621.3 С 284 Седова, И. В. Структуры с квантовыми точками CdSe в матрице ZnSe, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием субмонослоя-стрессора CdTe [Текст] / И. В. Седова, О. Г. Люблинская [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1363-1369 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- субмонослои-стрессоры -- наноструктуры -- фотолюминесценция Аннотация: Представлен способ формирования квантовых точек CdSe в матрице ZnSe, основанный на введении субмонослоя соединения-стрессора CdTe (рассогласование параметров решетки Дельта a/a ? 14% для CdTe/ZnSe), осаждаемого на поверхность матрицы непосредственно перед осаждением материала квантовых точек. Стрессор формирует на поверхности ZnSe мелкие напряженные островки, задавая локальные поля сильных упругих напряжений, управляющих процессом самоформирования квантовых точек. Согласно данным просвечивающей электронной микроскопии, этот способ позволяет значительно увеличить поверхностную плотность квантовых точек при некотором уменьшении их латерального размера (до 4. 5. 1. 5 нм). Доп.точки доступа: Люблинская, О. Г.; Сорокин, С. В.; Ситникова, А. А.; Торопов, А. А.; Donatini, F.; Le Si Dang; Иванов, С. В. |
Лазеры зеленого спектрального диапазона на основе CdSe/ZnSe наноструктур с накачкой электронным пучком с энергией менее 10 keV [Текст] / М. М. Зверев [и др. ] // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 24. - С. 1-7 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): лазеры зеленого спектрального диапазона -- праметры излучения лазеров -- электронные пучки -- наноструктуры Аннотация: Исследованы параметры излучения импульсных лазеров с электронно-лучевой накачкой на основе ZnSe-содержащих квантово-размерных структур с тонким (20 nm) внешним ограничивающим слоем ZnMgSSe. При комнатной температуре генерация наблюдалась при энергии электронного пучка свыше 3. 7 keV. Минимальное значение пороговой плотности тока пучка, зарегистрированное при энергии пучка 8-9 keV, составило 0. 4-0. 5 A/cm2, а максимальная импульсная мощность - 2 W при энергии электронов ~5 keV. Доп.точки доступа: Зверев, М. М.; Гамов, Н. А.; Жданова, Е. В.; Перегудов, Д. В.; Студенов, В. Б.; Иванов, С. В.; Седова, И. В.; Сорокин, С. В.; Гронин, С. В.; Копьев, П. С. |
Эффективный полупроводниковый лазер зеленого диапазона с электронно-лучевой накачкой на основе многослойных наноструктур A\{II\}B\{VI\} [Текст] / М. М. Зверев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 12. - С. 1472-1477
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): лазеры зеленого диапазона -- полупроводниковые лазеры -- многослойные наноструктуры -- наноструктуры Аннотация: Исследованы параметры излучения полупроводникового Cd (Zn) Se/ZnMgSSe-лазера с активной областью на основе 10 эквидистантно расположенных квантовых ям ZnSe с дробно-монослойными вставками квантовых точек CdSe и волноводом в виде короткопериодной сверхрешетки общей толщиной ~0. 65 мкм при накачке электронным пучком. При комнатной температуре получены значения импульсной оптической мощности до 12 Вт с одного торца резонатора на длине волны 542 нм с рекордно высокой эффективностью ~8. 5% при энергии пучка электронов 23 кэВ. Доп.точки доступа: Зверев, М. М.; Гамов, Н. А.; Жданова, Е. В.; Перегудов, Д. В.; Студенов, В. Б.; Седова, И. В.; Гронин, С. В.; Сорокин, С. В.; Иванов, С. В.; Копьев, П. С. |
Магнитооптика гетероструктур (Zn, Cd, Mn) Te/ZnTe с малым разрывом потенциала валентной зоны [Текст] / С. В. Зайцев [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 88, вып: вып. 12. - С. 922-926
