537.3 Б 900 Бублик, В. Т. Диагностика дефектов, образующихся на разных стадиях формирования внутреннего геттера в CZ-Si [Текст] / В. Т. Бублик, К. Д. Щербачев [и др.] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2008. - Т. 74, N 5. - C. 28-34. - Библиогр.: с. 34 (8 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика Электрический ток Кл.слова (ненормированные): диагностика дефектов -- дефекты -- геттер -- внутренний геттер -- CZ-Si -- рассеяние рентгеновских лучей -- метод диффузного рассеяния рентгеновских лучей -- диффузное рассеяние рентгеновских лучей -- кремний -- селективное травление -- металлография Аннотация: Показана эффективность комплексного использования методов металлографии и диффузного рассеяния рентгеновских лучей для диагностики структуры пластин кремния с внутренним геттером. Доп.точки доступа: Щербачев, К. Д.; Воронова, М. И.; Енишерлова, К. Л.; Русак, Т. Ф. |
539.26 Щ 631 Щербачев, К. Д. D8 DISCOVER - инструмент исследования перспективных материалов для микро- и наноэлектроники [Текст] / К. Д. Щербачев // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2008. - Т. 74, N 5. - C. 40-44 . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Кл.слова (ненормированные): D8 DISCOVER (наноэлектроника) -- микроэлектроника -- наноэлектроника -- дифрактометры -- рентгеновские дифрактометры -- многофункциональные рентгеновские дифрактометры -- материаловедение перспективных материалов -- оптические схемы -- неразрушающие методы исследования -- рентгенодифракционные методы -- программное обеспечение -- XRD Commander -- XRD Wizard -- виртуальные дифрактометры Аннотация: Представлен многофункциональный рентгеновский дифрактометр D8 DISCOVER, позволяющий решать как прикладные, так и фундаментальные задачи в области материаловедения перспективных материалов для микро- и наноэлектроники. |
Оптические и структурные характеристики пленок оксида цинка, легированных галлием [Текст] / О. А. Новодворский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 439-444
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазерное осаждение -- монокристаллические подложки -- примеси галлия -- рентгеноструктурные исследования -- широкозонные полупроводники -- лазерные диоды Аннотация: Методом импульсного лазерного осаждения на монокристаллических подложках сапфира (0001) получены пленки ZnO n-типа проводимости, легированные галлием до 2. 5 ат%. Определены зависимости пропускания пленок ZnO в спектральном диапазоне от 200 до 3200 нм от концентрации примеси галлия. Установлено, что увеличение концентрации примеси галлия смещает границу фундаментальной полосы поглощения в синюю область, но снижает прозрачность пленок ZnO в инфракрасной области спектра. Определена зависимость ширины запрещенной зоны ZnO от уровня легирования галлием. Получены спектры фотолюминесценции пленок ZnO с различным уровнем легирования. Установлена немонотонная зависимость интенсивности и положения максимума фотолюминесценции от уровня легирования. Проведены рентгеноструктурные исследования пленок. Установлена зависимость кристаллографических параметров (постоянной решетки c) пленки ZnO от концентрации примеси галлия и условий процесса напыления. Доп.точки доступа: Новодворский, О. А.; Горбатенко, Л. С.; Панченко, В. Я.; Храмова, О. Д.; Черебыло, Е. А.; Венцель, К.; Барта, Й. В.; Бублик, В. Т.; Щербачев, К. Д. |
Эпитаксиальный рост и свойства пленок Mg[x]Zn[1-x]O, получаемых методом лазерно-плазменного осаждения [Текст] / А. А. Лотин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 260-264 : ил. - Библиогр.: с. 264 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- Mg[x]Zn[1-x]O -- эпитаксиальные пленки -- лазерно-плазменное осаждение -- метод лазерно-плазменного осаждения -- распыления -- керамические мишени -- подложки -- монокристаллические подложки -- оксид цинка -- кристаллические решетки -- магний -- Mg -- запрещенные зоны -- шероховатые поверхности Аннотация: Методом лазерно-плазменного осаждения при распылении керамических мишеней были выращены тонкие пленки Mg[x]Zn[1-x]O, содержащие Mg в концентрациях x=0-0. 45. Определены условия их эпитаксиального роста на монокристаллических подложках Al[2]O[3] (00. 1). Достигнут рекордный предел растворимости Mg в гексагональном оксиде цинка, соответствующий x=0. 35. Рассогласование постоянных кристаллической решетки a пленок ZnO и Mg[0. 35]Zn[0. 65]O при этом не превышало 1%, а значения ширин запрещенных зон различались на 0. 78 эВ. Шероховатость поверхности пленок составила 0. 8-1. 5 нм в диапазоне x=0-0. 27. Доп.точки доступа: Лотин, А. А.; Новодворский, О. А.; Хайдуков, Е. В.; Рочева, В. В.; Храмова, О. Д.; Панченко, В. Я.; Венцель, К.; Трумпайска, Н.; Щербачев, К. Д. |
