Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Найдено в других БД:

Электронный каталог (8)

Труды ОмГУ (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Кузнецов, О. А.$<.>)

Общее количество найденных документов : 12
Показаны документы с 1 по 12

550.3
К 891

Кузнецов, О. А.
Тайный рейс "Витязя" [Текст] / О. А. Кузнецов // Вестник Российской академии наук. - 2004. - Т. 74, N 1. - Библиогр.: с. 70 (61 назв. ) . - ISSN 0869-5873

УДК

550.3

539.1/.18

ББК 26.2
Рубрики: Геофизика--Общие вопросы геофизики--Ядерная физика
Кл.слова (ненормированные):
космические излучения -- азимутальная ассиметрия излучений -- космические лучи -- экваториальная зона -- экспедиции -- океонология -- Витязь (корабль) -- наука
Аннотация: Данная статья рассказывает об экспедиции, перед которой стояли задачи исследования в экваториальной зоне высотной зависимости интенсивности компоненты космического излучения, компоненты космических лучей, вызывающей ядерные расщепления, измерения на экваторе азимутальной асимметрии космических излучений.

Найти похожие

539.2
В 78

Востоков, Н. В.
Релаксированные буферные слои Si (1-x) Ge (x) / Si (001) , выращенные методом газофазной эпитаксии при атмосферном давлении [] / Н. В. Востоков, Ю. Н. Дроздов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 44-45. - Библиогр.: с. 46 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
атмосферное давление; буферные слои; газофазная эпитаксия; германий; давление; дислокации; кремний; нанофотоника; плотность; поверхностные слои; подложки; полировка; прорастающие дислокации; релаксированные буферные слои; слои; химико-механическая полировка; шероховатость; эпитаксия
Аннотация: Методом газофазной эпитаксии при атмосферном давлении выращены релаксированные градиентные буферные слои Si (1-x) Ge (x) / Si (001) , имеющие низкую плотность прорастающих дислокаций. За счет применения химико-механической полировки поверхности слоев Si (1-x) Ge (x) / Si (001) удалось понизить шероховатость их поверхности до значений, сравниваемых с шероховатостью поверхности исходных подложек Si (001) .

Доп.точки доступа:
Дроздов, Ю. Н.; Красильник, З. Ф.; Кузнецов, О. А.; Новиков, А. В.; Перевощиков, В. А.; Шалеев, М. В.

Найти похожие

539.2
Я 49

Якунин, М. В.
Исследование размерно-квантованной валентной зоны Ge в потенциальной яме Ge (1-x) Si (x) / Ge / Ge (1-x) Si (x) с помощью гальваномагнитных эффектов [] / М. В. Якунин, Г. А. Альшанский [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 50-53. - Библиогр.: с. 53 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
валентные зоны; гальваномагнитные эффекты; германий; дырки; зоны; квантование; кремний; нанофотоника; подзоны; потенциальные ямы; размерно-квантованные зоны; слои; тяжелые дырки; эффекты; ямы
Аннотация: На основании расчетов структуры размерно-квантованной валентной зоны Ge в слое с ориентацией (111) показано, что эффективная масса, описывающая движение дырок вдоль (111) слоя, почти на порядок меньше, чем масса тяжелых дырок в объемном материале, которая ответственна за формирование в этом слое уровней размерного квантования.

Доп.точки доступа:
Альшанский, Г. А.; Арапов, Ю. Г.; Неверов, В. Н.; Харус, Г. И.; Шелушинина, Н. Г.; Кузнецов, О. А.; де Виссер, А.; Пономаренко, Л.

