Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=туннельный ток<.>)

Общее количество найденных документов : 22
Показаны документы с 1 по 20

1-10 11-20 21-22

539.19
К 445

Кислов, В. В.
Электронный транспорт через молекулярный нанокластер [Текст] / В. В. Кислов, В. В. Колесов, И. В. Таранов // Радиотехника и электроника. - 2002. - Т.47,N11. - Библиогр.:с.1390 (10 назв.) . - ISSN 0033-8494

УДК

539.19

Рубрики: Физика--Молекулярная физика
Кл.слова (ненормированные):
кулоновская лестница -- кулоновское взаимодействие -- молекулярные нанокластеры -- нанокластеры -- туннельный ток -- электронное туннелирование -- электронный транспорт -- электроны
Аннотация: Рассмотрена модель туннельного транспорта через молекулярный нанокластер, содержащий конечное число изолированных локальных уровней. В рамках рассматриваемой модели исследовано одноэлектронное резонансное туннелирование при конечной температуре при учете электрон-электронного кулоновского взаимодействия. Показано, что вольт-амперная характеристика такого туннельного перехода имеет вид кулоновской лестницы, однако число ступеней лестницы равно числу дискретных уровней нанокластера и фронт каждой ступени является асимптотически линейным с конечным наклоном. Вычислены вольт-амперные характеристики, которые находятся в соответствии с полученными ранее экспериментальными данными для туннельного тока через молекулярные нанокластерные объекты при комнатной температуре.

Перейти: http://www.maik.ru

Доп.точки доступа:
Колесов, В.В.; Таранов, И.В.

Найти похожие

53
А 851

Арсеев, П. И.
Взаимодействие электронов с колебательными модами при туннелировании через одиночный электронный уровень молекулы [Текст] / П. И. Арсеев, авт. Н. С. Маслова // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 85, N 5. - С. 304-309 . - ISSN 0370-274Х

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
электрон-фононное взаимодействие -- электронный уровень молекулы -- фононы -- электроны -- молекулы -- туннельный ток -- колебательные моды -- адиабатическая схема
Аннотация: В рамках адиабатической схемы показано, что эффективный гамильтониан электрон-фононного взаимодействия при туннелировании через одиночный электронный уровень молекулы содержит два разных вклада. Интерференция двух каналов взаимодействия может приводить либо к усилению, либо к подавлению генерации фононов. Найдены условия, определяющие интенсивность возбуждения колебательных мод молекулы.

Доп.точки доступа:
Маслова, Н. С.

Найти похожие

53
П 436

Погосов, В. В.
Влияние квантово-размерных эффектов на характеристики одноэлектронного туннелирования [Текст] / В. В. Погосов, Е. В. Васютин, А. В. Коротун // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 4. - С. 43-48 . - ISSN 0207-3528

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
туннельный ток -- одноэлектронное туннелирование -- квантово-размерные эффекты -- молекулярные транзисторы -- кластерные структуры
Аннотация: Теоретически исследованы эффекты одноэлектронного туннельного заряжения и кулоновской блокады в кластерной структуре (молекулярный транзистор) с учетом квантования электронных уровней в островковом электроде. Спектр электронов рассчитан для малых кластеров дискообразной формы. В теорию введены ограничения, связанные с кулоновской неустойчивостью кластера и релаксацией электронов. Для одноэлектронных транзисторов на малых кластерах золота рассчитана величина щели тока и ее асимметрия по напряжению. Исследовано влияние формы кластера на величину токовой щели.

Доп.точки доступа:
Васютин, Е. В.; Коротун, А. В.

Найти похожие

53
-O70

Oreshkin, A. I.
The influence of different impurity atoms on 1/f\{альфа\} tunneling current noise characteristics on InAs (110) surface [Text] / A. I. Oreshkin, V. N. Mantsevich [et al.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 85, N 1. - С. 46-51 . - ISSN 0370-274Х

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
туннельный ток -- примесные атомы -- шумовой спектр

Доп.точки доступа:
Mantsevich, V. N.; Maslova, N. S.; Muzychenko, D. A.; Oreshkin, S. I.; Panov, V. I.; Savinov, S. V.; Arseev, P. I.

