539.2 Ш 19 Шамшур, Д. В. Электропроводность и сверхпроводимость упорядоченного нанокомпозита индий-опал [Текст] / Д. В. Шамшур, А. В. Черняев, А. В. Фокин, С. Г. Романов // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 11. - С. 1927-1936. - Библиогр.: с. 1936 (30 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гранулы индия; диэлектрические матрицы; индий; матрицы опала; металлы; многосвязные гранулы; нанокомпозиты; опал; пространственные сети; расплавленный металл; регулярные сети; сверхпроводимость; сверхпроводящие переходы; субмикронные гранулы; упорядоченные нанокомпозиты; электропроводность Аннотация: Экспериментально изучена электропроводность и определены параметры сверхпроводящего перехода регулярной пространственной сети многосвязных субмикронных гранул индия, стабилизированных в полостях упорядоченной диэлектрической матрицы опала. Для приготовления нанокомпозита индий-опал расплавленный метал вводится под давлением в полости образцов опала. Доп.точки доступа: Черняев, А. В.; Фокин, А. В.; Романов, С. Г. |
Гальваномагнитные свойства эпитаксиальных пленок 3C-SiC, выращенных на основе подложек гексагонального SiC [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 24. - С. 8-15 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): гальваномагнитные свойства -- эпитаксиальные пленки -- эффект Холла -- Холла эффект Аннотация: Эпитаксиальные пленки 3C-SiC выращены на основе подложек 6H-SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме. Проведено исследование эффекта Холла и магнетосопротивления данных гетероструктур в диапазоне температур 1. 4-300 K. При гелиевых температурах обнаружено низкое сопротивление образцов и появление отрицательного магнетосопротивления в слабых полях (~1 T). Анализ полученных результатов показывает, что низкое сопротивление, скорее всего, связано с переходом металл-изолятор в эпитаксиальных пленках 3C-SiC. Доп.точки доступа: Лебедев, А. А.; Абрамов, П. Л.; Агринская, Н. В.; Козуб, В. И.; Кузнецов, А. Н.; Лебедев, С. П.; Оганесян, Г. А.; Сорокин, Л. М.; Черняев, А. В.; Шамшур, Д. В. |
Низкотемпературная проводимость и эффект Холла в полупроводниковых твердых растворах (Pb[z]Sn[1-z]) [0. 84]In[0. 16]Te [Текст] / Д. В. Шамшур [и др. ] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 11. - С. 1948-1952. - Библиогр.: с. 1952 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): низкотемпературная проводимость -- эффект Холла -- Холла эффект -- полупроводниковые твердые растворы -- твердые растворы Аннотация: В сильнолегированных поликристаллических образцах полупроводниковых твердых растворов (Pb[z]Sn[1-z]) [0. 84]In[0. 16]Te при изменении содержания свинца 0 < = z < = 0. 9 проведено исследование температурных зависимостей сопротивления и эффекта Холла. При x < = 0. 65 в материале наблюдается сверхпроводящий переход с критической температурой T[c] < = 4. 2 K и магнитным полем H[c2] (0K) около 50 kOe. При увеличении концентрации свинца до z < = 0. 9 при гелиевых температурах обнаружена ярко выраженная тенденция к переходу материала в диэлектрическое состояние. Наблюдаемые зависимости связаны с изменением зонной структуры твердых растворов при вариации состава материала, уровня легирования и положения примесной зоны индия. Прослежена связь между температурными и композиционными зависимостями сопротивления, коэффициента Холла и сверхпроводящими характеристиками полупроводниковых твердых растворах (Pb[z]Sn[1-z]) [0. 84]In[0. 16]Te и изменением его зонного спектра при замене атомов олова на свинец в металлической подрешетке соединения. Доп.точки доступа: Шамшур, Д. В.; Немов, С. А.; Парфеньев, Р. В.; Конончук, М. С.; Nizhankovskii, V. I. |
Переход металл-изолятор в эпитаксиальных пленках n-3C-SiC [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 3. - С. 337-341
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): подложки гексагонального карбида кремния -- сублимационная эпитаксия -- гальваномагнитные исследования -- гетероструктуры -- магнетосопротивление -- эпитаксиальные структуры Аннотация: На подложках гексагонального карбида кремния методом сублимационной эпитаксии выращены пленки n-3C-SiC. Проведено исследование низкотемпературной проводимости и магнетосопротивления полученных пленок в зависимости от уровня легирования и структурного качества. Обнаружено, что при концентрациях нескомпенсированных доноров N[d]-N[a] ? 3 •10\{17\} см\{-3\} в слое n-3C-SiC происходит переход металл-диэлектрик. Доп.точки доступа: Лебедев, А. А.; Абрамов, П. Л.; Агринская, Н. В.; Козуб, В. И.; Кузнецов, А. Н.; Лебедев, С. П.; Оганесян, Г. А.; Трегубова, А. С.; Черняев, А. В.; Шамшур, Д. В.; Скворцова, М. О. |
