Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Гриняев, С. Н.$<.>)

Общее количество найденных документов : 20
Показаны документы с 1 по 20

537
Б 890

Брудный, В. Н. (???? 1).
Закрепление уровня ферми в полупроводниках (границы раздела, кластеры, радиционное модифицирование [Текст] / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, Н. Г. Колин // Известия вузов. Физика. - 2003. - N6. - Библиогр.: 43 назв. . - ISSN 0021-3411

УДК

537

ББК 22.33
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
пластическая деформация -- уровень Ферми -- электронный химпотенциал
Аннотация: Представлены обзор современного состояния проблемы закрепления уровня Ферми в полупроводниках для различных физических явлений и результаты оригинальных экспериментальных и теоритических исследований данного вопроса для границ раздела, кластеров и радиционных дефектов в большой группе полупроводников

Доп.точки доступа:
Гриняев, С.Н. (???? 1); Колин, Н.Г. (???? 1)

Найти похожие

621.315.592
Б 890

Брудный, В. Н.
Кремний-германиевые наноструктуры: электронные параметры и оптические характеристики [Текст] / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 6. - Библиогр.: c. 7 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

ББК 31.29
Рубрики: Энергетика--Использование электрической энергии
Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- кремний-германиевые наноструктуры -- метод псевдопотенциала -- германиевые кластеры -- кремний -- нанокластеры
Аннотация: Методом потенциала изучены электронные состояния (энергии локализованных и резонансных уровней, волновые функции, зарядовая плотность состояний) и спектры оптического поглощения германиевых кластеров в матрице кремния. Исследована возможность описания кластерных состояний Ge в Si методом эффективной массы.

Доп.точки доступа:
Гриняев, С. Н.

Найти похожие

316.32
М 37

Мачкин, Петр Иванович.
О необходимости формирования сетевых производственных отношений в информационном обществе на этапах его становления и развития [Текст] / П. И. Мачкин, Андрей Геннадиевич [и др.] // Безопасность Евразии. - 2006. - N 2. - С. 170-193. - Библиогр.: с. 190-193 (51 назв. ). - Ил.: табл. . - ISSN 1607-7334

УДК

316.32

ББК 60.52
Рубрики: Социология--Социология общества--Россия--США--Соединенные Штаты Америки
Кл.слова (ненормированные):
безопасность; информационная безопасность; информационное общество; организационные структуры общества; организационное управление; иерархический принцип; сетевой принцип; сетевые производственные отношения; технологическое развитие
Аннотация: Доказывается необходимость проведения фундаментального исследования вопросов будущего перевода всех организационных структур общества на сетевой принцип их построения и обеспечения деятельности с последующей реализацией этого принципа. Рассказывается об опыте США в этой сфере.

Доп.точки доступа:
, Андрей Геннадиевич; Козлов, А. Г.; , Сергей Николаевич (д-р техн. наук); Гриняев, С. Н.

Найти похожие

539.2
Б 89

Брудный, В. Н.
Электронные свойства кремния с германиевыми кластерами ультрамалых размеров [Текст] / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, А. В. Двуреченский // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 11. - С. 1941-1945. - Библиогр.: с. 1945 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
волновые функции; германиевые кластеры; германий; квантование; кластеры; кремниевые структуры; кремний; массивы кластеров; металлические кластеры; метод псевдопотенциала; размерное квантование; сферические кластеры
Аннотация: Методом псевдопотенциала исследованы электронные состояния Si с периодическим массивом "сферических" германиевых кластеров. Проведен анализ дефектов размерного квантования в энергиях и волновых функциях локализованных кластерных состояний. Показано, что кластеры размером до 2. 4 nm создают одно локализованное s--состояние, энергия которого с ростом размеров кластеров монотонно сдвигается в глубь запрещенной зоны Si.

Доп.точки доступа:
Гриняев, С. Н.; Двуреченский, А. В.

