Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Электронный каталог (123)

Труды ОмГУ (17)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=дефекты<.>)

Общее количество найденных документов : 978
Показаны документы с 1 по 20

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Барабан, А. П.
Дефекты и дефектообразование в окисном слое ионно-имплантированных структур кремний-двуокись кремния [Текст] / А. П. Барабан, Л. В. Милоглядова // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N5. - Библиогр.: с. 60 (7 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
дефекты -- ионная имплантация -- кремний -- оксид кремния
Аннотация: Совместно методами электролюминесценции и методами, основанными на измерении высокочастотных вольт-фарадных характеристик, исследовались структуры Si-SiO[2], полученные термическим окислением кремния КЭФ-5 (100) во влажном кислороде при температуре 950C (толщина окисного слоя 250 nm), имплантированные ионами аргона с энергией 130 keV и дозами 10{13}-3.2* 10{17} cm{-2}. Установлена связь природы, свойств и механизмов формирования дефектов, образующихся в окисном слое имплантированных структур. На основании этого предложена модель дефектообразования в результате имплантации ионов Ar в структуры Si-SiO[2]

Доп.точки доступа:
Милоглядова, Л.В.

Найти похожие

Аскинази, А. Ю.
Роль маскирующего оксида на кремнии в процессах дефектообразования при формировании SIMOX-структур [Текст] / А. Ю. Аскинази, А. П. Барабан, Л. В. Милоглядова // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N5. - Библиогр.: с. 64 (9 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
дефекты -- ионная имплантация -- кремний -- маскирующий оксид -- оксид кремния
Аннотация: Исследованы структуры Si-SiO[2], сформированные путем имплантации в кремний ионов кислорода (SIMOX-технология) методами, основанными на измерении высокочастотных вольт-фарадных характеристик, и методом электролюминесценции. Установлено существование в сформированном окисном слое вблизи границы с кремнием электрически активных центров и центров люминесценции. Выяснена роль маскирующего слоя SiO[2] на кремнии в процессах дефектообразования при формировании замурованного окисного слоя. Установлена зависимость концентрации электрически активных и люминесцентных центров от толщины маскирующего слоя

Доп.точки доступа:
Барабан, А.П.; Милоглядова, Л.В.

Найти похожие

+
Г 964

Гусинский, Г. М.
Формирование заданных профилей концентрации внедренных атомов и радиационных дефектов при использовании монохроматических пучков ускоренных ионов [Текст] / Г. М. Гусинский, А. В. Матюков // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N5. - Библиогр.: с. 71 (11 назв.) . - ISSN 0044-4642

ББК +
Рубрики: Физика--Атомная физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
ионные пучки -- облучение -- профильные поглотители энергии -- радиационные дефекты
Аннотация: Предложен метод формирования пучков ускоренных ионов с энергетическим спектром, отвечающим условию образования в облучаемых образцах заданного профиля внедренных атомов и радиационных дефектов. Проведен строгий математический расчет профилей пленочных поглотителей энергии, формирующих пучки легких и тяжелых ионов с необходимым энергетическим спектром из моноэнергетических ускоренных пучков

Доп.точки доступа:
Матюков, А.В.

Найти похожие

Гинзбург, Л. П.
Обнаружение заряженных дефектов с помощью спектров люминесценции [Текст] / Л. П. Гинзбург, А. П. Жилинский // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N2. - Библиогр.: с.64 (21 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
заряженные дефекты -- кулоновские щели -- люминесценция
Аннотация: Изложена методика анализа низкочастотного участка спектра люминесценции, которая позволяет установить наличие абсолютно жесткой кулоновской щели, образованной локализованными заряженными дефектами. Эффективность методики иллюстрируется на примерах люминесценции в аморфных полупроводниках, в оптических волокнах, а также триболюминесценции

Доп.точки доступа:
Жилинский, А.П.

Найти похожие

Резниченко, Л. А.
Огромная пьезоэлектрическая анизотропия ниобата натрия с композитоподобной структурой [Текст] / Л. А. Резниченко, Л. А. Шилкина, А. В. Турик, С. И. Дудкина // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N2. - Библиогр.: с.67 (23 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
дефекты -- керамика -- композитоподобная структура -- микротрещины -- ниобат натрия -- пьезоэлектрическая анизотропия
Аннотация: На основе рентгенографических и электрофизических исследований керамик ниобата натрия стехиометрического и нестехиометрического состава сделано заключение о возможном механизме достижения в них бесконечного отношения коэффициентов электромеханической связи толщинной и планарной мод колебаний, связанном с композитоподобным строением объектов. Показано, что такое строение может быть сформировано за счет присутствия упорядоченных протяженных дефектов - незаполненных каналов (в местах сочленения колонок или блоков ненарушенной структуры), играющих роль микротрещин. Под действием возникающих в местах их зарождения механических напряжений возможно изменение доменной структуры и возникновение анизотропного распределения поляризованных кластеров сегнетоэлектрической фазы, что также может привести к увеличению пьезоэлектрической анизотропии

Доп.точки доступа:
Шилкина, Л.А.; Турик, А.В.; Дудкина, С.И.

