Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Электронный каталог (46)

Труды ОмГУ (3)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>S=Электротехника<.>)

Общее количество найденных документов : 96
Показаны документы с 1 по 20

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

621.3
С 15

Саксаганский, О.
Люминесценция работает на рекламу [Текст] / О. Саксаганский // Рекламные технологии. - 2002. - N 1. - С. 40-41

УДК

621.3

659.1

ББК 31.2
Рубрики: Электротехника
Организация производства
Кл.слова (ненормированные):
люменисценция; рекламные технологии; световая реклама; светотехника; электролюменисценция
Аннотация: Электролюменисценция-один из видов люминесценции, где принцип действия основан на преобразовании электрической энергии в световую, что позволяет активно применять его в рекламе.

Найти похожие

621.3
С 568

Современные индукционные установки [Текст] // Физика в школе. - 2006. - N 7. - С. 3-6 . - ISSN 0130-5522

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Электротехника
Энергетика
Кл.слова (ненормированные):
электромагнитная индукция -- индукционные установки -- индукционные плиты -- неоновые лампы -- электротехнические приборы -- индукционные лампы -- индукционные фонари -- радиомыши
Аннотация: О приборах, принцип действия которых основан на явлении электромагнитной индукции.

Найти похожие

621.3
Э 534

Эльмуротова, Д. Б.
Усиление электролюминесценции кристаллов ZnSe (Te, O) после гамма-облучения [Текст] / Д. Б. Эльмуротова, авт. Э. М. Ибрагимова // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1153-1157 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
электролюминесценция -- ZnSe (Te, O) -- кристаллы -- гамма-облучение
Аннотация: Исследовалось воздействие гамма-излучения изотопа \{60\}Co и влияниe обработки в парах цинка на электролюминесценцию кристаллов ZnSe (Te, O) для выявления возможности создания светоизлучающих структур. Широкополосная электролюминесценция с максимумом при 600 нм возбуждается в исходных образцах при напряжениях выше 70 B. После обработки кристаллов в парах цинка пороговое напряжение снижается до нескольких вольт независимо от полярности. Аналогичный эффект наблюдается после облучения.

Доп.точки доступа:
Ибрагимова, Э. М.

Найти похожие

621.3
Ж 742

Житинская, М. К.
Влияние легирования медью на кинетические явления в кристаллах n-Bi[2] Te[2. 85] Se[0. 15] [Текст] / М. К. Житинская, С. А. Немов, Т. Е. Свечникова // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1158-1162 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
кинетические явления -- кристаллы -- монокристаллы -- твердые растворы -- медь -- легирование -- кинетические коэффициенты -- температурные зависимости -- механизм рассеяния электронов -- закон Видемана-Франца -- Видемана-Франца закон
Аннотация: В монокристаллах твердых растворов Bi[2]Te[2. 85]Se[0. 15] c концентрацией электронов, близкой к 1 10\{19\} см\{-3\}, легированных медью и без нее, исследованы температурные зависимости кинетических коэффициентов Холла (R[123], R[321]), Зеебека (S[11]), электропроводности (sigma[11]), Нернста-Эттингсгаузена (Q[123]) и теплопроводности (k[11]) в диапазоне температур 77-400 K. Отсутствие заметных аномалий в температурных зависимостях кинетических коэффициентов позволяет при анализе экспериментальных результатов использовать однозонную модель. В рамках однозонной модели сделана оценка эффективной массы плотности состояний (m[d]~0. 8m[0]), ширины запрещенной зоны (эпсилон[g] ~ 0. 2 эВ), эффективного параметра рассеяния (r[eff]~0. 2). Приведены данные по теплопроводности и решеточному сопротивлению, полученному вычитанием вклада электронов по закону Видемана-Франца.

Доп.точки доступа:
Немов, С. А.; Свечникова, Т. Е.

Найти похожие

621.3
П 189

Парчинский, П. Б.
Исследование спектров фотолюминесценции GaMnAs, полученного методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / П. Б. Парчинский, А. Ю. Бобылев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1163-1167 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- полупроводниковые соединения -- спектры люминесценции -- экситонная люминесценция -- спинтроника -- GaMnAs
Аннотация: В температурном интервале 4-150 K исследованы спектры люминесценции слоев GaMnAs, полученных методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. В спектрах слоев GaMnAs, содержащих кластеры MnAs, обнаружены локальные максимумы при энергиях 1. 36 и 1. 33 эВ. Показано, что величина красного сдвига линии экситонной люминесценции зависит от содержания Mn в полупроводниковой матрице.

