Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=стеклообразные полупроводники<.>)

Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9

538.9
Т 787

Трунов, М. Л.
Поляризационно-зависимый лазерно-индуцированный гигантский массоперенос в стеклообразных полупроводниках [Текст] / М. Л. Трунов // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып. 5. - С. 365-369 . - ISSN 0370-274X

УДК

538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
поляризационно-зависимый массоперенос -- лазерно-индуцированный массоперенос -- гигантский массоперенос -- полупроводники -- стеклообразные полупроводники -- халькогенидное стекло -- фотопластический эффект
Аннотация: Получены прямые экспериментальные доказательства справедливости двухфазной модели халькогенидного стекла. Показано, что в пленках стеклообразных полупроводников, проявляющих отрицательный фотопластический эффект, облучение поляризованным светом вызывает гигантский массоперенос в направлении, перпендикулярном вектору поляризации падающего света. Отмечено, что в пленках при облучении возникает поверхностный рельеф, вид которого зависит от состояния поляризации лазера. Представлена макроскопическая модель, качественно описывающая наблюдаемое явление.

Найти похожие

Трунов, М. Л.
Лазерно-индуцированные коллективные эффекты в пленках стеклообразных полупроводников [Текст] / М. Л. Трунов, В. С. Биланич, С. Н. Дуб // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 16. - С. 46-53 . - ISSN 0320-0116

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
лазерно-индуцированные эффекты -- стеклообразные полупроводники -- диссипативные структуры -- синергетические методы
Аннотация: Фотоиндуцированные изменения структуры пленок стеклообразных полупроводников рассмотрены с точки зрения теории самоорганизации - формирования диссипативных структур и их последующей трансформации при лазерном облучении, приводящей систему к минимуму рассеяния энергии внешнего механического поля. Методом циклического наноиндентирования пленок халькогенидного стекла стехиометрического состава As[2]Se[3], облучаемых светом из области края поглощения (hnu больше равно E[g]), получены прямые экспериментальные доказательства наличия коллективных (синергетических) процессов такой самоорганизации.

Доп.точки доступа:
Биланич, В. С.; Дуб, С. Н.

Найти похожие

Трунов, М. Л.
Исследование фотопластического эффекта в стеклообразных полупроводниках методом циклического наноиндентирования [Текст] / М. Л. Трунов, В. С. Биланич, С. Н. Дуб // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 11. - С. 1978-1983. - Библиогр.: с. 1983 (27 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фотопластический эффект -- стеклообразные полупроводники -- метод циклического наноиндентирования -- внутреннее трение -- модуль Юнга -- Юнга модуль -- вязкость -- нанотвердость
Аннотация: Исследована динамика фотоиндуцированных изменений внутреннего трения и модуля Юнга в пленках системы As-Se методом циклического наноиндентирования на инфранизких частотах. Обнаружены эффекты возрастания модуля Юнга и затормаживания релаксационных процессов в пленках при облучении при одновременном уменьшении вязкости и нанотвердости материала. Полученные результаты обсуждаются в рамках концепции микрогетерогенного строения стекла.

Доп.точки доступа:
Биланич. В. С.; Дуб, С. Н.

Найти похожие

Влияние зарядки халькогенидных стеклообразных полупроводников в коронном разряде на процессы образования голографических дифракционных решеток [Текст] / А. М. Настас [и др. ] // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 2. - С. 139-142. - Библиогр.: c. 142 (13 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a539.21:535

ББК 22.374
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
халькогенидные полупроводники -- стеклообразные полупроводники -- коронные разряды -- голографические дифракционные решетки -- дифракционные решетки -- тонкие пленки
Аннотация: Исследованы процессы регистрации оптических голографических интерференционных решеток на основе фотоструктурных превращений в тонкопленочных (~1 mum) полупроводниковых слоях As[2]S[3] и As[2]Se[3] как в поле коронного разряда, так и без него, а также процесс химического травления образованных голографических дифракционных решеток. Показано, что использование коронного разряда на стадии записи интерференционных решеток приводит к улучшению экспозиционно-контрастной характеристики тонкослойных структур металл-халькогенидный стеклообразный полупроводник. Голографическая чувствительность, дифракционная эффективность, динамический диапазон и контраст в несколько раз улучшаются. При селективном химическом травлении дифракционных решеток, сформированных в этих полупроводниковых слоях, в присутствии коронного разряда происходит увеличение степени регулярности протравленных рельефно-фазовых голографических дифракционных решеток, увеличение глубины их рельефа на 25-30% и дифракционной эффективности на 30-50%.

