338(47) Ш 957 Шульгин, Д. Б. Приоритеты политики Свердловской области в сфере вовлечения интеллектуальной собственности в хозяйственный оборот [Текст] / Д. Б. Шульгин, Е. Г. Кремко, С. В. Устелемов, В. С. Кортов // Регионология. - 2002. - N 4 . - ISSN 0131-5706
Рубрики: Экономика--Экономика регионов России--Организация науки Кл.слова (ненормированные): интеллектуальная собственность -- научно-промышленные комплексы -- инновационная система -- инновационная деятельность Аннотация: Свердловская область - один из наиболее развитых научно-промышленных регионов России, в котором удалось сохранить высокий интеллектуальный потенциал. В рамках этой статьи были проведены исследования состояния рынка объектов интеллектуальной собственности в области, предложены стратегии управления, механизмы, структура, сформулированы основные приоритеты в сфере управления ИС. Доп.точки доступа: Кремко, Е. Г.; Устелемов, С. В.; Кортов, В. С. |
539.2 З-38 Зацепин, А. Ф. Фотоэлектронная спектроскопия E`-центров в кристаллическом и стеклообразном диоксиде кремния [Текст] / А. Ф. Зацепин, Д. Ю. Бирюков, В. С. Кортов // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 2. - С. 229-238. - Библиогр.: с. 238 (25 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): аморфные материалы; диоксид кремния; диэлектрики; кристаллические материалы; кристаллический диоксид кремния; нестационарная фотоэлектронная эмиссия; спектроскопия; стеклообразный диоксид кремния; точечные дефекты; фотоэлектронная спектроскопия Аннотация: На примере радиационных E`-центров в SiO[2] рассмотрены некоторые возможности применения эффекта нестационарной фотоэлектронной эмиссии (OSEE) для спектроскопии возбужденных состояний точечных дефектов в диэлектриках. Получены и исследованы спектральные зависимости OSEE кристалла альфа-кварца и кварцевого стекла, облученных электронами. Установлено, что в кристаллической и стеклообразной модификациях SiO[2] объемные E`-центры являются доминирующими эмиссионно-активными дефектами. В стеклообразном SiO[2] дополнительно обнаружены поверхностные E`[s] (1) -центры. Доп.точки доступа: Бирюков, Д. Ю.; Кортов, В. С. |
539.2 К 69 Кортов, В. С. Механизм формирования нелинейности дозового выхода термостимулированной люминесценции анион-дефектных кристаллов альфа-Al[2]O[3] [Текст] / В. С. Кортов, И. И. Мильман, С. В. Никофоров, Е. В. Моисейкин // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 3. - С. 421-426. - Библиогр.: с. 425-426 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): анион-дефектные кристаллы; кристаллы; нелинейность; нелинейность дозового выхода; оксид алюминия; термостимулированная люминесценция Аннотация: Представлены результаты исследования механизма формирования нелинейности дозовой зависимости выхода термостимулированной люминесценции анион-дефектных монокристаллов альфа-Al[2]O[3]. Экспериментально обнаружена новая закономерность - влияние скорости нагрева кристаллов при регистрации термостимулированной люминесценции на величину нелинейности дозовой характеристики. Даны рекомендации по уменьшению диапазона сверхлинейности дозовой характеристики исследуемых кристаллов. Доп.точки доступа: Мильман, И. И.; Никофоров, С. В.; Моисейкин, Е. В. |
539.2 К 69 Кортов, В. С. Люминесцирующие дефекты в наноструктурном диоксиде кремния [Текст] / В. С. Кортов, А. Ф. Зацепин, С. В. Горбунов, А. М. Мурказаев // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 7. - С. 1205-1211. - Библиогр.: с. 1210-1211 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): диоксид кремния; кислородно-дефицитные центры; люминесцирующие дефекты; метод времяразрешенной фотолюминесценции; метод импульсной катодолюминесценции; наноструктурный диоксид кремния Аннотация: С использованием методов импульсной катодолюминесценции и врямяразрешенной фотолюминесценции изучены спектрально-кинетические свойства возбужденных состояний люминесцирующих дефектов типа кислородно-дефицитных центров (ODC) в керамике SiO[2]. Доп.точки доступа: Зацепин, А. Ф.; Горбунов, С. В.; Мурказаев, А. М. |