Доп.точки доступа:
Бобылев, А. Ю.; Власов, С. И.; Фу Чен Ю; Дожин Ким

Найти похожие

621.3
Г 952

Гурин, Н. Т.
Характеристики туннелирования и ударной ионизации в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS : Mn [Текст] / Н. Т. Гурин, О. Ю. Сабитов, А. М. Афанасьев // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1168-1177 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
туннелирование -- ударная ионизация -- электролюминесцентные излучатели -- тонкопленочные структуры
Аннотация: Предложена методика определения характеристик туннелирования и ударной ионизации в пленочных электролюминесцентных излучателях, позволяющая определить зависимости от времени толщины слоя объемного заряда в прианодной области и длины области ударной ионизации, уточнить зависимости от времени поля в области потенциального барьера на катодной границе раздела, максимальной глубины залегания поверхностных состояний, с которых осуществляется туннелирование электронов, минимальной толщины барьера, вероятности туннелирования электронов, а также коэффициента ударной ионизации глубоких центров, обусловленных собственными дефектами структуры слоя люминофора.

Доп.точки доступа:
Сабитов, О. Ю.; Афанасьев, А. М.

Найти похожие

621.3
Б 435

Белов, А. Г.
О влиянии медленных электронов на полевые зависимости коэффициента Холла для твердых растворов Cd[x]Hg[1-x]Te при T=77 K [Текст] / А. Г. Белов, И. М. Белова [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1178-1181 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
медленные электроны -- магнитное поле -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- твердые растворы
Аннотация: Разработан алгоритм, позволяющий путем подгонки расчетной зависимости коэффициента Холла от индукции магнитного поля R (B) под экспериментальные данные определять значения статистических весов и подвижностей свободных носителей заряда. Модель применена для описания зависимостей R (B), полученных для материала Cd[x]Hg[1-x]Te (x~ 0. 2) при температуре жидкого азота.

Доп.точки доступа:
Белова, И. М.; Каневский, В. Е.; Свиридов, М. С.; Шленский, А. А.

Найти похожие

621.3
С 162

Салихов, Р. Б.
О механизмах проводимости в гетероструктурах кремний-полимер-металл [Текст] / Р. Б. Салихов, А. Н. Лачинов, Р. Г. Рахмеев // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1182-1186 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- проводимость -- широкозонные полимеры -- тонкие пленки -- вольт-амперные характеристики
Аннотация: Посвящена экспериментальному изучению механизмов проводимости в тонких пленках широкозонных полимеров, входящих в состав гетероструктур на основе кремния. В качестве основного метода было выбрано измерение температурной зависимости вольт-амперных характеристик образцов в интервале 80-300 K. Для измерений были приготовлены многослойные структуры: Si-SiO[2]-полимер-металл. В качестве полимерного слоя были использованы пленки полидифениленфталида, в которых наблюдается переход из диэлектрического в высокопроводящее состояние. На основе полученных результатов особенности переноса заряда в исследованных образцах можно объяснить в рамках моделей прыжкового транспорта по ловушечным уровням, эмиссии Шоттки и полевой туннельной эмиссии. Перенос заряда в полимерной пленке осуществляется по области глубоких электронных локализованных состояний, расположенных вблизи уровня Ферми.

Доп.точки доступа:
Лачинов, А. Н.; Рахмеев, Р. Г.

Найти похожие

621.3
И 487

Ильчук, Г. А.
Создание и свойства точечных структур на монокристаллах n-InSe [Текст] / Г. А. Ильчук, В. В. Кусьнэж [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1187-1189 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
точечные структуры -- монокристаллы -- фоточувствительность структур -- электрические разряды -- вольт-амперные характеристики
Аннотация: Методом электрического разряда созданы точечные структуры на основе монокристаллов InSe. Исследованы стационарные вольт-амперные характеристики и фоточувствительность структур (точечный контакт) /n-InSe. Обнаружено выпрямление и измерены первые спектры фоточувствительности полученных электрическим разрядом структур. Обнаружены и обсуждаются широкополосный характер и экситонная особенность спектров фоточувствительности структур (точечный контакт) /n-InSe. Установлена возможность применения точечных структур в качестве широкодиапазонных фотопреобразователей оптического излучения.

