Еремеев, С. В. Влияние атомного состава поверхности на электронные поверхностные состояния в топологических изоляторах A\{V\}[2] B\{VI\}[3] [Текст] / С. В. Еремеев, Ю. М. Коротеев, Е. В. Чулков // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 8. - С. 419-423
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электронные поверхностные состояния -- электронная структура -- топологические изоляторы -- изоляторы -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- халькоген -- оборванная связь -- полуметаллы Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования электронной структуры поверхности соединений A\{V\}[2] B\{VI\}[3], содержащих поверхностные топологически защищенные состояния. Рассмотрены идеальные поверхности Bi[2]Te[3], Bi[2]Se[3] и Sb[2]Te[3] и поверхности с отсутствующим внешним слоем атомов халькогена, наблюдающиеся экспериментально в виде монослойных террас. Показано, что имеющееся расхождение между теоретическим положением уровня Ферми и наблюдаемым в фотоэмиссионных экспериментах может быть объяснено наличием состояний типа "оборванной связи" на поверхности террас, образованных атомами полуметалла. Оценена доля таких террас на поверхности. Доп.точки доступа: Коротеев, Ю. М.; Чулков, Е. В. |
Еремеев, С. В. Тройные халькогениды полуметаллов на основе таллия (Tl-V-VI[2]) - новый класс трехмерных топологических изоляторов [Текст] / С. В. Еремеев, Ю. М. Коротеев, Е. В. Чулков // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 11. - С. 664-668
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): халькогениды -- халькогениды полуметаллов -- тройные халькогениды -- топологические изоляторы -- трехмерные топологические изоляторы -- электронная структура -- защищенное поверхностное состояние -- дираковский конус -- диэлектрики -- запрещенная щель Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования объемной и поверхностной электронной структуры соединений Tl-V-VI[2], где V - полуметаллы Bi и Sb, VI - халькогены Se и Te. Показано, что материалы рассмотренной серии соединений являются трехмерными топологическими изоляторами. На поверхности данных соединений присутствуют как топологически защищенное поверхностное состояние, формирующее в окрестности точки дираковский конус, так и занятые состояния типа "оборванной связи", локализованные в запрещенной щели. Доп.точки доступа: Коротеев, Ю. М.; Чулков, Е. В. |
Еремеев, С. В. О возможности существования глубоких подповерхностных состояний в топологических изоляторах: система PbBi[4]Te[7] [Текст] / С. В. Еремеев, Ю. М. Коротеев, Е. В. Чулков // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 92, вып: вып. 3. - С. 183-188
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): топологические изоляторы -- глубокие подповерхностные состояния -- PbBi[4]Te[7] -- электронная структура Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования объемной и поверхностной электронной структуры PbBi[4]Te[7]. Соединение PbBi[4]Te[7] имеет слоистую структуру, содержащую чередующиеся в направлении гексагональной оси пяти- (Bi[2]Te[3]) и семислойные (PbBi[2]Te[4]) блоки. На основе анализа вызванной спин-орбитальным взаимодействием инвертированности краев запрещенной щели показано, что данное соединение является трехмерным топологическим изолятором. При этом топологические свойства соединения определяются, в основном, слоями PbBi[2]Te[4]. На поверхности PbBi[4]Te[7] (0001) в окрестности точки Гамма с чертой формируется дираковский конус вне зависимости от типа слоя, формирующего поверхность (Bi[2]Te[3] или PbBi[2]Te[4]). Показано, что локализация данного состояния может иметь не только поверхностный, но и глубоко подповерхностный характер. Доп.точки доступа: Коротеев, Ю. М.; Чулков, Е. В. |
621.38 П 992 Пятаков, Александр (кандидат физико-математических наук). Проводники снаружи, изоляторы внутри [Текст] / А. Пятаков // Наука и жизнь. - 2012. - № 2. - С. 24-27 : 4 рис., 1 грав. . - ISSN 0028-1263
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): топологические изоляторы -- диэлектрики -- металлы -- спинтроника -- полупроводники -- электроника Аннотация: Недавно физиками был открыт необычный класс материалов - топологические изоляторы. Внутри такие вещества проявляют свойства диэлектрика, а на поверхности ведут себя как металл. Экзотические свойства новых материалов, возможно, найдут применение в новой области электроники - спинтронике. |
538.9 М 514 Меньщикова, Т. В. О происхождении состояний двумерного электронного газа на поверхности топологических изоляторов [Текст] / Т. В. Меньщикова, С. В. Еремеев, Е. В. Чулков // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 94, вып. 2. - С. 110-115