Найти похожие

539.2
Н 62

Никитина, Л. Н.
Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетке (AlAs) [1] (GaAs) [3] (001 [Текст] / Л. Н. Никитина, С. Н. Гриняев, В. Г. Тютерев // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 1. - С. 120-127. - Библиогр.: с. 127 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
междолинное рассеяние; метод псевдопотенциалов; полупроводники; проводимость; рассеяние; рассеяние электронов; сверхрешетки; силы связи; феноменологическая модель сил; фононы
Аннотация: На основе метода псевдопотенциалов и феноменологической модели сил связи изучено междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетке (AlAs) [1] (GaAs) [3] (001) . Рассчитаны деформационные потенциалы между экстремумами зоны проводимости сверхрешетки с участием коротковолновых и длинноволновых фононов.

Доп.точки доступа:
Гриняев, С. Н.; Тютерев, В. Г.

Найти похожие

539.2
К 21

Караваев, Г. Ф.
"Сверхрешеточная " модель плавной гетерограницы GaAs/AlAs (001 [Текст] / Г. Ф. Караваев, авт. С. Н. Гриняев // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 5. - С. 893-901. - Библиогр.: с. 901 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
гетерограница; метод псевдопотенциала; огибающие волновые функции; период сверхрешетки; плавный интерфейсный потенциал; рассеяние; сверхрешеточная модель; туннелирование электронов
Аннотация: На основе метода псевдопотенциала исследовано влияние плавного интерфейсного потенциала на электронные состояния в структурах GaAs/AlAs (001) . В предложенном подходе переходная область между GaAs и AlAs представлена слоем из половины периода сверхрешетки (AlAs) [2] (GaAs) [2], потенциал которого близок к истинному потенциалу вблизи гетерограницы. В этом случае междолинное смешивание происходит не на ее границе, как в модели с резко оборванным потенциалом, а на двух границах и в области переходного слоя. Показано, что учет плавного потенциала приводит к заметным изменениям при туннелировании электронов в структурах с тонкими слоями, причем особенно существенным в том случае, когда они происходят при участии коротковолновых X-состояний.

Доп.точки доступа:
Гриняев, С. Н.

Найти похожие

539.2
Б 89

Брудный, В. Н.
Глубокие уровни собственых точечных дефектов и природа "аномального" оптического поглощения ZnGeP[2] [Текст] / В. Н. Брудный, В. Г. Воеводин, С. Н. Гриняев // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 11. - С. 1949-1961. - Библиогр.: с. 1960-1961 (46 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
анизотропия химической связи; метод псевдопотенциала; метод расширенной элементарной ячейки; оптическое поглощение; собственные точечные дефекты; точечные дефекты; халькопиритная решетка
Аннотация: Методами псевдопотенциала и расширенной элементарной ячейки исследованы глубокие уровни одиночных вакансий и антиструктурных дефектов в соединении ZnGeP[2]. Проведено сравнение с соответствующими результатами для изоэлектронного аналога GaP. Показано, что за счет понижения симметрии решетки и анизотропии химической связи в ZnGeP[2] происходят значительные расщепления вырожденных в GaP глубоких уровней.

Доп.точки доступа:
Воеводин, В. Г.; Гриняев, С. Н.

Найти похожие

537.311.322
Б 890

Брудный, В. Н.
Уровень зарядовой нейтральности в твердых растворах Al[x]Ga[1-x]N{1} [Текст] / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, Н. Г. Колин // Известия вузов. Физика. - 2006. - Т. 49, N 8. - С. 75-78. - Библиогр.: с. 78 (19 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

537.311.322

ББК 22.33
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
виртуальный кристалл; зарядовая нейтральность (физика); уровни нейтральной вакансии азота; энергетическое положение; радиационное воздействие; высокоэнергетическое радиационное воздействие
Аннотация: В приближении виртуального кристалла проведены вычисления энергетического положения уровня зарядовой электронейтральности (CNL) и уровней нейтральной вакансии азота в GaN, AlN и твердых растворах Al[x]Ga[1-x]N в зависимости от состава x. Показано, что CNL расположен в верхней половине запрещенной зоны Al[x]Ga[1-x]N во всей области составов, что обуславливает n-тип проводимости этого материала после высокоэнергетического радиационного воздействия.

