Алешеин, В. И. Модельное исследование охлаждения изолированной металлической сферы в водных средах (закалка [Текст] / В. И. Алешеин, Н. В. Долотова, В. С. Анисимов // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N12. - Библиогр.: с.78 (6 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Машиностроение--Металловедение Кл.слова (ненормированные): металлы -- закалка -- охлаждение -- термозонды Аннотация: Выполнено количественное исследование процесса охлаждения металла в воде и водополимерных охлаждающих жидкостях. Исследование проведено с помощью оригинального сферического термозонда с теплоизолированной ножкой, позволяющего приблизить условия охлаждения рабочей части зонда к условиям, соответствующим условиям охлаждения изолированной сферы. Показано, что в этом случае отдельные стадии процесса последовательно сменяют друг друга, что позволяет получить количественные характеристики каждой из них. Процесс охлаждения на всех стадиях описывается простым экспоненциальным соотношением, содержащим два параметра. Один из них имеет смысл эффективной температуры охлаждающей среды, второй является постоянной времени процесса охлаждения и однозначно связан с коэффициентом теплоотдачи. На стадии пленочного кипения численное значение эффективной температуры среды может быть значительно ниже номинальной температуры, более, того при охлаждении в холодной воде оно ниже абсолютного нуля температур Доп.точки доступа: Долотова, Н.В.; Анисимов, В.С. |
621.38 Е 63 Енишерлова, К. Л. Контроль при производстве полупроводниковых приборов [] / К. Л. Енишерлова, С. С. Сарманов // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2005. - Т. 71, N 7. - С. 30-36. - Библиогр.: с. 36 (16 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): дискретные приборы; контроль; контроль производства приборов; кремниевые приборы; метод термозонда; методы контроля; полупроводниковые приборы; приборы; производство приборов; термозонды; фотолитография Аннотация: Проанализированы основные методы контроля и последовательность их использования при промышленном производстве кремниевых полупроводниковых приборов. Рассмотрены наиболее прогрессивные методы контроля и примеры их использования в полупроводниковом производстве. Доп.точки доступа: Сарманов, С. С. |
621.315.592 К 683 Король, В. М. Ионное легирование германия натрием [Текст] / В. М. Король, авт. Yu. Kudriavtsev // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 2. - С. 268-273 : ил. - Библиогр.: с. 272-273 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): ионное легирование -- германий -- Ge -- натрий -- Na -- донорные свойства (физика) -- имплантация -- удельное сопротивление -- температура отжига -- отжиг -- термозонды -- ионы -- диффузия атомов -- атомы -- имплантированные атомы Аннотация: Впервые получены доказательства донорных свойств Na при введении его имплантацией в p-Ge с удельным сопротивлением 20-40 Ом x см. Изучены профили Na, имплантированного в Ge (энергия 70 и 77 кэВ, дозы (0. 8, 3, 30) x 10{14} см{-2}). Установлены дозы и температуры отжига, при которых термозонд регистрирует n-тип проводимости на поверхности образца. После имплантации профили характеризуются протяженным хвостом, глубина максимума концентрации хорошо согласуется с рассчитанным средним пробегом ионов R[p]. Отжиг при температурах 250-700 °C (30 мин) вызывает перераспределение Na с образованием сегрегационных пиков на глубине, зависящей от ионной дозы, и сопровождается диффузией атомов к поверхности с последующим испарением. После отжига при температуре 700 °C в матрице остается менее 7% имплантированных атомов. Вид хвостовых участков профилей, измеренных после отжига при температурах 300-400 °C, указывает на диффузию вглубь небольшой доли атомов Na. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/02/p268-273.pdf Доп.точки доступа: Kudriavtsev, Yu. |