Найти похожие

Абрамова, К. Б.
Эмиссия фотонов и динамика субмикродефектов на поверхности благородных металлов [Текст] / К. Б. Абрамова, В. И. Веттегрень, И. П. Щербаков, В. Н. Светлов // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N2. - Библиогр.: с.132-133 (14 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
благородные металлы -- дефекты -- лазерное излучение -- люминесценция -- субмикродефекты -- фотоны -- эмиссия фотонов
Аннотация: Проведено экспериментальное исследование формы и количества дефектов, а также интенсивности люминесценции тыльной поверхности Cu, Ag и Au при облучении фронтальной стороны образцов лазерными импульсами. Показано, что в согласии с дислокационной моделью люминесценции существует корреляция между интенсивностью люминесценции и количеством дефектов, образующихся при облучении

Доп.точки доступа:
Веттегрень, В.И.; Щербаков, И.П.; Светлов, В.Н.

Найти похожие

Мирзоев, Ф.
Распространение нелинейных продольных волн в твердом теле с учетом взаимодействия полей деформации и концентрации дефектов [Текст] / Ф. Мирзоев // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N10. - Библиогр.: с.57 (16 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
дефекты -- деформация -- лазерное облучение -- нелинейные продольные волны -- ударные волны
Аннотация: Развита модель распространения нелинейных продольных волн в облучаемом лазерном импульсами твердом теле с квадратичной нелинейностью упругого континуума с учетом взаимодействия полей деформации и концентрации точечных дефектов. Проанализировано влияние процессов генерации и рекомбинации лазерно-индуцированных дефектов на распространение волны упругой деформации. Обнаружено существование упругой нелинейной ударной волны малой интенсивности в системе и изучена ее структура. Получена оценка ширины и скорости движения фронта волны. Определены вклады в линейный модуль упругости, а также в дисперсионные параметры решетки, обусловленные взаимодействием полей деформации и дефектов

Найти похожие

22.37
С 891

Суворов, А. Л.
Автоионно-микроскопические анализы роли различных компонентов слаборазбавленных сплавов вольфрама в формировании дефектной структуры областей развития каскадов атомных смещений [Текст] / А. Л. Суворов, А. Г. Залужный [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N1. - Библиогр.: с.121-122 (16 назв.) . - ISSN 0044-4642

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
автоинно-микроскопические исследования -- атомные смещения -- вакансии -- вольфрам -- вольфрамовые сплавы -- ионное облучение -- радиационные дефекты
Аннотация: Приведены некоторые новые результаты комплексных автоионно-микроскопических исследований радиационных эффектов в сверхчистом вольфраме ВЧВ, технически чистом вольфраме ВА-3 и четырех слаборазбавленных сплавах вольфрама: П39А (W-Hf-C), ВТ-15 (W-1.5% ThO[2]), ВР-5 (W-5% Re), ВЖ-2 (W-2% Fe). Облучение образцов осуществлялось во внешнем устройстве ионами Ar{+} и Ni{+} с энергией 35 keV. Плотность ионного тока во всех случаях поддерживалась равной j=2.0 muA, флюенс облучения составлял Phi {t}=5*10{14} ion/cm{2}. Изучены особенности кластеризации единичных вакансий в облученных образцах во взаимосвязи с уровнем и типом содержащихся в них примесей. Получены и проанализированы распределения комплексов вакансий в облученных образцах по числу объединенных в них единичных вакансий. Обнаружено заметное различие таких распределений для объемов обедненных зон и объемов материала вне их. Косвенно измерены средние значения длин цепочек фокусированных замещающих столкновений атомов в образцах с различным уровнем и разным типом примесей. По этим результатам оценена эффективность захвата собственных междоузельных атомов различными примесями в вольфраме

Доп.точки доступа:
Залужный, А.Г.; Бобков, А.Ф.; Зайцев, С.В.; Бабаев, В.П.; Гусева, М.И.; Коршунов, С.Н.; Николаева, И.Н.; Залужный, А.А.

Найти похожие

539.2
К 630

Комаров, Ф. Ф.
Модель термического пика для описания трекообразования в кристаллах полупроводников, облучаемых тяжелыми высокоэнергетическими ионами [Текст] / Ф. Ф. Комаров, В. Н. Ювченко // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N6. - Библиогр.: 18 назв. . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
германий -- дефекты -- ионная имплантация -- ионное облучение -- модель термического пика -- трекообразование -- фосфид индия
Аннотация: Впервые рассмотрена применимость модели термического пика для описания процессов дефектообразования и трекообразования в полупроводниковых кристаллах. Рассмотрено влияние таких параметров модели, как теплоемкость, теплопроводность, коэффициент электрон-фононной связи как функций температуры. Сравнение теоретических данных с результатами экспериментов для кристаллов InP и Ge, облучаемых тяжелыми ионами сверхвысоких энергий, свидетельствует об адекватности этого подхода и возможности получать количественные данные для таких характеристик, как температура локальной области около траектории иона, диаметры расплавленной области и экспериментально регистрируемой трековой области. В частности, предсказанный теоретически диаметр цилиндрической расплавленной области, образующейся при прохождении ионов Xe{+} с энергией 250 MeV в InP, составляет 20 nm, а диаметры регистрируемых методом просвечивающей электронной микроскопии поперечного сечения треков составляют 7-15 nm

Доп.точки доступа:
Ювченко, В.Н.

Найти похожие

10.

539.2
М 574

Мигаль, В. П.
Трансформация дефектной структуры и электрофизических свойств кристаллов селенида цинка под влиянием переменного электрического поля [Текст] / В. П. Мигаль, М. А. Ром, О. Н. Чугай // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N10. - Библиогр.: 7 назв. . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
влияние полей -- дефекты -- ионная проводимость -- селенид цинка -- трансформация структуры -- электрическое поле
Аннотация: Исследованы изменения совершенства структуры и электрофизических свойств кристаллов ZnSe под воздействием сильного переменного электрического поля промышленной частоты. Установлено, что такое воздействие на кристалл приводит к трансформации дефектной структуры и диэлектрических параметров. Последние приобретают иную зависимость от температуры и длины волны фотовозбуждения. Наблюдаемые изменения обусловлены процессами ионной проводимости, связанными с локальными аномалиями электрической и упругой подсистем кристалла.

Доп.точки доступа:
Ром, М.А.; Чугай, О.Н.

Найти похожие

11.

539.2
К 903

Куликов, В. Д.
Исследование механизма электрического пробоя ионных кристаллов в наносекундном диапазоне [Текст] / В. Д. Куликов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N12. - Библиогр.: с.30 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
электрический пробой -- ионные кристаллы -- щелочно-галлоидные кристаллы -- дефекты -- электрическая прочность
Аннотация: Исследованы закономерности электрического пробоя ряда щелочно-галоидных кристаллов при длительности приложения поля ~10 ns. Отмечено существование двух различных каналов разряда с анода: первичного и основного. Показано, что при наличии первичного канала основной канал возникает при статических пробивных напряжениях. В отсутствие первичного основной канал формируется при пробивных напряжениях, превышающих в ~4 раза статические. Рассмотрено образование основного канала пробоя по механизму каскадных оже-переходов. Предполагается, что в образовании первичного канала разряда существенную роль играет генерация и миграция линейных дефектов. Эффект увеличения импульсной электрической прочности кристаллов связывается с условиями протекания тока через границу металл-диэлектрик.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2003/12/

Найти похожие

12.

539.2
Б 230

Банишев, А. Ф.
Влияние внешней атмосферы и типа газа на генерацию дефектов и разрушение поверхности кремния при воздействии лазерных импульсов [Текст] / А. Ф. Банишев, В. С. Голубев, А. Ю. Кремнев // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 8. - Библиогр.: c. 85 (17 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
дефекты -- кремний -- лазерное облучение -- разрушение поверхности
Аннотация: Исследуется твердофазное разрушение поверхности кремния при импульсном воздействии субмикросекундных лазерных импульсов в атмосфере различных газов: активных - кислород, азот, углекислый газ и инертных - гелий, аргон, криптон. Установлено, что порог разрушения поверхности (порог образования неоднородностей рельефа поверхности) наименьший а атмосфере гелия и наибольший в атмосфере криптона. Предложен механизм роста и релаксации неоднородностей.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/08/page-81.html.ru

Доп.точки доступа:
Голубев, В. С.; Кремнев, А. Ю.