Найти похожие

621.3
Ж 421

Ждан, А. Г.
Реконструкция зависимостей туннельного тока от напряжения на окисле по динамическим вольт-амперным характеристикам гетероструктур n\{+\}-Si-SiO[2]-n-Si [Текст] / А. Г. Ждан, Н. Ф. Кухарская, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 9. - С. 1135-1142 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- туннельный ток -- вольт-амперные характеристики -- напряжение на окисле
Аннотация: Прецизионные измерения динамических вольт-амперных характеристик структуры Al-n\{+\}-Si-SiO[2]-n-Si с тонким (<50 ? ) окислом позволяют выделить из полного тока его активную (I[a]) и емкостную (I[c]) составляющие. Развит алгоритм анализа последней, обеспечивающий определение в едином эксперименте уровня легирования n-Si, "емкости окисла" C[i], а также плотности и знака фиксированного в нем заряда. На основании этих данных без привлечения каких-либо подгоночных параметров в поперечных полях рассчитаны зависимости поверхностного потенциала n-Si и падения напряжения на окисле V[i] от потенциала затвора V[g]. При максимальных |F| слоевая плотность электронов (дырок) в n-Si превышает 10\{13\} см\{-2\}, свидетельствуя о вырождении и размерном квантовании электронного газа. По зависимостям I[t] (V[g]) и V[i] (V[g]) реконструированы вольт-амперные характеристики туннельного тока I[t] (V[i]) ? I[a] (V[i]), представленные более чем на 10 порядках величины его изменения, как в режиме обогащения поверхности n-Si, так и в режиме инверсии. Наблюдавшиеся характеристики I[t] (V[i]) количественно не описываются в рамках существующих представлений о туннельном эффекте.

Доп.точки доступа:
Кухарская, Н. Ф.; Нарышкина, В. Г.; Чучева, Г. В.

Найти похожие

Погосов, В. В.
Влияние перегрева электронов на туннельный ток молекулярного транзистора [Текст] / В. В. Погосов, Е. В. Васютин, А. В. Бабич // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 17. - С. 1-9 . - ISSN 0320-0116

УДК

^a537.533/.534

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
перегрев электронной подсистемы -- электроны -- туннельный ток -- молекулярные транзисторы
Аннотация: Исследовано влияние перегрева электронной подсистемы на кулоновскую блокаду в структуре на металлической грануле-молекуле со счетным количеством атомов. Вычислен спектр электронов в квантовых гранулах цилиндрической и сферичеcкой формы. ВАХ туннельных структур рассчитана для разных температурных режимов. Повышение температуры электронной подсистемы кластера приводит к исчезновению токовой щели и сильной сглаженности квантовых и кулоновских ступенек на ВАХ структуры, что и наблюдается в экспериментах.

Доп.точки доступа:
Васютин, Е. В.; Бабич, А. В.

Найти похожие

Кузнецов, А. М.
Влияние дебаевского экранирования на туннельный ток через простой мостиковый электрохимический контакт [Текст] / А. М. Кузнецов, И. Г. Медведев, Е. Ульструп // Электрохимия. - 2008. - Т. 44, N 9. - С. 1059-1068 : 8 рис. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0424-8570

УДК

^a544.6

ББК 24.57
Рубрики: Химия
Электрохимия
Кл.слова (ненормированные):
сканирующая туннельная микроскопия -- туннельный ток -- двойной слой -- дебаевское экранирование
Аннотация: Общие выражения для туннельного тока через электрохимический контакт, содержащий редокс-центр в молекулярной мостиковой группе, с учетом распределения потенциала в туннельном зазоре.

Доп.точки доступа:
Медведев, И. Г.; Ульструп, Е.

Найти похожие

Mantsevich, V. N.
Tuning of tunneling current noise spectra singularities by localized states charging [Text] / V. N. Mantsevich, N. S. Maslova // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып: вып. 1. - С. 26-31 . - ISSN 0370-274Х

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
туннельный ток -- спектр шума -- сингулярность спектра шума -- заряд локализованных состояний

Доп.точки доступа:
Maslova, N. S.

