Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Алешкин, В. Я.$<.>)

Общее количество найденных документов : 35
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-35

Морозов, Ю. А.
Анализ анизотропии усиления и потерь в волноведущей структуре длинноволнового лазера с междолинным переносом электронов [Текст] / Ю. А. Морозов, И. С. Нефедов, В. Н. Гусятников, В. Я. Алешкин // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N6. - Библиогр.: с. 140 (6 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
волноведущие структуры -- длинноволновые лазеры -- междолинный перенос электронов
Аннотация: Анализ анизотропии усиления и потерь в волноведущей структуре длинноволнового лазера с междолинным переносом электронов

Доп.точки доступа:
Нефедов, И.С.; Гусятников, В.Н.; Алешкин, В.Я.

Найти похожие

621.375
М 801

Морозов, Ю. А.
Генератор с вертикальным выводом излучения в тетрагерцовом диапазоне [Текст] / Ю. А. Морозов, И. С. Нефедов, В. Я. Алешкин // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 5. - Библиогр.: c. 76 (15 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

621.375

ББК 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
брэгговские резонаторы -- генераторы излучения -- лазеры -- тетрагерцовый диапазон излучения
Аннотация: Предложена модель лазера, использующего решеточную нелинейность структуры GaAs/Al[y]Ga[1-y]As для генерации излучения в тетрагерцовом диапазоне. При этом двухчастотные колебания ближнего инфракрасного диапазона смешиваются в брэгговском вертикальном (т. е. расположенном поперек слоев структуры) резонаторе. Показано, что мощность излучения с длиной волны ~10 mum в непрерывном режиме может составить величину порядка 0. 5-5 muW.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/05/page-71.html.ru

Доп.точки доступа:
Нефедов, И. С.; Алешкин, В. Я.

Найти похожие

535
А 497

Алешкин, В. Я.
Нелинейная генерация излучения среднего инфракрасного диапазона в двухчастотных полупроводниковых лазерах с гофрированным волноводом [Текст] / В. Я. Алешкин, А. А. Афоненко, А. А. Дубинов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 11. - Библиогр.: c. 96 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

535

ББК 22.34
Рубрики: Физика--Оптика
Кл.слова (ненормированные):
генерация излучения -- гетероструктуры -- гофрированные волноводы -- инфракрасное излучение -- квантовые ямы -- полупроводниковые лазеры
Аннотация: Рассмотрена нелинейная генерация разностной моды в инжекционном полупроводниковом лазере с квантовыми ямами. Предложена конструкция лазера на основе гетероструктуры InGaAs/GaAs/InGaP, обеспечивающая генерацию двух лазерных мод в диапазоне 1 mum и разностной моды в гофрированном волноводе в диапазоне 10-20 mum. Показано, что в лазере с шириной волновода 100 mum при мощностях коротковолновых мод 10 W мощность разностной моды среднего ИК диапазона при комнатной температуре может быть несколько микроватт.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/11/page-92.html.ru

Доп.точки доступа:
Афоненко, А. А.; Дубинов, А. А.

Найти похожие

539.2
А 72

Антонов, А. В.
Отрицательная фотопроводимость в среднем ИК-диапазоне селективно легированных гетероструктур SiGe / Si: B с двумерным дырочным газом [] : А. В. Антонов [и др. ] / А. В. Антонов, В. Я. Алешкин [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 47-49. - Библиогр.: с. 49 (7 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
газы; германий; гетероструктуры; двумерный дырочный газ; дырочный газ; ИК-диапазон; кремний; легированные гетероструктуры; молекулярно-пучковая эпитаксия; наноструктуры; селективно легированные гетероструктуры; сигналы; спектры; фотопроводимость; эпитаксия
Аннотация: Представлены результаты исследований спектров латеральной фотопроводимости селективно легированных гетероструктур SiGe / Si: B с двумерным дырочным газом. Обнаружено, что в спектрах фотопроводимости исследованных структур присутствуют два сигнала, имеющие различные знаки.

Доп.точки доступа:
Алешкин, В. Я.; Гавриленко, В. И.; Красильник, З. Ф; Новиков, А. В.; Ускова, Е. А.; Шалеев, М. В.