539.2.535.342.2 К 69 Кортов, В. С. Конкурирующие процессы с участием мелких ловушек в анион-дефектном оксиде алюминия [Текст] / В. С. Кортов, С. В. Никифоров, Э. З. Садыкова // Известия вузов. Физика. - 2006. - Т. 49, N 2. - С. 89-91. - Библиогр.: c. 91 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): анион-дефектные монокристаллы; дозиметрические ловушки; моноэнергетическая ловушка; оксид алюминия Аннотация: В данной работе исследуется кинетика пика термолюминесценции (ТЛ) при 350К, а также процессы взаимодействия мелких и дозиметрических ловушек в монокристаллах оксида алюминия. Доп.точки доступа: Никифоров, С. В.; Садыкова, Э. З. |
621.315.592 К 696 Кортов, В. С. Электрический пробой и эмиссия высокоэнергетических электронов при заряжении диэлектриков [Текст] / В. С. Кортов, авт. С. В. Звонарев // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 3. - С. 52-58. - Библиогр.: c. 58 (17 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): высокоэнергетические электроны -- кристаллические диэлектрики -- метод Монте-Карло -- моделирование транспорта электронов -- Монте-Карло метод -- электрический пробой электронов -- эмиссия электронов Аннотация: Модель расчета методом Монте-Карло транспорта электронов в заряженных при облучении кристаллических диэлектриках усовершенствована с учетом процессов ударной ионизации и каскадирования. Проведено компьютерное моделирование транспорта электронов в SiO[2] в электрических полях высокой интенсивности. Установлено, что пробой указанного диэлектрика может произойти в диапазоне напряженности поля 11, 5-12, 5 МВ/см. Доп.точки доступа: Звонарев, С. В. |
537.533 З-389 Зацепин, А. Ф. Фотоэмиссионные и люминесцентные свойства кварцевого стекла, имплантированного Cu\{+\}-ионами [Текст] / А. Ф. Зацепин, В. С. Кортов, Н. В. Гаврилов, Д. Ю. Бирюков // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 6. - С. 31-34 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): фотостимулированная электронная эмиссия -- люминесценция -- кварцевое стекло -- ионы Cu\{+\} -- Cu\{+\} -- импульсная имплантация ионов -- наночастицы Аннотация: Исследованы особенности фотостимулированной электронной эмиссии и люминесценции кварцевого стекла марки KB после импульсной имплантации ионов Cu\{+\}. Показано, что ионно-лучевая модификация фотоэмиссионных и люминесцентных свойств образцов вызвана формированием радиационных дефектов и размерными факторами, связанными с появлением наночастиц Cu. Доп.точки доступа: Кортов, В. С.; Гаврилов, Н. В.; Бирюков, Д. Ю. |
539.2 К 696 Кортов, В. С. Особенности люминесцентных свойств наноструктурного оксида алюминия [Текст] / В. С. Кортов, А. Е. Ермаков [и др.] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 5. - С. 916-920. - Библиогр.: с. 920 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): оксид алюминия -- наноструктурный оксид алюминия -- газофазный метод -- катодолюминесценция -- фотолюминесценция -- наноструктурная керамика Аннотация: Газофазным методом получены и аттестованы по размерам частиц и фазовому составу нанопорошки Al[2]O[3]. Образцы наноструктурной керамики изготовлены прессованием и отжигом на воздухе. В сопоставимых условиях исследованы спектры фото- и катодолюминесценции наноструктурной керамики Al[2]O[3] и анионодефектных монокристаллов альфа-Al[2]O[3]. У обоих типов образцов обнаружены полосы свечения центров, созданных кислородными вакансиями. Наноструктурная керамика характеризуется появлением новой полосы 3. 4 eV и уменьшением длительности затухания люминесценции. Особенности люминесценции наноструктурной керамики могут быть связаны с наличием в ней неравновесных фаз и спецификой релаксационных процессов. Доп.точки доступа: Ермаков, А. Е.; Зацепин, А. Ф.; Уймин, М. А.; Никифоров, С. В.; Мысик, А. А.; Гавико, В. С. |
Кортов, В. С. Моделирование методом Монте-Карло транспорта электронов в заряженных при облучении кристаллических диэлектриках [Текст] / В. С. Кортов, С. В. Звонарев // Математическое моделирование. - 2008. - Т. 20, N 6. - С. 79-85 : 3 рис. - Библиогр.: с. 85 (17 назв. ) . - ISSN 0234-0879
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод -- электроны -- кристаллические диэлектрики -- диэлектрики Аннотация: На основе рассмотрения основных физических процессов предложены математическая модель и алгоритм расчета транспорта электронов в заряженных при облучении кристаллических диэлектриках. Доп.точки доступа: Звонарев, С. В. |