Найти похожие

Разжувалов, А. Н.
"Конденсаторная"модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN (0001) [Текст] / А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 1. - С. 178-188. - Библиогр.: с. 188 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
конденсаторная модель гистерезиса -- петли гистерезиса -- туннельный ток -- электронная плотность -- квантовые ямы -- нитридные вюрцитные структуры -- однорезонансное приближение -- модель зарядового конденсатора
Аннотация: На основе самосогласованного расчета туннельного тока двухбарьерной структуры w-GaN/AlGaN (0001) развита "конденсаторная" модель гистерезиса, в которой скачки тока, изменения потенциала и электрического поля в структуре при переходе с одной ветви петли тока на другую рассматриваются как результат перезарядки двух совмещенных конденсаторов, пластины которых расположены в положениях экстремумов вариации электронной плотности в области эмиттера, квантовой ямы и коллектора. Показано. что при компенсации внешнего и внутреннего полей в яме туннельный ток резко и необратимо переключается на характеристики другого резонанса, формируя широкую петлю гистерезиса, на ветвях которой происходит перераспределение заряда между квантовой ямой и коллектором. При совпадении полей образуется узкая "однорезонансная" петля гистерезиса, сопровождающаяся перетеканием электронного заряда из эмиттера в коллектор. Развитая модель приводит к согласованию с результатами самосогласованного расчета и дает наглядную интерпретацию сложных процессов электронного туннелирования.

Доп.точки доступа:
Гриняев, С. Н.

Найти похожие

10.

Прямое туннелирование электронов в структурах Al-n{+}-Si-SiO[2]-n-Si в режиме нестационарного обеднения поверхности полупроводника основными носителями заряда [Текст] / Е. И. Гольдман [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1050-1052 : ил. - Библиогр.: с. 1052 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
туннелирование электронов -- прямое туннелирование -- сверхтонкие окислы -- металл-окисел-полупроводник -- МОП -- электрические поля -- туннельные барьеры -- окислы -- полевые электроды -- ПЭ -- вольт-амперная характеристика -- ВАХ -- заряды -- туннельный ток -- напряжение -- границы раздела -- ГР
Аннотация: Экспериментально исследованы особенности прямого туннелирования электронов сквозь сверхтонкий (~40 Angstrem) окисел в структурах металл-SiO[2]-Si в нестационарных условиях обеднения поверхности полупроводника, когда потенциальный рельеф в изоляторе слабо возмущен внешними электрическими полями. Прозрачность туннельного барьера существенно ограничивается классически запрещенной областью в n-Si, обусловленной встроенным в SiO[2] отрицательным зарядом. С увеличением падения напряжения на окисле локализованные в нем электроны переходят в полупроводник, что сопровождается резким ростом туннельного тока. Из эксперимента определены значения коэффициентов линейного нарастания логарифма туннельного тока при повышении напряжения на изоляторе. Они не согласуются с данными, рассчитанными на основе модели прямоугольного барьера с параметрами, типичными для "толстых" окислов. Показано, что реальные значения эффективной массы должны быть больше 0. 5m0, а высота барьера меньше 3. 1 эВ.

Доп.точки доступа:
Гольдман, Е. И.; Гуляев, Ю. В.; Ждан, А. Г.; Чучева, Г. В.

Найти похожие

11.

Козлов, В. А.
Туннельный транспорт электронов через гетеробарьеры с нанометровыми неоднородностями [Текст] / В. А. Козлов, В. А. Вербус // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1547-1551 : ил. - Библиогр.: с. 1551 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a537.533/.534

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
туннельный транспорт -- электроны -- гетеробарьеры -- полупроводниковые барьеры -- туннельный ток -- нанометровые неоднородности -- неоднородности -- волновые функции -- рассеяние электронов -- рассеиватели -- вихревые токовые структуры
Аннотация: Исследовалось влияние квантовых объектов сферической формы (рассеивателей), встроенных в полупроводниковые барьеры, на протекание через них туннельного тока. Для этого решалась задача рассеяния затухающих (при энергии, меньшей потенциала барьера) падающей и отраженной волновых функций электрона на ступенчатом сферически-симметричном потенциале рассеивателя. Показано, что при этом внутри барьера могут возникать вихревые токовые структуры.

Доп.точки доступа:
Вербус, В. А.

Найти похожие

12.

