621.38 Н 580 Нефедов, А. Микросхемы для идентификационных систем [Текст] / А. Нефедов // Радио. - 2004. - N1 . - ISSN XXXX-XXXX
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): микросхемы -- идентификационные системы -- идентификация -- полупроводниковые системы -- схемы структурные Аннотация: Эти полупроводниковые системы предназначены для применения в пластиковых интеллектуальных картах аппаратуры идентификации в банкоматах, устройствах контроля доступа, оплаты проезда и товаров в магазинах, в системах учета и обращения оборудования, транспортных средств, управления технологическими процессами и др. Перейти: www.radio.ru |
53(09) В 57 Владислав Борисович Тимофеев [Текст] : к семидесятилетию со дня рождения // Успехи физических наук. - 2006. - Т. 176, N 11. - С. 1241-1242. - Тимофеев. - ил.: 1 фот. . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика--История физики Кл.слова (ненормированные): персоналии -- физики -- академики -- физика твердого тела -- термодинамика -- электрон-дырочные системы -- полупроводниковые системы -- эффект Холла -- Холла эффект Аннотация: В. Б. Тимофеевым заложены основы термодинамики неравновесных электрон-дырочных систем в полупроводниках, обнаружены экситонные молекулы и эксприментально реализован новый квантовый объект - спин-ориентированный газ экситонов. Он развил новое направление, связанное с оптическими свойствами низкоразмерных полупроводниковых систем. Перейти: http:www.ufn.ru Доп.точки доступа: Тимофеев, Владислав Борисович |
53 С 217 Сафонов, К. Л. Компьютерное моделирование роста когерентных островков в полупроводниковых системах Ge/Si и InAs/GaAs [Текст] / К. Л. Сафонов, В. Г. Дубровский, Н. В. Сибирев, Ю. В. Трушин // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 11. - С. 87-94 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые системы -- когерентные островки нанометровых размеров -- нанообъекты -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- компьютерное моделирование Аннотация: Проведено компьютерное моделирование зарождения и роста ансамблей когерентных островков нанометровых размеров в полупроводниковых системах Ge/Si и InAs/GaAs при молекулярно-пучковой эпитаксии. Получены зависимости структурных параметров ансамблей островков от условий эпитаксиального роста: температуры подложки и скорости осаждения. Проведено сравнение теоретических результатов с экспериментальными данными. Доп.точки доступа: Дубровский, В. Г.; Сибирев, Н. В.; Трушин, Ю. В. |
53 Г 620 Голуб, Л. Е. Новый механизм спин-гальванического эффекта [Текст] / Л. Е. Голуб // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 85, N 8. - С. 479-483 . - ISSN 0370-274Х
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые системы -- гетероструктуры -- спин-гальванический эффект -- спиновая релаксация Аннотация: Предложен механизм спин-гальванического эффекта, обусловленный спин-зависимым рассеянием. Электрический ток в системе спин-поляризованных двумерных носителей создается в результате интерференции процессов рассеяния с сохранением спина и процессов спиновой релаксации. Спин-гальванический эффект изучен для гетероструктур, в которых спиновая релаксация идет по механизмам Эллиота-Яфета и Дьяконова-Переля. Показано, что рассмотренный вклад в спин-гальванический ток может доминировать в асимметричных квантовых ямах A[3]B[5]. |
621.3 А 462 Александр Леонидович Асеев ( к 60-летию со дня рождения [Текст] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 3. - С. 376-377. - Асеев ( к 60-летию со дня рождения) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): биографии ученых -- ученые -- полупроводниковые системы -- физика полупроводников Аннотация: Александр Леонидович Асеев работает в Институте физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, пройдя все должностные ступени от стажера-исследователя до директора института. Основное направление научной деятельности А. Л. Асеева связано с изучением атомной структуры и электронных свойств полупроводниковых систем пониженной размерности, развитием технологий полупроводниковой микро-, опто- и наноэлектроники. Доп.точки доступа: Асеев, А. Л. |