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- полумагнитные гетероструктуры -- магнитооптика -- квантовые ямы Аннотация: Детально изучена магнитооптика в полумагнитных гетероструктурах с квантовыми ямами (КЯ) (Zn, Cd, Mn) Te/ZnTe. Для КЯ, содержащих Mn, наблюдается обычный эффект гигантского спинового расщепления: полная круговая поляризация в магнитных полях B больше 0. 5 Тл, огромный рост интенсивности, связанный с подавлением Оже-рекомбинации на ионах Mn, и сильный красный сдвиг сигма\{+\}-поляризованной компоненты. Напротив, структуры с немагнитными КЯ и удаленными полумагнитными слоями ZnMnTe демонстрируют противоположное поведение. Доп.точки доступа: Зайцев, С. В.; Седова, И. В.; Сорокин, С. В.; Иванов, С. В. |
Инжекция спина в гетероструктурах с квантовыми ямами GaAs/GaSb [Текст] / Я. В. Терентьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 205-209 : ил. - Библиогр.: с. 208-209 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Люминесценция Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- GaAs/GaSb -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- квантовые точки -- КТ -- гетероструктуры -- дифракция быстрых отраженных электронов -- ДБОЭ -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- фотолюминесценция -- ФЛ -- циркулярно-поляризованная фотолюминесценция -- магнитные поля -- векторы магнитных полей -- поляризация -- инжекция спина -- спиновая инжекция -- спиновая ориентация -- зеемановское расщепление -- радиационное время жизни носителей -- эффект Зеемана -- Зеемана эффект Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены гетероструктуры с квантовыми точками типа II GaAs/GaSb. Исследована циркулярно-поляризованная фотолюминесценция образцов в магнитном поле до 4. 7 Тл, приложенном в геометрии Фарадея. Обнаружено, что в магнитном поле излучение квантовых точек имеет sigma-поляризацию, соответствующую проекции спина электрона на вектор магнитного поля +1/2. При увеличении интенсивности возбуждения степень поляризации излучения растет. Обнаруженный эффект объясняется инжекцией спина из матрицы GaSb, в которой спиновая ориентация возникает благодаря зеемановскому расщеплению зоны проводимости. Рост степени поляризации связан с уменьшением радиационного времени жизни носителей в квантовых точках типа II при увеличении уровня возбуждения. Доп.точки доступа: Терентьев, Я. В.; Торопов, А. А.; Мельцер, Б. Я.; Семенов, А. Н.; Соловьев, В. А.; Седова, И. В.; Усикова, А. А.; Иванов, С. В. |
Сульфидная пассивация подложек InAs (100) в растворах Na[2]S [Текст] / Т. В. Львова [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 6. - С. 1055-1061. - Библиогр.: с. 1061 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сульфидная пассивация подложек -- пассивация подложек -- арсенид индия -- раствор сульфида натрия Аннотация: Установлено, что в результате обработки водным 1M-раствором сульфида натрия (Na[2]S) с поверхности InAs (100) удаляется слой естественного окисла, вместо которого формируется сплошной хемосорбционный пассивирующий слой из атомов серы, когерентно связанных с атомами индия поверхности кристалла. Травления поверхности InAs в сульфидном растворе не происходит. Пассивированные образцы InAs демонстрируют многократное увеличение интенсивности фотолюминесценции. Сульфидный слой десорбируется с поверхности InAs при температурах около 400 градусов Цельсия, в результате чего открывается чистая In-стабилизированная поверхность (100) с реконструкцией (4x2). С использованием сульфидной пассивации разработан простой способ подготовки атомно-гладких ростовых поверхностей (2x4) подложек InAs (100), пригодных для молекулярно-пучковой эпитаксии высокосовершенных слоев соединений на основе CdSe. Доп.точки доступа: Львова, Т. В.; Седова, И. В.; Дунаевский, М. С.; Карпенко, А. Н.; Улин, В. П.; Иванов, С. В.; Берковец, В. Л. |