Поперечный эффект Нернста-Эттингсгаузена, резонансное рассеяние и сверхпроводимость в SnTe: In [Текст] / С. А. Немов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 3. - С. 461-464. - Библиогр.: с. 464 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): поперечный эффект Нернста-Эттингсгаузена -- Нернста-Эттингсгаузена поперечный эффект -- резонансное рассеяние -- сверхпроводимость -- квазилокальные примесные состояния -- узкозонные полупроводники Аннотация: В образцах SnTe: In с различным содержанием индия (1 - 16 at. %) исследованы температурные зависимости коэффициента поперечного эффекта Нернста-Эттингсгаузена в диапазоне 100-300 K и удельное сопротивление при температурах 1. 2 - 4. 2 K в магнитных полях до 10 kOe. Полученные данные свидетельствуют о наличии резонансного рассеяния дырок в полосу квазилокальных примесных состояний In в образцах Sn[1-x]In[x]Te с содержанием In x >/= 0. 05 и перехода в сверхпроводящее состояние с критической температурой T[c] около 1. 5 - 2. 2 K. В образцах SnTe: In со степенью заполнения примесных состояний электронами, близкой к 1/2, и уровнем Ферми, находящимся вблизи минимума энергетической зависимости времени релаксации, наблюдается новый тип неоднородностей - неоднородности параметра рассеяния вследствие флуктуаций степени заполнения электронами квазилокальных состояний. Доп.точки доступа: Немов, С. А.; Прошин, В. И.; Тарантасов, Г. Л.; Парфеньев, Р. В.; Шамшур, Д. В.; Черняев, А. В. |
Квантовые поправки к сопротивлению микроблочного теллура при сверхнизких температурах в условиях вымерзания фононов [Текст] / И. И. Фарбштейн [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 138, вып: вып. 2. - С. 311-314. - Библиогр.: с. 313-314 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): теллур -- сопротивление микроблочного теллура -- микроблочный теллур -- квантовые поправки -- сверхнизкие температуры -- условия вымерзания фононов -- фононы -- низкотемпературное магнитосопротивление -- магнитосопротивление -- микрокристаллическая структура -- вымерзание фононов Аннотация: Исследовано низкотемпературное магнитосопротивление объемных образцов теллура, имеющих микрокристаллическую структуру. Доп.точки доступа: Фарбштейн, И. И.; Черняев, А. В.; Шамшур, Д. В.; Аверкиев, Н. С. |
Электрические характеристики пленок мультиграфена на подложках высокоомного карбида кремния [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 10. - С. 1436-1438 : ил. - Библиогр.: с. 1438 (6 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): мультиграфеновые пленки -- пленки мультиграфена -- мультиграфен -- подложки -- карбид кремния -- кристаллы графена -- дефекты -- сублимация -- углеродные слои Аннотация: Проведено исследование мультиграфеновых пленок, полученных сублимацией в вакууме поверхности полуизолирующих подложек 6H-SiC. Обнаружено, что пленки имеют полупроводниковый характер проводимости. Сделан вывод, что данный характер проводимости, предположительно, определяется дефектами между отдельными кристаллами графена, составляющими исследованные углеродные слои. Доп.точки доступа: Лебедев, А. А.; Стрельчук, А. М.; Шамшур, Д. В.; Оганесян, Г. А.; Лебедев, С. П.; Мынбаева, М. Г.; Садохин, А. В. |
Влияние гидростатического сжатия на индуцированный примесью индия сверхпроводящий переход в Pb[0. 3]Sn[0. 7]Te [Текст] / Г. О. Адрианов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 9. - С. 1688-1692. - Библиогр.: с. 1692 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гидростатическое сжатие -- низкотемпературная проводимость -- параметры сверхпроводящего состояния Аннотация: Представлены результаты изучения низкотемпературной проводимости и параметров сверхпроводящего состояния --- критической температуры T[c] и второго критического магнитного поля H[c2] - в полупроводниковом твердом растворе (Pb[0. 3]Sn[0. 7]) [0. 95]In[0. 05]Te в условиях гидростатического сжатия P Доп.точки доступа: Андрианов, Г. О.; Немов, С. А.; Парфеньев, Р. В.; Шамшур, Д. В.; Черняев. А. В. |