Джафаров, Я. И. Взаимная система 3TI[2]S + Sb[2]Se[3] = 3TI[2]S + Sb[2]Se[3] [Текст] / Я. И. Джафаров, А. М. Мирзоева, М. Б. Бабанлы // Журнал неорганической химии. - 2008. - Т. 53, N 1. - С. 153-159 : рис. - Библиогр.: с. 153-159 (19 назв. ) . - ISSN 0044-457X
Рубрики: Химия Общая химия. Теоретическая химия Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые системы -- квазибинарные системы -- фазовые равновесия -- твердые растворы -- области гомогенности -- сплавы -- ликвидусы Аннотация: Проведено исследование фазовых равновесий сложных полупроводниковых систем по стабильным разрезам, содержащим соединения-аналоги, с возможностью образования в них широких областей твердых растворов и управление их составами и свойствами. Доп.точки доступа: Мирзоева, А. М.; Бабанлы, М. Б. |
Феклисов, М. А. Полевые зависимости проводимости разупорядоченных кремниевых структур металл-окисел-полупроводник с инверсионным p-каналом [Текст] / М. А. Феклисов // Радиотехника и электроника. - 2006. - Т. 51, N 2. - С. 252-256. - Библиогр.: с. 256 (14 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника Общие вопросы радиоэлектроники Кл.слова (ненормированные): кремниевые структуры -- квантовые контакты -- энергетические параметры -- полупроводниковые системы Аннотация: Развита экспериментальная методика изучения и анализа проводимости G инверсионного канала структур металл-окисел-полупроводник (МОП) в зависимости от поперечного V[g] (эффект поля) и продольного V[d] напряжений. На примере мезоскопических Si-МОП структур с инверсионным p-каналом и повышенной концентрацией встроенных зарядов при 77 К. Определены эффективные энергетические параметры квантовых контактов, образуемых в перевальных областях флуктуационного потенциала. Достигнутая точность экспериментов позволяет применять регуляризирующие алгоритмы в целях учета влияния конечной температуры. |
Веденеев, А. С. О магнетополевой зависимости прыжковой проводимости электростатически разупорядоченных квазидвумерных полупроводниковых систем в условиях перколяционного перехода диэлектрик-металл [Текст] / А. С. Веденеев, А. М. Козлов, А. С. Бугаев // Радиотехника и электроника. - 2009. - Т. 54, N 12. - С. 1491-1494. - Библиогр.: с. 1494 (20 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые системы -- диэлектрик-металл -- магнитополевая зависимость проводимости -- прыжковая проводимость -- латеральная проводимость -- полевые электроды Аннотация: Исследованы зависимости латеральной проводимости G мезоскопических Si-МНОП (металл-нитрид-окисел-кремний) транзисторных структур с инверсионным n-каналом и высокой (>10{13} см{-2}) концентрацией встроенных зарядов от магнитного поля (до 45 Тл) и потенциала полевого электрода V[g] при температуре 4. 2 К. В рамках модели Ландауэра-Буттикера рассмотрены характеристики перевальных областей электростатического флуктуационного потенциала формирующих как точечные квантовые контакты мезоскопическую перколяционную сетку. Обнаруженные особенности магнетополевых зависимостей G в области слабой инверсии - переход с увеличением V[g] от положительного при G Доп.точки доступа: Козлов, А. М.; Бугаев, А. С. |
544.34 В 709 Волыхов, А. А. Фазовые равновесия в квазитройных системах с участием соединений A{IV}B{VI} [Текст] / А. А. Волыхов, Л. В. Яшина, В. И. Штанов // Неорганические материалы. - 2010. - Т. 46, N 5. - С. 532-539 : Рис. 3, табл. 2. - Библиогр.; с. 538-539 (11 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Химия Химическое равновесие Кл.слова (ненормированные): фазовые равновесия -- термодинамическая модель -- квазитройные системы -- фазовые диаграммы -- полупроводниковые системы Аннотация: На основании литературных данных и экспериментальных результатов настоящей работы в рамках единой термодинамической модели рассчитаны T-x-y-фазовые диаграммы всех квазитройных систем, образованных халькогенидами элементов 14-й группы: (Ge, Sn, Pb) Te, Pb (S, Se, Te), Sn (S, Se, Te). Диаграммы построены на базе параметров взаимодействия в квазибинарных системах с учетом параметров тройного взаимодействия, определенных из экспериментальных данных. Доп.точки доступа: Яшина, Л. В.; Штанов, В. И. |
53:51 П 887 Пунегов, В. И. Диффузное рассеяние рентгеновских лучей на системах с квантовыми точками эллипсоидальной формы [Текст] / В. И. Пунегов, Д. В. Сивков, В. П. Кладько // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 8. - С. 41-48 : ил. - Библиогр.: с. 47-48 (14 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Математическая физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): рентгеновские лучи -- рассеяние лучей -- диффузное рассеяние -- теория диффузного рассеяния -- полупроводниковые системы -- квантовые точки -- упругие деформации -- методы разложения -- мультиполя -- атомные смещения -- поля (физика) -- аналитические решения -- кристаллические среды -- эллипсоидальные включения -- численное моделирование -- интенсивность рассеяния -- обратные пространства -- латеральные радиусы Аннотация: Разработана теория диффузного рассеяния на полупроводниковых системах с квантовыми точками (КТ) эллипсоидальной формы. Для вычисления упругих деформаций вне КТ использован метод разложения по мультиполям. Выражение для поля атомных смещений представлено с точностью до квадрупольного члена разложения. В рамках данного подхода получено аналитическое решение для диффузного рассеяния от кристаллической среды с эллипсоидальными включениями. Проведено численное моделирование карт распределения интенсивности рассеяния в обратном пространстве для разных отношений высоты и латерального радиуса квантовой точки. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/08/p41-48.pdf Доп.точки доступа: Сивков, Д. В.; Кладько, В. П. |
538.9 I 98 Ivchenko, E. L. Ratchet effects in quantum wells with a lateral superlattice [Текст] / E. L. Ivchenko, aut. S. D. Ganichev // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 93, вып. 11. - С. 752-761
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): сверхрешетки -- квантовые ямы -- фототок -- полупроводниковые системы Доп.точки доступа: Ganichev, S. D. |
535.37 Б 120 Бабаев, А. А. Поглощение и фотолюминесценция тройных наноструктурированных стеклообразных полупроводниковых систем Ge-S-Ga(In) / А. А. Бабаев, авт. В. Х. Кудоярова // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 7. - С. 899-901 : ил. - Библиогр.: с. 901 (7 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- полупроводниковые системы -- спектры -- спектры возбуждения -- люминесцентные возбуждения -- инфракрасное поглощение -- стеклообразные полупроводниковые системы -- оптическое поглощение -- бинарные системы -- взаимодействия -- сера -- германий Аннотация: Исследованы спектры фотолюминесценции, спектры возбуждения люминесценции, краевое, инфракрасное поглощение, поглощение стеклообразных полупроводниковых систем Ge-S-Ga (In). Наблюдаемые сдвиги края оптического поглощения, спектра фотолюминесценции (уменьшение полуширины спектра) и спектры возбуждения люминесценции в область меньших энергий при введении Ga или In в бинарные системы Ge-S связаны с тем, что Ga или In имеют тенденцию взаимодействовать скорее с серой, чем с германием. С ростом содержания Ga (In) в системе полоса поглощения, ответственная за колебания связи Ge-S, уменьшается. The photoluminescence spectra, the spectra of luminescence excitation, edge absorption, infrared absorption of glass-like semiconducting systems Ge-S-Ga (In) were studied. Observed shifts of optical absorption edge, photoluminescence spectrum, and the spectrum of photoluminescence towards the region of low energies at Ge and In introduction into the binary systems Ge-S were connected with the fact that Ga and In interact with sulfur better than with germanium. When increasing the concentration of Ga (In) in the system, the infrared absorption band, caused by Ge-S coupling fluctuations, decreased. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/07/p899-901.pdf Доп.точки доступа: Кудоярова, В. Х. |