535.33 Х 462 Химическая пассивация подложек InSb (100) в водных растворах сульфида натрия / Т. В. Львова [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 5. - С. 710-716 : ил. - Библиогр.: с. 716 (18 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): фотоэмиссионная спектроскопия -- элементный состав -- электронно-энергетическая структура -- окисленные поверхности -- сульфид натрия -- подложки -- водные растворы -- отжиг -- вакуум -- поверхностные слои -- оксиды сурьмы -- индий -- хемосорбированные слои -- атомы серы -- атомно-силовая микроскопия -- сульфидная пассивация -- фотоэмиссия -- уровни Ферми -- Ферми уровни Аннотация: Методом рентгеновской фотоэмиссионной спектроскопии проведен анализ элементного состава и электронно-энергетической структуры как естественно окисленной поверхности подложек InSb (100), так и подложек, обработанных в водных растворах сульфида натрия. Установлено, что в результате обработки в 1 М водном растворе Na[2]S и последующем отжиге в вакууме при температуре 150 °С происходит полное удаление поверхностного слоя комплексных оксидов сурьмы и индия нестехиометрического состава с образованием сплошного хемосорбированного слоя атомов серы, когерентно-связанного с атомами индия. Согласно данным атомно-силовой микроскопии, в процессе сульфидной пассивации не происходит травления основного материала подложки. Обнаружен сдвиг (на 0. 37 эВ) линии объемной фотоэмиссии In-Sb в сторону больших энергий связи, что свидетельствует о сдвиге поверхностного уровня Ферми вглубь зоны проводимости. X-ray photoemission spectroscopy is used to study chemical composition and electronic structure of InSb (100) substrates covered with native oxide layer, as well as treated with aqueous sodium sulfide solution. It is found that the treatment of InSb (100) with 1M aqueous Na2S solution and subsequent annealing in ultra-high vacuum at 150 °С results in complete removal of the native oxide layer consisting of non-stoichiometric antimony and indium oxides and formation of the continuous layer of chemisorbed sulfur atoms bounded to indium atoms. According to atomic-force microscopy data, no etching of the substrate material proceeds in the course of sulfur passivation. After sulfur treatment the In-Sb bulk photoemission component shifts by 0. 37 eV towards higher binding energies, which is the evidence of the surface Fermi level shift to the conduction band. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/05/p710-716.pdf Доп.точки доступа: Львова, Т. В.; Дунаевский, М. С.; Лебедев, М. В.; Шахмин, А. Л.; Седова, И. В.; Иванов, С. В. |
539.21:535 Т 654 Транспортные параметры и оптические свойства селективно-легированных гетеровалентных структур Ga(Al)As/Zn(Mn)Se с двумерным дырочным каналом / Е. А. Европейцев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 1. - С. 32-35 : ил. - Библиогр.: с. 35 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- гетеровалентные структуры -- гетероструктуры -- Ga (Al) As/Zn (Mn) Se -- дырки -- двумерные дырочные каналы -- метод динамической масс-спектрометрии вторичных ионов -- динамическая масс-спектрометрия вторичных ионов -- Д-ВИМС -- разбавленные магнитные полупроводники -- РМП -- диффузия марганца -- марганец -- магнитные ионы -- магнитное упорядочение -- оптические свойства -- квантовые ямы -- фотолюминесценция Аннотация: Сообщается о получении методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур А{III}В{V}/А{II}В{VI}: Mn с высокой концентрацией дырок в двумерном канале AlGaAs: Be/GaAs/AlGaAs, расположенном в непосредственной близости от гетеровалентного интерфейса AlGaAs/Zn (Mn) Se. Несмотря на снижение концентрации дырок в GaAs-канале при уменьшении расстояния между каналом и гетеровалентным интерфейсом, концентрация дырок достигает 1. 5 x 10{13} см{-2} при температуре 300 K даже при минимальном расстоянии 1. 2 нм. С помощью глубинного профилирования методом динамической масс-спектроскопии вторичных ионов подтверждена обратная диффузия Mn из ZnMnSe в А{III}В{V} часть. Сочетание высокой концентрации дырок и наличия магнитных ионов марганца в GaAs-канале проводимости определяет интерес к разработанным структурам как возможным объектам исследования эффектов магнитного упорядочения в гетерогенных полупроводниковых системах. We report on fabrication by molecular beam epitaxy of A{III}B{V}/A{II}B{VI}: Mn heterostructures with high hole concentration in an AlGaAs: Be/GaAs/AlGaAs two-dimensional channel located in very vicinity of the AlGaAs/Zn (Mn) Se heterovalent interface. In spite of reduction of the hole concentration at decreasing the distance between the GaAs channel and the heterovalent interface, the hole concentration as high as 1. 5 x 10{13} cm{-2} at 300K is achieved for the distance as low as 1. 2 nm. Dynamic secondary ion mass- spectroscopy depth profiling confirms back-diffusion of Mn ions from ZnMnSe into the A{III}B{V}part. The high value of hole concentration and presence of magnetic Mn ions in GaAs attract interest to these structures as possible objects for studies of magnetic ordering in heterogeneous semiconductor systems. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/01/p32-35.pdf Доп.точки доступа: Европейцев, Е. А.; Климко, Г. В.; Комиссарова, Т. А.; Седова, И. В.; Сорокин, С. В.; Гронин, С. В.; Казанцев, Д. Ю.; Бер, Б. Я.; Иванов, С. В.; Торопов, А. А.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург) |
539.2 М 750 Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных AlGaAs/Zn(Mn)Se наноструктур с квантовыми точками InAs/AlGaAs вблизи гетеровалентного интерфейса / Г. В. Климко [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 1. - С. 36-43 : ил. - Библиогр.: с. 43 (28 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- МЭП -- квантовые точки -- InAs -- температура подложки -- наноструктуры -- гибридные гетероструктуры -- гетероструктуры -- фотолюминесценция -- интерфейсы -- GaAs/ZnSe -- арсенидгаллиевые структуры -- арсенид индия Аннотация: Изучены особенности роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии квантовых точек InAs в матрице Al[0. 35]Ga[0. 65]As в зависимости от температуры подложки, скорости осаждения и количества осажденного InAs. Определены оптимальные условия для получения массива самоорганизующихся квантовых точек с низкой плотностью (меньше либо равно 2 x 10{10} см{-2}) и малыми размерами (высота менее 4 нм). Продемонстрирована возможность формирования оптически активных квантовых точек InAs, излучающих в диапазоне энергий 1. 3-1. 4 эВ, на расстоянии не более 10 нм от когерентного гетеровалентного интерфейса GaAs/ZnSe. Установлено, что вставка в верхний барьерный слой AlGaAs оптически неактивной квантовой ямы GaAs (5 нм), туннельно-связанной с квантовыми точками InAs, улучшает эффективность фотолюминесценции массива квантовых точек в гибридных гетероструктурах. Peculiarities of molecular beam epitaxy of InAs quantum dots (QDs) in an Al0. 35Ga0. 65As matrix have been studied as dependent on substrate temperature, deposition rate, and amount of deposited InAs. Optimum conditions of formation of a low-density (less-than or equal to 2 x 10{10} cm{-2}) and low-height (below 4 nm) array of self-organized QDs have been defined. The possibility of fabrication of optically active InAs QDs, emitting within the energy range of 1. 3-1. 4 eV, at a distance below 10 nm from the coherent heterovalent interface GaAs/ZnSe has been demonstrated. It has been found that inserting into the upper AlGaAs barrier of the InAs QDs an optically inactive 5-nm-thick GaAs quantum well resonantly coupled with the QDs improves their luminescence efficiency in the hybrid structures. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/01/p36-43.pdf Доп.точки доступа: Климко, Г. В.; Сорокин, С. В.; Седова, И. В.; Гронин, С. В.; Лиачи, Ф.; Кайбышев, В. Х.; Севрюк, В. А.; Брунков, П. Н.; Ситникова, А. А.; Торопов, А. А.; Иванов, С. В.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург) |