Доп.точки доступа:
Кусьнэж, В. В.; Петрусь, Р. Ю.; Рудь, Ю. В.; Украинец, В. О.; Рудь, В. Ю.

Найти похожие

10.

621.3
Р 836

Рудь, В. Ю.
Фоточувствительность структур на пленках Cu (In, Ga) (S, Se) [2], полученных термообработкой в парах S и Se [Текст] / В. Ю. Рудь, М. С. Тиванов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1190-1194 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
фоточувствительность -- тонкие пленки -- структуры на пленках -- твердые растворы -- интерметаллические слои -- термообработка -- сульфиризация -- селенизация
Аннотация: Методом одновременной сульфиризации и селенизации интерметаллических слоев Cu-In-Ga получены однофазные тонкие пленки твердых растворов Cu (In, Ga) (S, Se) [2] (CIGSS), на которых вакуумным термическим напылением чистого In созданы выпрямляющие фоточувствительные поверхностно-барьерные структуры In/p-CIGSS. Исследованы спектры фоточувствительности впервые полученных структур. Изучено влияние состава пленок твердых растворов и условий освещения на фотоэлектрические параметры новых структур In/p-CIGSS. Сделан вывод о перспективности полученных пленок CIGSS для создания тонкопленочных фотопреобразователей высокой эффективности.

Доп.точки доступа:
Тиванов, М. С.; Рудь, Ю. В.; Гременок, В. Ф.; Зарецкая, Е. П.; Залесский, В. Б.; Леонова, Т. Р.; Романов, П. И.

Найти похожие

11.

621.3
Т 990

Тягинов, С. Э.
Определение характерного пространственного масштаба флуктуаций толщины туннельно-тонкого диэлектрика в МДП структурах на основе данных электрических измерений [Текст] / С. Э. Тягинов, М. И. Векслер, И. В. Грехов, V. Zaporojtchenko // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1198-1202 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
флуктуации толщины -- корреляционная длина -- туннельно-тонкие диэлектрики -- МДП структуры
Аннотация: Предложены и опробованы методики определения "корреляционной длины" для флуктуаций толщины тонкого диэлектрика с использованием данных измерений электрических характеристик туннельных МДП структур, т. е. без применения средств микроскопии. Один из предложенных подходов основан на статистической обработке результатов измерений тока для случайной выборки образцов. Другой метод базируется на анализе скачков тока в сторону уменьшения, происходящих при испытании приборов на достаточно высоком постоянном напряжении. Апробация методов проведена на туннельных структурах Al/SiO[2]/Si. Полученные оценки пространственного масштаба флуктуаций толщины сопоставляются с результатами непосредственного измерения этого масштаба для тех же слоев окисла.

Доп.точки доступа:
Векслер, М. И.; Грехов, И. В.; Zaporojtchenko, V.

Найти похожие

12.

621.3
К 644

Конин, А.
Влияние искривления зон энергии на нестационарную эдс Дембера в биполярных полупроводниках [Текст] / А. Конин // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1203-1206 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
эдс Дембера -- Дембера эдс -- нестационарная эдс Дембера -- биполярные полупроводники -- искривление зон энергии
Аннотация: Развита теория нестационарной эдс Дембера в биполярных полупроводниках, учитывающая реальные граничные условия на металлическом контакте и искривление зон энергии у поверхности образца. Показано, что поверхностный потенциал может значительно изменить величину эдс Дембера, а также ее фазочастотную характеристику.

Найти похожие

13.

