Определение размеров нанообъектов в пористых системах, наноматериалах и некоторых дефектных материалах методом позитронной аннигиляционной спектроскопии (обзор) [Текст] / В. И. Графутин [и др. ] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2009. - Т. 75, N 6. - С. 27-36. - Библиогр.: с. 36 (33 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Элементарные частицы Кл.слова (ненормированные): нанообъекты -- пористые системы -- наноматериалы -- дефектные материалы -- позитронная аннигиляционная спектроскопия -- спектроскопия -- аннигиляционная спектроскопия -- аннигиляция -- позитроны -- временное распределение аннигиляционных фотонов -- угловое распределение аннигиляционных фотонов -- аннигиляционные фотоны Аннотация: Показано, что одним из эффективных методов определения размеров нанообъектов, их концентраций в месте аннигиляции позитронов в пористых системах и вообще в большом числе технически важных материалов и наноматериалов является метод позитронной аннигиляционной спектроскопии. Доп.точки доступа: Графутин, В. И.; Прокопьев, Е. П.; Тимошенков, С. П.; Фунтиков, Ю. В. |
539.16 О-127 Об использовании методов позитронной аннигиляционной спектроскопии к изучению радиационно-стимулированных процессов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках / Т. С. Кавецкий [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 1. - С. 11-14 : ил. - Библиогр.: с. 13-14 (38 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Молекулярная физика в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- позитронная аннигиляционная спектроскопия -- временное распределение аннигиляционных фотонов -- ВРАФ -- аннигиляционные фотоны -- фотоны -- доплеровское уширение аннигиляционной линии -- ДУАЛ -- позитроны -- радиационно-стимулированные процессы Аннотация: Исследованы необлученные и gamma-облученные (средняя энергия E = 1. 25 МэВ, доза Phi = 2. 41 МГр) халькогенидные стеклообразные полупроводники (ХСП) As[2]S[3] и Ge[15. 8]As[21]S[63. 2] с помощью измерений временного распределения аннигиляционных фотонов (ВРАФ) и доплеровского уширения аннигиляционной линии с энергией 0. 511 МэВ (ДУАЛ). Применялись два источника позитронов {22}Na, имеющих активности 0. 6 и 2. 0 МБк и толщины каптоновой пленки 8. 0 и 25. 0 мкм. Показано, что в данных типах ХСП обнаруженные радиационно-индуцированные изменения параметров ВРАФ находятся в пределах экспериментальной погрешности измерений. Метод ДУАЛ оказался более эффективным и точным для изучения радиационно-стимулированных процессов в ХСП. In this work, the unirradiated and gamma-irradiated (average energy E = 1. 25MeV and accumulated dose 8 = 2. 41MGy) chalcogenide vitreous semiconductors (ChVSs) As[2]S[3] and Ge[15. 8]As[21]S[63. 2] have been investigated by means of the positron annihilation lifetime spectroscopy (PALS) and by measuring the Doppler broadening of the 0. 511MeV annihilation line (DBAL). Two {22}Na positron sources having the activity 0. 6 and 2. 0MBq and thicknesses of Kapton foil 8. 0 and 25. 0 Mum, respectively, have been applied. It has been shown that the observed radiationinduced changes of PALS parameters for the ChVSs are within experimental error of the measurements. The DBAL method is appeared to be more effective and accurate for studying the radiation-stimulated processes in ChVSs. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/01/p11-14.pdf Доп.точки доступа: Кавецкий, Т. С.; Цмоць, В. М.; Шауша, О.; Степанов, А. Л.; Дрогобычский государственный педагогический университет им. Ивана Франко (Украина); Дрогобычский государственный педагогический университет им. Ивана Франко (Украина); Институт физики Словацкой академии наук; Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра Российской академии наук |