Доп.точки доступа:
Гриняев, С. Н.; Колин, Н. Г.

Найти похожие

539.2
К 210

Караваев, Г. Ф.
Модели рассеяния электронов на гетерогранице GaAs/AIAs (001 [Текст] / Г. Ф. Караваев, авт. С. Н. Гриняев // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 10. - С. 34-43. - Библиогр.: c. 43 (25 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
гетерограница GaAs/AIAs (001) -- метод псевдопотенциала -- модели рассеяния электронов -- модель плавной границы (физика) -- модель резкой границы (физика)
Аннотация: Рассмотрены упрощенные модели для описания рассеяния электронов зоны проводимости на гетерогранице GaAs/AIAs (001). Модели соответствуют двум приближениям - резкому и ''плавному'' изменению потенциала вблизи гетерограницы. Они построены на основе расчетов методом псевдопотенциала. Первая модель, использующая приближение резкой границы, подобна рассмотренной ранее трехдолинной модели Андо на основе расчетов методом сильной связи. Вторая модель использует описание потенциала в окрестности гетерограницы с помощью фрагмента сверхрешетки, составляющего половину ее периода. Показано, что предложенные модели хорошо описывают результаты соответствующих точных расчетов. Отмечено, что отличие модели плавной границы от модели резкой границы становится существенным в случае гетероструктур с тонкими слоями и в случае состояний с заметной локализацией электронной плотности вблизи гетерограниц.

Доп.точки доступа:
Гриняев, С. Н.

Найти похожие

10.

537
Б 890

Брудный, В. Н.
Корреляция положения глубоких уровней собственных точечных дефектов с предельным положением уровня Ферми в облученных полупроводниках группы III-V [Текст] / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, Н. Г. Колин // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 5. - С. 17-22. - Библиогр.: с. 21-22 (18 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

537

537.311.322

ББК 22.33
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
антиструктурные дефекты (физика); бинарные полупроводники; облученные полупроводники; полупроводники; уровень локальной зарядовой нейтральности; уровень Ферми; Ферми уровень
Аннотация: Выполнен расчет уровней нейтральных анионных и катионных вакансий и антиструктурных дефектов в анионной и катионной подрешетках полупроводников группы III-V. Оценено положение усредненного энергетического уровня для этих дефектов, совпадающее с положением уровня локальной зарядовой нейтральности. Показано, что условию равновесия точечных дефектов и стабилизации уровня Ферми вблизи уровня локальной зарядовой нейтральности отвечает случай, когда суммарные энергии образования и антиструктурных дефектов в подрешетках бинарных полупроводников близки.

Доп.точки доступа:
Гриняев, С. Н.; Колин, Н. Г.

Найти похожие

11.

539.19
Г 856

Гриняев, С. Н.
Туннелирование электронов в структурах GaAs/ AlAs (111) с плавным потенциалом на гетерограницах [Текст] / С. Н. Гриняев, авт. Г. Ф. Караваев // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 7. - С. 7-13. - Библиогр.: с. 13 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

539.19

593.293.011

ББК 22.36
Рубрики: Физика--Молекулярная физика
Кл.слова (ненормированные):
гексагональная сверхрешетка; метод псевдопотенциала; плавный интерфейсный потенциал; туннелирование электронов; фано-резонансы
Аннотация: На основе метода псевдопотенциала изучено влияние плавного интерфейсного потенциала на туннелирование электронов в структурах GaAs/ AlAs (111) с тонкими слоями. Переходная область между компонентами структуры представлена половиной перехода гексагональной сверхрешетки (GaAs) [3] (AlAs) [3] (111). Показано, что по сравнению с моделью резкой границы учет плавного потенциала приводит к уменьшению Г-L-смешивания, сужению фано-резонансов, исчезновению интерфейсных состояний на границе GaAs/ AlAs (111). Возникающие сдвиги нижних Г- и L-резонансов в структурах с толщиной слоев <2 нм достигают значений ~0, 1 эВ и согласуются с поведением уровней в квантовых ямах. Результаты многозонного расчета коэффициента прохождения электронов с энергиями 0-0, 5 эВ от дна зоны проводимости GaAs близки к расчету, в котором учитывались только нижние состояния зоны проводимости сверхрешетки Г[1]{ (1) }, Г[1]{ (2) } и бинарных кристаллов Г[1], L[1], что указывает на возможность развития <двухдолинной> сверхрешеточной модели <плавной> границы GaAs/ AlAs (111).