621.315.592
Е 863

Естественные неоднородности в распределении туннельного тока по площади обратносмещенного кремниевого p-n-перехода [Текст] / В. А. Козлов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 1. - С. 134-139 : ил. - Библиогр.: с. 139 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

539.2^V3

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод -- p-n переходы -- естественные неоднородности -- неоднородности -- межзонное туннелирование -- туннельный ток -- электрические поля -- потенциалы -- доноры (физика) -- акцепторы -- длина волны де Бойля -- де Бойля длина волны -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- численные расчеты
Аннотация: Методом Монте-Карло рассчитаны распределения электрического поля, потенциала и вероятности межзонного туннелирования по площади обратносмещенного p-n-перехода с учетом дискретности распределения заряда ионизованных доноров и акцепторов. Расчеты выполнены в трехмерном приближении на основе принципа суперпозиции электрических полей пар ионов "ионизованный донор-ионизованный акцептор". Показано, что в области скопления трех и более пар ионов с характерным расстоянием между ними около половины длины волны де Бройля наблюдается увеличение вероятности туннелирования, связанное с локальным увеличением напряженности электрического поля.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/01/p134-139.pdf

Доп.точки доступа:
Козлов, В. А.; Оболенский, С. В.; Шмагин, В. Б.; Красильник, З. Ф.

Найти похожие

13.

621.315.592
I 55

Iman Abaspur Kazerouni
An analytical gate tunneling current model for MOSFETs [Текст] / Iman Abaspur Kazerouni, aut. Seyed Ebrahim Hosseini // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 3. - С. 400-404 : ил. - Библиогр.: с. 403-404 (15 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

539.2^V3

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
туннельный ток -- транзисторы -- моделирование -- туннелирование -- МОП -- волновые функции -- потенциальные ямы
Аннотация: Gate tunneling current of MOSFETs is an important factor in modeling ultra small devices. In this paper, gate tunneling in present-generation MOSFETs is studied. In the proposed model, we calculate the electron wave function at the semiconductor-oxide interface and inversion charge by treating the inversion layer as a potential well, including some simplifying assumptions. Then we compute the gate tunneling current using the calculated wave function. The proposed model results have an excellent agreement with experimental results in the literature.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/03/p400-404.pdf

Доп.точки доступа:
Seyed Ebrahim Hosseini

Найти похожие

14.

621.315.592
Б 820

Борблик, В. Л.
Проявление эффектов разупорядочения в избыточном туннельном токе сильно легированных кремниевых диодов [Текст] / В. Л. Борблик, Ю. М. Шварц, М. М. Шварц // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 8. - С. 1108-1110. - Библиогр.: c. 1110 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
барьеры случайные -- диоды -- кремниевые диоды -- легированные диоды -- низкие температуры -- прыжковая проводимость -- температурная зависимость -- термотуннелирование -- туннельный ток -- эффекты неупорядоченности
Аннотация: Измерена температурная зависимость прямого тока в сильно легированных кремниевых p-n-диодах при низких температурах, когда проводимость осуществляется туннелированием. В области самых низких температур наблюдалась прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка, а в области более высоких температур - "сверхэкспоненциальная" зависимость диодного тока от температуры, которую можно объяснить термотуннелированием сквозь некие случайные потенциальные барьеры.

Доп.точки доступа:
Шварц, Ю. М.; Шварц, М. М.

Найти похожие

15.

537.311.322
О-439

Одноэлектронный спинзависимый транспорт в структурах с расщепленным затвором, содержащих самоорганизованные квантовые точки [Текст] / Е. Е. Вдовин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 8. - С. 1159-1161. - Библиогр.: c. 1161 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

537.311.322

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм в целом
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- когерентность -- кулоновские осцилляции -- осцилляции -- туннельный ток -- экспериментальные данные -- электронный транспорт -- эффект межслоевой фазовой когерентности
Аннотация: В структурах с расщепленным затвором, в которых самоорганизующиеся квантовые InAs-точки были расположены вблизи двухмерного электронного газа, обнаружены кулоновские осцилляции туннельного тока через счетное количество квантовых InAs-точек в канале в зависимости от напряжения на затворе, соответствующие возбужденным состояниям квантовых точек с противоположными спинами.

Доп.точки доступа:
Вдовин, Е. Е.; Ханин, Ю. Н.; Шабельников, П. Л.; Eaves, L.; Henini, M.

Найти похожие

16.

537.311.322
Ф 434

Ферми-краевая сингулярность в туннельном токе через самоорганизованную InAs-квантовую точку, индуцированная магнитным полем [Текст] / Ю. Н. Ханин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 8. - С. 1162-1164. - Библиогр.: c. 1164 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

537.311.322

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм в целом
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- магнитное поле -- магнитотуннельная спектроскопия -- низкие температуры -- однобарьерные гетероструктуры -- туннельный ток -- туннельный транспорт -- ферми-краевая сингулярность -- эмиттер
Аннотация: Представлены результаты исследования туннельного транспорта через однобарьерную GaAs/ (Al-Ga) As/GaAs-гетероструктуру, содержащую самоорганизованные квантовые InAs-точки, при низких температурах.

