621.315.592 Э 454 Электрические и оптические свойства тонких пленок TiO[2] и TiO[2]:Fe / М. Н. Солован [и др.] // Неорганические материалы. - 2012. - Т. 48, № 10. - С. 1154-1160 : 7 рис. - Библиогр.: с. 1160 (15 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- электрические свойства -- оптические свойства -- TiO[2] -- TiO[2]: Fe -- метод электронно-лучевого испарения -- легирование -- термическая обработка Аннотация: Методом электронно-лучевого испарения получены тонкие пленки TiO[2] и TiO[2]: Fe. Исследовано влияние легирования и термической обработки на электрические и оптические свойства тонких пленок. Доп.точки доступа: Солован, М. Н.; Марьянчук, П. Д.; Брус, В. В.; Парфенюк, О. А. |
539.2 С 602 Солован, М. Н. Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiN/p-Si / М. Н. Солован, В. В. Брус, П. Д. Марьянчук // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 9. - С. 1185-1190 : ил. - Библиогр.: с. 1189-1190 (28 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электрические свойства -- фотоэлектрические свойства -- фоточувствительные гетероструктуры -- гетероструктуры -- тонкие пленки -- нитрид титана -- TiN -- реактивное магнетронное распыление -- магнетронное распыление -- пластины кремния Аннотация: Фоточувствительные гетероструктуры n-TiN/p-Si изготовлены напылением тонкой пленки нитрида титана (n-типа проводимости) методом реактивного магнетронного распыления на полированные поликристаллические пластины кремния p-типа проводимости. Измерены вольт-амперные характеристики гетероструктур при различных температурах. Исследованы температурные зависимости высоты потенциального барьера и последовательного сопротивления гетероперехода n-TiN/p-Si. Определены доминирующие механизмы токопереноса через гетеропереход при прямом и обратном смещениях. Гетероструктуры генерируют напряжение холостого хода V[oc]=0. 4 B и ток короткого замыкания I[sc]=1. 36 мА/см{2} при освещении с плотностью мощности 80 мВт/см{2}. Photosensitive heterojunctions n-TiN/p-Si were prepared by deposition of titanium nitride thin film (n-type conductivity) using the DC reactive magnetron sputtering onto polished polycrystalline silicon substrate with p-type conductivity. The current-voltage characteristics of the heterojunctions under investigation were measured at different temperatures. The temperature dependence of the potential barrier height and the series resistance of the n-TiN/p-Si heterojunctions were investigated. The dominating mechanisms of current transport through the heterojunctions were determined under forward and reverse biases. The heterojunctions produce the open circuit voltage V[oc] = 0. 4V and the short circuit current I[sc] = 1. 36mA/cm{2} under illumination with power density 80mW/cm{2}. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/09/p1185-1190.pdf Доп.точки доступа: Брус, В. В.; Марьянчук, П. Д.; Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича (Украина); Черновицкое отделение Института проблем материаловедения Национальной академии наук УкраиныЧерновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича (Украина) |
539.21:537 Э 454 Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiN/p- Hg[3]In[2]Te[6] / М. Н. Солован [и др.]. // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 6. - С. 1-6 : ил. - Библиогр.: с. 6 (12 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): электрические свойства -- анизотипные гетеропереходы -- тонкие пленки -- нитрид титана -- TiN -- магнетронное распыление -- монокристаллические пластины -- ток короткого замыкания Аннотация: Впервые получены фоточувствительные анизотипные гетероструктуры n-TiN/p-Hg[3]In[2]Te[6] путем напыления тонкой пленки нитрида титана (n-типа проводимости) методом реактивного магнетронного распыления на монокристаллические пластины Hg[3]In[2]Te[6] p-типа проводимости. Установлено, что гетероструктуры генерируют напряжение холостого хода V[oc]=0. 52 V, ток короткого замыкания I[ic]=0. 265 mA/cm{2} и коэффициент заполнения FF=0. 39 при освещении 80 mW/cm{2}. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/06/p1-6.pdf Доп.точки доступа: Солован, М. Н.; Майструк, Э. В.; Брус, В. В.; Марьянчук, П. Д.; Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича (Украина); Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича (Украина); Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича (Украина); Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича (Украина) |
537 С 602 Солован, М. Н. Изотипная поверхностно-барьерная гетероструктура n-TiN/n-Si / М. Н. Солован, В. В. Брус, П. Д. Марьянчук // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 2. - С. 232-236 : ил. - Библиогр.: с. 236 (18 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- метод реактивного магнетронного распыления -- реактивное магнетронное распыление -- магнетронное распыление -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- потенциальные барьеры -- нитрид титана -- TiN -- гетеропереходы -- поверхностные состояния Аннотация: Изготовлены гетероструктуры n-ТiN/n-Si методом реактивного магнетронного распыления. Измерены вольт-амперные характеристики гетероструктур при различных температурах. Исследованы температурная зависимость высоты потенциального барьера и последовательное сопротивление гетероперехода. Построена энергетическая диаграмма исследуемых гетеропереходов. Оценена концентрация поверхностных состояний гетероперехода, которая составляет 2. 67 x 10{13} см{-2}. Установлено, что доминирующие механизмы токопереноса через гетеропереходы n-ТiN/n-Si при прямых и обратных смещениях хорошо описываются в рамках туннельной и эмиссионной моделей. Heterojunctions n-TiN/n-Si were fabricated by reactive magnetron sputtering. The current-voltage characteristics of the heterojunctions were measured at different temperatures. The temperature dependences of the height of the potential barrier and series resistance of the heterojunctions were investigated. The energy diagram of the heterojunctions under investigation was build. The concentration of surface states was estimated at the heterojunction interface, which is equal to 2. 67 x 10{13} cm{-2}. The dominating current transport mechanisms through the n-TiN/n-Si heterojunctions at the forward and reverse biases were established to be well described in the scope of the tunnel and emission models. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/02/p232-236.pdf Доп.точки доступа: Брус, В. В.; Марьянчук, П. Д.; Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича; Черновицкий национальный университет им. Юрия ФедьковичаЧерновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича |
539.2 С 602 Солован, М. Н. Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-CdO/p-Si / М. Н. Солован, В. В. Брус, П. Д. Марьянчук // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 7. - С. 926-931 : ил. - Библиогр.: с. 931 (18 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электрические свойства -- гетеропереходы -- напыление -- анизотипные гетеропереходы -- тонкие пленки -- оксид кадмия -- CdO -- пиролиз -- поликристаллические пластины -- вольт-амперные характеристики -- температурные зависимости -- электрический ток -- эмиссия Френкеля - Пула -- Френкеля - Пула эмиссия -- энергетические уравнения Аннотация: Гетеропереход n-CdO/p-Si изготовлен напылением тонкой пленки оксида кадмия (n-типа проводимости) методом пульверизации с последующим пиролизом на полированную поликристаллическую пластину кремния p-типа проводимости. Измерены вольт-амперные характеристики (ВАХ) гетероструктуры при различных температурах. Установлено, что электрический ток через исследуемую гетероструктуру при прямом смещении 3kT/e меньше чем V меньше чем 0. 5 В формируется с помощью туннельно-рекомбинационных процессов с участием поверхностных состояний на границе раздела CdO/Si и при V больше чем 0. 5 B туннелированием через область пространственного заряда. Основными механизмами токопереноса при обратном смещении являются эмиссия Френкеля-Пула и туннелирование с участием энергетических уровней, образованных поверхностными состояниями. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/07/p926-931.pdf Доп.точки доступа: Брус, В. В.; Марьянчук, П. Д.; Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича (Украина); Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича (Украина)Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича (Украина) |
539.2 С 602 Солован, М. Н. Особенности рекомбинационных потерь фототока в анизотипных гетеропереходах n-TiN/p-Si / М. Н. Солован, В. В. Брус, П. Д. Марьянчук // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 11. - С. 1540-1542 : ил. - Библиогр.: с. 1542 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фоточувствительные гетероструктуры -- гетероструктуры -- рекомбинационные потери -- метод реактивного магнетронного распыления -- реактивное магнетронное распыление -- магнетронное распыление -- фототоки -- холостой ход -- короткое замыкание -- квантовая эффективность -- спектры квантовой эффективности -- фотоэлектрические параметры -- анизотипные гетеропереходы -- поликристаллический кремний -- поверхностное состояние -- рекомбинация Аннотация: Получены фоточувствительные гетероструктуры n-TiN/p-Si методом реактивного магнетронного распыления. Гетероструктуры генерируют напряжение холостого хода V[oc]=0. 4 B и ток короткого замыкания I[sc]=1. 36 мА/см{2} при освещении 80 мВт/см{2}. Из анализа освещенной ВАХ и спектра квантовой эффективности установлено, что низкие фотоэлектрические параметры обусловлены рекомбинацией в базовой области гетероперехода и формированием высокоомного слоя SiO[2] на поверхности поликристаллического кремния, который не обеспечивает качественной пассивации поверхностных состояний. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/11/p1540-1542.pdf Доп.точки доступа: Брус, В. В.; Марьянчук, П. Д.; Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича; Черновицкий национальный университет им. Юрия ФедьковичаЧерновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича |