539.2 Т 48 Ткач, Н. В. Спектры и времена жизни квазичастиц в открытой квантовой точке, окруженной одинаковыми барьерами в цилиндрической квантовой проволоке [] / Н. В. Ткач, А. М. Маханец // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 3. - С. 550-555. - Библиогр.: с. 555 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): S - матрицы метод; антиточки; барьеры; дырки; квазистационарные состояния; квазичастицы; квантовые точки; метод S-матрицы; наногетеросистемы; полупроводниковая квантовая проволока; проволока; цилиндрическая проволока; экситоны; электроны Аннотация: Методом S - матрицы развита теория квазистационарных состояний и времен жизни электронов, дырок и экситонов в открытой цилиндрической полупроводниковой квантовой проволоке, содержащей квантовую точку, окруженную двумя одинаковыми антиточками (потенциальными барьерами конечной величины) . Доп.точки доступа: Маханец, А. М. |
621.3 Т 48 Ткач, Н. В. Электронные свойства открытых полупроводниковых квантовых точек [Текст] / Н. В. Ткач, Ю. А. Сети, Г. Г. Зегря // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 1. - С. 70-80 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- полупроводниковые квантовые точки -- энергетический спектр -- электронные состояния Аннотация: На основе S-матрицы рассеяния исследуется энергетический спектр и время жизни электронных состояний в открытой полупроводниковой квантовой точке. Показано, что время жизни электронных состояний очень чувствительно к изменению радиуса квантовой точки и толщины внешнего покрытия квантовой точки. При изменении толщины покрывающего слоя от одного до пяти монослоев время жизни электрона увеличивается в 20-60 раз. Доп.точки доступа: Сети, Ю. А.; Зегря, Г. Г. |
Ткач, Н. В. Дублетные резонансы электрона в симметричных трехбарьерных разонансно-туннельных структурах [Текст] / Н. В. Ткач, Ю. А. Сети // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 12. - С. 109-113. - Библиогр.: c. 113 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): резонансно-туннельные структуры -- трехбарьерные структуры -- дублетные резонансы электрона -- эволюция электронных резонансов -- коллапс электронных резонансов -- резонансная энергия Аннотация: Теоретически исследованы эволюция и коллапс электронных резонансов и их спектральных параметров в симметричной трехбарьерной резонансно-туннельной структуре (ТБРТС). Проанализированы значения резонансной энергии и ширины квазистационарных состояний электрона, рассчитанные методами коэффициента прозрачности, функции распределения вероятности нахождения электрона в ТБРТС и сечения рассеяния. Доп.точки доступа: Сети, Ю. А. |
Ткач, Н. В. Спектр и свойства сечения рассеяния электронов в открытых сферических квантовых точках [Текст] / Н. В. Ткач, Ю. А. Сети // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 3. - С. 357-363
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): сферические квантовые точки -- поверхностные дефекты -- диэлектрическая жидкая матрица -- кристаллические структуры -- электромагнитное поле Аннотация: В модели эффективной массы и прямоугольных потенциалов впервые выполнен расчет сечения рассеяния электронов в открытой сферической квантовой точке. Показано, что в такой наносистеме с барьером в несколько монослоев экспериментально измеряемое сечение рассеяния позволяет хорошо идентифицировать резонансные энергии и ширины низкоэнергетической части квазистационарного спектра электронов. Показано также, что в открытой сферической квантовой точке со слабым потенциальным барьером адекватными спектральными параметрами квазистационарного спектра являются обобщенные резонансные энергии и ширины, определенные через вероятность пребывания электрона внутри квантовой точки. Доп.точки доступа: Сети, Ю. А. |
Ткач, Н. В. Плоские двухбарьерные резонансно-туннельные структуры: резонансные энергии и резонансные ширины квазистационарных состояний электрона [Текст] / Н. В. Ткач, Ю. А. Сети // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1346-1355 : ил. - Библиогр.: с. 1354-1355 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): резонансно-туннельные структуры -- РТС -- квазистационарные состояния -- КСС -- электроны -- трансфер-матрицы -- S-матрицы -- резонансные энергии -- РЭ -- резонансные ширины -- РШ -- спектральные параметры -- двухбарьерные резонансно-туннельные структуры -- ДБРТС -- наносистемы -- In[0. 53]Ga[0. 47]As/In[0. 52]Al[0. 48]As -- delta-барьерная модель Аннотация: Предложена теория резонансных энергий и ширин квазистационарных состояний на основе функции распределения плотности вероятности нахождения электрона в двухбарьерной резонансно-туннельной структуре с использованием трансфер-матрицы и S-матрицы рассеяния в моделях прямоугольных и delta-образных потенциалов с различными эффективными массами в слоях наносистемы. На примере наносистемы In[0. 53]Ga[0. 47]As/In[0. 52]Al[0. 48]As выполнен анализ эволюции спектральных параметров квазистационарных состояний электрона в зависимости от геометрических размеров резонансно-туннельной структуры, рассчитанных тремя разными методами. Показано, что поскольку по отношению к более реалистичной модели прямоугольных потенциалов delta-барьерная модель завышает величины резонансных ширин в десятки раз, она может быть использована только для грубых оценок. Доп.точки доступа: Сети, Ю. А. |