Найти похожие

539.2
А 49

Алешкин, В. Я.
Мелкие акцепторы в гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами в магнитном поле [] / В. Я. Алешкин, А. В. Антонов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 74-79. - Библиогр.: с. 79 (19 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
акцепторы; германий; гетероструктуры; квантовые ямы; кремний; магнитные поля; магнитопоглощения; нанофотоника; поля; резонанс; циклотронный резонанс; ямы
Аннотация: Экспериментально и теоретически исследованы мелкие акцепторы в гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами в магнитном поле. Показано, что наряду с линиями циклотронного резонанса в спектрах магнитопоглощения наблюдаются переходы с основного состояния акцептора на возбужденные состояния.

Доп.точки доступа:
Антонов, А. В.; Векслер, Д. Б.; Гавриленко, В. И.; Ерофеева, И. В.; Иконников, А. В.; Козлов, Д. В.; Кузнецов, О. А.; Спирин, К. Е.

Найти похожие

535
А 49

Алешкин, В. Я.
Генерация излучения на разностной частоте среднего и дальнего инфракрасных диапазонов в полупроводниковых волноводах на основе фосфида галлия [Текст] / В. Я. Алешкин, А. А. Афоненко, А. А. Дубинов // Журнал технической физики. - 2006. - Т. 76, N 9. - С. 98-100. - Библиогр.: c. 100 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

535

ББК 22.34
Рубрики: Физика--Оптика
Кл.слова (ненормированные):
волноводы; генерация излучения; инфракрасное излучение; фосфид галлия
Аннотация: Рассмотрена возможность эффективной генерации излучения на разностной частоте среднего и дальнего ИК-диапазонов при выполнении условия фазового синхронизма между волной нелинейной поляризации и разностной модой при распространении в полупроводниковом волноводе на основе фосфида галлия (GaP) двух фундаментальных мод в диапазоне 1 mum. В планарном волноводе с шириной 100 mum при мощностях коротковолновых мод 10 W мощность разностной моды может достигать до 300 muW в области частот 1-8 THz при комнатной температуре. При использовании подложки из кремния для структуры с GaP-волноводом мощность разностной моды при тех же условиях может достигать до 5 mW в области частот 10-14 THz.

Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2006/09/p98-100.pdf

Доп.точки доступа:
Афоненко, А. А.; Дубинов, А. А.

Найти похожие

539.2
А 497

Алешкин, В. Я.
Оптическая ширина запрещенной зоны GaAs в мегагауссных магнитных полях [Текст] / В. Я. Алешкин, авт. Н. В. Закревский // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 4. - С. 602-612. - Библиогр.: с. 611-612 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
запрещенная зона; Кейна модель; мегагауссные магнитные поля; межзонные переходы электронов; модель Кейна; пятизонная модель
Аннотация: Рассчитана ширина запрещенной зоны GaAs в магнитных полях до 10 MG в рамках пятизонной kp-модели. Найдены правила отбора для межзонных переходов электронов в сильных магнитных полях и вычислены зависимости вероятностей межзонных переходов от магнитного поля. Проведено сопоставление результатов расчетов электронных спектров в рамках пятизонной модели, модели Кейна и в приближении сильной связи. Показано, что проведенные расчеты согласуются с экспериментальными результатами при учете влияния "хвостов" плотности состояний и экситонных эффектов на поглощение света.

Доп.точки доступа:
Закревский, Н. В.

Найти похожие

621.3
Б 649

Бирюков, А. А.
Многочастотный межзонный двухкаскадный лазер [Текст] / А. А. Бирюков, Б. Н. Звонков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1226-1230 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
двухкаскадные лазеры -- межзонные двухкаскадные лазеры -- многочастотная генерация -- инжекционные гетеролазеры -- лазерные резонаторы
Аннотация: Получена и исследована многочастотная генерация в новом классе инжекционных гетеролазеров - межзонном двухкаскадном лазере с туннельным p-n-переходом, разделяющим две активные области квантовых ям, расположенные в одном и том же волноводе. Созданная конструкция лазера с импульсной накачкой обеспечила одновременную генерацию двух мод 1-го порядка с длинами волн 1. 063 и 0. 98 мкм и двух мод 3-го порядка с длинами волн 0. 951 и 0. 894 мкм. Благодаря нелинейному смешению мод внутри лазерного резонатора наблюдалась генерация вторых гармоник и суммарных частот.