Найти похожие

539.2
А 49

Алешкин, В. Я.
Мелкие акцепторы в гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами в магнитном поле [] / В. Я. Алешкин, А. В. Антонов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 74-79. - Библиогр.: с. 79 (19 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
акцепторы; германий; гетероструктуры; квантовые ямы; кремний; магнитные поля; магнитопоглощения; нанофотоника; поля; резонанс; циклотронный резонанс; ямы
Аннотация: Экспериментально и теоретически исследованы мелкие акцепторы в гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами в магнитном поле. Показано, что наряду с линиями циклотронного резонанса в спектрах магнитопоглощения наблюдаются переходы с основного состояния акцептора на возбужденные состояния.

Доп.точки доступа:
Антонов, А. В.; Векслер, Д. Б.; Гавриленко, В. И.; Ерофеева, И. В.; Иконников, А. В.; Козлов, Д. В.; Кузнецов, О. А.; Спирин, К. Е.

Найти похожие

621.3
Ш 182

Шалеев, М. В.
Влияние напряженного Si-слоя на фотолюминесценцию Ge (Si) самоформирующихся островков, выращенных на релаксированных SiGe/Si (001) -буферных слоях [Текст] / М. В. Шалеев, А. В. Новиков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 2. - С. 172-176 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- гетероструктуры -- самоформирующиеся островки -- напряженные слои
Аннотация: Представлены результаты исследований фотолюминесценции структур с Ge (Si) -самоформирующимися островками, встроенными в напряженный Si-слой. Структуры были выращены на гладких релаксированных Si[1-x]Ge[x]/Si (001) (x=20-30%) буферных слоях. Обнаруженный в спектрах фотолюминесценции исследованных структур пик фотолюминесценции связывается с непрямым в реальном пространстве оптическим переходом между дырками, локализованными в Ge (Si) -островках, и электронами, локализованными в напряженных Si-слоях над и под островком. Продемонстрирована возможность эффективного управления положением пика фотолюминесценции от данного типа структур путем изменения толщин напряженных Si-слоев. Обнаружено, что при 77 K интенсивность сигнала фотолюминесценции от гетероструктур с Ge (Si) -cамоформирующимися островками, заключенными между напряженными Si-слоями, на порядок превосходит интенсивность сигнала фотолюминесценции от структур Ge (Si) c островками, сформированными на Si (001) -подложках.

Доп.точки доступа:
Новиков, А. В.; Яблонский, А. Н.; Кузнецов, О. А.; Дроздов, Ю. Н.; Красильник, З. Ф.

Найти похожие

621.3
Ш 182

Шалеев, М. В.
Влияние температуры роста на фотолюминесценцию самоформирующихся островков Ge (Si), заключенных между напряженными слоями Si [Текст] / М. В. Шалеев, А. В. Новиков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1375-1380 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- буферные слои -- самоформирующиеся островки
Аннотация: Исследовано влияние температуры роста на фотолюминесценцию структур с островками Ge (Si), выращенными на релаксированных буферных слоях SiGe/Si (001) и заключенных между напряженными Si-слоями. Показано, что при уменьшении температуры роста в интервале 700-630\{o\}C пик фотолюминесценции островков смещается в область меньших энергий, что обусловлено увеличением содержания Ge в островках и подавлением размытия напряженных Si-слоев. Обнаруженное смещение пика в область больших энергий при понижении температуры роста с 630 до 600\{o\}C связывается с изменением типа островков с dome на hut, которое происходит в этом интервале температур и сопровождается резким уменьшением средней высоты островков. Большая ширина пика фотолюминесценции hut-островков по сравнению с пиком фотолюминесценции dome-островков вызвана большим разбросом hut-островков по размерам.

Доп.точки доступа:
Новиков, А. В.; Яблонский, А. Н.; Кузнецов, О. А.; Дроздов, Ю. Н.; Лобанов, Д. Н.; Красильник, З. Ф.