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): топологические изоляторы -- узкозонные полупроводники -- двумерный электронный газ -- ван-дер-ваальсовский промежуток -- трехмерные топологические изоляторы Аннотация: Представлены результаты первопринципных расчетов электронной структуры объема и поверхности (0001) узкозонных полупроводников Bi[2]Se[3], Sb[2]Te[3], Sb[2]STe[2] и Sb[2]SeTe[2]. Показано, что так же, как известные ранее Bi[2]Se[3] и Sb[2]Te[3], тройные соединения Sb[2]STe[2] и Sb[2]SeTe[2] являются трехмерными топологическими изоляторами. Проведен анализ влияния уширения подповерхностного ван-дер-ваальсовского промежутка на электронную структуру поверхности рассматриваемых соединений. Показано, что это уширение приводит к появлению новых (тривиальных) поверхностных состояний: параболического состояния и состояния М-образной формы в зоне проводимости и валентной зоне соответственно. Полученные результаты позволяют объяснить эффекты, обнаруженные в недавних фотоэмиссионных экспериментах, и выяснить причину происхождения новых состояний, возникающих благодаря адсорбции атомов на поверхности слоистых топологических изоляторов. Доп.точки доступа: Еремеев, С. В.; Чулков, Е. В. |
538.9 Т 668 Трехмерные и двумерные топологические изоляторы в слоистых соединениях Pb[2]Sb[2]Te[5], Pb[2]Bi[2]Te[5] и Pb[2]Bi[ 2]Se[5] [Текст] / И. В. Силкин [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 94, вып. 3. - С. 234-239
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): топологические изоляторы -- слоистые соединения -- трехмерные топологические изоляторы -- двумерные топологические изоляторы Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования электронной структуры тройных соединений Pb[2]Sb[2]Te[5], Pb[2]Bi[2]Te[5] и Pb[2]Bi[2]Se[5], имеющих слоистую структуру, состоящую из девятислойных атомных блоков, разделенных ван-дер-ваальсовыми промежутками. Показано, что все рассмотренные соединения являются трехмерными (3D) топологическими изоляторами (ТИ). Обнаружена возможность существования состояния двумерного (2D) топологического изолятора в ультратонких пленках (0001) Pb[2]Sb[2]Te[5] и Pb[2]Bi[2]Te[5]. В последнем соединении наблюдаются осцилляции топологического Z[2-]-инварианта с увеличением толщины пленки. Доп.точки доступа: Силкин, И. В.; Коротеев, Ю. М.; Еремеев, С. В.; Бильмайер, Г.; Чулков, Е. В. |
538.9 С 760 Стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi[2]Se[3] [Текст] / О. Е. Терещенко [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 94, вып. 6. - С. 500-503
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): топологические изоляторы -- монокристаллы -- стабильность поверхности -- туннельная проводимость Аннотация: Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, атомно-силовой и сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии продемонстрирована инертность поверхности скола (0001) монокристаллического Bi[2]Se[3] к окислению: после месяца хранения образцов на воздухе на поверхности не образуется собственных оксидов висмута и селена. Получены атомно-гладкие поверхности макроскопических размеров (~1 см\{2\}) со средней квадратичной шероховатостью менее 0. 1 нм и атомным разрешением структуры (1x1) - (0001) Bi[2]Se[3]. Измерение туннельной проводимости выявило квазилинейную зависимость поверхностной плотности состояний от энергии в запрещенной зоне Bi[2]Se[3]. Доп.точки доступа: Терещенко, О. Е.; Кох, К. А.; Атучин, В. В.; Романюк, К. Н.; Макаренко, С. В.; Голяшов, В. А.; Кожухов, А. С.; Просвирин, И. П.; Шкляев, А. А. |
53:51 К 308 Кацнельсон, М. И. Эффект Ааронова-Бома для безмассовых дираковских фермионов и спектральный поток операторов типа Дирака с классическими граничными условиями [Текст] / М. И. Кацнельсон, авт. В. Е. Назайкинский // Теоретическая и математическая физика. - 2012. - Т. 172, № 3. - С. 437-453 : 6 рис. - Библиогр.: с. 452-453 (33 назв.) . - ISSN 0564-6162
Рубрики: Физика Математическая физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): эффект Ааронова - Бома -- Ааронова - Бома эффект -- безмассовые дираковские фермионы -- графены -- топологические изоляторы -- самосопряженные операторы Дирака -- Дирака самосопряженные операторы -- спектральные потоки -- теорема Атьи - Зингера -- Атьи - Зингера теорема -- принцип локальности индекса -- риманово многообразие Аннотация: В топологических терминах вычислен спектральный поток произвольного семейства самосопряженных операторов типа Дирака с классическими (локальными) граничными условиями на компактном римановом многообразии с краем в предложении, что начальный и конечный операторы семейства сопряжены с помощью некоторого автоморфизма рассеяния, в котором они действуют. Доп.точки доступа: Назайкинский, В. Е. |
