Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=электронное облучение<.>)

Общее количество найденных документов : 67
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-60 61-67

Носков, М. Д.
Моделирование развития разряда в объемно-заряженном диэлектрике [Текст] / М. Д. Носков, А. С. Малиновский [и др.] // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N4. - Библиогр.: с.112 (16 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрики -- объемный заряд -- полиметилметакрилат -- разряд -- электронное облучение
Аннотация: Представлена стохастически детерминистическая модель развития разряда, вызванного объемным зарядом в диэлектрике. Численная реализация модели использована для количественного описания простарнственно-временных и токовых характеристик разряда в объемно-заряженном диэлектрике. Результаты моделирования сравниваются с данными экспериментального исследования разряда в образцах полиметилметакрилата, заряженных с помощью электронного пучка. Обсуждается взаимосвязь роста проводящих каналов, переноса заряда и энерговыделения в процессе развития разряда

Доп.точки доступа:
Малиновский, А.С.; Кук, Ч.М.; Урайт, К.А.; Шваб, А.Й.

Найти похожие

534
К 854

Крышталь, Р. Г.
Особенности распространения поверхностных акустических волн в ниобате лития, "поврежденном" электронным лучом [Текст] / Р. Г. Крышталь, А. В. Медведь // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N8. - Библиогр.: 5 назв. . - ISSN 0044-4642

УДК

534

539.2

ББК 22.32 + 22.37
Рубрики: Физика--Акустика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
волноводы -- ниобат лития -- поверхностные акустические волны -- сегнетоэлектрики -- тонкие пленки -- электронное облучение
Аннотация: Экспериментально исследовано распространение поверхностных акустических волн (ПАВ) в тонкопленочном алюминиевом волноводе типа Delta v/v, изготовленном на пластине 128`Y-X LiNbO[3] взрывной литографией с "засветкой" электронного резиста непосредственно электронным лучом энергией 20 keV без применения шаблона. Обнаружены скачки и гистерезис на температурной зависимости изменения фазы сигнала, прошедшего через ПАВ-линию задержки, образованную таким волноводом и двумя встречно-штыревыми преобразователями с центральной частотой 486 MHz и помещенную в поток азота. При введении в поток азота паров водосодержащих аналитов обнаружены аномальные изменения фазы, имеющие противоположный знак и больше, чем на порядок величины, превышающие изменения фазы, имеющие место в аналогичных условиях в образцах, изготовленных оптической литографией. Делается вывод о возможности использования обнаруженных явлений для создания датчиков влажности на ПАВ с низким уровнем пороговой чувствительности.

Доп.точки доступа:
Медведь, А.В.

Найти похожие

539.2
А 650

Андасбаев, Е. С.
Воздействие электронного облучения на физико-химические процессы в высокотемпературной керамике YBa[2]Cu[3]O[6+x] [Текст] / Е. С. Андасбаев, Ф. Ф. Комаров [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 6. - Библиогр.: c. 49-50 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
высокотемпературная керамика -- керамика -- электронное облучение
Аннотация: Исследовалось влияние электронного излучения с энергией 2 MeV и интегральными дозами 0. 1, 0. 3, 1. 5, 3. 0 MGy на физико-химические процессы в поликристаллическом YBa[2]Cu[3]O[6+x]. Установлено, что на разных стадиях облучения проявляется одновременное протекание противоположенных процессов, затрагивающих матрицу и приграничные области этого соединения. Воздействие дозами D<1. 5 MGy вызывает усиление "слабых" связей на межгранульных прослойках, обусловленных снижением поверхностного потенциального барьера для миграции кислорода в вакантные узлы, приводящих к упорядоченности кислородной подрешетки в приграничных областях. Воздействие доз D>1. 5 MGy вызывает разрушение поверхностных слоев гранул, приводящих к росту диффузии кислорода из внутреннего объема и тем самым к деградации материала.

Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2004/06/page-47.html.ru

Доп.точки доступа:
Комаров, Ф. Ф.; Купчишин, А. И.; Мурадов, А. Д.; Поздеева, Т. В.

Найти похожие

621.315.592
П 318

Пешев, В. В.
Образование центров E4 (E[c]-0,76 эВ) в арсениде галлия [Текст] / В. В. Пешев, А. П. Суржиков // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N2. - Библиогр.: с.5 (13 назв.) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- радиационные дефекты -- центры -- электронное облучение
Аннотация: В работе исследовались влияние энергии бомбардирующих электронов на скорость образования центров E4 (E[c]-0,76 эВ), а также температурные зависимости эффективности образования этих дефектов в нейтральном объеме (НО) и области пространственного заряда (ОПЗ) арсенида галлия n-типа. В качестве образцов использовались диоды с барьером Шоттки, полученные напылением титана на эпитаксиальные слои n-GaAs с n=(2-4)*10{15} см{3}. Концентрация центров определялась из спектров DLTS. Показано, что с увеличением энергии бомбардирующих электронов от 1,3 до 2,2 МэВ количество центров E4 резко возрастает в общем количестве радиационных дефектов. Установлено, что скорость введения центров Е4 в ОПЗ не зависит от температуры облучения и существенно больше, чем в НО. В НО скорость введения нелинейно возрастает с увеличением температуры облучения. Предполагается, что центр Е4 - комплекс, состоящий из двух элементарных дефектов, созданных в соседних узлах подрешеток Ga и As в едином акте соударения. При этом окончательная конфигурация комплекса формируется в результате взаимодействия этих дефектов, которое зависит от динамики преобразования их начальных зарядовых состояний

Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics

Доп.точки доступа:
Суржиков, А.П.

Найти похожие

541.12.012.4
С 900

Суржиков, А. П.
Влияние ионизации атмосферы на диффкзию кислорода в поликристаллических ферритах при электронном облучении [Текст] / А. П. Суржиков, С. А. Гынгазов, Е. Н. Лысенко, Т. С. Франгульян // Известия вузов. Физика. - 2003. - N 9. - Библиогр.: 5 назв. . - ISSN 0021-3411

УДК

541.12.012.4

ББК 22.33
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
электрический заряд -- ионизация -- электронное облучение -- диффузная проницаемость кислорода
Аннотация: Показано, что активизация диффузного процесса кислорода в поликристаллических литий-титановых ферритах при их нагреве в температурной области (873-1173) К пучком высокоэнергитических электронов вызвана действием двух факторов: ионизацией газовой среды электронным пучком и ускорением диффузных процессов непосредственно в объеме матрицы в поле излучения.

Доп.точки доступа:
Гынгазов, С. А.; Лысенко, Е. Н.; Франгульян, Т. С.

Найти похожие

539.21
А 650

Андасбаев, Е. С.
Влияние электронного облучения на физико-химические процессы в высокотемпературном сверхпроводнике YBa[2]Cu[3]O[6+х] [Текст] / Е. С. Андасбаев, Ф. Ф. Комаров [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 2004. - N 6 . - ISSN 0015-3214

УДК

539.21

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
электронное облучение -- облучение -- сверхпроводники -- высокотемпературные сверхпроводники -- поликристаллы -- дозы облучения -- иттриевая керамика -- керамика
Аннотация: Исследовано влияние электронного облучения на физико-химические процессы в поликристаллическом высокотемпературном сверхпроводнике. Относительный вклад различных радиационно-стимулированных процессов в изменение свойств соединения зависит от дозы облучения.

Доп.точки доступа:
Комаров, Ф. Ф.; Купчишин, А. И.; Мурадов, А. Д.; Поздеева, Т. В.

