Меньшикова, Т. Г. Флуктуационная модель вольт-фарадной характеристики МДП-структуры [Текст] / Т. Г. Меньшикова, А. Е. Бормонтов // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 9. - С. 65-72 : ил. - Библиогр.: с. 72 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): МДП-структуры -- металл-диэлектрик-полупроводник -- металлы -- диэлектрики -- полупроводники -- флуктуационные модели -- вольт-фарадные характеристики -- статистические флуктуации -- зарядовые флуктуации -- энергетические спектры -- поверхностные состояния -- плотность поверхностных состояний -- встроенные заряды -- параметры МДП-структуры Аннотация: Исследована форма вольт-фарадной характеристики МДП-структуры при наличии статистических флуктуаций встроенного в диэлектрик заряда. Рассмотрено влияние зарядовых флуктуаций на энергетический спектр плотности поверхностных состояний (ПС) и другие параметры МДП-структуры. Показано, что при использовании обычных емкостных методик определения плотности ПС наличие флуктуаций может привести как к завышенной оценке ее величины (в режимах обогащения и инверсии), так и к заниженной оценке (в режиме обеднения), проявляясь в последнем случае в форме "отрицательной" плотности. Учет флуктуаций встроенного заряда необходим также для повышения точности контроля других параметров МДП-структуры емкостными методами. Доп.точки доступа: Бормонтов, А. Е. |