Доп.точки доступа:
Звонков, Б. Н.; Некоркин, С. М.; Демина, П. Б.; Семенов, Н. Н.; Алешкин, В. Я.; Гавриленко, В. И.; Дубинов, А. А.; Морозов, С. В.; Маремьянин, К. В.; Белянин, А. А.; Кочаровский, В. В.; Кочаровский, Вл. В

Найти похожие

621.3
Б 649

Бирюков, А. А.
Смешение частот в системе двух лазерных диодов [Текст] / А. А. Бирюков, Б. Н. Звонков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1384-1388 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
лазерные диоды -- гетеролазеры -- полупроводники -- спектры излучения
Аннотация: Создана и исследована хорошо воспроизводимая конструкция из двух состыкованных лазерных диодов на основе GaAs/InGaAs/InGaP, образующих составной резонатор, в котором около половины стимулированного излучения длинноволнового диода переходит в излучение основной моды волновода коротковолнового диода. Обнаружено, что спектр излучения из составного резонатора представлен не только основными (близкими) частотами двух диодов с мощностью ~ 1 Вт, но и их суммарной частотой и вторыми гармониками с мощностью до 1 мкВт. Найденное нелинейное обогащение спектра излучения двухчастотного гетеролазера с составным резонатором обусловлено решеточной нелинейностью полупроводника и позволяет рассчитывать на столь же эффективную внутрирезонаторную генерацию разностной частоты в дальнем инфракрасном диапазоне при комнатной температуре.

Доп.точки доступа:
Звонков, Б. Н.; Некоркин, С. М.; Алешкин, В. Я.; Гавриленко, В. И.; Маремьянин, К. В.; Морозов, С. В.; Кочаровский, В. В.; Кочаровский, Вл. В.

Найти похожие

10.

621.3
А 497

Алешкин, В. Я.
Пикосекундная кинетика фотоносителей в арсениде галлия с нанокластерами алюминия [Текст] / В. Я. Алешкин, Н. В. Востоков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 8. - С. 928-933 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- алюминий -- нанокластеры алюминия -- фотолюминесценция -- пикосекундная кинетика фотоносителей
Аннотация: Проведено исследование кинетики фотолюминесценции и отражения GaAs, содержащего кластеры Al. Время жизни фотоносителей в GaAs с кластерами Al в исследованных образцах было равно ~15 пс. Предложена простая модель для описания кинетики фотолюминесценции и коэффициента отражения.

Доп.точки доступа:
Востоков, Н. В.; Гапонова, Д. М.; Данильцев, В. Н.; Дубинов, А. А.; Красильник, З. Ф.; Корытин, А. И.; Курицын, Д. И.; Пряхин, Д. А.; Шашкин, В. И.

Найти похожие

11.

621.315.592
Б 649

Бирюков, А. А.
Эффективная генерация первой волноводной моды в гетеролазере InGaAs/GaAs/InGaP [Текст] / А. А. Бирюков, Б. Н. Звонков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 3. - С. 361-364 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
первая волновая мода -- лазерные волноводы -- квантовые ямы
Аннотация: Исследована генерация первой возбужденной поперечной моды (TE[1]) в диодном гетеролазере InGaAs/GaAs/InGaP новой конструкции, центральная часть волновода которого содержит тонкий слой InGaP. Данная конструкция лазера снижает конкуренцию первой и основной мод и обеспечивает генерацию моды TE[1] при величине порогового тока, сравнимого с величиной порогового тока обычного лазера, генерирующего основную моду TE[0].

Доп.точки доступа:
Звонков, Б. Н.; Некоркин, С. М.; Алешкин, В. Я.; Дубинов, А. А.; Кочаровский, В. В.; Кочаровский, Вл. В.

Найти похожие

12.

