621.785.3:669.782 А 799 Ардышев, М. В. Ионный синтез пленок твердого раствора Ga[1-x]In[x]As{1} [Текст] / М. В. Ардышев, В. Ф. Пичугин // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 2. - Библиогр.: с. 59 (5 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Техника--Обработка материалов Кл.слова (ненормированные): ионный синтез -- ионная имплантация -- отжиг Аннотация: Методами резерфордовского обратного рассеяния, оптического поглощения и конденсаторной фотоэдс исследовали соединение Ga[1-x]In[x]As{1}. Доп.точки доступа: Пичугин, В. Ф. |
621.785.3:669.782 А 799 Ардышев, М. В. Влияние точечных дефектов на активиционные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами Si{28} [Текст] / М. В. Ардышев, В. М. Ардышев // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 3. - Библиогр.: С. 65 ( 14 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Техника--Общие вопросы техники Кл.слова (ненормированные): точечные дефекты -- ионнолегированные слои -- диффузия -- электроны -- отжиг Аннотация: Показано, что при РО формируются ИЛС при существенно меньших температурах отжига. Проведенные расчеты показывают, что генерируемые облучением пары Френкеля (ПФ) отвественны за указанные эффекты. Доп.точки доступа: , В. М. Ардышев |