Доп.точки доступа:
Караваев, Г. Ф.

Найти похожие

12.

621.315.592
Р 172

Разжувалов, А. Н.
Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN (0001 [Текст] / А. Н. Разжувалов, авт. С. Н. Гриняев // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, Вып. 5. - С. 595-603 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гистерезис туннельного тока -- двухбарьерные структуры -- петля гистерезиса -- нитридные структуры
Аннотация: На основе самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона исследованы особенности гистерезиса туннельного тока в двухбарьерных структурах На основе самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона исследованы особенности гистерезиса туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN (0001). Показано, что петля гистерезиса зависит от взаимной ориентации внешнего и внутреннего полей в яме и шире при той полярности, когда эти поля компенсируют друг друга. В рамках однорезонансного приближения развита модель туннельного тока двухбарьерной структуры, определена связь параметров петли гистерезиса и резонансных состояний. Установлено, что при участии двух резонансов петля гистерезиса может быть довольно широкой (~4 B) даже в геометрически симметричных структурах. В несимметричных структурах изменение типа поверхности роста приводит к усилению или подавлению петли гистерезиса в зависимости от чередования неэквивалентных барьеров.

Доп.точки доступа:
Гриняев, С. Н.

Найти похожие

13.

Брудный, В. Н.
Уровень зарядовой нейтральности в твердых растворах Al[x]Ga[1-x]N{1} [Текст] / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, Н. Г. Колин // Известия вузов. Физика. - 2006. - Т. 49, N 8. - С. 75-78. - Библиогр.: с. 78 (19 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a537.311.322

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
виртуальный кристалл -- зарядовая нейтральность (физика) -- уровни нейтральной вакансии азота -- энергетическое положение -- радиационное воздействие -- высокоэнергетическое радиационное воздействие
Аннотация: В приближении виртуального кристалла проведены вычисления энергетического положения уровня зарядовой электронейтральности (CNL) и уровней нейтральной вакансии азота в GaN, AlN и твердых растворах Al[x]Ga[1-x]N в зависимости от состава x. Показано, что CNL расположен в верхней половине запрещенной зоны Al[x]Ga[1-x]N во всей области составов, что обуславливает n-тип проводимости этого материала после высокоэнергетического радиационного воздействия.

Доп.точки доступа:
Гриняев, С. Н.; Колин, Н. Г.

Найти похожие

14.

Разжувалов, А. Н.
"Конденсаторная"модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN (0001) [Текст] / А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 1. - С. 178-188. - Библиогр.: с. 188 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
конденсаторная модель гистерезиса -- петли гистерезиса -- туннельный ток -- электронная плотность -- квантовые ямы -- нитридные вюрцитные структуры -- однорезонансное приближение -- модель зарядового конденсатора
Аннотация: На основе самосогласованного расчета туннельного тока двухбарьерной структуры w-GaN/AlGaN (0001) развита "конденсаторная" модель гистерезиса, в которой скачки тока, изменения потенциала и электрического поля в структуре при переходе с одной ветви петли тока на другую рассматриваются как результат перезарядки двух совмещенных конденсаторов, пластины которых расположены в положениях экстремумов вариации электронной плотности в области эмиттера, квантовой ямы и коллектора. Показано. что при компенсации внешнего и внутреннего полей в яме туннельный ток резко и необратимо переключается на характеристики другого резонанса, формируя широкую петлю гистерезиса, на ветвях которой происходит перераспределение заряда между квантовой ямой и коллектором. При совпадении полей образуется узкая "однорезонансная" петля гистерезиса, сопровождающаяся перетеканием электронного заряда из эмиттера в коллектор. Развитая модель приводит к согласованию с результатами самосогласованного расчета и дает наглядную интерпретацию сложных процессов электронного туннелирования.