Доп.точки доступа:
Ханин, Ю. Н.; Вдовин, Е. Е.; Ивс, Л.; Патанэ, А.; Хенини, М.

Найти похожие

17.

538.913
К 887

Кудасов, Ю. Б.
Корреляционный механизм отрицательного дифференциального сопротивления при протекании туннельного тока через молекулу [Текст] / Ю. Б. Кудасов // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 189-192. - Библиогр.: c. 192 (12 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

538.913

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
туннельный ток -- метод уравнений движения -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- молекулярные проводники -- сильные корреляции -- вольт-амперные характеристики -- моделирование
Аннотация: Исследована модель протекания тока через одиночную молекулу с двумя электронными состояниями, одно из которых сильно гибридизировано с контактами, а другое - локализовано.

Найти похожие

18.

539.21:534
Б 435

Белоненко, М. Б.
Туннельный ток контакта примесная графеновая нанолента - квантовые точки / М. Б. Белоненко, Н. Г. Лебедев, А. В. Пак // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 6. - С. 44-47 : рис. - Библиогр.: c. 47 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

539.21:534

ББК 22.372
Рубрики: Физика
Механические и акустические свойства монокристаллов
Кл.слова (ненормированные):
графен -- графеновая нанолента -- квантовые точки -- туннельный ток
Аннотация: На основании рассчитанной плотности состояний была получена вольт-амперная характеристика туннельного контакта графеновая нанолента - квантовые точки. Построены зависимости от геометрических характеристик наноленты.

Доп.точки доступа:
Лебедев, Н. Г.; Пак, А. В.

Найти похожие

19.

621.315.592
Т 845

Туннельные полевые транзисторы на основе графена / Д. А. Свинцов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 2. - С. 244-250 : ил. - Библиогр.: с. 249 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
туннельные полевые транзисторы -- полевые транзисторы -- транзисторы -- графен -- цифровые схемы -- туннельный ток -- ток -- расчет тока
Аннотация: Отсутствие закрытого состояния в транзисторах на основе графена является основным препятствием на пути к их использованию в цифровых схемах. Недавно было сообщено о создании туннельного транзистора на графене с низким током закрытого состояния; однако управление проводимостью канала с помощью затвора в данном приборе было неэффективным. Мы предлагаем новую конструкцию туннельного транзистора на графене, в которой ток экспоненциально зависит от напряжения на затворе, а подпороговая крутизна приближается к термоэмиссионному пределу. Особенностью транзистора является наличие полупроводникового (или диэлектрического) туннельного зазора в канале. Характеристики транзистора наследуют низкий ток закрытого состояния, свойственный полупроводниковым каналам, и высокий ток открытого состояния, свойственный графену.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/02/p244-250.pdf

Доп.точки доступа:
Свинцов, Д. А.; Вьюрков, В. В.; Лукичев, В. Ф.; Орликовский, А. А.; Буренков, А.; Охснер, Р.; "Кремний-2012", международная конференция (9 ; 2012 ; Санкт-Петербург)

Найти похожие

20.

538.9
К 295

Катков, В. Л.
Туннельный контакт на базе графена / В. Л. Катков, В. А. Осипов // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 98, вып. 11. - С. 782-787

УДК

538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
графен -- туннельный ток -- функции Грина -- Грина функции -- кристаллическая решетка -- зонная структура
Аннотация: Методом функций Грина в рамках приближения сильной связи рассчитан туннельный ток в контакте, состоящем из полуплоскостей графена и двуслойного графена с двумя возможными типами упаковки в двух возможных ориентациях кристаллической решетки. Показано, что зонная структура графена, ориентированного краем типа "кресло", приводит к специфической для каждого из графенов степенной зависимости туннельного тока от напряжения, характер которой определяется изменением числа транспортных каналов при изменении напряжения.

Доп.точки доступа:
Осипов, В. А.; Объединенный институт ядерных исследованийОбъединенный институт ядерных исследований

Найти похожие

1-10 11-20 21-22

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)