621.315.592
А 497

Алешкин, В. Я.
Обменное усиление g-фактора в гетероструктурах InAs/AlSb [Текст] / В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 7. - С. 846-851 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
осцилляции Шубникова-де Газа -- Шубникова-де Газа осцилляции -- квантовые ямы -- фактор Ланде -- Ланде фактор -- приборы спинтроники
Аннотация: Исследовалась эволюция осцилляций Шубникова-де Гааза в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом в квантовых ямах InAs шириной 12-18 нм при значительном изменении концентрации электронов, (3-8) х 10\{11\} см\{-2\}, за счет эффекта отрицательной остаточной фотопроводимости. Определены значения эффективного фактора Ланде электронов g*=- (15-35). Показано, что величина g*-фактора возрастает с шириной квантовой ямы.

Доп.точки доступа:
Гавриленко, В. И.; Иконников, А. В.; Криштопенко, С. С.; Садофьев, Ю. Г.; Спирин, К. Е.

Найти похожие

13.

Примесная фотопроводимость в напряженных гетероструктурах p-InGaAs/GaAsP [Текст] / В. Я. Алешкин [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 88, вып: вып. 3. - С. 229-233 . - ISSN 0370-274Х

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- квантовые ямы -- напряженные гетероструктуры -- примесная фотопроводимость -- фотопроводимость -- резонанс Фано -- Фано резонанс
Аннотация: Наблюдался спектр примесной фотопроводимости в напряженных квантовых ямах твердого раствора p-InGaAs/GaAs при T= 4. 2 К. Помимо широкой полосы фотопроводимости, связанной с переходами с основного состояния акцептора в континуум 1-й подзоны размерного квантования, в спектре обнаружены пик, обусловленный переходами из основного в возбужденное локализованное состояние акцептора, полоса, соответствующая переходам в резонансные состояния, связанные со второй подзоной размерного квантования тяжелых дырок, и узкий пик фотопроводимости в спектральной области, соответствующей энергии оптического фонона (резонанс Фано).

Доп.точки доступа:
Алешкин, В. Я.; Антонов, А. В.; Гавриленко, В. И.; Звонков, Б. Н.; Козлов, Д. В.

Найти похожие

14.

Примесные резонансные состояния в полупроводниках [Текст] : обзор / В. Я. Алешкин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 8. - С. 899-922 . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
резонансные состояния полупроводников -- оптические фононы -- квантовые ямы -- деформированный германий -- донорные резонансные состояния -- акцепторные резонансные состояния -- резонансы Фано -- Фано резонансы
Аннотация: Обсуждается современное положение дел в исследованиях локализованных и резонансных примесных состояний в квантово-размерных структурах и напряженных полупроводниках. Рассмотрены также резонансные оптические переходы, обусловленные взаимодействием с оптическими фононами. Проведен анализ различных методик расчета характеристик как донорных, так и акцепторных резонансных и локализованных состояний, а также представлен большой набор экспериментальных данных.

Доп.точки доступа:
Алешкин, В. Я.; Гавриленко, Л. В.; Одноблюдов, М. А.; Яссиевич, И. Е.

Найти похожие

15.

Резонанс Фано в спектре примесной фотопроводимости InP, легированного мелкими донорами [Текст] / В. Я. Алешкин [и др. ] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 7. - С. 1162-1165. - Библиогр.: с. 1165 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
резонанс Фано -- Фано резонанс -- спектры примесной фотопроводимости -- примесная фотопроводимость -- фотопроводимость
Аннотация: Проведены экспериментальные и теоретические исследования резонансов Фано в спектрах примесной фотопроводимости n-InP. Показано, что расчеты описывают экспериментальные результаты с точностью до 20 %.

Доп.точки доступа:
Алешкин, В. Я.; Антонов, А. В.; Гавриленко, В. И.; Гавриленко, Л. В.; Звонков, Б. Н.

Найти похожие

16.

Резонансы Фано в спектрах примесного фототока в полупроводниках, легированных мелкими донорами [Текст] / В. Я. Алешкин [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2005. - Т. 128, N 4. - С. 822-830. - Библиогр.: с. 830 . - ISSN 0044-4510

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
резонансы Фано -- Фано резонансы -- полупроводники -- примесный фототок -- спектры фототока -- легирование донорами -- мелкие доноры -- водородоподобные мелкие доноры
Аннотация: Построена количественная теория резонансов Фано в спектре фототока полупроводников, легированных водородоподобными мелкими донорами.

Доп.точки доступа:
Алешкин, В. Я.; Антонов, А. В.; Гавриленко, Л. В.; Гавриленко, В. И.

Найти похожие

17.

Одновременная генерация TE[0]- и TE[1]-мод с разными длинами волн в полупроводниковом лазерном диоде [Текст] / В. Я. Алешкин [и др. ] // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 11. - С. 150-152. - Библиогр.: c. 152 (3 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a621.382

ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- лазерные диоды -- волноводы -- квантовые ямы
Аннотация: На основе гетероструктуры InGaAs/GaAs/InGaP создан полупроводниковый лазерный диод с оригинальной конструкцией волновода, содержащий две квантовые ямы и генерирующий при температуре жидкого азота одновременно TE[0]- и TE[1]-моды с длинами волн 1. 05 и 0. 9 mum соответственно.

Доп.точки доступа:
Алешкин, В. Я.; Бирюков, А. А.; Дубинов, А. А.; Звонков, Б. Н.; Некоркин, С. М.

Найти похожие

18.

Перестраиваемый источник терагерцового излучения на основе генерации разностной частоты в кристалле GaP [Текст] / В. Я. Алешкин [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 88, вып: вып. 12. - С. 905-907

УДК

^a535

ББК 22.34
Рубрики: Физика
Оптика в целом
Кл.слова (ненормированные):
терагерцовое излучение -- лазеры -- импульсные лазеры -- Nd: YAG -- кристаллы -- GaP -- генерация разностной частоты
Аннотация: На основе генерации разностной частоты в кристалле GaP создан перестраиваемый источник излучения терагерцового диапазона (1-4 ТГц) с шириной линии 12 ГГц. В качестве накачки было использовано излучение импульсного лазера Nd: YAG, генерирующего излучение с длиной волны 1064 нм, и перестраиваемого параметрического генератора света. Излучение генерировалось импульсами с длительностью 10 нс с частотой повторения 10 Гц. Мощность излучения в импульсе была около 15 мВт.

Доп.точки доступа:
Алешкин, В. Я.; Антонов, А. А.; Гапонов, С. В.; Дубинов, А. А.; Красильник, З. Ф.; Кудрявцев, К. Е.; Спиваков, А. Г.; Яблонский, А. Н.

Найти похожие

19.

Генерация излучения разностной частоты в двухчиповом лазере [Текст] / Б. Н. Звонков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 2. - С. 220-223

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
лазеры -- двухчиповые полупроводниковые лазеры -- генерация излучения разностной частоты -- квантовые ямы -- ИК-диапазон
Аннотация: Проведено экспериментальное исследование внутрирезонаторной генерации разностной частоты в среднем ИК-диапазоне в двухчиповых полупроводниковых лазерах GaAs/InGaAs/InGaP с квантовыми ямами.

Доп.точки доступа:
Звонков, Б. Н.; Бирюков, А. А.; Некоркин, С. М.; Алешкин, В. Я.; Гавриленко, В. И.; Дубинов, А. А.; Маремьянин, К. В.; Морозов, С. В.

Найти похожие

20.

621.375
А 691

Аномальные характеристики лазеров с большим числом квантовых ям [Текст] / А. А. Бирюков [и др.] // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 7. - С. 149-151. - Библиогр.: c. 151 (2 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

621.375

ББК 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- полупроводниковые лазеры -- лазеры с квантовыми ямами -- гетеролазеры -- отрицательная характеристическая температура -- квантовая эффективность -- пороговый ток -- диаграммы направленности
Аннотация: Проведено экспериментальное исследование полупроводниковых лазеров с активной областью, содержащих шесть квантовых ям. Исследованы температурные зависимости рабочих характеристик (плотности порогового тока, внешней дифференциальной квантовой эффективности, диаграммы направленности). Обнаружено аномальное поведение температурной зависимости порогового тока и внешней дифференциальной квантовой эффективности, связанное с наличием отрицательной характеристической температуры и падением квантовой эффективности излучения при понижении температуры. Выявлено обужение диаграммы направленности в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу при увеличении температуры.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/07/p149-151.pdf

Доп.точки доступа:
Бирюков, А. А.; Некоркин, С. М.; Колесников, М. Н.; Бабушкина, Т. С.; Алешкин, В. Я.; Дубинов, А. А.

Найти похожие

1-20 21-35

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)