Доп.точки доступа:
Гриняев, С. Н.

Найти похожие

15.

Караваев, Г. Ф.
Изучение спектра сверхрешеток GaAs/AIAs (001) в рамках моделей с резкой и "плавной" границами [Текст] / Г. Ф. Караваев, С. Н. Гриняев // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 1. - С. 45-54. - Библиогр.: c. 53-54 (19 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a535.33

^a539.2

ББК 22.344 + 22.37
Рубрики: Физика
Спектроскопия
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
гетерограницы -- псевдопотенциал -- сверхрешетки -- спектр сверхрешеток -- электронные спектры
Аннотация: В рамках упрощенных моделей резкой и "плавной" гетерограниц рассмотрены связанные с г- и Хz-долинами зоны проводимости объемных кристаллов GaAs и AIAs электронные состояния и минизонные спектры сверхрешеток (GaAs) [m] (AIAs) [n] (001). Модели построены на основе расчетов методом псевдопотенциала. Показано, что предложенные модели хорошо описывают результаты соответствующих точных расчетов в приближениях резкой и плавной границ. Отмечено, что отличие модели <плавной> границы от модели резкой границы становится существенным в случае сверхрешеток с тонкими слоями, где оно приводит к качественно различной дисперсии нижних минизон.

Доп.точки доступа:
Гриняев, С. Н.

Найти похожие

16.

Брудный, В. Н.
Генезис дырочных состояний малых германиевых кластеров в кремнии [Текст] / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 5. - С. 68-73. - Библиогр.: c. 73 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
Ge -- Si -- германиевые кластеры -- германий -- дырочные состояния -- кластерные состояния -- кластеры -- кремний -- нанокластеры
Аннотация: Приводятся результаты расчетов электронных состояний германиевых кластеров в матрице кремния. Исследовано влияние межподзонного взаимодействия и плавного интерфейсного потенциала на положение дырочных уровней размерного квантования ультрамалых кластеров Ge.

Доп.точки доступа:
Гриняев, С. Н.

Найти похожие

17.

Брудный, В. Н.
Спектры оптического поглощения Si с квантовыми точками Ge [Текст] / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 7. - С. 43-45. - Библиогр.: c. 45 (3 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621

ББК 34.7
Рубрики: Машиностроение
Отраслевое машиностроение
Кл.слова (ненормированные):
германий -- квантовые точки Ge -- кремний -- метод псевдопотенциала -- нанокластеры германия -- спектры оптического поглощения Si
Аннотация: Приводятся результаты расчетов спектров оптического поглощения кремния с нанокластерами германия сферической формы и различных размеров. Анализируются оптические переходы с уровнем германиевого кластера в объемные энергетические зонные состояния кремния.

Доп.точки доступа:
Гриняев, С. Н.

Найти похожие

18.

Гриняев, С. Н.
Междолинное рассеяние электронов на фононах в ультратонких сверхрешетках (GaAs) [m] (AlAs) [n] (001) [Текст] / С. Н. Гриняев, Л. Н. Никитина, В. Г. Тютерев // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 8. - С. 1498-1504. - Библиогр.: с. 1504 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
рассеяние электронов -- ультратонкие сверхрешетки -- междолинное рассеяние электронов -- деформационные потенциалы -- полупроводниковые сверхрешетки
Аннотация: Определены деформационные потенциалы для междолинных переходов электронов в зонах проводимости сверхрешеток и твердых растворов соответствующих составов. Показано, что вследствие локализации волновых функций в квантовых ямах Gamma, L и X междолинные переходы электронов в сверхрешетках в целом интенсивнее аналогичных переходов в твердых растворах. В ряду сверхрешеток с ростом доли легких атомов Al деформационные потенциалы монотонно увеличиваются для переходов типа X-X и уменьшаются для переходов типа L-L, X-L. Потенциалы переходов типа Gamma-X и Gamma-L изменяются в зависимости от толщины слоев немонотонно за счет выраженных эффектов размерного квантования в глубоких Gamma квантовых ямах GaAs. Усредненные по фононам и родственным долинам деформационные потенциалы в сверхрешетках близки к соответствующим потенциалам в твердых растворах.

