Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Электронный каталог (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Терентьев, А. И.$<.>)

Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6

65.053
Т 350

Терентьев, А. И.
"Особая экономическая зона" после августа 1998 года [Текст] / А. И. Терентьев, Г. Н. Дорожнова, Г. В. Бородянская // Вопросы статистики. - 2002. - N4 . - ISSN 0320-8168

ББК 65.053
Рубрики: Экономика--Экономический анализ
Кл.слова (ненормированные):
ВРП -- ОЭЗ -- валовый региональный продукт -- внешние продажи -- зоны особые экономические -- катастрофы экономические -- особые экономические зоны -- отрасли производства -- продажи внешние -- продукт валовый региональный -- производственные функции -- развитие экономическое -- функции потребления ОЭЗ -- функции производственные -- экономические катастрофы -- экономическое развитие
Аннотация: Статья посвящена исследованию трехлетнего периода(1995-1997) относительно устойчивого развития экономики "Особой экономической зоны"(ОЭЗ).

Перейти: http://www.gks.ru

Доп.точки доступа:
Дорожнова, Г.Н.; Бородянская, Г.В.

Найти похожие

ББК 65.053
Рубрики: Экономика--Экономический анализ
Кл.слова (ненормированные):
1998 г. -- ВРП -- ОЭЗ -- анализ макроэкономический -- валовый продукт -- динамика квартальная -- зоны особые экономические -- квартальная динамика -- макроэкономика -- макроэкономический анализ -- особые экономические зоны
Аннотация: Данная статья посвящена исследованию "Особой экономической зоны".

Перейти: http://www.gks.ru

Доп.точки доступа:
Дорожнова, Г.Н.; Бородянская, Г.В.

Найти похожие

53
М 333

Матвеев, О. А.
Отжиги полуизолирующих кристаллов CdZnTe : Cl с различным содержанием Zn [Текст] / О. А. Матвеев, Н. К. Зеленина [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 7. - С. 1-7 . - ISSN 0320-0116

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- полуизолирующие кристаллы -- отжиги кристаллов -- детекторы ядерного излучения
Аннотация: Показано влияние условий послеростового отжига под управляемым давлением пара кадмия и низкотемпературных отжигов полуизолирующих кристаллов Cd[1-x]Zn[x]Te : Cl (x=0. 0002; x=0. 005; x=0. 01; x=0. 1) , выращенных методом горизонтальной направленной кристаллизации, на основные параметры материала, ответственные за качество детекторов ядерного излучения.

Доп.точки доступа:
Зеленина, Н. К.; Карпенко, В. П.; Терентьев, А. И.; Томасов, А. А.

Найти похожие

53
М 333

Матвеев, О. А.
Исследование компенсации проводимости в кристаллах CdZnTe : Cl с разным содержанием цинка [Текст] / О. А. Матвеев, Н. К. Зеленина [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 8. - С. 88-94 . - ISSN 0320-0116

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы Cd[1-x]Zn[x]Te : Cl -- полуизолирующие кристаллы -- проводимость -- компенсация проводимости -- отжиг кристаллов
Аннотация: Исследовалось влияние давления пара кадмия при отжиге полуизолирующих кристаллов Cd[1-x]Zn[x]Te : Cl (x=0. 005; x=0. 01; x=0. 05) на компенсацию проводимости материала, используемого для создания детекторов ядерного излучения. Показано, что при малом содержании цинка (x=0. 005 и x=0. 01) определяющее действие на компенсацию проводимости в Cd[1-x]Zn[x]Te : Cl оказывают точечные дефекты кадмия. При содержании цинка x=0. 05 компенсация заряженных дефектов недостаточно регулируется изменением давления пара кадмия, что свидетельствует о существенном влиянии точечных дефектов цинка.

Доп.точки доступа:
Зеленина, Н. К.; Терентьев, А. И.; Томасов, А. А.; Гуськов, В. Н.

Найти похожие

621.3
С 284

Седов, В. Е.
К вопросу о происхождении полосы 1 эВ в фотолюминесценции Cd[1-x]Zn[x]Te [Текст] / В. Е. Седов, О. А. Матвеев, А. И. Терентьев, Н. К. Зеленина // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 9. - С. 1051-1052 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
Cd[1-x]Zn[x]Te -- фотолюминесценция -- спектр фотолюминесценции
Аннотация: Исследована фотолюминесценция при 77 K образцов Cd[1-x]Zn[x]Te (x=0, 0. 005 и 0. 01), отожженных при 900. C и давлениях паров кадмия P[Cd]=3 10\{4\}-2 10\{5\} Па.

Доп.точки доступа:
Матвеев, О. А.; Терентьев, А. И.; Зеленина, Н. К.

Найти похожие

Выращивание и отжиг кристаллов CdZnTe: Cl с разным содержанием цинка для детекторов ядерного излучения [Текст] / Н. К. Зеленина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1419-1425 : ил. - Библиогр.: с. 1424-1425 (43 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- CdZnTe: Cl -- выращивание кристаллов -- отжиг -- кадмий -- давление пара -- цинк -- фотолюминесценция -- ФЛ -- ядерные излучения -- детекторы ядерного излучения -- эффект Холла -- Холла эффект -- фотопроводимость -- примесная фотопроводимость -- время-пролетный метод -- дефекты -- точечные дефекты -- электрофизические свойства -- горизонтальная направленная кристаллизация -- ГНК
Аннотация: Методами фотолюминесценции, эффекта Холла, примесной фотопроводимости, время-пролетным методом исследовалось влияние давления пара кадмия (P[Cd]) при послеростовом отжиге слитков и при отжиге образцов полуизолирующих кристаллов Cd[1-x]Zn[x]Te: Cl (x=0. 005, 0. 01, 0. 05, 0. 1) на компенсацию проводимости материала, используемого для создания детекторов ядерного излучения. Показано, что управление P[Cd] приводит к изменению концентрации точечных дефектов в кристалле, которые являются ответственными за низкие транспортные характеристики материала. Установлено, что захват свободных дырок происходит на акцепторные уровни как вакансии кадмия, так и вакансии цинка. Исследование электрофизических свойств кристаллов после отжигов при разных давлениях пара кадмия показало, что при малом содержании цинка (x=0. 005 и 0. 01) определяющее действие на компенсацию проводимости в Cd[1-x]Zn[x]Te: Cl оказывают точечные дефекты кадмия, V[Cd]{-2}. Однако уже при содержании цинка x>=0. 05 необходимо учитывать влияние точечных дефектов цинка V[Zn]{-2}, и для получения таких кристаллов с лучшими транспортными характеристиками в процессе выращивания материала необходимо управлять не только давлением пара кадмия, но и давлением пара цинка. Установлена возможность управления основными электрофизическими характеристиками полуизолирующего материала с содержанием цинка x=<0. 01 для детекторов ядерных излучений, выращиваемого методом горизонтальной направленной кристаллизации, путем регулирования давления пара кадмия в процессе послеростового отжига.

Доп.точки доступа:
Зеленина, Н. К.; Карпенко, В. П.; Матвеев, О. А.; Седов, В. Е.; Терентьев, А. И.; Томасов, А. А.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)