535
М 695


    Михеева, О. П.
    Оптическая нелинейность наночастиц широкозонных полупроводников и изоляторов в видимой и ближней ИК области спектра [Текст] / О. П. Михеева, А. И. Сидоров // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 6. - Библиогр.: c. 82 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642
УДК
ББК 22.34
Рубрики: Физика--Оптика
Кл.слова (ненормированные):
наночастицы -- нелинейно-оптические эффекты -- оптическая нелинейность -- широкозонные материалы
Аннотация: Представлены результаты экспериментов по взаимодействию наносекундных импульсов излучения с длиной волны 0. 53, 0. 65 и 1. 06 mum с наночастицами кристаллических материалов с шириной запрещенной зоны 3-7 eV. Показано, что порог возникновения нелинейного отклика наночастиц может достигать 0. 05-0. 5 nJ/cm{2} и проявляться как в ограничении излучения, так и в просветлении среды. Предложена теоретическая модель, в которой наблюдаемые эффекты связываются с однофотонной фотогенерацией носителей заряда с глубоких примесных уровней, образованных дефектами вблизи поверхности наночастиц.

Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2004/06/page-77.html.ru

Доп.точки доступа:
Сидоров, А. И.


541.1
Л 175


   
    Лазерное излучение на нанопроволоке из нитрида галлия [Текст] // Химия в школе. - 2004. - N 1 . - ISSN 0368-5632
УДК
ББК 24.5 + 32.86
Рубрики: Химия--Физическая химия. Химическая физика
   Радиоэлектроника--Квантовая электроника

Кл.слова (ненормированные):
лазеры -- лазерное излучение -- нитрид галлия -- нанопроволока -- широкозонные материалы -- оптоэлектронные материалы
Аннотация: Исследователи из университета Калифорнии получили лазерную генерацию на нанопроволоке из широкозонного оптоэлектронного материала - нитрида галлия.





    Кабышев, А. В.
    Влияние ионного облучения на критерии правила Урбаха в оксиде алюминия [Текст] / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 4. - С. 103-109
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
спектры поглощения -- широкозонные материалы -- кластеры квазидинамического беспорядка -- диэлектрические материалы -- энергия фотонов -- правило Урбаха -- Урбаха правило
Аннотация: Показана правомерность применения обобщенного правила Урбаха для описания спектров поглощения облученного ионами моно- и поликристаллического оксида алюминия. Его выполнение в широкозонных материалах после ионной модификации является следствием индуцированного дефектами замещения и их кластерами квазидинамического беспорядка в кристаллической решетке. Установлено влияние собственных радиационных дефектов, дефектов замещения и их комплексов, а также неупорядоченных твердых растворов замещения на реализацию концепции фокуса Урбаха и на параметры фокальной точки спектров поглощения. Определенный вклад в выполнение критериев Урбаха вносят композиционный беспорядок и изменение стехиометрии материалов. Параметры межзонного и экспоненциального поглощения свидетельствуют о формировании в оксиде алюминия нового сильно дефектного материала с шириной запрещенной зоны 4. 4-4. 6 эВ и краем поглощения 2. 0-4. 2 эВ, обусловленного локализованными состояниями кластеров дефектов.


Доп.точки доступа:
Конусов, Ф. В.




    Климова, А. В.
    Поперечный пространственный перенос в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием и границы применимости квазигидродинамических моделей [Текст] / А. В. Климова, В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 1. - С. 113-118 . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
транзисторы -- гетероструктуры -- метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод -- дрейфовая скорость электронов -- широкозонные материалы
Аннотация: Для полевых транзисторов на гетероструктурах с селективным легированием проведено сравнение результатов расчетов выходных характеристик приборов по гидродинамической и квазигидродинамической (температурной) моделям. Показано, что поперечный пространственный перенос и сильные зависимости времен релаксации от энергии приводят к тому, что результаты расчетов по этим моделям существенно отличаются при длинах затворов, намного превышающих длину релаксации электронов по импульсу.


Доп.точки доступа:
Лукашин, В. М.; Пашковский, А. Б.


539.107
И 206


    Иванов, А. М.
    Радиационная стойкость широкозонного материала на примере SiC-детекторов ядерного излучения [Текст] / А. М. Иванов, Н. Б. Строкан, А. А. Лебедев // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 4. - С. 131-135. - Библиогр.: c. 134-135 (15 назв. ) . - ISSN 0044-4642
УДК
ББК 22.381 + 22.37
Рубрики: Физика
   Экспериментальные методы и аппаратура ядерной физики

   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
детекторы ядерного излучения -- радиационная стойкость -- широкозонные материалы -- карбид кремния -- радиационные дефекты -- радиационные центры -- поляризация -- ЭДС -- электродвижущая сила -- захват носителей заряда -- напряженность поля поляризации -- глубокие центры
Аннотация: При значительных концентрациях радиационных дефектов для детекторов на основе широкозонных материалов характерен эффект поляризации. Появление в объеме детектора ЭДС связано с долговременным захватом носителей заряда на глубокие уровни радиационных центров. Экспериментально установлены характер кинетики и величина напряженности поля поляризации. Повышением температуры возможно регулировать захват и достичь при "оптимальной" температуре компромисса между величиной генерационного тока и положением наиболее глубокого из уровней, чей вклад в потери заряда путем захвата носителей пренебрежимо мал. Оказалось, что глубина такого рода уровня (отнесенная к ширине запрещенной зоны) близка к значению 1/3 независимо от материала. Значения температур для материалов строго индивидуальны.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/04/p131-135.pdf

Доп.точки доступа:
Строкан, Н. Б.; Лебедев, А. А.


536.42
М 219


    Маляр, И. В.
    Формирование люминесцирующих кристаллитов в результате распада пересыщенного твердого раствора PbS-CdS [Текст] / И. В. Маляр, М. Д. Матасов, С. В. Стецюра // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 16. - С. 42-50 : ил. - Библиогр.: с. 49-50 (14 назв.) . - ISSN 0320-0116
УДК
ББК 22.375 + 22.374
Рубрики: Физика
   Термодинамика твердых тел

   Оптические свойства твердых тел

Кл.слова (ненормированные):
твердые растворы -- пересыщенные твердые растворы -- распад растворов -- кристаллиты -- наноразмерные кристаллиты -- люминесцирующие кристаллиты -- формирование кристаллитов -- узкозонные включения -- гетерофазные материалы -- широкозонные материалы -- отжиг материалов -- режимы отжига -- температурные режимы -- люминесцентные свойства -- изменение свойств -- спектры -- люминесцирующие участки -- катодолюминесценция -- карты катодолюминесценции -- фазовые составы -- оже-спектроскопия
Аннотация: Показана возможность создания наноразмерных кристаллитов CdS на поверхности узкозонных включений при определенных температурных режимах отжига гетерофазного материала на основе широкозонного материала CdS с узкозонными включениями Pb[x]Cd[1-x]S (x не менее 0. 94). Выявлено изменение люминесцентных свойств материала в видимой области спектра, показано изменение в распределении люминесцирующих участков на картах катодолюминесценции. Процессы, приводящие к подобным изменениям в фазовом составе, описаны с использованием данных оже-спектроскопии.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/16/p42-50.pdf

Доп.точки доступа:
Матасов, М. Д.; Стецюра, С. В.