Доп.точки доступа:
Никитина, Л. Н.; Тютерев, В. Г.

Найти похожие

19.

323(4/9)
Г 856

Гриняев, С. Н.
Восполнимы ли потери мировой культуры? [Текст] : понесенные в результате последних событий на Ближнем Востоке / С. Н. Гриняев // Азия и Африка сегодня. - 2011. - N 8 (649). - С. 58-59 . - ISSN 0321-5075

ГРНТИ	11.25.40
УДК	323(4/9)

ББК 66.3(4/8)
Рубрики: Политика. Политология
Внутреннее положение. Внутренняя политика зарубежных стран в целом
Кл.слова (ненормированные):
культурное наследие -- музейные ценности -- политические конфликты -- региональные конфликты -- мародерство -- вандализм -- культурные объекты
Аннотация: О разрушении памятников культуры в Египте и Ираке, квалифицирующихся как гуманитарная катастрофа.

Найти похожие

20.

539.2
Г 856

Гриняев, С. Н.
Электрон-фононное взаимодействие в короткопериодических сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n (001) / С. Н. Гриняев, Л. Н. Никитина, В. Г. Тютерев // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 3. - С. 334-344 : ил. - Библиогр.: с. 344 (26 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

621.315.592

ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электрон-фононное взаимодействие -- электронная плотность -- функционалы -- деформационные потенциалы -- потенциалы -- рассеяние электронов -- электроны -- коротковолновые фононы -- междолинные переходы -- короткопериодические сверхрешетки -- сверхрешетки -- проводимость -- электронные состояния -- фононные состояния -- эмпирические расчеты -- фононы -- результаты расчетов -- ab-initio расчеты -- зонные спектры -- фононные спектры
Аннотация: На основе метода функционала электронной плотности определены деформационные потенциалы рассеяния электронов на коротковолновых фононах для междолинных переходов в зоне проводимости короткопериодических сверхрешеток (GaAs) [m] (AlAs) [n] (001) (m, n =1, 2, 3). Проведен анализ зависимости электронных, фононных состояний и деформационных потенциалов от толщины слоев сверхрешеток. Результаты ab-initio расчетов хорошо согласуются с данными эмпирического расчета объединенных по фононам деформационных потенциалов, но отличаются от соответствующих потенциалов для парциальных каналов рассеяния вследствие приближений феноменологической модели сил связи.
The deformation potentials of scattering electrons on short-wave phonons for intervalley transitions in a band of conductivity of short-period superlattices (GaAs) [m] (AlAs) [n] (001) (m, n = 1, 2, 3) are determined by the method of functional electronic density. The analysis of electronic, phonon of states and deformation potentials dependences from thickness of layers of superlattices is carried out. The results of ab-initio calculations conform well to the data of empirical deformation potentials united on phonons, but differ from the corresponding potentials for particular channels of scattering owing to approximations phenomenological of model of atomic binding. The work is executed within the framework of the projects of Ministry of education and science of Russian Federation 2. 624. 2011, 2. 4593. 2011 and partially 2. 3684. 2011.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/03/p334-344.pdf

Доп.точки доступа:
Никитина, Л. Н.; Тютерев, В. Г.; Национальный исследовательский Томский политехнический университет; Национальный исследовательский Томский политехнический университетНациональный исследовательский Томский государственный университет; Национальный исследовательский Томский государственный университет; Национальный исследовательский Томский государственный университет; Томский государственный педагогический университет

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)