621.3
М 915

Мурыгин, В. И.
Аномальные зависимости барьерной емкости диода от напряжения смещения и температуры [Текст] / В. И. Мурыгин, А. У. Фаттахдинов, Д. А Локтев, В. Б. Гундырев // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1207-1213 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
барьерная емкость диода -- диоды -- барьер Шоттки -- емкость переходного слоя -- Шоттки барьер
Аннотация: Рассчитана емкость барьера Шоттки и p\{+\}-n-перехода, в n-области которых имеются мелкие доноры и глубокие акцепторы с уровнями в верхней половине запрещенной зоны. Емкость представлялась в виде двух последовательно расположенных емкостей - приконтактной области, содержащей только ионы донорной примеси, и переходного слоя на границе объемного заряда с базой диода с учетом концентрации свободных носителей заряда и ее зависимости от потенциала.

Доп.точки доступа:
Фаттахдинов, А. У.; Локтев, Д. А; Гундырев, В. Б.

Найти похожие

14.

621.3
Д 726

Драпак, С. И.
Экспериментальное исследование влияния ароматических углеводородов на удельное сопротивление селенида индия [Текст] / С. И. Драпак, авт. З. Д. Ковалюк // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1214-1217 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
ароматические углеводороды -- селенид индия -- удельное сопротивление -- бензол -- нафталин
Аннотация: Исследованы закономерности изменения удельного сопротивления селенида индия n- и p-типа проводимости в направлении, параллельном гексагональной оси симметрии кристаллов, во время интеркалирования молекулами ароматических углеводородов: бензола и нафталина. Впервые обнаружена возможность уменьшения удельного сопротивления n-InSe, выдержанного под давлением насыщенных паров C[10]H[8], до значений, сравнимых с таковыми в полупроводниках, используемых для изготовления высокоэффективных солнечных элементов (например, Si). Предложена качественная модель, объясняющая переход моноселенида индия n-типа проводимости из "высокоомного" состояния в "низкоомное" в процессе его интеркалирования молекулами нафталина.

Доп.точки доступа:
Ковалюк, З. Д.

Найти похожие

15.

621.3
А 181

Аванесян, В. Т.
Релаксация фотодиэлектрического эффекта в слоях Pb[3]O[4] [Текст] / В. Т. Аванесян, авт. Е. П Баранова // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1218-1220 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
фотодиэлектрический эффект -- свинцовый сурик -- спектральный состав излучения
Аннотация: Представлены экспериментальные результаты исследования кинетики фотодиэлектрического эффекта в слоях свинцового сурика Pb[3]O[4]. Фотоемкостные свойства и диэлектрические потери в условиях светового возбуждения изучались при варьировании спектрального состава излучения в области низких частот измерительного поля. Величины изменений диэлектрических параметров устанавливаются в течение длительного времени после включения (выключения) света. Обсуждается взаимосвязь фотодиэлектрических явлений с особенностями структуры полупроводника, в частности, с наличием электронов неподеленной пары, принадлежащей катионам Pb\{2+\}.

Доп.точки доступа:
Баранова, Е. П

Найти похожие

16.

621.3
Б 435

Белогорохов, И. А.
Оптические свойства органических полупроводников на основе фталоцианиновых комплексов эрбия в ближней и средней инфракрасной области спектра [Текст] / И. А. Белогорохов, Е. В. Тихонов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1221-1225 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
органические полупроводники -- фталоцианиновые комплексы эрбия -- электромагнитное излучение -- инфракрасная область спектра
Аннотация: Исследованы cпектры пропускания фталоцианиновых комплексов эрбия в ближней и средней инфракрасных областях длин волн. Проведена подробная расшифровка линий пропускания для трех типов фталоцианиновых комплексов и получена информация о поглощении электромагнитного излучения в области длин волн ~1. 5 мкм, обусловленном внутрицентровыми переходами между уровнями\{4\}I[13/2]>\{4\}I[15/2] ионов эрбия, входящих в состав исследуемых образцов.

Доп.точки доступа:
Тихонов, Е. В.; Бреусова, М. О.; Пушкарев, В. Е.; Томилова, Л. Г.; Хохлов, Д. Р.

Найти похожие

17.