Найти похожие

13.

Гах, С. Г.
Объемный заряд и токи термодеполяризации в тонких пленках цирконата-титаната свинца [Текст] / С. Г. Гах, Е. Д. Рогач, Е. В. Свиридов // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N1. - Библиогр.: с.52 (12 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- цирконат-титанат свинца -- объемный заряд -- токи термодеполяризацииый резонанс -- дефекты
Аннотация: В тонких пленках цирконата-титаната свинца, полученных методом ВЧ катодного распыления, исследовались эффекты, связанные с объемным зарядом. В сегнетоэлектрической фазе наблюдались эффекты, свидетельствующие о формировании объемного заряда при диэлектрическом старении. Процессы накопления и разрушения объемного заряда исследовались методом токов термостимулированной деполяризации. Определены пики токов, обусловленные предварительной поляризацией постоянным электрическим полем, а также связанные с диэлектрическим старением. Впервые наблюдались эффекты, которые можно объяснить перестройкой структуры точечных дефектов с образованием более сложных комплексов дефектов, например димеров. Приведены значения энергии активации опустошения ловушек (0.98 eV) и разрушения комплексов дефектов (1.20 eV)

Доп.точки доступа:
Рогач, Е.Д.; Свиридов, Е.В.

Найти похожие

14.

Залужный, А. Г.
Влияние условий насыщения и структуры на удержание гелия в конструкционных материалах [Текст] / А. Г. Залужный, А. Л. Суворов // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N2. - Библиогр.: с. 60 (17 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
аустенитная сталь -- десорбция -- гелий -- насыщение гелием -- дислокации -- облучение -- радиациооные дефекты -- конструкциооные материалы
Аннотация: Проводится сравнение кинетики десорбции гелия при линейном нагреве образцов, насыщенных разными способами, а также оценивается роль дислокаций на удержание гелия в материалах. Для изучения влияния условий насыщения материалов гелием на его удержание исследовались образцы аустенитной нержавеющей стали ОХ16Н15М3Б, насыщенные разными способами: облучение на циклотроне и магнитной масс-сепарационной установке, реакторах ИРТ-2000 и БОР-60, а также насыщение гелием методом "тритиевого трюка". Проведенные исследования показали, что при насыщении образцов гелием, обеспечивающим одновременное введение в решетку материала гелия и радиационных дефектов (в широких диапазонах концентрации гелия и радиационной повреждаемости), кинетика выделения гелия из образцов данного типа адекватна кинетике выделения гелия из образцов, облученных в реакторах

Доп.точки доступа:
Суворов, А.Л.

Найти похожие

15.

Войтенко, В. А.
Процессы в открытых системах на поверхностях кристаллов с низкими индексами Миллера [Текст] / В. А. Войтенко // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N2. - Библиогр.: с. 110 (24 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
пленки -- структурный фазовый переход -- облучение электронное -- радиационные дефекты -- дивакансии -- самоорганизация -- эволюция
Аннотация: Собраны и проанализированы экспозиционные характеристики, полученные при выращивании различных пленок на естественных, с низкими индексами Миллера поверхностях некоторых кристаллов. Построена эволюционная теория, объясняющая их характерный вид. Показано, что наблюдаемая форма дозовых характеристик говорит о реконструкции, неравновесном структурном фазовом преходе, происходящем на поверхности. Проведен количественный анализ существующих экспериментов. В частности, получена количественная оценка того, в какой степени покрытие свинцом замедляет окисление никелевой поверхности. При интенсивном световом или при электронном облучении кремния преимущественными центрами образования точечных и протяженных радиационных дефектов, а также локальных областей плавления являются дивакансии. Для некоторых двумерных систем (дивакансий, атомов серы на поверхностях пассивированных полупроводников, оксидных пленок) определены времена задержки и времена эволюции возникающей самоорганизованной структуры

Найти похожие

16.