Ткач, Н. В. Теория экситонного спектра массива удаленных друг от друга шестигранных нанотрубок [Текст] / Н. В. Ткач, А. М. Маханец, Н. Н. Довганюк // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 12. - С. 2379-2385. - Библиогр.: с. 2385 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): теория экситонного спектра -- экситонные спектры -- шестигранные нанотрубки -- нанотрубки Аннотация: В рамках эффективной массы и прямоугольных потенциалов предложена теория экситонного спектра отдельной сложной шестигранной нанотрубки в массиве шестигранных квантовых трубок, практически реализованном на основе InP, InAs. Показано, что теоретически рассчитанный экситонный спектр не только по положению пиков в шкале энергий, но и по их интенсивности хорошо согласуется с экспериментальным спектром излучения массива достаточно удаленных друг от друга шестигранных нанотрубок. Доп.точки доступа: Маханец, А. М.; Довганюк, Н. Н. |
004.9 В 779 Восстановительное аминирование со скавенджером: самая "комбинаторная" из двухкомпонентных реакций [Текст] / Н. В. Иванова [и др.] // Российский Химический Журнал (ЖРХО им. Д. И. Менделеева). - 2009. - Т. 53, N 5. - С. 105-115. - Библиогр.: с. 115 (15 назв. ) . - ISSN 0373-0247
Рубрики: Вычислительная техника Прикладные информационные (компьютерные) технологии в целом Кл.слова (ненормированные): восстановительное аминирование -- двухкомпонентные реакции -- жидкофазный параллельный синтез -- имины -- ионообменные смолы -- Манниха реакция -- реакция Манниха -- скавенджеры Аннотация: Представлены детали проведения реакции восстановительного аминирования в параллельном режиме. Доп.точки доступа: Иванова, Н. В.; Ткач, Н. В.; Белых, Е. Н.; Длинных, И. В; Бабаев, Е. В. |
621.315.592 Т 484 Ткач, Н. В. Оптимизация конфигурации симметричной трехбарьерной резонансно-туннельной структуры как активного элемента квантового каскадного детектора [Текст] / Н. В. Ткач, авт. Ю. А. Сети // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 387-395 : ил. - Библиогр.: с. 395 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые каскадные детекторы -- ККД -- резонансно-туннельная структура -- РТС -- барьеры -- ямы (физика) -- электроны -- динамическая проводимость -- квантовые каскадные лазеры -- ККЛ -- активные элементы -- конфигурации -- режим работы детектора -- оптимизация структуры -- уравнение Шредингера -- Шредингера уравнение Аннотация: В модели прямоугольных потенциалов и различных эффективных масс электрона в ямах и барьерах открытой трехбарьерной резонансно-туннельной структуры с одинаковыми внешними барьерами развита теория и выполнен расчет динамической проводимости, возникающей из-за взаимодействия электромагнитного поля с проходящими сквозь структуру электронами. На примере трехбарьерной резонансно-туннельной структуры с ямами In[0. 53]Ga[0. 47]As и барьерами In[0. 52]Al[0. 48]As показано, что независимо от геометрических размеров потенциальных ям и барьеров существует три геометрические конфигурации (положения внутреннего барьера относительно внешних), при которых наносистема как активный элемент обеспечивает оптимальный режим работы квантового каскадного детектора. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/03/p387-395.pdf Доп.точки доступа: Сети, Ю. А. |
621.315.592 А 433 Активная проводимость трехбарьерной резонансно-туннельной структуры и оптимизация работы квантового каскадного лазера [Текст] / Н. В. Ткач [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 10. - С. 1327-1332 : ил. - Библиогр.: с. 1332 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые каскадные лазеры -- ККЛ -- резонансно-туннельные структуры -- РТС -- активная электронная проводимость -- электронная проводимость -- проводимость -- энергия излучения -- геометрические параметры -- свойства структур -- трехбарьерные резонансно-туннельные структуры -- ТБРТС Аннотация: В модели эффективной массы и прямоугольных потенциалов предложена теория активной электронной проводимости в постоянном электрическом поле трехбарьерной резонансно-туннельной структуры как активного элемента квантового каскадного лазера. Показано, что выбранные геометрические параметры активных зон в первых экспериментально созданных квантовых каскадных лазерах оказались наиболее оптимальными, а экспериментальные и теоретические значения энергий излучения коррелируют между собой с точностью до нескольких процентов. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/10/p1327-1332.pdf Доп.точки доступа: Ткач, Н. В.; Сети, Ю. А.; Матиек, В. А.; Бойко, И. В. |
