Зимина, Татьяна (канд. хим. наук). Графан - брат графена [Текст] / Татьяна Зимина // Наука и жизнь. - 2009. - N 4. - С. 15 : 1 фот. . - ISSN 0028-1263
Рубрики: Наука. Науковедение Организация науки Кл.слова (ненормированные): наноматериалы -- нанотехнологии -- графан -- графен -- электроника Аннотация: Международная группа ученых синтезировала новый двумерный наноматериал для электроники нового поколения, который назвали графаном. |
Опенов, Л. А. Термическая десорбция водорода из графана [Текст] / Л. А. Опенов, А. И. Подливаев // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 1. - С. 69-75 : ил. - Библиогр.: с. 75 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Химия Физическая химия поверхностных явлений Кл.слова (ненормированные): термическая десорбция -- десорбция водорода -- графан -- графен -- энергия активации -- формула Аррениуса -- Аррениуса формула -- метод молекулярной динамики -- температурная зависимость -- термическая устойчивость Аннотация: Методом молекулярной динамики численно изучен процесс десорбции водорода из графана - монослоя графена, полностью насыщенного водородом с обеих сторон. Непосредственно рассчитаны температурные зависимости времени начала десорбции при различной степени покрытия графена водородом. Определены соответствующие значения энергий активации в формуле Аррениуса. Показано, что термическая устойчивость графана достаточно высокая для его использования в двумерной электронике даже при комнатной температуре. По этой же причине графан вряд ли можно всерьез рассматривать как перспективный аккумулятор водорода для топливных элементов. Доп.точки доступа: Подливаев, А. И. |
Алмазоподобный нанослой С[2]Н - диаман: моделирование структуры и свойств [Текст] / Л. А. Чернозатонский [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып: вып. 2. - С. 144-148
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): алмазоподобный нанослой -- наноструктуры -- двухслойный графен -- диаман -- графан Аннотация: Рассматриваются новая С[2]Н наноструктура на основе двухслойного графена, трансформируемого при ковалентной связи адсорбированных на его внешние поверхности атомов водорода, и соединения лежащих друг против друга атомов C из соседних слоев. Они, по-существу, представляют собой "пленку" (111) алмаза толщиной менее 1 нм, названную нами диаманом. Методом функционала плотности (DFT) рассчитаны и сравнены между собой энергетические характеристики и электронные спектры диамана, графена и алмаза, определены методом молекулярной динамики эффективные упругие модули и пороги разрушения мембран из диамана и графана. Показано, что диаман С[2]Н стабильнее СН графана, имеет диэлектрическую "щель" уже запрещенной зоны объемного алмаза (на 0. 8 эВ) и графана (на 0. 3 эВ). По сравнению с последним он более жесткий и более хрупкий. Доп.точки доступа: Чернозатонский, Л. А.; Сорокин, П. Б.; Квашнин, А. Г.; Квашнин, Д. Г. |
Опенов, Л. А. Спонтанная регенерация атомарно резкой границы раздела графен/графан при термическом разупорядочении [Текст] / Л. А. Опенов, А. И. Подливаев // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып: вып. 6. - С. 505-509
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): графан -- графен -- термоактивированная миграция -- миграция водорода -- спонтанная регенерация границы Аннотация: Методом молекулярной динамики исследовано размытие границы раздела графен/графан при термоактивированной миграции атомов водорода. Вопреки ожиданиям, обнаружено, что даже при достаточно высокой температуре, приблизительно равной 1500 К, имеет место быстрая спонтанная регенерация этой границы, в результате чего средняя ширина разупорядоченной области не превышает одной длины связи C-C, то есть граница раздела остается почти атомарно резкой. Установлено, что причина этого эффекта заключается в специфической форме потенциального рельефа системы, а именно, - в существенном различии высот энергетических барьеров для прямой и обратной миграции водорода. Предложена простая модель, позволяющая найти температурную зависимость равновесной функции распределения типичных атомных конфигураций, оценить характерное время установления равновесного состояния и тем самым количественно описать результаты "компьютерного эксперимента". Доп.точки доступа: Подливаев, А. И. |
Компан, М. Е. Обнаружение графен-графан перестройки по спектрам комбинационного рассеяния света в гидрогенизированном нанопористом углероде [Текст] / М. Е. Компан, Д. С. Крылов // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 24. - С. 48-53 : ил. - Библиогр.: с. 53 (9 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физическая оптика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): графены -- графаны -- графен-графан перестройка -- комбинационное рассеяние -- спектры рассеяния -- свет -- углерод -- нанопористый углерод -- гидрогенизированный нанопористый углерод -- водород -- производные графены -- углеводородные графены -- углеводородные производные графены Аннотация: Обнаружено изменение спектров комбинационного рассеяния нанопористого углерода, подвергнутого обработке водородом. Характер изменений дает основание предположить, что обнаружено появление графанов - углеводородных производных графенов. Доп.точки доступа: Крылов, Д. С. |