Карманенко, С. Ф.
Исследование влияния примесей марганца на диэлектрические характеристики пленок BSTO [Текст] / С. Ф. Карманенко, А. И. Дедык [и др.] // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N4. - Библиогр.: с. 140 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
сегнетоэлектрические пленки -- BSTO -- дефекты -- вакансии -- вольт-амперные характеристики -- вольт-фарадные характеристики
Аннотация: Проводилось сравнение вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик сегнетоэлектрических пленок BSTO, содержащих примесь диоксида марганца (~1.5-2mol%), и беспримесных образцов. Показано, что в образцах, легированных Mn, tgдельта уменьшался до 10{-3}, а также изменялся характер зависимости tgдельта от приложенного напряжения. ВАХ таких образцов были строго омическими и при больших напряжениях не имели участков нелинейного возрастания тока. Предложена модель влияния Mn в пленках BSTO на зарядовое состояние дефектов, обусловленных кислородными вакансиями

Доп.точки доступа:
Дедык, А.И.; Исаков, Н.Н.; Гордейчук, А.С.; Семенов, А.А.; Тер-Мартиросян, Л.Т.; Hagberg, J.

Найти похожие

17.

+
Л 972

Ляликов, А. М.
Муаровая дефектоскопия повышенной чувствительности при сравнениии композитных периодических структур [Текст] / А. М. Ляликов // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N5. - Библиогр.: с. 84 (12 назв.) . - ISSN 0044-4642

ББК +
Рубрики: Физика--Физика твердого тела --Оптика
Кл.слова (ненормированные):
муаровая дефектоскопия -- дефекты -- макродефекты -- композитные периодические структуры -- муаровые методы
Аннотация: Предлагается для муаровой визуализации макроскопических дефектов композитных периодических структур при сравнении исследуемой структуры с эталонной в качестве последней использовать перезаписанные снимки раздельно каждой структуры. Перезапись снимков при выделении комплексно сопряженных порядков дифракции света позволяет на конечном этапе получения муаровой картины повышать чувствительность измерений

Найти похожие

18.

Мирзоев, Ф.
Нелинейные волны деформации и плотности дефектов в металлических пластинах при воздействии внешних потоков энергии [Текст] / Ф. Мирзоев, Л. А. Шелепин // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N8. - Библиогр.: с. 25-26 (14 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
деформация -- дефекты -- волны деформации -- лазерное излучение -- нелинейные среды
Аннотация: Предложена и развита модель распространения нелинейных периодических бегущих волн деформации в облучаемых лазерными импульсами металлических пластинах с квадратичной нелинейностью среды с учетом взаимодействия полей упругой деформации и концентрации точечных дефектов. Рассмотрено влияние генерационно-рекомбинационных процессов на эволюцию нелинейных локализованных волн. Приведено уравнение, описывающее изменение амплитуды нелинейных волн, и на его основе рассмотрены характерные особенности затухания этих волн с учетом низкочастотных и высокочастотных потерь

Доп.точки доступа:
Шелепин, Л.А.

Найти похожие

19.

539.2
Ш 958

Шульпина, И. Л.
Применение комплекса дифракционных методов в исследовании реальной структуры материалов (обзор [Текст] / И. Л. Шульпина // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2004. - Т. 70, N 1. - Библиогр.: с. 27 (8 назв. ) . - ISSN 1028-6861

УДК

539.2

548/549

ББК 22.37
Рубрики: Геология--Минералогия--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
дефекты -- диагностика материалов -- дислокации -- дифрактометрия (метод) -- дифракция -- материаловедение -- микроскопия -- техника -- топография (метод) -- электронная микроскопия (метод) -- электронная техника
Аннотация: Обсуждается целесообразность комплексного применения дифракционных методов - рентгеновской дифрактометрии, топографии и электронной микроскопии - для исследования реальной структуры новых материалов электронной техники. Показаны возможности такого применения с учетом современного состояния дифракционных методов.

Найти похожие

20.

534
В 176

Ваньков, Ю. В.
Диагностический комплекс для обнаружения дефектов осей железнодорожных вагонов по параметрам колебаний [Текст] / Ю. В. Ваньков, Р. Б. Казаков, Д. Н. Первухин // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2004. - Т. 70, N 3. - Библиогр.: с. 38 (7 назв. ) . - ISSN 1028-6861

УДК

534

ББК 22.32
Рубрики: Физика--Акустика
Кл.слова (ненормированные):
автоматический контроль -- бесконтактные методы -- вагоны -- дефекты осей -- диагностические комплексы -- железнодорожные вагоны -- колебания -- колесные пары -- контроль -- неразрушающий контроль -- оси вагонов -- трещины
Аннотация: Рассматривается возможность применения акустического метода свободных колебаний к диагностике осей колесных пар железнодорожных вагонов. Приводятся результаты экспериментов с годными и дефектными осями.

Доп.точки доступа:
Казаков, Р. Б.; Первухин, Д. Н.

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)