621.3
Б 649

Бирюков, А. А.
Многочастотный межзонный двухкаскадный лазер [Текст] / А. А. Бирюков, Б. Н. Звонков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1226-1230 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
двухкаскадные лазеры -- межзонные двухкаскадные лазеры -- многочастотная генерация -- инжекционные гетеролазеры -- лазерные резонаторы
Аннотация: Получена и исследована многочастотная генерация в новом классе инжекционных гетеролазеров - межзонном двухкаскадном лазере с туннельным p-n-переходом, разделяющим две активные области квантовых ям, расположенные в одном и том же волноводе. Созданная конструкция лазера с импульсной накачкой обеспечила одновременную генерацию двух мод 1-го порядка с длинами волн 1. 063 и 0. 98 мкм и двух мод 3-го порядка с длинами волн 0. 951 и 0. 894 мкм. Благодаря нелинейному смешению мод внутри лазерного резонатора наблюдалась генерация вторых гармоник и суммарных частот.

Доп.точки доступа:
Звонков, Б. Н.; Некоркин, С. М.; Демина, П. Б.; Семенов, Н. Н.; Алешкин, В. Я.; Гавриленко, В. И.; Дубинов, А. А.; Морозов, С. В.; Маремьянин, К. В.; Белянин, А. А.; Кочаровский, В. В.; Кочаровский, Вл. В

Найти похожие

18.

621.3
С 227

Саченко, А. В.
Сравнительный анализ эффективности фотопреобразования в кремниевых солнечных элементах при концентрированном освещении для стандартной и тыловой геометрий расположения контактов [Текст] / А. В. Саченко, А. П. Горбань [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1231-1240 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
фотопреобразование -- кремниевые солнечные элементы -- солнечные элементы -- токособирающие контакты
Аннотация: В достаточно реальных приближениях развита теория фотопреобразования в кремниевых солнечных элементах при концентрированном освещении для тыловой и стандартной геометрий расположения токособирающих контактов. Учтено отличие влияния разогрева на кпд солнечных элементов с тыловой и стандартной металлизацией.

Доп.точки доступа:
Горбань, А. П.; Костылев, В. П.; Серба, А. А.; Соколовский, И. О.

Найти похожие

19.

621.3
К 893

Кузьменков, А. Г.
Использование пространственно упорядоченных массивов травленых отверстий для создания одномодовых вертикально излучающих лазеров на основе субмонослойных InGaAs-квантовых точек [Текст] / А. Г. Кузьменков, С. А. Блохин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1241-1246 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
одномодовые лазеры -- вертикально излучающие лазеры -- лазеры -- субмонослойные квантовые точки -- квантовые точки -- InGaAs-квантовые точки
Аннотация: Для подавления генерации мод высокого порядка в вертикально излучающих лазерах на основе субмонослойных InGaAs-квантовых точек применен метод формирования пространственно-упорядоченного массива протравленных отверстий в верхнем распределенном брэгговском отражателе.

Доп.точки доступа:
Блохин, С. А.; Малеев, Н. А.; Сахаров, А. В.; Тихомиров, В. Г.; Максимов, М. В.; Устинов, В. М.; Ковш, А. Р.; Михрин, С. С.; Леденцов, Н. Н.; Yang, H. P. D.; Lin, G.; Hsiao, R. S.; Chi, J. Y.

Найти похожие

20.

621.3
В 496

Винокуров, Д. А.
Двухполосная генерация в квантово-размерной активной области полупроводникового лазера при высоких уровнях накачки [Текст] / Д. А. Винокуров, С. А. Зорина [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1247-1250 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые лазеры -- лазеры -- асимметричные гетероструктуры -- гетероструктуры -- квантово-размерная активная область -- квантование -- двухполосная генерация
Аннотация: Экспериментально исследованы спектральные и мощностные характеристики полупроводниковых лазеров на основе квантово-размерных асимметричных гетероструктур раздельного ограничения в системе твердых растворов InGaAs/GaAs/AlGaAs, при высоких уровнях накачки в импульсом режиме генерации (200 А, 100 нс и 10 кГц).

Доп.точки доступа:
Зорина, С. А.; Капитонов, В. А.; Лешко, А. Ю.; Лютецкий, А. В.; Налет, Т. А.; Николаев, Д. Н.; Пихтин, Н. А.; Рудова, Н. А.; Слипченко, С. О.; Соколова, З. Н.; Станкевич, А. Л.; Фетисова, Н. В.; Хомылев, М. А.; Шамахов, В. В.; Борщев, К. С.; Арсентьев, И. Н.; Бондарев, А. Д.; Трукан, М. К.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)