Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=дислокационные сетки<.>)
Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5
1.


    Иванской, В. А.
    Подходы теории перколяции и свободная энергия кластеров дислокаций [Текст] / В. А. Иванской // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 4. - С. 65-70. - Библиогр.: c. 70 (24 назв. ) . - ISSN 0044-4642
УДК
^a539.2
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
теория перколяции -- перколяция -- кластеры дисклокаций -- дислокации -- дислокационные сетки -- свободная энергия -- кластеры
Аннотация: Для упорядоченных конфигураций дислокационных сеток в кристаллах теоретически исследована применимость подходов теории перколяции. Вычислена свободная энергия для дислокационных сеток, образующих кластеры методами теории перколяции, использующей модели Изинга, Поттса и решение Онзагера.


Найти похожие
2.
537.311.33
К 903

    Кулинич, О. А.
    Роль механизмов пластической деформации при формировании наноструктурированного кремния и его фотолюминесцентные свойства [Текст] / О. А. Кулинич // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 1. - С. 52-57. - Библиогр.: c. 56-57 (11 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
537.311.33
ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
дефекты -- деформации -- дислокационные сетки -- наноструктурированный кремний -- островки наноструктурированного кремния -- пластические деформации
Аннотация: Показана роль механизмов пластической деформации в процессе получения слоев наноструктурированного кремния. Процесс получения наноструктурированного кремния заключается в том, что на поверхности кремниевой пластины выращивались слои окиси кремния различной толщины с последующим их удалением и обработкой в избирательных химических травителях (ИТ) до появления бездефектного островкового кремния, обладающего фотолюминесцентными свойствами, характерными для наноструктурированного кремния. Из анализа спектров интенсивности фотолюминесценции, полученных от области островков наноструктурированного кремния, сделан вывод о различии механизмов пластической деформации для различных толщин выращенного оксида кремния. Обсуждаются возможные механизмы смещения максимума интенсивности спектра фотолюминесценции (ФЛ) в коротковолновую область спектра при уменьшении размеров островков наноструктурированного кремния.


Найти похожие
3.
539.2
О-754

   
    Особенности дислокационной структуры слоистых дихалькогенидов титана TiX[2] (X=S, Se, Te) [Текст] / Е. Г. Галиева [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 5. - С. 984-992. - Библиогр.: с. 991-992 (21 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
539.2
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
монокристаллы -- халькогены -- дихалькогениды титана -- дислокационные сетки
Аннотация: Выполнено исследование дислокационной структуры монокристаллов дихалькогенидов титана. Установлено, что основу составляют дислокации, лежащие в базисной плоскости, имеющие преимущественно краевую природу и отвечающие за деформационное поведение материала. Наряду с ними присутствуют ростовые дислокации в основном винтовой природы, образующие дислокационные сетки. Выявлена связь между природой халькогена и характером дефектной структуры.


Доп.точки доступа:
Галиева, Е. Г.; Антонова, О. В.; Панфилов, П. Е.; Титов, А. Н.

Найти похожие
4.
535.37
Б 811

    Бондаренко, А. С.
    Электронные уровни и люминесценция дислокационных сеток, полученных гидрофильным сращиванием пластин кремния / А. С. Бондаренко, О. Ф. Вывенко, И. А. Исаков // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 2. - С. 223-227 : ил. - Библиогр.: с. 227 (8 назв.) . - ISSN 0015-3222
УДК
535.37
ББК 22.345
Рубрики: Физика
   Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
локальные энергетические уровни -- энергетические уровни -- электронные уровни -- дислокационные сетки -- ДС -- люминесценция -- интерфейсы -- дислокации -- пластины кремния -- кремний -- дислокационная люминесценция -- ДЛ -- электронные состояния -- DLTS -- методы -- электрические импульсы -- энергия активации -- емкостная спектроскопия -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- экспериментальные результаты
Аннотация: Локальные энергетические уровни, обусловленные дислокациями на интерфейсе сращенных пластин кремния n- и p-типа проводимости, исследованы методами DLTS, а также новым методом детектирования примесной люминесценции, стимулированной заполнением электронных состояний (Pulsed-TREL) электрическими импульсами. Установлено, что за полосу D1 дислокационной люминесценции как в n-, так и в p-образцах ответственны только мелкие уровни дислокационной сетки с энергиями активации около ~ 0. 1 эВ. Заполнение глубоких уровней не оказывает влияния на интенсивность полосы D1. Предложена модель парных нейтральных центров захвата носителей, объясняющая разницу между энергетическим положением полосы D1 (0. 8 эВ) и межуровневым энергетическим расстоянием (0. 97 эВ) кулоновским взаимодействием между захваченными на них носителями.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/02/p223-227.pdf

Доп.точки доступа:
Вывенко, О. Ф.; Исаков, И. А.; "Кремний-2012", международная конференция (9 ; 2012 ; Санкт-Петербург)

Найти похожие
5.
621.315.592
В 253

    Вдовин, В. И.
    Закономерности образования дислокационных сеток на границе сращенных пластин Si(001) / В. И. Вдовин, Е. В. Убыйвовк, О. Ф. Вывенко // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 2. - С. 228-232 : ил. - Библиогр.: с. 232 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222
УДК
621.315.592
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
дислокационные сетки -- ДС -- просвечивающая электронная микроскопия -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- ПЭМ -- гидрофильные соединения -- кремний -- Si -- винтовые дислокации -- пластины кремния
Аннотация: Методом просвечивающей электронной микроскопии выполнено исследование дислокационных сеток в структурах с гидрофильным соединением пластин Si (001). Наблюдались сетки с различной геометрией и типом доминирующих дислокаций. Один тип сеток, типичный для сращенных структур, формируется на основе квадратной сетки винтовых дислокаций и содержит систему однонаправленных 60-градусных дислокаций зигзагообразной формы. Установлено, что такие дислокационные сетки являются плоскими в структурах с азимутальной разориентацией пластин более 2 °, а при меньших углах разориентации - трехмерными. Уникальная сетка другого типа образована только 60-градусными дислокациями, преобладающая доля которых вытянута вдоль одного направления, не совпадающего с направлениями (110) в плоскости соединения, и имеет ряд специфических особенностей, объяснение которых невозможно в рамках общепринятых представлений.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/02/p228-232.pdf

Доп.точки доступа:
Убыйвовк, Е. В.; Вывенко, О. Ф.; "Кремний-2012", международная конференция (9 ; 2012 ; Санкт-Петербург)

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)