Найти похожие

621.315.592
Б 435

Белова, О. В.
Электрофизические свойства слоев Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / О. В. Белова, В. Н. Шабанов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 2. - С. 136-140 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
молекулярно-лучевая эпитаксия -- дно зоны проводимости -- эрбий -- холловская подвижность
Аннотация: Температурные зависимости концентрации и холловской подвижности электронов в эпитаксиальных слоях Si : Er/Sr исследовались после их выращивания при T=600 градусов Цельсия и отжига при 700 и 900 градусов Цельсия. Слои осаждались методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в вакууме ~ 10\{-5\} Па. Энергетические уровни донорных центров, связанных с Er, расположены на глубине 0. 21-0. 27 эВ от дна зоны проводимости Si. В интервале 80-300 K холловская подвижность электронов в неотожженных эпитаксиальных слоях Si : Er была в 3-10 раз меньше подвижности в монокристаллах Cz-Si. После отжига слоев доля рассеяния электронов на донорных центрах Er заметно уменьшается.

Доп.точки доступа:
Шабанов, В. Н.; Касаткин, А. П.; Кузнецов, О. А.; Яблонский, А. Н.; Кузнецов, М. В.; Кузнецов, В. П.; Корнаухов, А. В.; Андреев, Б. А.; Красильник, З. Ф.

Найти похожие

Кузнецов, О. А.
Решение задач линейного программирования в прикладных пакетах [Текст] / О. А. Кузнецов, О. С. Павлова // Информатика и образование. - 2009. - N 4. - С. 55-63 . - ISSN 0234-0453

УДК

^a372.8

ББК 74.26
Рубрики: Образование. Педагогика
Методика преподавания учебных предметов
Кл.слова (ненормированные):
задачи линейного программирования -- информатика в школе -- линейное программирование -- решение задач в Maple -- решение задач в Mathcad -- уроки по информатике
Аннотация: В статье рассматриваются возможности решения задачи линейного программирования в различных средах - Excel, Mathcad, Maple. При этом основное внимание уделяется технологии работы, а также выделяются достоинства и недостатки каждого из указанных пакетов.

Доп.точки доступа:
Павлова, О. С.

Найти похожие

656.6
Н 469

Нейман, В. Г.
"Витязь" открывает Мировой океан [Текст] / В. Г. Нейман, авт. О. А. Кузнецов // Вестник Российской академии наук. - 2011. - Т. 81, N 5. - С. 456-462 : 1 фот., 1 рис. . - ISSN 0869-5873

УДК

656.6

910.4(091)

ББК 39.4 + 26.8г
Рубрики: Транспорт
   Водный транспорт в целом
   География
   История географии
Кл.слова (ненормированные):
Витязь -- корабли -- морские экспедиции -- моря -- научно-исследовательский флот -- океанологические исследования -- океанологические станции -- океаны
Аннотация: О морских экспедициях "Витязя".

Доп.точки доступа:
Кузнецов, О. А.

Найти похожие

10.

629.5
П 635

Постников, А. В.
[Рецензия] [Текст] / рец. А. В. Постников, рец. В. Н. Краснов // Вестник Российской академии наук. - 2009. - Т. 79, N 12. - С. 1126-1128 : 1 фот. - Рец. на кн.: Кузнецов, О. А. Морские "Витязи" России / О. А. Кузнецов, В. Г. Нейман. - М.: Наука, 2008. - 251 с. . - ISSN 0869-5873

УДК

629.5

ББК 39.42/46
Рубрики: Транспорт
Суда
Кл.слова (ненормированные):
боевые корабли -- военно-морская деятельность -- морские суда -- научно-исследовательские суда -- научно-исследовательский флот -- океанография -- рецензии -- русский флот
Аннотация: В ряду наиболее знаменитых кораблей научно-исследовательских флотов мира заметное место занимает судно с русским именем "Витязь". Обо всех четырех "Витязях" подробно и интересно рассказали авторы рецензируемой книги.

Доп.точки доступа:
Краснов, В. Н.; Кузнецов, О. А.; Нейман, В. Г.

Найти похожие

11.