Найти похожие

536.22/.23
М 601

Милехин, Ю. М.
Газовыделение в энергетических композициях с активным горюче-связующим при воздействии ионизирующего излучения [Текст] / Ю. М. Милехин, Д. Н. Садовничий [и др.] // Физика горения и взрыва. - 2008. - Т. 44, N 4. - С. 66-71. - Бибилогр.: с. 71 (23 назв. ) . - ISSN 0430-6228

УДК

536.22/.23

544.4

ББК 22.365 + 24.542
Рубрики: Физика
   Газы и жидкости
   Химия
   Химическая кинетика
Кл.слова (ненормированные):
энергетические композиции -- нитроэфиры -- газовая хроматография -- манометрия -- перхлорат аммония -- циклотетраметилентетранитрамин -- гамма-облучение -- электронное облучение -- радиолиз
Аннотация: Методами газовой хроматографии, манометрии и ЭПР-спектроскопии изучено газовыделение, вызванное действием электронного и гамма-облучения на смесевые энергетические композиции и их активное горюче-связующее, состоящее из полиэфируретана, пластифицированного нитроэфирами.

Доп.точки доступа:
Садовничий, Д. Н.; Коптелов, А. А.; Шишов, Н. И.; Кузьмичев, А. К.; Бутенко, Е. А.

Найти похожие

621.315.592
К 592

Козловский, В. В.
Влияние электронного облучения на скорость удаления носителей в кремнии и карбиде кремния модификации 4H [Текст] / В. В. Козловский, В. В. Емцев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 2. - С. 243-248 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электронное облучение -- метод Ван-дер-Пау -- Ван-дер-Пау метод -- кремний -- карбид кремния
Аннотация: Впервые проведено сравнение последовательного (до дозы 3 10\{16\} см\{-2\}) воздействия электронного облучения (с энергией 900 МэВ) на образцы, изготовленные из FZ-Si и 4H-SiC (CVD). Измерения на исходных и облученных образцах проводились по методу Ван-дер-Пау (для кремния) и вольтъемкостным методом на частоте 1 кГц (для карбида кремния). Дополнительно, в случае SiC, спектр вводимых уровней дефектов контролировался методом DLTS. Были определены величины скорости удаления носителей и скорости введения дефектов для двух материалов.

Доп.точки доступа:
Емцев, В. В.; Емцев, К. В.; Строкан, Н. Б.; Иванов, А. М.; Ломасов, В. Н.; Оганесян, Г. А.; Лебедев, А. А.

Найти похожие

669.017
А 795

Арбузов, В. Л.
Эффективность нейтронного и электронного облучения в радиационно-индуцированном расслоении твердого раствора сплавов Fe-Ni и Fe-Ni-P [Текст] / В. Л. Арбузов, Б. Н. Гощицкий [и др.] // Физика металлов и металловедение. - 2008. - Т. 106, N 3. - С. 276-285. - Библиогр.: с. 285 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3230

УДК

669.017

ББК 34.2
Рубрики: Технология металлов
Металловедение в целом
Кл.слова (ненормированные):
нейтронное облучение -- электронное облучение -- радиационно-индуцированное расслоение -- твердые растворы -- сплавы -- Fe-Ni -- электросопротивление -- изохронный отжиг -- изотермический отжиг
Аннотация: Методом электросопротивления исследованы процессы радиационно-индуцированного расслоения твердого раствора в сплавах Fe-Ni и Fe-Ni-P при T[обл] - 320 K.

Доп.точки доступа:
Гощицкий, Б. Н.; Данилов, С. Е.; Карькин, А. В.; Перминов, Д. А.

Найти похожие

10.

621.77.016
Ц 400

Цепелев, А. Б.
Структурно-фазовые изменения в аустенитной стали при стационарном и циклическом электронном облучении [Текст] / А. Б. Цепелев, Ю. А. Перлович [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 1. - С. 9-19 . - ISSN 0015-3214

УДК

621.77.016

ББК 34.51/59
Рубрики: Машиностроение
Обработка металлов
Кл.слова (ненормированные):
электронное облучение -- аустенитные стали -- стационарное электронное облучение -- циклическое электронное облучение -- структурно-фазовые изменения в стали
Аннотация: Методами рентгеновского фазового и текстурного анализов исследовано структурно-фазовое состояние аустенитной Cr-Mn стали, облученной электронами в непрерывном и циклическом режимах.

Доп.точки доступа:
Перлович, Ю. А.; Исаенкова, М. Г.; Лазоренко, В. М.; Товтин, В. И.; Грехов, М. М.

Найти похожие

11.

539.2
Р 258

Рау, Э. И.
Механизмы зарядки диэлектриков при их облучении электронными пучками средних энергий [Текст] / Э. И. Рау, Е. Н. Евстафьева, М. В. Андрианов // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 4. - С. 599-607. - Библиогр.: с. 607 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрики -- облучение -- равновесная энергия падающих электронов -- электронное облучение -- электронные пучки средних энергий
Аннотация: Качественно и количественно исследованы электронно-эмиссионные и зарядовые характеристики широкого класса массивных диэлектриков. Показано, что при облучении диэлектриков непрерывным электронным пучком средних энергий происходит уменьшение значения равновесной энергии падающих электронов (второй критической энергии) по сравнению с их теоретическими значениями. Равновесное состояние зарядки до насыщения наступает за время от единиц до сотен секунд в зависимости от плотности облучающего тока и энергии электронов, а также в зависимости от материала диэлектрика. Механизмы зарядки объяснены на основе модели образования в процессе облучения двойного слоя зарядов: положительного (с толщиной, равной глубине выхода вторичных электронов) и отрицательного (с толщиной, равной глубине пробега первичных электронов).

Доп.точки доступа:
Евстафьева, Е. Н.; Андрианов, М. В.

Найти похожие

12.

Ванина, Е. А.
Моделирование образования упорядоченной структуры радиационных дефектов [Текст] / Е. А. Ванина, В. А. Рокосей // Известия вузов. Физика. - 2006. - Т. 49, N 8. - С. 92-94. - Библиогр.: c. 94 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.12

ББК 22.36
Рубрики: Физика
Молекулярная физика
Кл.слова (ненормированные):
структура радиационных дефектов -- термодинамическое равновесие -- поток излучений -- электронное облучение
Аннотация: В статье рассмотрено моделирование образования упорядоченной структуры радиационных дефектов.

Доп.точки доступа:
Рокосей, В. А.

Найти похожие

13.

Влияние электронного облучения на магнитные свойства сверхпроводящей керамики GdBaCuO [Текст] / С. В. Симаков [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 6. - С. 75-77 . - ISSN 0015-3214

УДК

^a537.533/.534

^a621.7

ББК 22.338 + 30.68
Рубрики: Физика
   Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
   Техника
   Обработка материалов
Кл.слова (ненормированные):
керамики -- сверхповодящие керамики -- электронное облучение -- намагниченность керамик -- магнитный гистерезис -- легирование
Аннотация: Исследовано влияние облучения электронами с энергией 2, 2 МэВ на свойства высокотемпературной сверхпроводящей керамики GdBaCuO.

Доп.точки доступа:
Симаков, С. В.; Джао Юлей; Сяо Линь; Джен Минху; Виноградова, Н. А.; Садыхов, С. И. О.

Найти похожие

14.

Марченко, И. Г.
Влияние электронного облучения, ослабленного алюминиевыми экранами, на электрические параметры кремниевых p-n-структур [Текст] / И. Г. Марченко, Н. Е. Жданович // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 10. - С. 45-51 : ил. - Библиогр.: с. 51 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a537

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм в целом
Кл.слова (ненормированные):
электронное облучение -- влияние электронного облучения -- алюминиевые экраны -- электрические параметры -- p-n-структуры -- кремниевые p-n-структуры -- время жизни -- заряды -- неравновесные носители -- обратный ток -- ВАХ -- вольт-амперные характеристики -- электроны -- облучение электронами -- энергия (физика) -- плоские алюминиевые экраны -- процессы облучения
Аннотация: Проведено исследование поведения времени жизни неравновесных носителей заряда tau, обратного тока I[R] и прямой ВАХ в кремниевых p{+}-n-n{+}-структурах при облучении электронами с энергией 6 MeV через плоские алюминиевые экраны толщиной \it d от 2 до 14 mm (массовой толщиной 0. 5-3. 8 g/cm{2}). В том случае, когда d=14 mm (3. 8 g/cm{2}), структуры обнаруживают существенно меньшее изменение I[R] и ВАХ по сравнению с экранами d=2-12 mm при одинаковом снижении в процессе облучения величины tau: от 20 до 1. 5 mus.

Доп.точки доступа:
Жданович, Н. Е.

Найти похожие

15.

Пагава, Т. А.
Влияние энергии фотовозбуждения в процессе электронного облучения на дефектообразование в кристаллах n-Si [Текст] / Т. А. Пагава, Н. И. Майсурадзе // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 750-754 : ил. - Библиогр.: с. 754 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- электронное облучение -- дефектообразование -- радиационные дефекты -- РД -- метод Холла -- Холла метод -- изохронный отжиг -- n-Si
Аннотация: Исследовано влияние подсветки кристаллов n-Si в процессе облучения электронами на природу радиационных дефектов. Образцы, облученные электронами с энергией 2 МэВ, подвергались изохронному отжигу в интервале температур 200-600oC. После каждого цикла 20-минутного отжига методом Холла измерялась концентрация электронов в интервале температур 77-300 K. Показано, что при возбуждении в процессе облучения E-центров квантами с энергией hnu=0. 44 эВ (длина волны lambda=2. 8 мкм) в кристаллах n-Si образуются двухвакансионные фосфорсодержащие дефекты типа PV[2], что приводит к увеличению радиационной стойкости исследуемых кристаллов. При возбуждении отрицательных вакансий V- квантами с hnu=0. 28 эВ (lambda=4. 4 мкм) общее количество радиационных дефектов растет в 1. 2 раза.

Доп.точки доступа:
Майсурадзе, Н. И.

Найти похожие

16.

Влияние облучения на свойства нанокристаллических пленок карбида кремния [Текст] / А. В. Семенов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1362-1367 : ил. - Библиогр.: с. 1367 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- пленки -- нанокристаллические пленки -- Sic -- подложки -- оптические свойства -- электрофизические свойства -- облучение -- облучение электронами -- электронное облучение -- электроны -- высокоэнергетичные электроны -- ромбоэдрические политипы -- 21R-SiC -- 27R-SiC -- оптическое поглощение -- флюэнсы -- энергия Урбаха -- Урбаха энергия -- радиационные дефекты -- фотоны
Аннотация: Изучено влияние облучения электронами на оптические и электрофизические свойства нанокристаллических пленок карбида кремния ромбоэдрических политипов 21R-SiC и 27R-SiC. Проведены циклы облучения нанокристаллических пленок SiC на подложках из сапфира электронами с энергией 10 МэВ в диапазоне флюэнсов 5x10{14}-9x10{19} см{-2}. Установлено, что при дозах облучения менее 10{19} см{-2} оптическое поглощение пленок в области энергий фотонов E>E[g] становится меньше оптического поглощения необлученных пленок. Установлено, что зависимость энергии Урбаха от дозы облучения имеет минимум при дозе 10{17} см{-2} для пленок 27R-SiC и при 5x10{17} см{-2} для пленок 21R-SiC, что свидетельствует о радиационном упорядочении пленок. При увеличении дозы более 5x10{17} см{-2} и вплоть до 9x10{19} см{-2} в пленках наблюдаются рост энергии Урбаха и уменьшение оптической щели, что обусловлено повышением концентрации радиационных дефектов.

Доп.точки доступа:
Семенов, А. В.; Лопин, А. В.; Пузиков, В. М.; Борискин, В. Н.

Найти похожие

17.

Влияние радиационных дефектов на электрические потери в кремниевых диодах, облученных электронами [Текст] / Н. А. Поклонский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 397-401 : ил. - Библиогр.: с. 400-401 (37 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.232
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
дефекты -- радиационные дефекты -- диоды -- кремниевые диоды -- электрические потери -- облучение электронами -- электронное облучение -- флюенсы -- флюенсы облучения -- отжиг -- температура отжига
Аннотация: Исследованы кремниевые диоды с p{+}-n-переходом, облученные электронами энергией 3. 5 МэВ, флюенсами от 10{15} до 4x10{16} см{-2}. Установлено, что зависимость тангенса угла электрических потерь tgdelta от частоты f переменного тока в интервале f=10{2}-10{6} Гц является немонотонной функцией с двумя экстремумами: минимумом и максимумом. Трансформация зависимостей tgdelta (f) при увеличении флюенса облучения и увеличении температуры отжига диодов обусловлена изменением сопротивления n-Si (базовой области диодов), вызванным накоплением (при увеличении флюенса) или исчезновением и перестройкой (при отжиге) радиационных дефектов. Роль инерционности процесса перезарядки дефектов в формировании tgdelta (f) невелика.

Доп.точки доступа:
Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Ластовский, С. Б.; Wieck, A.

Найти похожие

18.

Цепелев, А. Б.
Механические свойства облученного сплава V-Ga-Cr [Текст] / А. Б. Цепелев, С. И. О. Садыхов, И. В. Боровицкая // Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 6. - С. 12-15 . - ISSN 0015-3214

УДК

^a621.039.5

^a4621.039.6

ББК 31.46 + 31.49
Рубрики: Энергетика
Ядерные реакторы
Термоядерная энергетика
Кл.слова (ненормированные):
сплавы церия -- сплавы ванадия -- дисковые микрообразцы -- электронное облучение -- термоядерные реакторы -- конструкционные материалы -- облученные сплавы -- легирующие примеси -- аустенитные стали -- ферритные стали -- ферритно-мартенситные стали -- малоактивируемые конструкционные материалы
Аннотация: Методом вдавливания дисковых микрообразцов проведены оценки механических свойств малоактивируемых сплавов на основе V (системы V-Ga, V-Ga-Cr) с добавлением церия.

Доп.точки доступа:
Садыхов, С. И. О.; Боровицкая, И. В.

Найти похожие

19.

Якункин, М. М.
Влияние процессов релаксации на перенос тепла, возникающего под действием интенсивных потоков энергии [Текст] / М. М. Якункин // Физика и химия обработки материалов. - 2010. - N 3. - С. 27-33 . - ISSN 0015-3214

УДК

^a53

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
перенос тепла -- релаксация -- лазерное облучение -- электронное облучение -- твердые тела -- феноменологические модели -- интенсивные потоки энергии -- теплопроводность твердых тел -- теплопроводность
Аннотация: Представлена феноменологическая модель эволюции температурного поля и исследовано влияние процессов релаксации, обусловленных термически активируемыми дефектами и инерцией среды, на теплопроводность твердых тел под действием интенсивных потоков энергии.

Найти похожие

20.

Модификация структуры и механических свойств биоцемента-гидроксилапатита ионизирующим излучением [Текст] / В. Н. Кузнецов [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2010. - N 4. - С. 5-8 . - ISSN 0015-3214

УДК

^a539.26

ББК 22.361
Рубрики: Физика
Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики
Кл.слова (ненормированные):
гидроксилапатит -- электронное облучение -- рентгеновское облучение -- субструктура -- механические свойства -- модуль упругости -- прочность -- пластичность -- ионизирующее излучение -- быстрые электроны -- рентгеновские лучи -- мозаичные блоки -- микродеформация кристаллической решетки
Аннотация: Изучено влияние ионизирующего излучения (быстрые электроны, рентгеновские лучи) на параметры тонкой структуры (размер мозаичных блоков, микродеформация кристаллической решетки) и механические свойства (модуль упругости, прочность, пластичность) гидроксилапатита. Обнаружена корреляция между дозовыми зависимостями структурных параметров и механических свойств материала.

Доп.точки доступа:
Кузнецов, В. Н.; Коршунов, А. Б.; Путляев, В. И.; Голубцов, И. В.; Агахи, К. А.; Ковальков, В. К.; Фомин, Л. В.

Найти похожие

1-20 21-40 41-60 61-67

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)