-я пол. Кл.слова (ненормированные): религиозные организации -- конфессиональные объединения -- религиозная литература -- православные организации -- евангельские христиане -- сектанты -- баптисты -- союзы баптистов -- общины-коммуны -- коммуны -- библиотеки -- книжные магазины -- типографии -- периодические издания -- журналы -- издательская деятельность -- политическая цензура -- цензура -- конфискация имущества -- циркуляры -- инструкции -- архивные документы -- антирелигиозные комиссии -- отделы политического контроля -- управления по делам литературы -- церковные гонения Аннотация: Автором проведен комплексный анализ системы специальных мероприятий, осуществленных советскими органами политической цензуры в 1920-е гг. и имевших своей целью минимизировать издательскую деятельность конфессиональных объединений. Цензура была призвана помешать лицам духовного звания принимать сколько-нибудь активное участие в политической и общественной жизни страны, ограничить сферу их деятельности удовлетворением сугубо культовых потребностей верующих. Доп.точки доступа: Главное управление по делам литературы и издательств |
539.2 П 535 Получение затравочных кристаллов улучшенного качества для роста объемного карбида кремния [Текст] / М. Г. Мынбаева [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 6. - С. 847-851 : ил. - Библиогр.: с. 850 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): затравочные кристаллы -- карбид кремния -- SiC -- метод сублимационной эпитаксии -- сублимационная эпитаксия -- низкодефектные слои -- подложки пластин -- монокристаллические слитки -- метод Лэли -- Лэли метод -- эпитаксиальные слои -- дефекты -- сравнительные исследования -- структурные дефекты Аннотация: Методом сублимационной эпитаксии в вакууме выращены низкодефектные слои карбида кремния при использовании в качестве подложек пластин SiC, вырезанных из монокристаллических слитков, полученных модифицированным методом Лэли. На основании проведенных сравнительных исследований распределения структурных дефектов в подложках и эпитаксиальных слоях сделан вывод о том, что изоморфная пара эпитаксиальный слой/монокристаллическая подложка SiC, представляющая собой композицию материалов, полученных в рамках одного и того же метода - сублимационного синтеза - но в различающихся технологических условиях, является перспективной для получения затравочных кристаллов карбида кремния улучшенного качества. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/06/p847-851.pdf Доп.точки доступа: Мынбаева, М. Г.; Абрамов, П. Л.; Лебедев, А. А.; Трегубова, А. С.; Литвин, Д. П.; Васильев, А. Б.; Чемекова, Т. Ю.; Макаров, Ю. Н. |
338.45:621 М 152 Макаров, Ю. Н. (доктор экономических наук). Страхование как инструмент стимулирования инновационной и инвестиционной деятельности в ракетно-космической промышленности [Текст] / Ю. Н. Макаров, Е. Ю. Хрусталев, А. С. Славянов // Финансы и кредит. - 2012. - № 16. - С. 25-32 : табл. - Библиогр.: с. 32 (17 назв. ) . - ISSN 2071-4688
Рубрики: Экономика Экономика машиностроительной промышленности Страхование Кл.слова (ненормированные): аэрокосмическая промышленность -- инвестиционная деятельность -- инвестиционная привлекательность -- инвестиционные риски -- инновационная деятельность -- космическая отрасль экономики -- космическая техника -- космическое страхование -- промышленные риски -- ракетно-космическая промышленность -- страхование -- экономическая защита инвестирования Аннотация: Анализируются причины происшествий (аварий) космической техники в России за 2006-2011 годы, снижающих инвестиционную привлекательность российской космической отрасли. В качестве элемента экономической защиты инновационных проектов в отрасли рассматривается страхование, выявляются приоритетные виды космического страхования. Доп.точки доступа: Хрусталев, Е. Ю. (доктор экономических наук); Славянов, А. С. (кандидат экономических наук) |
629.76 М 152 Макаров, Ю. Н. Российская космонавтика на мировом рынке: конкуренция, проблемы, перспективы [Текст] / Ю. Н. Макаров // Экономика и математические методы. - 2011. - Т. 47, N 3. - С. 94-103. - Библиогр.: с. 103 . - ISSN 0424-7388
Рубрики: Транспорт Ракетная техника. Ракеты Экономика Экономика промышленности в целом Кл.слова (ненормированные): космические аппараты -- ракетно-космическая техника -- ракетно-космическая промышленность -- мировой рынок -- промышленная политика -- международная конкуренция -- коммерческие спутники -- глобализация космической деятельности -- космическая деятельность -- наукоемкая продукция -- иностранные заказы -- современная космическая техника -- космическая техника -- экспорт космических технологий -- космические технологии -- пусковые услуги -- космонавтика Аннотация: В статье показано, что в условиях финансового кризиса и жестких бюджетных ограничений российская ракетно-космическая промышленность способна обеспечить свои финансово-экономические потребности за счет вывода на мировые рынки наукоемкой продукции и выполнения иностранных заказов на производство современной космической техники и услуг. |
330.4 М 152 Макаров, Ю. Н. Незамкнутая экономико-математическая модель взаимодействия участников системы "Производитель - продавец - кредитор" [Текст] / Ю. Н. Макаров, Е. Н. Тарасова, В. С. Конышев // Экономические науки. - 2011. - N 2. - С. 338-343 . - ISSN 2072-084X
Рубрики: Экономика Математическая экономика. Эконометрика Кл.слова (ненормированные): незамкнутая экономическая система -- моделирование -- конкуренция Аннотация: В статье разработана незамкнутая экономико-математическая модель взаимодействия участников системы "Производитель - продавец - кредитор". Доп.точки доступа: Тарасова, Е. Н.; Конышев, В. С. |
330.4 М 152 Макаров, Ю. Н. Моделирование причинно-следственных связей на основе инструментов контроллинга [Текст] / Ю. Н. Макаров, С. В. Уланов, Д. Ж. Опарин // Экономические науки. - 2011. - N 2. - С. 349-353 . - ISSN 2072-084X
Рубрики: Экономика Математическая экономика. Эконометрика Кл.слова (ненормированные): контроллинг -- показатели деятельности предприятия -- система показателей -- причинно-следственные связи -- предприятия Аннотация: Описание возможностей моделирования причинно-следственных связей между показателями деятельности предприятия на основе инструментов контроллинга. Доп.точки доступа: Уланов, С. В.; Опарин, Д. Ж. |
539.21:537 И 889 Исследование деградации внешней квантовой эффективности ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/GaN, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии / Н. М. Шмидт [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 13. - С. 73-80 : ил. - Библиогр.: с. 80 (11 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): квантовая эффективность -- ультрафиолетовые светодиоды -- гетероструктуры -- хлоридно-гидридная эпитаксия -- металлорганические соединения -- светодиоды -- локальные дефектообразования -- механизм Года - Вайсберга -- Года - Вайсберга механизм -- наноматериалы -- светоизлучающие структуры -- нитридгаллиевые структуры Аннотация: Приведены результаты сравнительных исследований финальной стадии деградации внешней квантовой эффективности AlGaN/GaN ультрафиолетовых светодиодов, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии, и мощных синих светодиодов InGaN/GaN, полученных методом эпитаксии из металлорганических соединений. Показано, что одним из процессов, приводящих к снижению значений квантовой эффективности обоих типов светодиодов, является локальное дефектообразование с участием механизма Года-Вайсберга в системе протяженных дефектов. Для повышения срока службы ультрафиолетовых светодиодов AlGaN/GaN более 2000 h необходимо улучшить характер организации наноматериала светоизлучающих структур и выяснить вклад разупорядоченности состава AlGaN в деградацию внешней квантовой эффективности. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/13/p73-80.pdf Доп.точки доступа: Шмидт, Н. М.; Усиков, А. С.; Шабунина, Е. И.; Черняков, А. Е.; Сахаров, А. В.; Курин, С. Ю.; Антипов, А. А.; Бараш, И. С.; Роенков, А. Д.; Макаров, Ю. Н.; Helava, Н. |
539.2 И 889 Исследование характеристик ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур GaN/AlGaN, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии / А. В. Соломонов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 2. - С. 259-264 : ил. - Библиогр.: с. 264 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): ультрафиолетовые светодиоды -- УФ-светодиоды -- гетероструктуры -- нитридгаллиевые структуры -- подложки -- хлор-гидридная эпитаксия -- метод хлор-гидридной эпитаксии -- активные области -- оптическая мощность Аннотация: Представлены результаты работы по созданию и исследованию УФ-светодиодов на основе гетероструктур GaN/AlGaN, полученных на подложках Al[2]O[3] (0001) хлоридно-гидридной эпитаксией. Максимум спектра электролюминесценции находился в диапазоне длин волн 360-365 нм, а его полуширина составила 10-13 нм. При рабочем токе 20 мА оптическая мощность и кпд УФСД имели значения 1. 14 мВт и 1. 46% соответственно. The paper presents the results of the development of ultra-violet (UV) light-emitting diodes (LED) based on GaN/AlGaN heterostructures grown on Al[2]O[3] (0001) substrates by chloride-hydride vapor phase epitaxy. The peak wavelengths were in the range of 360-365 nm with a FWHM spectral width of 10-13 nm. At 20mA operating current the UV LED dies had an output power and WPE of 1. 14mW and 1. 46%, respectively. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/02/p259-264.pdf Доп.точки доступа: Соломонов, А. В.; Тарасов, С. А.; Менькович, Е. А.; Ламкин, И. А.; Курин, С. Ю.; Антипов, А. А.; Бараш, И. С.; Роенков, А. Д.; Хелава, Х.; Макаров, Ю. Н.; Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова; Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова; Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова; Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова; ООО Группа компаний "Нитридные кристаллы" (Санкт-Петербург); ООО Группа компаний "Нитридные кристаллы" (Санкт-Петербург); ООО Группа компаний "Нитридные кристаллы" (Санкт-Петербург); ООО Группа компаний "Нитридные кристаллы" (Санкт-Петербург); Nitride Crystals Inc. (Нью-Йорк); Nitride Crystals Inc. (Нью-Йорк)ООО Группа компаний "Нитридные кристаллы" (Санкт-Петербург) |