Низкотемпературная электропроводность и переход сверхпроводник-диэлектрик в твердых растворах (Pb[0. 5]Sn[0. 5]) [1-x]In[x]Te, связанный с примесными состояниями индия [Текст] / Д. В. Шамшур [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 9. - С. 1693-1697. - Библиогр.: с. 1697 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): низкотемпературные электрофизические характеристики -- полупроводниковый твердый раствор -- твердые растворы Аннотация: Исследованы низкотемпературные электрофизические характеристики (включая сверхпроводящие) в полупроводниковом твердом растворе (Pb[0. 5]Sn[0. 5]) [1-x]In[x]Te с переменным содержанием индия x = 0. 05-0. 2. Обнаружено, что уменьшение количества примеси x в материале приводит к уменьшению температуры сверхпроводящего перехода T[c] и "диэлектрическому" состоянию материала. Эти эффекты проявляются в увеличении низкотемпературного (T = 4. 2 K) сопротивления (Pb[0. 5]Sn[0. 5]) [0. 95]In[0. 05]Te более чем на три порядка по сравнению с (Pb[0. 5]Sn[0. 5]) [0. 8]In[0. 2]Te. Уменьшение количества In в твердом растворе приводит также к принципиальному изменению вида температурной зависимости сопротивления от металлической в материале с x = 0. 2 (уменьшение сопротивления с понижением температуры в интервале 300-4. 2 K) к полупроводниковой в образце с x = 0. 05 (экспоненциальный рост сопротивления при T<25 K). Эффект "диэлектризации" материала при уменьшении количества примеси связан со смещением примесной полосы квазилокальных состояний индия к потолку валентной зоны легких дырок соединения и выходом ее в область запрещенной зоны твердого раствора. Доп.точки доступа: Шамшур, Д. В.; Парфеньев, Р. В.; Черняев, А. В.; Немов, С. А. |
621.315.592 Н 613 Низкотемпературные транспортные свойства пленок мультиграфена, сформированных сублимацией на поверхности SiC [Текст] / А. А. Лебедев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 5. - С. 634-638 : ил. - Библиогр.: с. 638 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): низкотемпературные транспортные свойства -- пленки мультиграфена -- мультиграфен -- сублимация -- подложки -- Sic-подложки -- отжиг подложки -- омические контакты -- эффект Холла -- Холла эффект -- низкие температуры -- двумерный дырочный газ -- ячейки Аннотация: Проведено исследование пленок мультиграфена, полученных сублимацией на поверхности полуизолирующей подложки 6H-SiC. Показано, что использование предростового отжига подложки в квазизамкнутой ростовой ячейке приводит к улучшению структурного совершенства пленки мультиграфена. К пленке были сделаны омические контакты и проведено исследование эффекта Холла при низких температурах. В пленках было обнаружено наличие двумерного дырочного газа. Был сделан вывод, что проводимость пленки определяется дефектами, существующими в слое графена или на интерфейсе между пленкой графена и подложкой SiC. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/05/p634-638.pdf Доп.точки доступа: Лебедев, А. А.; Агринская, Н. В.; Лебедев, С. П.; Мынбаева, М. Г.; Петров, В. Н.; Смирнов, А. Н.; Стрельчук, А. М.; Титков, А. Н.; Шамшур, Д. В. |
539.2 А 651 Андерсоновская локализация и псевдощель в энергетическом спектре дырок в PbTe : Tl при наличии резонансного рассеяния [Текст] / С. А. Немов [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 5. - С. 878-880. - Библиогр.: с. 880 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): акцепторные примеси -- псевдощель -- андерсоновская локализация -- легирование -- низкотемпературное сопротивление -- энергетический спектр -- резонансное рассеяние Аннотация: Подробно изучено влияние дополнительного легирования акцепторной примесью Na на низкотемпературное сопротивление образцов PbTe, легированных примесью Tl (2 at. %), создающей полосу резонансных состояний на фоне зонного спектра валентной зоны. С помощью дополнительного легирования натрием осуществлялось смещение уровня Ферми в пределах полосы резонансных состояний Tl в PbTe и изменялась степень заполнения дырками (k[h]) примесных состояний таллия. Большая часть образцов PbTe : (Tl, Na) переходит в сверхпроводящее состояние с критической температурой T[c]=0. 4-2. 3 K. Полученная зависимость T[c] (k[h]) свидетельствует о том, что в области резонансных состояний в PbTe : Tl наблюдается андерсоновская локализация дырок и псевдощель в плотности делокализованных состояний. Доп.точки доступа: Немов, С. А.; Равич, Ю. И.; Парфеньев, Р. В.; Шамшур, Д. В. |