539.2 Т 484 Ткач, Н. В. Эволюция спектральных параметров квазичастиц в открытой симметричной трехбарьерной резонансно-туннельной наноструктуре [Текст] / Н. В. Ткач, авт. Ю. А. Сети // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 3. - С. 550-557. - Библиогр.: с. 557 (21 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): квазичастицы -- наноструктуры -- спектральные параметры -- квазистационарные состояния Аннотация: В модели пространственно зависимых эффективных масс и прямоугольных потенциалов квазичастиц (электронов, дырок, экситонов) в симметричной трехбарьерной резонансно-туннельной наноструктуре, методами коэффициента похождения, S-матрицы и функции распределения вероятности выполнен теоретический расчет спектральных параметров (резонансных энергий и ширин) квазистационарных состояний. На примере открытой трехбарьерной резонансно-туннельной структуры, состоящей из трех барьеров (GaAs) и двух ям (In[0. 25]Ga[0. 75]As), рассчитана и проанализирована эволюция спектральных параметров квазистационарных состояний квазичастиц в зависимости от изменения геометрических размеров наносистемы. В модели без подгоночных параметров в случае тяжелого экситона установлено удовлетворительное соответствие экспериментальных и теоретических результатов. Доп.точки доступа: Сети, Ю. А. |
535.2/.3 К 321 Квантовый каскадный лазер в поперечном магнитном поле. Модель открытой трехбарьерной активной зоны / Н. В. Ткач [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 11. - С. 52-62 : ил. - Библиогр.: с. 62 (10 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): квантовые излучатели -- каскадные лазеры -- магнитные поля -- резонансно-туннельные структуры -- спектральные параметры -- динамическая проницаемость излучений -- интенсивность излучений -- модели активных зон Аннотация: В модели трехбарьерной активной зоны отдельного каскада в поперечном магнитном поле предложена теория спектральных параметров и активной динамической проводимости квантового каскадного лазера. Показано, что в соответствии с экспериментом с увеличением магнитного поля до 8 T пик излучения смещается в область больших энергий, а его интегральная интенсивность резко уменьшается. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/11/p52-62.pdf Доп.точки доступа: Ткач, Н. В.; Бойко, И. В.; Сети, Ю. А.; Зегря, Г. Г. |
538.9 Т 484 Ткач, Н. В. Нерезонансные каналы прозрачности двухбарьерной наносистемы в электромагнитном поле произвольной напряженности / Н. В. Ткач, авт. Ю. А. Сети // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 95, вып. 5. - С. 296-301
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): двухбарьерные наносистемы -- наносистемы -- электромагнитное поле -- нерезонансные каналы прозрачности -- резонансно-туннельные наносистемы -- уравнение Шредингера -- Шредингера уравнение -- высокочастотное электромагнитное поле -- теория квазистационарного спектра системы электронов Аннотация: На основе точного решения полного одномерного уравнения Шредингера предложена теория квазистационарного спектра системы электронов, взаимодействующих с высокочастотным электромагнитным полем произвольной напряженности в двухбарьерной резонансно-туннельной наноструктуре. Показано, что причиной образования нерезонансных каналов прозрачности плоской двухбарьерной резонансно-туннельной структуры является возникающая вследствие взаимодействия электронов с электромагнитным полем суперпозиция определенного квазистационарного состояния с первыми полевыми резонансными гармониками обоих ближайших к нему состояний. Доп.точки доступа: Сети, Ю. А. |
539.21:537 Т 484 Ткач, Н. В. Каналы прозрачности и вольт-амперная характеристика двухбарьерной наносистемы в постоянном электрическом и электромагнитном полях произвольной напряженности / Н. В. Ткач, Ю. А. Сети // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 5. - С. 610-615 : ил. - Библиогр.: с. 614 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): уравнения Шредингера -- Шредингера уравнения -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- резонансно-туннельные структуры -- РТС -- электрические поля -- электромагнитные поля -- прозрачность Аннотация: На основе найденного точного решения полного одномерного уравнения Шредингера предложена теория каналов прозрачности и вольт-амперной характеристики двухбарьерной резонансно-туннельной структуры в постоянном электрическом и высокочастотном электромагнитном полях произвольной напряженности. Впервые показано, что при увеличении напряженности электромагнитного поля из-за образования нерезонансных каналов прозрачности наносистемы форма ее вольт-амперной характеристики изменяется от одногорбой до двухгорбой кривой не только в окрестностях электронных резонансных энергий, но и в областях энергий, соответствующих суперпозиции пар полевых сателлитных состояний. The theory of transmission canals and current-voltage characteristic of double-barrier resonance tunnel structure driven by constant electric and high-frequency electromagnetic field of arbitrary intensity is proposed on the base of the obtained exact solution of complete one-dimensional Schrodinger equation. It is shown, for the first time, that when the intensity of electromagnetic field increases due to the arising of non-resonance transmission canals the shape of the current-voltage characteristic of the nanosystem is changed from one-humped to the two-humped curve not only in the vicinity of electron resonance energies but in the vicinities of the energies, corresponding to the super positions of pairs of field satellite states. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/05/p610-615.pdf Доп.точки доступа: Сети, Ю. А.; Черновицкий национальный университет им. Ю. ФедьковичаЧерновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича |