621.785.3:669.782 А 799 Ардышев, М. В. Ионный синтез пленок твердого раствора Ga[1-x]In[x]As{1} [Текст] / М. В. Ардышев, В. Ф. Пичугин // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 2. - Библиогр.: с. 59 (5 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Техника--Обработка материалов Кл.слова (ненормированные): ионный синтез -- ионная имплантация -- отжиг Аннотация: Методами резерфордовского обратного рассеяния, оптического поглощения и конденсаторной фотоэдс исследовали соединение Ga[1-x]In[x]As{1}. Доп.точки доступа: Пичугин, В. Ф. |
539.2 И 755 Ионный синтез нанокристаллов InSb в захороненном слое SiO[2] структуры кремний-на-изоляторе / И. Е. Тысченко [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 9. - С. 1228-1233 : ил. - Библиогр.: с. 1233 (15 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- ионный синтез -- кремний-на-изоляторе -- КНИ -- атомы -- индий -- In -- сурьма -- Sb -- температура отжига -- отжиг -- InSb Аннотация: Исследован ионный синтез нанокристаллов InSb в слое захороненного SiO[2] структуры кремний-на-изоляторе. Изучены профили распределения атомов индия и сурьмы после отжига при температуре T[a]=500-1100°С. Установлено, что перераспределение имплантированных атомов имеет немонотонный характер в зависимости от температуры отжига. Формирование нанокристаллов InSb происходит при T[a] больше или равно 800°С вблизи границы Si/SiO[2] и на глубине средних пробегов R[p]. Анализ профилей имплантированных атомов и структуры и распределения по глубине формирующихся нанокристаллов позволил сделать предположение о двухстадийном характере образования фазы InSb: на первой стадии происходит формирование преципитатов сурьмы, которые играют роль зародышей для дальнейшего стока на них атомов In и Sb. Ion-beam synthesis of InSb nanocrystals was investigated in the buried SiO[2] layer of silicon-on-insulator structure (SOI). The In and Sb profiles were studied as a function of annealing temperature within T[a] = 500-1100°С. The nonmonotonic dependence of the ion-implanted atom distribution on the annealing temperature was estimated. The formation of InSb nanocrystals took place at T[a] = 800°С near the Si/SiO2 interface and at the ion projective range R[p]. Analyze both of the atomand nanocluster profiles and the nanocrystal structure allowed to suppose two-stage model of the InSb nanocrystal formation: (i) formation of the Sb precipitates, and (ii) subsequent segregation of In and Sb to the formed Sb nucleus. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/09/p1228-1233.pdf Доп.точки доступа: Тысченко, И. Е.; Фельсков, М.; Черков, А. Г.; Попов, В. П.; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск); Институт ионно-лучевой физики (Германия); Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск); Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск) |