544.22 И 221 Ивановский, А. Л. (доктор химических наук; заведующий лабораторией). Графеновые и графеноподобные материалы [Текст] / А. Л. Ивановский // Успехи химии. - 2012. - № 7. - С. 571-605 : 31 рис., 8 табл. - Библиогр.: с. 597-605 (605 назв. ) . - ISSN 0042-1308
Рубрики: Химия Химия твердого тела Кл.слова (ненормированные): аллотропы графена -- графан -- графен -- графеновые материалы -- графеноподобные материалы -- графон -- деформация графена -- модифицирование графена -- производные графена -- свойства графена -- структурные дефекты Аннотация: Обобщены сведения по способам модифицирования углеродных материалов на основе графена - за счет создания структурных дефектов, путем введения примесей замещения, адсорбции инородных атомов, механических деформаций. Рассмотрены графеновые ленты и нанопластины, аллотропы графена, многослойные графены, гибридные углеродные структуры с участием графена. Обсуждены методы синтеза, результаты изучения свойств и моделирования производных графена - графана, графона, фторграфена. Обобщены данные исследований родственных неуглеродных графеноподобных материалов - структурных аналогов графена на основе кремния, германия, олова, графеноподобных бинарных фаз этих элементов (SiC, GeC, SiGe, SiSn и т. д. ), а также соединений типа A{III}B{V} (белый графен, B[x]C[y]N[z], BC[x], CN[z] и др. ) и A{II}B{VI} (BeO, ZnO, ZnS). Приведены сведения о других графеноподобных материалах - дихалькогенидах, оксидах и карбидах металлов. |
621.315.592 Д 138 Давыдов, С. Ю. Энергетическая щель в плотности состояний однолистного графена, наводимая адсорбцией [Текст] / С. Ю. Давыдов // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 2. - С. 204-209 : ил. - Библиогр.: с. 208-209 (28 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): энергетические щели -- плотность состояний -- графен -- однолистный графен -- адатомы -- численные оценки -- адсорбция -- монослои -- двумерные подложки -- графан Аннотация: На основании простой модели показано, что монослой адатомов, связанных косвенным обменом, вызывает появление щели в плотности состояний двумерной подложки. Подробно анализируется характер зависимости pi- и pi{*}-зон и ширины щели от положения уровня адатома. Определены числа заполнения для монослоя адатомов и графена. Численные оценки приведены для графана. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/02/p204-209.pdf |
621.315.592 О-607 Опенов, Л. А. Диэлектрическая щель в нанолентах из графена с односторонней гидрогенизацией [Текст] / Л. А. Опенов, авт. А. И. Подливаев // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 2. - С. 210-213 : ил. - Библиогр.: с. 212 (20 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): диэлектрические щели -- наноленты -- графен -- гидрогенизация -- электронные состояния -- графан -- водород Аннотация: Численно рассчитана диэлектрическая щель E[g] в нанолентах из графена, полностью покрытого водородом с одной стороны. Показано, что E[g] на ~ 1. 5 эВ меньше, чем в нанолентах из графана такой же ширины w, и монотонно увеличивается при уменьшении w. Как и в нанолентах из графана, атомная структура границ исследуемой наноленты практически не влияет на величину E[g]. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/02/p210-213.pdf Доп.точки доступа: Подливаев, А. И. |
621.315.592 О-607 Опенов, Л. А. Диэлектрическая щель в нанолентах из графана [Текст] / Л. А. Опенов, авт. А. И. Подливаев // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 5. - С. 644-646 : ил. - Библиогр.: с. 645-646 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): диэлектрические щели -- наноленты -- графан -- монослои графена -- графен -- атомные структуры Аннотация: Теоретически рассчитана величина диэлектрической щели E[g] в нанолентах из графана-монослоя графена, полностью насыщенного водородом с обеих сторон. Показано, что E[g] возрастает при уменьшении ширины наноленты и практически не зависит от атомной структуры ее границ (зигзагообразные или кресельные). Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/05/p644-646.pdf Доп.точки доступа: Подливаев, А. И. |
544 Ф 166 Фазовые переходы в квазидвумерных углеродных материалах / А. Г. Квашнин [и др.] // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2014. - Т. 57, вып. 5. - С. 71-74 : 3 рис. - Библиогр.: с. 74 (10 назв.) . - ISSN 0579-2991
Рубрики: Химия Физическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): графен -- графан -- диаман -- сверхтонкие алмазные пленки -- фазовые переходы Аннотация: Используя метод теории функционала электронной плотности, исследовалась стабильность алмазных пленок с кристаллографической ориентацией поверхности (100) и (110). Впервые была изучена атомная структура, стабильность и построена фазовая диаграмма для алмазных пленок с кристаллографической ориентацией поверхности (110). Доп.точки доступа: Квашнин, А. Г.; Квашнина, Ю. А.; Антипина, Л. Ю.; Квашнина, О. П.; Сорокина, Т. П.; Сорокин, П. Б. |