Доп.точки доступа:
Настас, А. М.; Андриеш, А. М.; Бивол, В. В.; Присакар, А. М.; Тридух, Г. М.

Найти похожие

Внутреннее трение в стеклообразных полупроводниках системы Ge-As-Se [Текст] / В. С. Биланич [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 9. - С. 1698-1706. - Библиогр.: с. 1706 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
стеклообразные полупроводники -- внутреннее трение -- процессы релаксации в стеклах
Аннотация: Методом внутреннего трения исследованы процессы релаксации в стеклах системы Ge-As-Se. В области температур 180-280 K выявлен релаксационный процесс, который может быть классифицирован как beta-процесс релаксации. Сделано предположение о том, что изменение величины максимума внутреннего трения в этом температурном интервале в зависимости от химического состава связано с изменением концентрации структурных единиц, обусловливающих beta-релаксацию в данных материалах. Обнаружено интенсивное возрастание энергии активации alpha-процесса релаксации исследованных стекол системы Ge-As-Se в области среднего координационного числа Z = 2. 6.

Доп.точки доступа:
Биланич, В. С.; Онищак, В. Б.; Макауз, И. И.; Ризак, В. М.

Найти похожие

539.2
У 677

Управление оптическим откликом пленочных гибридных структур опал/Ge[2]Sb[2]Te[5] [Текст] / С. А. Яковлев [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 16. - С. 78-86 : ил. - Библиогр.: с. 85-86 (15 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

539.2

535.2/.3

ББК 22.37 + 22.343
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
оптические отклики -- гибридные структуры -- пленочные структуры -- пленочные гибридные структуры -- синтезированные структуры -- кристаллы -- фотонные кристаллы -- опалы -- полупроводники -- стеклообразные полупроводники -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- свет -- отражение света -- дифракционные аномалии -- аномалии Вуда -- Вуда аномалии -- резонансное возгорание -- резонансные отклики -- фазовые переходы -- температурные воздействия -- аморфное кристаллическое состояние -- опаловые пленки
Аннотация: Синтезированы пленочные гибридные структуры - фотонный кристалл (опал) /халькогенидный стеклообразный полупроводник (Ge[2]Sb[2]Te[5]), в которых продемонстрировано сильное изменение сигнала отражения света, обусловленное резонансным возгоранием дифракционной аномалии (аномалии Вуда). Предложен и реализован способ управления резонансным оптическим откликом гибридных структур за счет индуцированного температурным воздействием фазового перехода аморфное кристаллическое состояние в пленке Ge[2]Sb[2]Te[5].

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/16/p78-86.pdf

Доп.точки доступа:
Яковлев, С. А.; Певцов, А. Б.; Фомин, П. В.; Мелех, Б. Т.; Трофимова, Е. Ю.; Курдюков, Д. А.; Голубев, В. Г.

Найти похожие

539.21:535
О-627

Оптические свойства халькогенидных стекол с ионно-синтезированными наночастицами меди [Текст] / Т. С. Кавецкий [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 23. - С. 11-18 : ил. - Библиогр.: с. 18 (18 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

539.21:535

537.311.33

ББК 22.374 + 22.379
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
стекла -- халькогенидные стекла -- оптические свойства -- медь -- наночастицы -- ионно-синтезированные наночастицы -- ионы -- имплантация -- энергия -- облучение -- ток -- плотность тока -- ионные пучки -- подложки -- полупроводники -- стеклообразные полупроводники -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- композиционные слои -- анализ слоев -- оптическое пропускание -- линейное оптическое пропускание -- нелинейно-оптическое поглощение -- метод Z-сканирования -- длины волн -- импульсы -- лазерные излучения -- мощность -- облученные материалы -- спектры пропускания -- плазмонный резонанс -- оптический резонанс -- приповерхностные области -- нелинейные поглощения
Аннотация: Проведена имплантация ионами Cu{+} с энергией 40 keV при дозе облучения 1. 5·10{17} ion/cm{2} и фиксированной плотности тока в ионном пучке 1 muA/cm{2} подложек халькогенидных стеклообразных полупроводников As[2]S[3] и Ge[15. 8]As[21]S[63. 2]. Анализ композиционных слоев осуществлялся измерением линейного оптического пропускания, а также регистрацией нелинейно-оптического поглощения методом Z-сканирования на длине волны 780 nm при зондирующем лазерном излучении импульсами 150 fs и мощностью от 25 до 100 mW. Для облученных материалов установлено: 1) появление в спектрах линейного пропускания характерной полосы оптического поверхностного плазмонного резонанса, указывающей на формирование в приповерхностной области наночастиц меди; 2) наличие одновременно насыщенного и двухфотонного нелинейных поглощений, последнее доминирует при повышении мощности лазерного излучения.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/23/p11-18.pdf

Доп.точки доступа:
Кавецкий, Т. С.; Валеев, В. Ф.; Нуждин, В. И.; Цмоць, В. М.; Степанов, А. Л.

Найти похожие

539.21:537
О-754

Особенности вольт-амперных характеристик в тонких пленках состава Ge[2]Sb[2]Te[5] при использовании измерительной цепи с источником тока / С. А. Фефелов [и др.]. // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 4. - С. 80-84. - Библиогр.: c. 84 (14 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
вольт-амперные характеристики -- тонкие пленки -- стеклообразные полупроводники -- измерительные цепи с источником тока -- измерительные цепи с генератором напряжения -- генераторы тока -- эффект образования памяти -- напряжение поддержки -- фазовые переходы -- ограничение тока канала проводимости -- каналы проводимости -- колебания проводимости
Аннотация: Сравнены традиционно используемая для исследования электрических свойств стеклообразных полупроводников измерительная цепь с генератором напряжения и альтернативный вариант, использующий генератор тока. Использование генератора тока позволило получить результаты, более полно отражающие взаимосвязь между эффектом образования памяти и изменениями электрических параметров. Выделен новый электрический параметр - U[hold] (напряжение поддержки), ранее не описанный в литературе. Установлена связь U[hold] с процессом формирования памяти при фазовом переходе. Обнаружен эффект возникновения колебаний в режиме ограничения тока канала проводимости в пленке.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/04/p80-84.pdf

Доп.точки доступа:
Фефелов, С. А.; Казакова, Л. П.; Козюхин, С. А.; Цэндин, К. Д.; Арсова, Д.; Памукчиева, В.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН; Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет им. С. М. Кирова; Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН; Институт физики твердого тела БАН; Институт физики твердого тела БАН

Найти похожие

539.2
Р 680

Роль атомов самария в формировании структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников As-Se-S / Р. И. Алекберов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 6. - С. 818-822 : ил. - Библиогр.: с. 821 (34 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

621.315.592

ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
самарий -- Sm -- халькогениды -- стеклообразные полупроводники -- комбинационное рассеяние -- рассеяние света -- легирование самарием -- химическая активность
Аннотация: Исследованы спектры комбинационного рассеяния света в пленках трехкомпонентных халькогенидных стеклообразных полупроводников As-Se-S, легированных самарием. Показано, что спектры КРС состоят из четырех полос, охватывающих интервалы частот 10-100, 195-290, 290-404, 420-507 см{-1} и сильно изменяющихся легированием. Установлены структурные единицы в As-Se-S и их возможные изменения при легировании. Полученные результаты объясняются исходя из особенностей распределения атомов самария в образце и их химической активностью.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/06/p818-822.pdf

Доп.точки доступа:
Алекберов, Р. И.; Исаев, А. И.; Мехтиева, С. И.; Исаева, Г. А.; Институт физики им. Г. М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана (Баку); Институт физики им. Г. М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана (Баку); Институт физики им. Г. М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана (Баку); Институт физики им. Г. М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана (Баку)

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)