Рентгеновская эмиссионная и фотолюминесцентная спектроскопия наноструктуированного диоксида кремния с имплантированными ионами меди [Текст] / Д. А. Зацепин и [др. ] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 12. - С. 2225-2229. - Библиогр.: с. 2229 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): эмиссионная и фотолюминесцентная спектроскопия -- наноструктуирование кремния -- диоксид кремния -- имплантированные ионы меди Аннотация: Методами рентгеновской эмиссионной и фотолюминесцентной спектроскопии исследованы образцы кварцевого стекла и компактированные нанопорошки SiO[2] после имплантации Cu{+}-ионов в импульсном режиме. Установлено, что ионное облучение приводит к формированию в структуре стеклообразных и компактированных образцов SiO[2] металлических и оксидных наноразмерных фаз. Анализ рентгеновских CuL-эмиссионных спектров показал, что наночастицы меди термодинамически метастабильны и химически активны, поскольку в результате ионно-лучевого синтеза сравнительно легко переходят в оксидную форму. Указанная ситуация имеет место в результате радиоционно-стимулированного разрыва регулярных связей Si-O-Si в аморфном SiO[2] и формирования дефектных связей Si-Si с последующим захватом атомов кислорода атомами меди. Повышенная степень окисления ионов меди в нанокомпонентах SiO[2] может быть снижена посредством соимплантации и термического отжига. Данные оптической спектроскопии указывает на существование в стеклах и нанокомпонентах SiO[2] металлических нанокластеров Cu{0}[n], которые при пониженных температурах проявляют размерно-ограниченную фотолюминесценцию с характерным спупенчатым спектром возбуждения. Доп.точки доступа: Зацепин, Д. А.; Кортов, В. С.; Курмаев, Э. З.; Гаврилов, Н. В.; Wilks, R.; Moewes, A. |
546 К 696 Кортов, В. С. Экзоэлектронная эмиссия углеродного наноматериала [Текст] / В. С. Кортов, А. И. Слесарев, А. Г. Ткачев // Журнал физической химии. - 2008. - Т. 82, N 3. - С. 580-582. - Библиогр.: c. 582 (7 назв. ) . - ISSN 0044-4537
Рубрики: Химия Химические элементы и их соединения Кл.слова (ненормированные): экзоэлектронная эмиссия -- наноматериалы -- углеродные наноматериалы -- нанотрубки -- нановолокна -- дефект-адсорбат -- эмиссионные свойства -- электроны -- электронные центры захвата Аннотация: Методом термостимулированной экзоэлектронной эмисии исследованы экзоэмиссионные свойства поверхности углеродного наноматериала, состоящего из наномасштабных многослойных нанотрубок и нановолокон. Доп.точки доступа: Слесарев, А. И.; Ткачев, А. Г. |
537 К 696 Кортов, В. С. Компьютерное моделирование процессов заряжения поверхности и приповерхностных слоев диоксида кремния при электронной бомбардировке [Текст] / В. С. Кортов, С. В. Звонарев, Т. В. Спиридонова // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, N 3. - С. 25-31. - Библиогр.: c. 31 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): диоксид кремния -- заряжение диэлектриков -- заряжение поверхностей -- компьютерное моделирование -- электронная бомбардировка Аннотация: Описана физическая модель и программа расчета параметров заряжения диэлектриков при электронной бомбардировке. Методом компьютерного моделирования изучены основные процессы заряжения приповерхностных слоев диоксида кремния. Рассчитаны зависимости плотности тока, объемной плотности заряда и напряженности электрического поля от глубины слоя материала при варьировании параметров электронного пучка, длительности облучения и потенциала на сетке вблизи поверхности образца. Доп.точки доступа: Звонарев, С. В.; Спиридонова, Т. В. |
539.21:535 П 893 Пустоваров, В. А. Времяразрешенная люминесценция дефектов и примесных Cr{3+}-центров в наноструктурных кристаллах оксида алюминия при ВУФ-возбуждении [Текст] / В. А. Пустоваров, авт. В. С. Кортов // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 11. - С. 31-39 : ил. - Библиогр.: с. 39 (13 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Люминесценция Кл.слова (ненормированные): времяразрешенная люминесценция -- дефекты -- примесные центры -- кристаллы -- наноструктурные кристаллы -- алюминий -- оксид алюминия -- ВУФ-возбуждение -- ВУФ-спектроскопия -- ультрафиолетовая спектроскопия -- вакуумная спектроскопия -- методы вакуумной ультрафиолетовой спектроскопии -- временное разрешение -- температуры -- фотолюминесценция -- наноструктурные оксиды -- фазовые составы -- возбуждение фотолюминесценции -- спектры возбуждения -- трансформация спектров -- спектрально-кинетические параметры -- экситоны -- кристаллические структуры -- поверхностно-модифицированные дефекты -- экситонные состояния Аннотация: С использованием методов вакуумной ультрафиолетовой спектроскопии с временным разрешением при температурах 7. 5 и 295 K исследована фотолюминесценция (ФЛ) собственных дефектов и примесных Cr{3+}-центров в наноструктурном оксиде алюминия различного фазового состава (delta+theta и alpha-фазы). Обнаружена трансформация спектров возбуждения ФЛ и ее спектрально-кинетических параметров при изменении размера кристаллов alpha-фазы. В образцах alpha-Al[2]O[3] с размером зерна менее 100 nm даже при T=295 K обнаружены экситоны, локализованные на поверхностно-модифицированных дефектах кристаллической структуры или примесных Cr{3+}-центрах. Проявления таких экситонных состояний в характеристиках ФЛ имеют выраженную зависимость от размеров зерна. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/11/p31-39.pdf Доп.точки доступа: Кортов, В. С. |
535.37 Л 947 Люминесценция тербия в ксерогеле оксида алюминия, сформированном в матрице пористого анодного оксида алюминия, при различных видах возбуждения [Текст] / Н. В. Гапоненко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 7. - С. 980-983 : ил. - Библиогр.: с. 983 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): люминесценция -- фотолюминесценция -- ФЛ -- метод золь-гель технологии -- золь-гель технологии -- ксерогель -- оксид алюминия -- пористый анодный оксид алюминия -- тербий -- кластеры ксерогеля -- растровая электронная микроскопия -- метод растровой электронной микроскопии -- РЭМ -- рентгенолюминесценция -- РЛ -- импульсная катодолюминесценция -- ИКЛ -- легирование -- матричные преобразователи -- наноструктуры Аннотация: Методом золь-гель синтезированы легированные тербием слои ксерогеля оксида алюминия в порах пленки пористого анодного оксида алюминия толщиной 1 мкм с диаметром пор 150-180 нм, выращенной на кремнии. Сформированные структуры демонстрируют фотолюминесценцию тербия с характерными полосами, соответствующими термам трехвалентного тербия. Впервые обнаружена рентгенолюминесценция тербия для подобной структуры с наиболее интенсивной полосой излучения при 542 нм. Морфологический анализ структуры методом растровой электронной микроскопии указывает на наличие кластеров ксерогеля в каналах пор, при сохранении основного объема пор незаполненным, а устья пор открытыми. Полученные данные подтверждают перспективность использования сформированной структуры для создания матричных преобразователей рентгеновского и других видов ионизирующего излучения в видимое. Обсуждаются возможности повышения интенсивности люминесценции в матричном преобразователе. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/07/p980-983.pdf Доп.точки доступа: Гапоненко, Н. В.; Кортов, В. С.; Ореховская, Т. И.; Николаенко, И. А.; Пустоваров, В. А.; Звонарев, С. В.; Слесарев, А. И.; Прислопский, С. Я. |
539.2 О-110 О роли дырочных центров захвата в интерактивном механизме взаимодействия ловушек в анион-дефектных монокристаллах оксида алюминия [Текст] / С. В. Никифоров [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 10. - С. 2032-2037. - Библиогр.: с. 2037 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): дырочные центры захвата -- ловушки -- анион-дефектные монокристаллы -- оксиды алюминия -- термолюминисценция Аннотация: Исследовано влияние дырочных глубоких ловушек на интенсивность и форму дозиметрического пика термолюминисценции (ТЛ) при 450 K в анион-дефектных монокристаллах оксида алюминия. Обнаружено, что заполнение глубоких дырочных центров приводит к уменьшению чувствительности к излучению кристаллов с малой полушириной пика ТЛ и не влияет на чувствительность кристаллов с уширенным пиком. Высказано предположение о дырочной природе ловушек, ответственных за уширение дозиметрического пика ТЛ, которое может быть обусловлено присутствием ионов Ti{3+} в решетке корунда. Полученные результаты интерпретированы в рамках модифицированной модели интерактивной системы ловушек. Доп.точки доступа: Никифоров, С. В.; Кортов, В. С.; Носаль, А. А.; Моисейкин, Е. В. |
538.971 Ф 815 Фотоэлектронная эмиссия имплантированных пленок SiO[2]: Se{+} [Текст] / А. Ф. Зацепин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 2. - С. 221-225. - Библиогр.: c. 225 (9 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): активационное туннелирование -- диоксид кремния -- имплантированные пленки -- пленки SiO[2] -- поверхностные слои -- спектры колебательных состояний -- спектры электронных состояний -- Урбаха эмиссионное правило -- фототермическая ионизация -- численное моделирование -- эмиссионное правило Урбаха -- энергетические щели Аннотация: Представлены результаты исследования пленок диоксида кремния, имплантированных ионами селена (330 кэВ; 5х10{16} см{-2}). Методом фотостимулированной электронной эмиссии (OSEE) изучены особенности разупорядочения структуры пленки. Спектральные зависимости OSEE описаны в рамках формализма эмиссионного правила Урбаха. Установлено, что возникающие при имплантации дискретно-континуальные нарушения вносят заметные искажения в спектр электронных и колебательных состояний матрицы SiO[2]. Результаты эксперимента и численного моделирования указывают на реализацию механизма активационного туннелирования электронов с фотовозбужденных поверхностных состояний SiO[2] в вакуум. Доп.точки доступа: Зацепин, А. Ф.; Бунтов, Е. А.; Кортов, В. С.; Фиттинг, Г. Д.; Поносов, Ю. С. |
539.21:535 Т 352 Термолюминесценция анион-дефектных монокристаллов оксида алюминия после высокодозного облучения наносекундными импульсами электронов / С. В. Никифоров [и др.]. // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 2. - С. 92-97. - Библиогр.: c. 96-97 (22 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): анион-дефектные монокристаллы -- оксид алюминия -- термолюминесценция -- электронное облучение -- наносекундные импульсы электронов -- импульсные пучки электронов -- электронные пучки -- глубокие ловушки -- глубокие центры -- электронные ловушки -- дырочные ловушки Аннотация: Исследовано влияние глубоких ловушек, заполняемых импульсным пучком электронов, на термолюминесценцию (ТЛ) дозиметрического пика при 450 K в анион-дефектных монокристаллах оксида алюминия. После заполнения глубоких ловушек дозиметрический пик ТЛ становится неэлементарным и характеризуется сложной зависимостью интенсивности ТЛ от температуры отжига кристаллов с чередующимися участками спада и роста. Проведен анализ влияния заселенности глубоких центров различной природы и энергетической глубины на изменение структуры дозиметрического ТЛ пика. Обосновано предположение, что в диапазонах температур 600-750 и 900-1000 K опустошаются преимущественно электронные ловушки, а при T=780-900 и свыше 1000 K - дырочные. Показана возможность использования ТЛ глубоких ловушек для высокодозной дозиметрии импульсных пучков электронов. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/02/p92-97.pdf Доп.точки доступа: Никифоров, С. В.; Кортов, В. С.; Звонарев, С. В.; Моисейкин, Е. В.; Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина; Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина; Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина; Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина |
539.2 Н 627 Никифоров, С. В. Моделирование сверхлинейности дозовых характеристик термолюминесценции анион-дефектного оксида алюминия / С. В. Никифоров, В. С. Кортов, М. Г. Казанцева // Физика твердого тела. - 2014. - Т. 56, вып. 3. - С. 536-541 : 8 рис. - Библиогр. в конце ст. (22 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): анион-дефектные монокристаллы -- дозовые характеристики -- кристаллография в целом -- моделирование -- оксид алюминия -- сверхлинейность -- термолюминесценция Аннотация: В рамках модели интерактивной системы ловушек теоретически рассмотрены основные закономерности сверхлинейности дозовых зависимостей термолюминесценции (ТЛ) анион-дефектных монокристаллов оксида алюминия. Доп.точки доступа: Кортов, В. С.; Казанцева, М. Г.; Уральский федеральный университет имени первого Президента Б. Н. Ельцина (Екатеринбург); Уральский федеральный университет имени первого Президента Б. Н. Ельцина (Екатеринбург)Уральский федеральный университет имени первого Президента Б. Н. Ельцина (Екатеринбург) |