621.315.592
Ш 642

Ширина линии фотолюминесценции от самоформирующихся островков Ge (Si), заключенных между напряженными Si-слоями [Текст] / М. В. Шалеев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 2. - С. 202-206 : ил. - Библиогр.: с. 206 (24 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- ФЛ -- напряженные слои -- Si-слои -- оптическое возбуждение -- наноостровки -- буферные слои -- Ge (Si) -- квантовые точки -- полупроводники -- InAs/GaAs
Аннотация: Исследовано влияние толщин напряженных Si-слоев, температуры измерения и мощности оптического возбуждения на ширину пика фотолюминесценции от самоформирующихся наноостровков Ge (Si), выращенных на релаксированных буферных слоях SiGe/Si (001) и заключенных между напряженными Si-слоями. Показано, что путем изменения толщин напряженных Si-слоев над и под островками можно как уменьшать, так и увеличивать ширину линии фотолюминесценции островков Ge (Si). За счет учета диффузионного размытия напряженного слоя Si над островками достигнуто уменьшение ширины пика фотолюминесценции от островков Ge (Si) до значений, сравнимых с шириной пика фотолюминесценции от структур с квантовыми точками на основе прямозонных полупроводников InAs/GaAs.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/02/p202-206.pdf

Доп.точки доступа:
Шалеев, М. В.; Новиков, А. В.; Байдакова, Н. А.; Яблонский, А. Н.; Кузнецов, О. А.; Лобанов, Д. Н.; Красильник, З. Ф.

Найти похожие

12.

539.2
П 272

Переход от двумерного к трехмерному росту пленки Ge при ее осаждении на релаксированные SiGe/Si(001) буферные слои / М. В. Шалеев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 3. - С. 404-409 : ил. - Библиогр.: с. 408-409 (27 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
пленки -- германий -- Ge -- релаксированные буферные слои -- буферные слои -- слои -- кристаллические решетки -- подложки -- шероховатость поверхности -- напряженные слои -- осаждение слоев -- сегрегация
Аннотация: Выполнены исследования критической толщины двумерного роста Ge на релаксированных буферных слоях SiGe/Si (001) с различным процентным содержанием Ge в зависимости от параметров слоев. Показано, что, кроме рассогласования кристаллических решеток пленки и подложки, на величину критической толщины двумерного роста Ge на буферных слоях SiGe существенное влияние оказывают сегрегация Ge при росте слоев SiGe и изменение шероховатости поверхности роста при осаждении напряженных (растянутых) слоев Si. Выявлено, что критическая толщина двумерного роста Ge непосредственно на буферных слоях SiGe с долей Ge x=11-36% меньше, чем при осаждении на Si (001) подложку. Обнаруженное увеличение критической толщины двумерного роста Ge при увеличении толщины предосажденного на буфер напряженного (растянутого) слоя Si связывается с уменьшением, как шероховатости поверхности роста, так и количеством Ge, находящегося на ней вследствие сегрегации.
In this paper investigations of the dependence on layers parameters of critical thickness of two-dimensional (2D) growth of Ge on relaxed SiGe/Si (001) buffer layers with different Ge content were performed. It is shown that the critical thickness of a Ge film is influenced not only by lattice mismatch between the substrate and the film, but also by Ge segregation during SiGe layers growth and change of surface roughness during tensile strained Si layer growth. It is revealed that the critical thickness of 2D growth of Ge deposited directly on SiGe buffers with Ge content x=11-36% is smaller than in the case of growth on Si (001) substrates. The increase of critical thickness with increase of the predeposited tensile-strained Si layer thickness is connected with the decrease of surface roughness and of amount of segregated Ge on the surface.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/03/p404-409.pdf

Доп.точки доступа:
Шалеев, М. В.; Новиков, А. В.; Юрасов, Д. В.; Hartmann, J. M.; Кузнецов, О. А.; Лобанов, Д. Н.; Красильник, З. Ф.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)