530.1 С 873 Структура, электрические и магнитные свойства и природа ферромагнетизма при комнатной температуре в кремнии, имплантированном марганцем [Текст] / Е. А. Ганьшина [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 136, вып. 4. - С. 703-710. - Библиогр.: с. 710 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): комнатная температура -- кремний -- марганец -- имплантация -- ферромагнетизм -- электрические свойства -- магнитные свойства -- природа ферромагнетизма Аннотация: Результаты исследования структуры, электрических и магнитных характеристик имплантированного марганцем кремния, проявляющего ферромагнитное упорядочение при комнатной температуре. Доп.точки доступа: Ганьшина, Е. А.; Перов, Н. С.; Бублик, В. Т.; Щербачев, К. Д.; Рогалев, А.; Зиненко, В. И.; Орлов, А. Ф.; Балагуров, Л. А.; Агафонов, Ю. А.; Пархоменко, Ю. Н.; Грановский, А. Б.; Картавых, А. В.; Вдовин, В. И.; Кулеманов, И. В.; Сапелкин, А.; Смехова, А. |
539.2 О-754 Особенности образования радиационных дефектов в слое кремния структур "кремний на изоляторе" [Текст] / К. Д. Щербачев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 6. - С. 754-758 : ил. - Библиогр.: с. 758 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): радиационные дефекты -- тонкие слои кремния -- слои -- структуры -- кремний на изоляторе -- КНИ -- структурные свойства -- электрические свойства -- электрофизические характеристики -- кристаллы кремния -- радиационные воздействия -- диэлектрики -- барьеры -- гамма-облучение -- электропроводность кремния -- поверхностные состояния -- границы раздела -- монокристалличность кремния -- бомбардировка ионами Аннотация: Исследовались особенности образования радиационных дефектов в тонком слое кремния структур "кремний на изоляторе" (КНИ). Показаны различия в изменениях структурных и электрических свойств тонкого слоя кремния и аналогичных по электрофизическим характеристикам массивных кристаллов кремния, подвергнутых одинаковым радиационным воздействиям. Установлено, что встроенный диэлектрик структуры "кремний на изоляторе" является барьером на пути движения радиационно-индуцированных собственных межузельных атомов кремния, что приводит к увеличению дозы бомбардирующих ионов, вызывающей потерю монокристалличности слоя кремния КНИ-структуры. Показано, что гамма-облучение дозами, не влияющими на электропроводность массивных кристаллов кремния, существенно изменяет таковую в слое кремния КНИ-структур. При этом изменение электропроводности слоя кремния связано с изменением плотности поверхностных состояний на границе раздела слой кремния-встроенный диэлектрик, а не с генерацией "классических" радиационно-индуцированных дефектов структуры кремния. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/06/p754-758.pdf Доп.точки доступа: Щербачев, К. Д.; Бублик, В. Т.; Мордкович, В. Н.; Пажин, Д. М. |
539.2 Т 708 Тройные сплавы Cd[y]Zn[1-y]O и Mg[x]Zn[1-x]O - материалы для оптоэлектроники [Текст] / А. А. Лотин [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 3. - С. 438-442. - Библиогр.: с. 441-442 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): метод импульсно-лазерного осаждения -- тонкие пленки -- кристаллические решетки -- гексагональный оксид цинка Аннотация: Методом импульсно-лазерного осаждения на сапфировых подложках выращены тонкие пленки Cd[y] Zn[1-y]O и Mg[x]Zn[1-x]O в диапазоне y=0-0. 35 и x=0-0. 45. Достигнуты рекордные пределы растворимости Cd и Mg в гексагональном оксиде цинка, равные y=0. 3 и x=0. 35. Рассогласование постоянных кристаллической решетки a пленок Cd[0. 2]Zn[0. 8]O и Mg[0. 35]Zn[0. 65]O не превышало 1%, а разрыв запрещенной зоны при этом достигал 1. 3 eV. Шероховатость пленок не превышала 2. 5 nm для значений x=0-0. 27 и y=0-0. 2. Доп.точки доступа: Лотин, А. А.; Новодворский, О. А.; Панченко, В. Я.; Паршина, Л. С.; Хайдуков, Е. В.; Зуев, Д. А.; Рочева, В. В.; Храмова, О. Д.; Щербачев, К. Д. |