011/016 Н 761 Новости физики в сети Internet [Текст] : (по материалам электронных препринтов) // Успехи физических наук. - 2012. - Т. 182, № 6. - С. 680 . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Литература универсального содержания Библиографические пособия Кл.слова (ненормированные): барионы -- детекторы -- квантовая запутанность -- электрон-фононные связи -- топологические изоляторы -- гамма-лучи -- фотоны -- черные дыры -- рентгеновские источники -- ядра галактики Аннотация: Представлен аннотированный список литературы по материалам электронных препринтов. Доп.точки доступа: Ерошенко, Ю. Н. \сост.\ |
539.2 Л 724 Лозовик, Ю. Е. Плазмоника и магнитоплазмоника на графене и топологическом изоляторе [Текст] / Ю. Е. Лозовик // Успехи физических наук. - 2012. - Т. 182, № 10. - С. 1111-1116 : 3 рис. - Библиогр.: с. 1115-1116 (73 назв.). - Материалы научной сессии Отделения физических наук Российской академии наук . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): плазмоника -- магнитоплазмоника -- графен -- топологические изоляторы -- плазмоны -- электроны -- диэлектрическая проницаемость -- кулоновские поля -- эффект Холла -- Холла эффект -- сессии Аннотация: Плазмоника возникла в результате изучения плазмонов в низкоразмерных системах и структурах и разработки их применений. Специфика плазмонов в этих системах состоит в том, что частота и затухание плазмонов в них состоит в том, что частота и затухание плазмонов в них определяется геометрией структуры и диэлектрической проницаемостью окружающей среды. Доп.точки доступа: Плазмоника, научная сессия (2012, февраль) |
539.2 Я 678 Янюшкина, Н. Н. Предельно короткий оптический импульс в тонкой пленке топологического изолятора с учетом гексагональности решетки [Текст] / Н. Н. Янюшкина, А. В. Жуков, М. Б. Белоненко // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 8. - С. 1523-1525. - Библиогр.: с. 1525 (7 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): оптические импульсы -- импульсы -- тонкие пленки -- топологические изоляторы -- гексагональность решетки Аннотация: Рассмотрено распространение предельно короткого оптического импульса в тонкой пленке топологического изолятора. Электроны описываются с помощью длинноволнового эффективного гамильтониана в случае низких температур, а электромагнитное поле рассмотрено классически в рамках уравнений Максвелла. Выявлена зависимость от скорости и максимальной амплитуды предельно короткого импульса. Доп.точки доступа: Жуков, А. В.; Белоненко, М. Б. |
538.9 S 60 Silaev, M. A. Evolution of edge states in topological superfluids during the quantum phase transition / M. A. Silaev, aut. G. E. Volovik // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 95, вып. 1. - С. 29-32
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): сверхтекучие жидкости -- квантовые фазовые переходы -- сверхпроводники -- топологические сверхпроводники -- топологические изоляторы Доп.точки доступа: Volovik, G. E. |
538.9 П 770 Природные серосодержащие минералы как топологические изоляторы с широкой запрещенной щелью / И. В. Силкин [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 5. - С. 352-356
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): серосодержащие минералы -- природные минералы -- топологические изоляторы -- изоляторы с широкой запрещенной щелью -- спиновая поляризация Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования электронной структуры четырехкомпонентных природных минералов PbBi[2]Te[2]S[2] (алексит), Pb[2]Bi[2]Te[2]S[3] (саддлебакит) и PbBi[4]Te[4]S[3] (фаза С). Эти соединения имеют слоистую структуру. Показано, что рассматриваемые материалы являются трехмерными топологическими изоляторами с широкой запрещенной щелью в электронном спектре и обладают большой спиновой поляризацией. Это делает их привлекательными с точки зрения практических приложений. Доп.точки доступа: Силкин, И. В.; Меньщикова, Т. В.; Отроков, М. М.; Еремеев, С. В.; Коротеев, Ю. М.; Вергниори, М. Г.; Кузнецов, В. М.; Чулков, Е. В. |
538.9 M 56 Men`shov, V. N. Bound states induced by a ferromagnetic delta-layer inserted into a three-dimensional topological insulator / V. N. Men`shov, V. V. Tugushev, E. V. Chulkov // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 7. - С. 492-498
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): топологические изоляторы -- трехмерные топологические изоляторы -- ферромагнитный дельта-слой -- связанные состояния электронов Доп.точки доступа: Tugushev, V. V.; Chulkov, E. V. |
538.9 Н 590 Нечаев, И. А. Эффекты электрон-электронного взаимодействия на поверхности трехмерных топологических изоляторов / И. А. Нечаев, авт. Е. В. Чулков // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 7. - С. 528-533
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): топологические изоляторы -- трехмерные топологические изоляторы -- электрон-электронное взаимодействие -- GW-приближение -- двумерные электронные системы -- плазмон-дырочное рассеяние -- плазменные сателлиты -- точка Дирака -- Дирака точка Аннотация: В рамках GW-приближения показано, что за счет электрон-электронного взаимодействия в спектральной функции двумерной электронной системы, сформированной электронами на поверхности топологического изолятора, появляются плазменные сателлиты. Они возникают в результате резонансного плазмон-дырочного рассеяния. Учет вклада сателлитов при вычислении одноэлектронной плотности состояний приводит к смещению минимума плотности, сопоставляемого в эксперименте с точкой Дирака, вниз по энергии. Представлен метод рассмотрения влияния вершинных поправок на полученный спектр, позволяющий выходить за пределы GW-приближения путем суммирования лестничных диаграмм в разложении как поляризационной функции, так и собственной энергии. С помощью этого метода установлено, что учет многократного электрон-дырочного рассеяния не приводит к значимым изменениям в найденном спектре. Доп.точки доступа: Чулков, Е. В. |
538.9 E 27 Efficient step-mediated intercalation of silver atoms deposited on the Bi[2]Se[3] surface / M. M. Otrokov [et al.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 11. - С. 799-803
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): атомы серебра -- серебро -- промежуток Ван-дер-Ваальса -- Ван-дер-Ваальса промежуток -- топологические изоляторы -- кристаллы Доп.точки доступа: Otrokov, M. M.; Borisova, S. D.; Chis, V.; Vergniory, M. G.; Eremeev, S. V.; Kuznetsov, V. M.; Chulkov, E. V. |
538.9 N 52 New topological surface state in layered topological insulators: unoccupied Dirac cone / S. V. Eremeev [et al.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 12. - С. 870-874
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): топологические изоляторы -- слоистые топологические изоляторы -- конус Дирака -- Дирака конус -- зона Бриллюэна -- Бриллюэна зона Доп.точки доступа: Eremeev, S. V.; Silkin, I. V.; Menshchikova, T. V.; Protogenov, A. P.; Chulkov, E. V. |
538.9 A 12 Ab initio study of 2DEG at the surface of topological insulator Bi[2]Te[3] / M. G. Vergniory [et al.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 95, вып. 4. - С. 230-235
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): топологические изоляторы -- поверхность (физика) -- двумерный электронный газ Доп.точки доступа: Vergniory, M. G.; Menshchikova, T. V.; Eremeev, S. V.; Chulkov, E. V. |
533.9 Ч-193 Чаплик, А. В. Локальные моды в структурах с многокомпонентной плазмой / А. В. Чаплик // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 95, вып. 12. - С. 718-721
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): многокомпонентная плазма -- плазма -- локальные плазменные моды -- поверхностные плазмоны -- топологические изоляторы -- сверхрешетки Аннотация: Найдены законы дисперсии поверхностного плазмона в характерном для топологического изолятора случае сосуществования 2D- и 3D-плазмы. Исследованы обусловленные 2D- и 1D-дефектами локальные плазменные моды в многослойной сверхрешетке и в сверхрешетке из квантовых проволок. |
538.9 M 56 Men`shov, V. N. Interface induced states at the boundary between a 3D topological insulator and a normal insulator / V. N. Men`shov, V. V. Tugushev, E. V. Chulkov // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 97, вып. 5. - С. 297-303
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- трехмерные полупроводники -- топологические изоляторы -- нормальные изоляторы -- граничные условия Доп.точки доступа: Tugushev, V. V.; Chulkov, E. V.; National Research Centre "Kurchatov Institute"; General Physics Institute of RASNational Research Centre "Kurchatov Institute"; General Physics Institute of RAS; Tomsk State University; Departamento de Fisica de Materiales, Facultad de Ciencias Quimicas, UPV/EHU and Centro de Fisica de Materiales CFM-MPC, Centro Mixto CSIC-UPV/EHU (San Sebastian, Basque Country, Spain) |